電気光学装置および電子機器
【課題】基板縁からの基板間導通材の張り出しや基板間導通用電極と信号線との重なり等を発生させることなく、基板間導通を広い面積で行うことのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０に素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けるにあたって、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０の間６６を利用する。また、シール材８０については、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲した屈曲部分８５を設け、かかる屈曲部分８５の内側に基板間導通材９０を屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａに沿って延在するように設ける。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０に素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けるにあたって、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０の間６６を利用する。また、シール材８０については、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲した屈曲部分８５を設け、かかる屈曲部分８５の内側に基板間導通材９０を屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａに沿って延在するように設ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学物質層を保持する一対の基板間に基板間導通材が設けられた電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、液晶装置は、画素電極等を一方面側に備えた素子基板と、共通電極等を備えた対向基板とがシール材で貼り合わされているとともに、素子基板と対向基板との間でシール材により囲まれた領域内に電気光学物質層としての液晶層が保持されている。かかる電気光学装置においては、素子基板と対向基板との間に基板間導通材を設けることにより、素子基板から基板間導通材を介して対向基板の共通電極に共通電位を供給するようになっている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
特許文献１、２のうち、特許文献１の図３等には、素子基板と対向基板との間のうち、対向基板の角に基板間導通材を点状に設けた構成が提案されている。また、特許文献２の図４には、シール材の屈曲部分に基板間導通材を点状に設けた構成が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２５９６９１号公報の図３等
【特許文献２】特開平１０−２２８０３０号公報の図４等
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２に記載の構成のように、基板間導通材を点状に設けた場合、素子基板側と基板間導通材との接触面積、および対向基板側と基板間導通材との接触面積が狭いため、基板間導通材を利用した基板間導通部での抵抗が大きいという問題がある。一方、特許文献２の図２には、シール材の形成領域内に基板間導通材を線状に設けた構成が記載されているが、かかる構成では、シール材の幅寸法の一部を利用して基板間導通材を設けてあるため、基板間導通材の形成幅が極めて狭い。このため、上記の問題を解消することは困難である。
【０００６】
かといって、基板間導通材の形成領域を広げることを目的に、シール材の外縁に沿って延在するように基板間導通材を設けると、対向基板を切断した際、対向基板の切断面から基板間導通材が張り出してしまう等の問題が発生する。また、データ線等の信号線が形成されている領域であれば基板間導通材を広い領域に設けることができるが、共通電位が印加される基板間導通用電極を信号線と重ねると、信号線と基板間導通用電極との間に寄生容量が発生する等の問題が発生し、信号の波形が歪む等の問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板縁からの基板間導通材の張り出しや基板間導通用電極と信号線との重なり等を発生させることなく、基板間導通を広い面積で行うことのできる電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、画像表示領域内に設けられた画素電極、基板縁と前記画像表示領域とを結ぶ方向に複数本の信号線が延在するとともに、前記基板縁の延在方向に存在する複数の信号線形成領域、および前記複数の信号線形成領域の間に設けられた素子基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた素子基板と、共通電極、および前記素子基板側基板間導通用電極と重なる位置で前記共通電極に導通する対向基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた対向基板と、前記対向基板の基板縁に沿って設けられて前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせているとともに、前記素子基板側基板間導通用電極が設けられた領域では前記画像表示領域に向けて凹むように屈曲した屈曲部分を備えたシール材と、前記素子基板と前記対向基板との間で前記シール材により囲まれた領域に設けられた電気光学物質層と、前記素子基板と前記対向基板との間において前記屈曲部分と該屈曲部分に対向する前記対向基板の基板縁とに挟まれた領域内で当該基板縁に沿って延在するように設けられて前記素子基板側基板間導通用電極と前記対向基板側基板間導通用電極とを導通させる基板間導通材と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、素子基板に素子基板側基板間導通用電極を設けるにあたって、基板縁から画像表示領域内に向けて複数本の信号線が延在する複数の信号線形成領域の間を利用している。また、シール材については、素子基板側基板間導通用電極が設けられた領域では画像表示領域に向けて凹むように屈曲した屈曲部分を設け、かかる屈曲部分の内側に基板間導通材を屈曲部分に対向する対向基板の基板縁に沿って延在するように設ける。このため、基板間導通材を広い領域に設けて基板間導通部での抵抗を低減した場合でも、対向基板の基板縁からの基板間導通材が張り出すことがないとともに、信号線と素子基板側基板間導通用電極とが重なることを防止することができる。
【００１０】
本発明において、前記基板間導通材の前記画像表示領域と反対側の端部は、前記シール材において前記屈曲部分を挟む両側部分の外縁を直線的に結んだ仮想線より前記画像表示領域の側に位置することが好ましい。かかる構成によれば、シール材と対向基板の基板縁とが近接している場合でも、対向基板の基板縁からの基板間導通材が張り出すことがない。
【００１１】
本発明では、前記複数の信号線形成領域において前記素子基板側基板間導通用電極の両側に位置する前記信号線の一対の端部は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在しており、前記屈曲部分は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在する斜辺を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、屈曲部分で囲まれた領域を最大限広くすることができるので、基板間導通材を広い領域に設けることができる。
【００１２】
本発明において、前記屈曲部分は、該屈曲部分と対向する前記対向基板の基板縁に並行して延在する辺を有し、前記基板間導通材は、当該辺に接するように延在していることが好ましい。かかる構成によれば、屈曲部分が画像表示領域に向けて凹む寸法を小さくしつつ、基板間導通材を広い領域に設けることができる。
【００１３】
本発明において、前記素子基板側基板間導通用電極の一部は、前記シール材と平面視で重なっている構成を採用することができる。
【００１４】
本発明において、前記シール材は、前記素子基板と前記対向基板との間隙を制御するギャップ材を含んでおり、前記素子基板側基板間導通用電極には、前記シール材と重なる領域に部分的に前記素子基板の表面からの高さが低い部分が設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、シール材と信号線形成領域とが重なる領域と、シール材が素子基板側基板間導通用電極に重なる領域とにおいて、素子基板側基板間導通用電極や信号線を構成する導電パターンの形成密度差を小さくすることができる。それ故、シール材が含むギャップ材によって素子基板と対向基板との間隙を制御した際、シール材と信号線形成領域とが重なる領域と、シール材が素子基板側基板間導通用電極に重なる領域とにおいて、ギャップ材が導電パターンと接する度合いの差を小さくすることができる。それ故、素子基板と対向基板との間隙のばらつきを小さく抑えることができる。
【００１５】
本発明において、前記信号線形成領域は、前記基板縁の延在方向に３以上設けられ、前記素子基板側基板間導通用電極は、２以上設けられていることが好ましい。
【００１６】
本発明を適用した電気光学装置は、例えば、液晶テレビ等の電子機器に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明を適用した電気光学装置（表示装置）の説明図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の画素の説明図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の基板間導通部の説明図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板の素子基板側基板間導通用電極やデータ線の引き回し部分の構成を示す説明図である。
【図８】本発明を適用した電気光学装置においてシール材のギャップ材で素子基板と対向基板との間隙を制御する様子を示す説明図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置に設けた素子基板側基板間導通用電極を拡大して示す説明図である。
【図１０】本発明を適用した別の電気光学装置に設けた素子基板側基板間導通用電極等の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、液晶テレビ用の電気光学装置に本発明を適用した形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、配線や端子の数等も、少なく図示してある。また、以下の説明では、導光板や液晶パネルの面内方向で互いに交差する方向をＸ軸方向およびＹ軸方向とし、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に交差する方向をＺ軸方向とする。また、以下に参照する図面では、Ｘ軸方向の一方側をＸ１側とし、他方側をＸ２側とし、Ｙ軸方向の一方側をＹ１側とし、他方側をＹ２側とし、Ｚ軸方向の一方側をＺ１側（下側）とし、他方側（照明光や表示光が出射される側）をＺ２側（上側）として表してある。
【００１９】
［電子機器の構成］
図１は、本発明を適用した電気光学装置（表示装置）の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は、電気光学装置が液晶テレビ（電子機器）に用いられた状態の説明図、および電気光学装置の斜視図である。図２は、本発明を適用した電気光学装置の分解斜視図である。
【００２０】
図１（ａ）に示す電子機器２０００は液晶テレビであり、図１（ｂ）に示す電気光学装置１００やテレビ用のフレーム２０１０等を有している。図２に示すように、電気光学装置１００は、表示パネル（電気光学パネル）としての透過型の液晶パネル１００ｐと、液晶パネル１００ｐに照明光を供給する照明装置１８０とを有している。照明装置１８０は、液晶パネル１００ｐに重ねて配置された導光板１８５や、導光板１８５の側端面のうち、光入射部とされた側端面に沿って配置された複数の発光素子等（図示せず）を有している。電気光学装置１００において、照明装置１８０は、樹脂フレームや下金枠等の下フレーム（図示せず）に保持されており、かかる照明装置１８０の上側に液晶パネル１００ｐおよび上フレーム１５０が重ねて配置されている。上フレーム１５０は、ＳＵＳ板等の薄い金属板に対するプレス加工等により形成されてなり、矩形の上板部１５５と、上板部１５５の外周縁から下方に折れ曲がった４つの側板部１５１〜１５４とを備えている。上板部１５５には、液晶パネル１００ｐから出射された光を出射する矩形の窓１５６が形成されており、上板部１５５は、液晶パネル１００ｐの表示光出射側のうち、外周端部を全周にわたって覆っている。
【００２１】
液晶パネル１００ｐは、四角形の平面形状を有しており、詳しくは後述するように、画素電極（図示せず）等が形成された素子基板１０と、素子基板１０に対して所定の隙間を介して対向配置された対向基板２０と、この対向基板２０と素子基板１０とを貼り合わせるシール材とを備えている。素子基板１０および対向基板２０はガラス基板等の透光性基板からなる。本形態では、対向基板２０が表示光の出射側に配置され、素子基板１０は照明装置１８０の側に配置されている。液晶パネル１００ｐは、ＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式、あるいはＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）方式の液晶パネルとして構成されており、素子基板１０に画素電極が形成され、対向基板２０に共通電極（図示せず）が形成されている。液晶パネル１００ｐの上面には上偏光板１１８が重ねて配置され、液晶パネル１００ｐの下面と照明装置１８０との間には下偏光板１１７が配置されている。なお、素子基板１０が対向基板２０に対して表示光の出射側に配置されることもある。また、液晶パネル１００ｐがＩＰＳ（In Plane Switching）方式や、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式の液晶パネルである場合、共通電極は、素子基板１０の側に設けられる。なお、液晶パネル１００ｐがＩＰＳ方式やＦＦＳ方式の液晶パネルであっても、対向基板２０の側にシールド等を目的に共通電極を形成することもある。
【００２２】
ここで、素子基板１０は対向基板２０より大きい。このため、素子基板１０は、対向基板２０の端部からＹ軸方向の一方側Ｙ１に張り出した張り出し領域１１０と、対向基板２０の端部からＸ軸方向の他方側Ｘ２に張り出した張り出し領域１２０を有している。かかる張り出し領域１１０、１２０の上面にはフレキシブル配線基板２００が接続されている。フレキシブル配線基板２００は、複数枚が張り出し領域１１０、１２０に接続した構造を有しており、かかるフレキシブル配線基板２００あるいはフレキシブル配線基板２００に接続された回路基板（図示せず）には、液晶パネル１００ｐにデータ信号や走査信号を供給する駆動用ＩＣ（図示せず）や、照明装置１８０の光源駆動用ＩＣ（図示せず）が実装されている。
【００２３】
［電気光学装置１００の構成］
（全体構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。図３において、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ｃがマトリクス状に配列された画像表示領域１００ａ（有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図４等を参照）では、画像表示領域１００ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ｃが構成されている。複数の画素１００ｃの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター１００ｔ、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター１００ｔのソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター１００ｔのゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター１００ｔのドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２４】
また、電気光学装置１００は、フレキシブル配線基板２００に実装された駆動用ＩＣ内に走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１を備えており、データ線駆動回路１０１は各データ線６ａにデータ信号（画像信号）を順次供給する。また、走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに走査信号を順次供給する。
【００２５】
各画素１００ｃにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図４等を参照）に形成された共通電極と電気光学物質層としての液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ｃには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ｃに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２６】
（液晶パネル１００ｐの具体的構成例）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。なお、図４において、画素電極９ａ、信号線、端子等の数については少なく示してある。
【００２７】
図４に示すように、液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形の透光性基板である。従って、素子基板１０は、４つの基板縁１０ａ〜１０ｄを備え、対向基板２０は、素子基板１０の４つの基板縁１０ａ〜１０ｄに沿って延在する４つの基板縁２０ａ〜２０ｄを備えている。素子基板１０と対向基板２０とは、対向基板２０の４つの基板縁２０ａ〜２０ｄに沿うように四角枠状に設けられたシール材８０によって貼り合わされており、シール材８０は４つの辺８０ａ〜８０ｄを有している。シール材８０は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材８１が配合されている。本形態において、シール材８０は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の基板縁２０ａ〜２０ｄに沿うように延在している。なお、シール材８０には、辺８０ｂの一部が液晶注入口８０ｒとして途切れており、かかる液晶注入口８０ｒは液晶材料を注入した後、封止材８８で塞がれている。
【００２８】
かかる液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１００ａが四角形の領域として設けられている。また、液晶パネル１００ｐにおいて、対向基板２０の基板縁２０ａから張り出した素子基板１０の張り出し領域１１０、１２０では、基板縁１０ａに沿って複数の端子１０２ａが配列されており、対向基板２０の基板縁２０ｄから張り出した素子基板１０の張り出し領域１２０では、基板縁１０ｄに沿って複数の端子１０２ｂが配列されている。かかる端子１０２ａ、１０２ｂは、フレキシブル配線基板２００を接続するための端子である。本形態では、端子１０２ａには、フレキシブル配線基板２００として３枚のフレキシブル配線基板２０１、２０２、２０３が接続され、端子１０２ｂには、フレキシブル配線基板２００として２枚のフレキシブル配線基板２０６、２０７が接されている。
【００２９】
素子基板１０において、端子１０２ａ（基板縁１０ａの側）から画像表示領域１００ａに向けては複数のデータ線６ａの引き回し部分が延在しており、データ線６ａの引き回し部分は、基板縁１０ａと画像表示領域１００ａとを結ぶ方向に延在している。ここで、データ線６ａの引き回し部分の形成領域は、３枚のフレキシブル配線基板２０１、２０２、２０３に対応して３つの信号線形成領域６０（信号線形成領域６１、６２、６３）に分割されている。このため、３つの信号線形成領域６０の間６６は、データ線６ａが形成されていない空き領域になっている。また、データ線６ａの引き回し部分は、画像表示領域１００ａの外側では斜めに延在しているが、画像表示領域１００ａの内側では、Ｙ軸方向に直線的に延在し、かつ、Ｘ軸方向では等間隔である。
【００３０】
また、素子基板１０において、端子１０２ｂ（基板縁１０ｄの側）から画像表示領域１００ａに向けては複数の走査線３ａの引き回し部分が延在しており、走査線３ａの引き回し部分は、基板縁１０ｄと画像表示領域１００ａとを結ぶ方向に延在している。ここで、走査線３ａの引き回し部分の形成領域は、２枚のフレキシブル配線基板２０６、２０７に対応して２つの信号線形成領域３０（信号線形成領域３１、３２）に分割されている。このため、２つ信号線形成領域３０の間は、走査線３ａが形成されていない空き領域になっている。また、走査線３ａの引き回し部分は、画像表示領域１００ａの外側では斜めに延在しているが、画像表示領域１００ａの内側では、Ｘ軸方向に直線的に延在し、かつ、Ｙ軸方向では等間隔である。
【００３１】
図４（ｂ）に示すように、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓにおいて、画像表示領域１００ａには、図３を参照して説明した画素トランジスター（図示せず）、および画素トランジスターに電気的に接続する透光性の画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。なお、素子基板１０の一方面１０ｓにおいて、外周領域１００ｒのうち、画像表示領域１００ａとシール材８０とに挟まれた四角枠状の周辺領域１００ｓには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１００ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。
【００３２】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面２０ｓ側には透光性の共通電極２１（液晶駆動用電極）が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ｃに跨って形成されている。
【００３３】
また、対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓ側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１００ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａと、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとからなる。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材８０の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材８０とは重なっていない。なお、図５を参照して説明するように、対向基板２０の一方面２０ｓ側にはカラーフィルター層等も形成されている。
【００３４】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいては、詳しくは後述するように、素子基板１０の基板縁１０ａと画像表示領域１００ａとの間（対向基板２０の基板縁２０ａと画像表示領域１００ａとの間）には、素子基板１０と対向基板２０とを導通させる基板間導通部１９０が構成されている。
【００３５】
より具体的には、素子基板１０の一方面１０ｓには、シール材８０の外側において対向基板２０と重なる位置に素子基板側基板間導通用電極６ｅが形成されており、かかる素子基板側基板間導通用電極６ｅには共通電位Ｖcomが印加されている。また、対向基板２０の一方面２０ｓには、素子基板側基板間導通用電極６ｅと重なる領域に対向基板側基板間導通用電極２１ｅが形成されており、かかる対向基板側基板間導通用電極２１ｅは共通電極２１に導通している。本形態において、対向基板側基板間導通用電極２１ｅは共通電極２１の一部からなる。また、素子基板１０と対向基板２０との間において、素子基板側基板間導通用電極６ｅおよび対向基板側基板間導通用電極２１ｅとの間には、導電粒子９１を含む基板間導通材９０が配置されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。導電粒子９１は、金属粒子や、ガラスやプラスチックの粒子に銀層や金層の金属層が形成された構成を有している。
【００３６】
（画素の具体的構成）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００の画素１００ｃの説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、およびＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図５（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは長い破線で示し、下電極層４ａは細い実線で示してある。なお、素子基板１０では、誘電体層４２ａが形成されているが、誘電体層４２ａは容量線５ｂと重なる領域に形成されているため、図５（ａ）には図示を省略してある。また、下電極層４ａの外周縁に沿ってエッチングストッパー層４０ａの開口縁が存在するが、図５（ａ）では、かかる開口縁の図示は省略してある。
【００３７】
図５（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ｃの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆと重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａおよびデータ線６ａは画素間領域１０ｆと重なるように直線的に形成されている。より具体的には、画素間領域１０ｆのうち、第１方向（Ｙ軸方向）に延在する第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿ってデータ線６ａが直線的に延在し、第２方向（Ｘ軸方向）に延在する第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って走査線３ａが直線的に延在している。
【００３８】
また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター１００ｔが形成されており、本形態において、画素トランジスター１００ｔは、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に形成されている。素子基板１０には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３９】
図５（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター１００ｔ、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００４０】
素子基板１０において、複数の画素１００ｃの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター１００ｔが形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対して透光性のゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。なお、基板本体１０ｗと下地絶縁膜１２の層間、あるいは２層にした下地絶縁膜１２の層間に、走査線３ａと重なる遮光層を形成する場合や、かかる遮光層を走査線３ａとし、遮光層とゲート電極３ｃとを導通させた構造を採用することもある。
【００４１】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００４２】
下電極層４ａの上層側には、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率絶縁膜からなる誘電体層４２ａが形成されている。誘電体層４２ａの上層側には、誘電体層４２ａを介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂが形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２ａおよび下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２ａおよび容量線５ｂは、画素トランジスター１００ｔの上層側に形成され、保持容量５５は、画素トランジスター１００ｔの上層側のうち、少なくとも画素トランジスター１００ｔに対して平面視で重なる領域に形成されている。
【００４３】
本形態において、誘電体層４２ａは、容量線５ｂと略同一形状をもって同一の領域に形成されている。また、誘電体層４２ａの端縁４２ｇおよび容量線５ｂの端縁５ｇは、下電極層４ａと重なる位置にある。下電極層４ａと誘電体層４２ａとの層間にはシリコン酸化膜等からなるエッチングストッパー層４０ａが形成されており、かかるエッチングストッパー層４０ａには、下電極層４ａに対して部分的に重なる領域に開口部４０ｂが形成されている。このため、下電極層４ａと容量線５ｂとは、開口部４０ｂにおいて誘電体層４２ａを介して対向し、保持容量５５を構成している。また、エッチングストッパー層４０ａは、少なくとも誘電体層４２ａの端縁４２ｇおよび容量線５ｂの端縁５ｇと重なる領域に形成されている。なお、エッチングストッパー層４０ａは、誘電体層４２ａの端縁４２ｇおよび容量線５ｂの端縁５ｇと重なる領域のみに形成される場合もある。
【００４４】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００４５】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜からなる四角形の画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。第３層間絶縁膜４４の表面には、図４（ｂ）等を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図５（ａ）には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された透光性導電膜からなる。
【００４６】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、本形態において、配向膜１６は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。
【００４７】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロムやそれらの化合物や合金等からなる導電性の遮光層２９が形成されており、かかる遮光層２９のうち、画像表示領域１００ａに形成されているブラックマトリクス部２９ｂは、画素間領域１０ｆ（図５（ａ）等を参照）と重なる位置で縦横に延在している。
【００４８】
本形態において、遮光層２９にアルミニウム合金層（アルミニウム系金属層）が用いられている。また、遮光層２９の上層（素子基板１０に対向する側の面）には、カラーフィルター層２７、保護膜２８、共通電極２１が形成されており、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。遮光層２９の上層（素子基板１０に対向する側の面）には配向膜２６が形成されており、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。本形態において、配向膜２６は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。
【００４９】
このように構成した電気光学装置１００において、液晶材料として誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられており、配向膜１６、２６は、液晶材料を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作させる。
【００５０】
（基板間導通部１９０の平面的構成）
図６は、本発明を適用した電気光学装置１００の基板間導通部１９０の説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた状態における基板間導通部１９０等の平面構成を示す説明図、および対向基板２０を貼り合わせる前の状態における素子基板１０の基板間導通部１９０等の平面構成を示す説明図である。なお、図６において、素子基板側基板間導通用電極６ｅに形成した開口部６ｆの数について少なく表してある。
【００５１】
図４に示すように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の側から共通電極２１に共通電位Ｖcomを供給するにあたって、シール材８０の外側のうち、素子基板１０と対向基板２０とが重なっている領域に基板間導通部１９０が構成されている。本形態では、素子基板１０の基板縁１０ａと画像表示領域１００ａとの間（対向基板２０の基板縁２０ａと画像表示領域１００ａとの間）において、シール材８０に近接する位置に基板間導通部１９０が２個所、構成されている。ここで、２個所の基板間導通部１９０の構成は同一であるため、フレキシブル配線基板２０２、２０３が接続されている付近に設けた基板間導通部１９０を例に説明し、フレキシブル配線基板２０１、２０２が接続されている付近に設けた基板間導通部１９０の説明は省略する。
【００５２】
本形態では、基板間導通部１９０を構成するにあたって、まず、図６に示すように、素子基板１０において、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分（信号線）が延在する信号線形成領域６０の間６６（信号線形成領域６２、６３の間６６）には素子基板側基板間導通用電極６ｅが形成されている。かかる素子基板側基板間導通用電極６ｅの形成位置は、対向基板２０と重なる領域である。また、対向基板２０では、一方面２０ｓの略全面に共通電極２１が形成されているため、共通電極２１のうち、素子基板側基板間導通用電極６ｅと重なる領域は、図４（ｂ）に示す対向基板側基板間導通用電極２１ｅとして利用される。
【００５３】
次に、シール材８０は、対向基板２０の基板縁２０ａ〜２０ｂに沿って設けられており、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせている。ここで、シール材８０は、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲しており、かかる屈曲部分８５は、信号線形成領域６０の間６６に位置し、データ線６ａとは重なっていない。
【００５４】
本形態では、素子基板側基板間導通用電極６ｅを両側で挟む信号線形成領域６０の端部に位置するデータ線６ａの引き回し部分（信号線）は、互いに近接するように斜めに傾きながら画像表示領域１００ａに向かって延在している。かかる形状に対応して、屈曲部分８５は、信号線形成領域６０の間６６において、信号線形成領域６０の端部に沿って斜めに延在する辺８５１、８５２（斜辺）を備えている。また、屈曲部分８５は、屈曲部分８５に対して対向する対向基板２０の基板縁２０ａに並行して延在する辺８５３を有している。
【００５５】
また、素子基板側基板間導通用電極６ｅは、基板縁２０ａに並行して延在する辺６ｅ1と、辺６ｅ1に対して画像表示領域１００ａ側で辺６ｅ1に並行に延在する辺６ｅ2と、辺６ｅ1の両端から画像表示領域１００ａに向けて延在する２つの辺６ｅ3、６ｅ5と、辺６ｅ3と辺６ｅ2の端部を繋ぐ辺６ｅ4と、辺６ｅ5と辺６ｅ2の端部を繋ぐ辺６ｅ6とを有している。ここで、素子基板側基板間導通用電極６ｅは、シール材８０の屈曲部分８５と重なる領域に形成されており、かつ、素子基板側基板間導通用電極６ｅのサイズは屈曲部分８５より大である。このため、シール材８０は、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、画像表示領域１００ａの側に位置する部分と重なっている。
【００５６】
また、素子基板側基板間導通用電極６ｅには、Ｘ軸方向に延在するスリット状の開口部６ｆがＹ軸方向に複数、並列している。それ故、素子基板側基板間導通用電極６ｅは、開口部６ｆで挟まれた部分が細幅部分になっており、本形態において、シール材８０は、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、開口部６ｆによって細幅部分となっている領域に重なっている。かかる開口部６ｆは、図８を参照して後述するように、シール材８０と重なる領域に、部分的に素子基板１０の表面からの高さが低くなっている部分を形成しており、それより、シール材８０と重なる領域における導電膜の密度を調整する。なお、スリット状の開口部６ｆに代えて、開口部６ｆを格子状に形成してもよい。
【００５７】
次に、基板間導通材９０は、シール材８０の屈曲部分８５と屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａとに挟まれた領域内で基板縁２０ａに沿って延在するように帯状に設けられている。本形態において、基板間導通材９０は、屈曲部分８５において基板縁２０ａに並行して延在する辺８５３に接するように延在している。このため、基板間導通材９０の画像表示領域１００ａと反対側の端部は、シール材８０において屈曲部分８５を挟む両側部分の外縁８０ｇを直線的に結んだ仮想線より画像表示領域１００ａの側に位置しており、基板間導通材９０は、外縁８０ｇを直線的に結んだ仮想線より基板縁２０ａの側に張り出していない。
【００５８】
かかる構成によれば、例えば、素子基板１０にシール材８０および基板間導通材９０を塗布した後、素子基板１０との間にシール材８０および基板間導通材９０を挟むように対向基板２０を重ねれば、素子基板１０と対向基板２０は、ギャップ材８１を含有するシール材８０で所定の間隙を介して貼り合わされるとともに、素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板側基板間導通用電極２１ｅとは、導電粒子９１を含む基板間導通材９０によって導通する。
【００５９】
なお、本形態では、素子基板側基板間導通用電極６ｅを両側で挟む信号線形成領域６０の端部に形成されている配線６ｊは、隣り合う信号線形成領域６０同士を電気的に接続している。かかる配線６ｊは、例えば、シールド線あるいは同期信号線である。
【００６０】
（素子基板側基板間導通用電極６ｅおよびデータ線６ａの具体的構成）
図７は、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅやデータ線６ａの引き回し部分の構成を示す説明図であり、図７（ａ１）、（ａ２）は、素子基板側基板間導通用電極６ｅの平面構成を模式的に示す説明図、および断面構成を模式的に示すＥ−Ｅ′断面図であり、図７（ｂ１）、（ｂ２）は、データ線６ａの平面構成を模式的に示す説明図、および断面構成を模式的に示すＦ−Ｆ′断面図である。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００においてシール材８０のギャップ材８１で素子基板１０と対向基板２０との間隙を制御する様子を示す説明図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、図６のＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面図である。図９は、本発明を適用した電気光学装置１００に設けた素子基板側基板間導通用電極６ｅを拡大して示す説明図である。なお、図７において、素子基板側基板間導通用電極６ｅに形成した開口部６ｆの数について少なく表してある。また、図８では、図７（ａ２）、（ｂ２）等に示す下地絶縁膜１２や第２層間絶縁膜４３等の図示を省略してある。また、図９では、開口部６ｆが最低限必要な部分（シール材８０と重なる部分）を右下がりの斜線を付した領域で示し、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、導電性保護膜が必要な部分を右上がりの斜線を付した領域で示してある。
【００６１】
図７に示すように、本形態の電気光学装置１００において、素子基板側基板間導通用電極６ｅは、データ線６ａの引き回し部分と同様、第２層間絶縁膜４３上に形成された同一の導電膜から構成されている。ここで、素子基板側基板間導通用電極６ｅの高さ位置や、データ線６ａの引き回し部分の高さ位置を調整することを目的に、素子基板側基板間導通用電極６ｅの下層側、およびデータ線６ａの引き回し部分の下層側には、図４に示す走査線３ａ、下電極層４ａ、容量線５ｂ等の同一の導電膜３ｅ、３ｔ、４ｅ、４ｔ、５ｅ、５ｔ等が形成されている。また、素子基板側基板間導通用電極６ｅの下層側、およびデータ線６ａの引き回し部分の下層側には、下地絶縁膜１２、ゲート絶縁層２、第１層間絶縁膜４１、誘電体層４２ａ、第２層間絶縁膜４３等も形成されている。
【００６２】
素子基板側基板間導通用電極６ｅの上層側には第３層間絶縁膜４４が形成されているが、かかる第３層間絶縁膜４４には開口部４４ｅが形成されているので、素子基板側基板間導通用電極６ｅの表面は露出している。かかる開口部４４ｅは、第３層間絶縁膜４４に対するエッチングにより形成され、その際、素子基板側基板間導通用電極６ｅはエッチングストッパーとして機能する。このため、エッチングストッパー層４０ａや第１層間絶縁膜４１がエッチングされることはない。なお、本形態では、素子基板側基板間導通用電極６ｅの表面側のうち、基板間導通材９０が設けられている領域には、図５（ｂ）に示す画素電極９ａと同時形成されたＩＴＯ膜からなる導電性保護膜９ｇが形成されており、かかる導電性保護膜９ｇは、第３層間絶縁膜４４の開口部４４ｅを介して素子基板側基板間導通用電極６ｅに導通している。導電性保護膜９ｇは、素子基板側基板間導通用電極６ｅを構成する金属膜の表面が酸化して接触抵抗が高くなることを防止する機能を発揮する。また、本形態では、開口部４４ｅを形成する際、素子基板側基板間導通用電極６ｅをエッチングストッパーとして機能させることにより、開口部４４ｅを導電膜５ｅまで到達させ、素子基板側基板間導通用電極６ｅと導電膜５ｅとを導電性保護膜９ｇによって導通させる構造が採用されている。一方、データ線６ａの引き回し部の上層側には、第３層間絶縁膜４４が形成されており、かかる第３層間絶縁膜４４の表面には、データ線６ａの引き回し部等に起因する凸部４４ｔが形成されている。
【００６３】
ここで、素子基板側基板間導通用電極６ｅはスリット状の開口部６ｆが形成されているため、素子基板側基板間導通用電極６ｅの表面側のうち、シール材８０が設けられている領域にも第３層間絶縁膜４４の表面に凸部４４ｔが形成されている。このため、図８を参照して以下に説明するように、素子基板１０と対向基板２０との間隙をシール材８０のギャップ材８１で精度よく制御することができる。
【００６４】
まず、図８（ａ）に示すように、素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）との間には、シール材８０のギャップ材８１、および基板間導通材９０の導電粒子９１が介在するが、ギャップ材８１としては、導電粒子９１より硬い材料が用いられている。このため、素子基板側基板間導通用電極６ｅと共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）との間にギャップ材８１および導電粒子９１が介在している場合でも、素子基板１０と対向基板２０との間隙をギャップ材８１で制御することができる。
【００６５】
次に、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、シール材８０のギャップ材８１は、素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）との間に介在するとともに、素子基板１０のデータ線６ａの引き回し部分と対向基板２０との間にも介在している。なお、本形態では、対向基板２０において、データ線６ａの引き回し部分が形成された信号線形成領域６０と対向する領域には共通電極２１は形成されていない。但し、共通電極２１の厚さは１００ｎｍであり、素子基板側基板間導通用電極６ｅやデータ線６ａの引き回し部分を構成する導電膜の厚さ（例えば、３００ｎｍ〜５００ｎｍ）からみれば薄いので、共通電極２１の有無は、素子基板１０と対向基板２０との間隙に大きな影響を及ぼさない。
【００６６】
ここで、データ線６ａの引き回し部分が形成された信号線形成領域６０では、データ線６ａの引き回し部分が間にスペースをもって形成されているため、素子基板１０のデータ線６ａの引き回し部分によって第３層間絶縁膜４４の表面に形成された凸部４４ｔと対向基板２０とに接触するギャップ材８１の密度が低い。そこで、本形態では、素子基板側基板間導通用電極６ｅにスリット状の開口部６ｆを設け、素子基板側基板間導通用電極６ｅの表面側のうち、シール材８０が設けられている領域にも第３層間絶縁膜４４の表面に凸部４４ｔが形成されている。このようにして、素子基板側基板間導通用電極６ｅにおいてギャップ材８１と接する密度を低下させることにより、素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）とに接触するギャップ材８１の密度を低下させてある。従って、素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）とに接触するギャップ材８１の密度と、第３層間絶縁膜４４の凸部４４ｔと対向基板２０とに接触するギャップ材８１の密度とが同等である。また、データ線６ａの引き回し部分と重なる部分の第３層間絶縁膜４４の表面の高さと、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、シール材８０が設けられている領域の第３層間絶縁膜４４の表面の高さとが同等である。それ故、本形態によれば、ギャップ材８１が素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）との間に介在するとともに、素子基板１０のデータ線６ａの引き回し部分と対向基板２０との間にも介在している場合でも、素子基板１０と対向基板２０との間隙をギャップ材８１で制御することができる。
【００６７】
なお、図９には、開口部６ｆが最低限必要な部分（シール材８０と重なる部分）を右下がりの斜線を付した領域で示してあり、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、導電性保護膜９ｇが必要な部分を右上がりの斜線を付した領域で示してある。なお、導電性保護膜９ｇは、シール材８０と重なるように形成してもよい。
【００６８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０に素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けるにあたって、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０の間６６を利用している。また、シール材８０については、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲した屈曲部分８５を設け、かかる屈曲部分８５の内側に基板間導通材９０を屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａに沿って延在するように設ける。このため、基板間導通材９０を広い領域に設けて基板間導通部１９０での抵抗を低減した場合でも、対向基板２０の基板縁２０ａから基板間導通材９０が張り出すことがないとともに、データ線６ａの引き回し部分と素子基板側基板間導通用電極６ｅとが重なって容量が寄生してしまうことを防止することができる。
【００６９】
また、基板間導通材９０の画像表示領域１００ａと反対側の端部は、シール材８０において屈曲部分８５を挟む両側部分の外縁８０ｇを直線的に結んだ仮想線より画像表示領域１００ａの側に位置している。このため、シール材８０と対向基板２０の基板縁２０ａとが近接している場合でも、対向基板２０の基板縁２０ａからの基板間導通材９０が張り出すことがない。
【００７０】
また、複数の信号線形成領域６０において素子基板側基板間導通用電極６ｅの両側に位置する一対の端部は、互いに近接するように斜めに傾きながら画像表示領域１００ａに向かって延在している形状に合わせて、屈曲部分８５は、斜めに延在する辺８５１、８５２（斜辺）を備えている。このため、屈曲部分８５で囲まれた領域を最大限広くすることができるので、基板間導通材９０を広い領域に設けることができる。
【００７１】
また、屈曲部分８５は、屈曲部分８５と対向する対向基板２０の基板縁２０ａに並行して延在する辺８５３を有し、基板間導通材９０は、辺８５３に接するように延在している。このため、屈曲部分８５が画像表示領域１００ａに向けて凹む寸法を小さくしつつ、基板間導通材９０を広い領域に設けても、基板間導通材９０が屈曲部分８５から基板縁２０ａの側に張り出すことを防止することができる。
【００７２】
また、本形態では、基板間導通部１９０を２個所に設けたため、基板間導通材９０を広い領域に設けることができるので、基板間導通部１９０での抵抗を低減することができる。
【００７３】
［別の実施の形態］
図１０は、本発明を適用した別の電気光学装置１００に設けた素子基板側基板間導通用電極６ｅ等の説明図であり、図８に対応する部分を示してある。より具体的には、図１０（ａ）、（ｂ）は、素子基板側基板間導通用電極６ｅが形成されている領域の断面図、およびデータ線６ａの引き回し部分が形成されている領域の断面図である。図１〜図９には、画素トランジスター１００ｔとして、半導体層１ａにポリシリコン膜を用いたトップゲート構造の電界効果型トランジスターを構成したが、半導体層１ａにアモルファスシリコン膜を用いたボトムゲート構造の電界効果型トランジスター等を画素トランジスター１００ｔとして用いた電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。この場合、図１０に示すように、データ線６ａや素子基板側基板間導通用電極６ｅはゲート絶縁層２の表面に形成されることになる。
【００７４】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、基板間導通部１９０を２個所に設けたが、基板間導通部１９０を１個所、あるいは３個所以上に設ける場合に本発明を適用してもよい。また、例えば、上記実施の形態では、データ線６ａが延在している側に基板間導通部１９０を設けたが、走査線３ａが延在している側に基板間導通部１９０を設けてもよく、データ線６ａが延在している側および走査線３ａが延在している側の双方に基板間導通部１９０を設けてもよい。
【００７５】
上記実施の形態では、素子基板１０に接続した複数枚のフレキシブル配線基板２００から信号を画像表示領域１００ａに供給することにより、複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０を設け、かかる信号線形成領域６０の間６６を利用して素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けたが、例えば、複数の駆動用ＩＣを素子基板１０に実装することにより、複数の信号線形成領域６０を設けてもよい。また、素子基板１０自身に駆動回路を内蔵させる場合でも、複数の駆動回路を素子基板１０に内蔵させることにより、複数の信号線形成領域６０を設けてもよい。
【００７６】
上記実施の形態では、電気光学装置１００として透過型の電気光学装置１００を例示したが、反射型の液晶装置や、プラズマディスプレイ、電界放出型ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ等において基板間導通を行う場合に本発明を適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
上述実施形態では、電気光学装置１００を搭載した電子機器２０００として、液晶テレビを例示したが、液晶テレビ以外にも、パーソナルコンピューターのディスプレイ、デジタルサイネージ、カーナビゲーション装置、携帯用情報端末等の電子機器の表示部に本発明を適用した電気光学装置１００を用いてもよい。
【符号の説明】
【００７８】
６ｅ・・素子基板側基板間導通用電極、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２１ｅ・・対向基板側基板間導通用電極、５０・・液晶層（電気光学物質層）、６０・・信号線形成領域、８０・・シール材、８５・・屈曲部分、９０・・基板間導通材、８１・・ギャップ材、９１・・導電粒子、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画像表示領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学物質層を保持する一対の基板間に基板間導通材が設けられた電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、液晶装置は、画素電極等を一方面側に備えた素子基板と、共通電極等を備えた対向基板とがシール材で貼り合わされているとともに、素子基板と対向基板との間でシール材により囲まれた領域内に電気光学物質層としての液晶層が保持されている。かかる電気光学装置においては、素子基板と対向基板との間に基板間導通材を設けることにより、素子基板から基板間導通材を介して対向基板の共通電極に共通電位を供給するようになっている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
特許文献１、２のうち、特許文献１の図３等には、素子基板と対向基板との間のうち、対向基板の角に基板間導通材を点状に設けた構成が提案されている。また、特許文献２の図４には、シール材の屈曲部分に基板間導通材を点状に設けた構成が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２５９６９１号公報の図３等
【特許文献２】特開平１０−２２８０３０号公報の図４等
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２に記載の構成のように、基板間導通材を点状に設けた場合、素子基板側と基板間導通材との接触面積、および対向基板側と基板間導通材との接触面積が狭いため、基板間導通材を利用した基板間導通部での抵抗が大きいという問題がある。一方、特許文献２の図２には、シール材の形成領域内に基板間導通材を線状に設けた構成が記載されているが、かかる構成では、シール材の幅寸法の一部を利用して基板間導通材を設けてあるため、基板間導通材の形成幅が極めて狭い。このため、上記の問題を解消することは困難である。
【０００６】
かといって、基板間導通材の形成領域を広げることを目的に、シール材の外縁に沿って延在するように基板間導通材を設けると、対向基板を切断した際、対向基板の切断面から基板間導通材が張り出してしまう等の問題が発生する。また、データ線等の信号線が形成されている領域であれば基板間導通材を広い領域に設けることができるが、共通電位が印加される基板間導通用電極を信号線と重ねると、信号線と基板間導通用電極との間に寄生容量が発生する等の問題が発生し、信号の波形が歪む等の問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板縁からの基板間導通材の張り出しや基板間導通用電極と信号線との重なり等を発生させることなく、基板間導通を広い面積で行うことのできる電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、画像表示領域内に設けられた画素電極、基板縁と前記画像表示領域とを結ぶ方向に複数本の信号線が延在するとともに、前記基板縁の延在方向に存在する複数の信号線形成領域、および前記複数の信号線形成領域の間に設けられた素子基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた素子基板と、共通電極、および前記素子基板側基板間導通用電極と重なる位置で前記共通電極に導通する対向基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた対向基板と、前記対向基板の基板縁に沿って設けられて前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせているとともに、前記素子基板側基板間導通用電極が設けられた領域では前記画像表示領域に向けて凹むように屈曲した屈曲部分を備えたシール材と、前記素子基板と前記対向基板との間で前記シール材により囲まれた領域に設けられた電気光学物質層と、前記素子基板と前記対向基板との間において前記屈曲部分と該屈曲部分に対向する前記対向基板の基板縁とに挟まれた領域内で当該基板縁に沿って延在するように設けられて前記素子基板側基板間導通用電極と前記対向基板側基板間導通用電極とを導通させる基板間導通材と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、素子基板に素子基板側基板間導通用電極を設けるにあたって、基板縁から画像表示領域内に向けて複数本の信号線が延在する複数の信号線形成領域の間を利用している。また、シール材については、素子基板側基板間導通用電極が設けられた領域では画像表示領域に向けて凹むように屈曲した屈曲部分を設け、かかる屈曲部分の内側に基板間導通材を屈曲部分に対向する対向基板の基板縁に沿って延在するように設ける。このため、基板間導通材を広い領域に設けて基板間導通部での抵抗を低減した場合でも、対向基板の基板縁からの基板間導通材が張り出すことがないとともに、信号線と素子基板側基板間導通用電極とが重なることを防止することができる。
【００１０】
本発明において、前記基板間導通材の前記画像表示領域と反対側の端部は、前記シール材において前記屈曲部分を挟む両側部分の外縁を直線的に結んだ仮想線より前記画像表示領域の側に位置することが好ましい。かかる構成によれば、シール材と対向基板の基板縁とが近接している場合でも、対向基板の基板縁からの基板間導通材が張り出すことがない。
【００１１】
本発明では、前記複数の信号線形成領域において前記素子基板側基板間導通用電極の両側に位置する前記信号線の一対の端部は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在しており、前記屈曲部分は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在する斜辺を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、屈曲部分で囲まれた領域を最大限広くすることができるので、基板間導通材を広い領域に設けることができる。
【００１２】
本発明において、前記屈曲部分は、該屈曲部分と対向する前記対向基板の基板縁に並行して延在する辺を有し、前記基板間導通材は、当該辺に接するように延在していることが好ましい。かかる構成によれば、屈曲部分が画像表示領域に向けて凹む寸法を小さくしつつ、基板間導通材を広い領域に設けることができる。
【００１３】
本発明において、前記素子基板側基板間導通用電極の一部は、前記シール材と平面視で重なっている構成を採用することができる。
【００１４】
本発明において、前記シール材は、前記素子基板と前記対向基板との間隙を制御するギャップ材を含んでおり、前記素子基板側基板間導通用電極には、前記シール材と重なる領域に部分的に前記素子基板の表面からの高さが低い部分が設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、シール材と信号線形成領域とが重なる領域と、シール材が素子基板側基板間導通用電極に重なる領域とにおいて、素子基板側基板間導通用電極や信号線を構成する導電パターンの形成密度差を小さくすることができる。それ故、シール材が含むギャップ材によって素子基板と対向基板との間隙を制御した際、シール材と信号線形成領域とが重なる領域と、シール材が素子基板側基板間導通用電極に重なる領域とにおいて、ギャップ材が導電パターンと接する度合いの差を小さくすることができる。それ故、素子基板と対向基板との間隙のばらつきを小さく抑えることができる。
【００１５】
本発明において、前記信号線形成領域は、前記基板縁の延在方向に３以上設けられ、前記素子基板側基板間導通用電極は、２以上設けられていることが好ましい。
【００１６】
本発明を適用した電気光学装置は、例えば、液晶テレビ等の電子機器に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明を適用した電気光学装置（表示装置）の説明図である。
【図２】本発明を適用した電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の画素の説明図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の基板間導通部の説明図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置に用いた素子基板の素子基板側基板間導通用電極やデータ線の引き回し部分の構成を示す説明図である。
【図８】本発明を適用した電気光学装置においてシール材のギャップ材で素子基板と対向基板との間隙を制御する様子を示す説明図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置に設けた素子基板側基板間導通用電極を拡大して示す説明図である。
【図１０】本発明を適用した別の電気光学装置に設けた素子基板側基板間導通用電極等の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、液晶テレビ用の電気光学装置に本発明を適用した形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、配線や端子の数等も、少なく図示してある。また、以下の説明では、導光板や液晶パネルの面内方向で互いに交差する方向をＸ軸方向およびＹ軸方向とし、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に交差する方向をＺ軸方向とする。また、以下に参照する図面では、Ｘ軸方向の一方側をＸ１側とし、他方側をＸ２側とし、Ｙ軸方向の一方側をＹ１側とし、他方側をＹ２側とし、Ｚ軸方向の一方側をＺ１側（下側）とし、他方側（照明光や表示光が出射される側）をＺ２側（上側）として表してある。
【００１９】
［電子機器の構成］
図１は、本発明を適用した電気光学装置（表示装置）の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は、電気光学装置が液晶テレビ（電子機器）に用いられた状態の説明図、および電気光学装置の斜視図である。図２は、本発明を適用した電気光学装置の分解斜視図である。
【００２０】
図１（ａ）に示す電子機器２０００は液晶テレビであり、図１（ｂ）に示す電気光学装置１００やテレビ用のフレーム２０１０等を有している。図２に示すように、電気光学装置１００は、表示パネル（電気光学パネル）としての透過型の液晶パネル１００ｐと、液晶パネル１００ｐに照明光を供給する照明装置１８０とを有している。照明装置１８０は、液晶パネル１００ｐに重ねて配置された導光板１８５や、導光板１８５の側端面のうち、光入射部とされた側端面に沿って配置された複数の発光素子等（図示せず）を有している。電気光学装置１００において、照明装置１８０は、樹脂フレームや下金枠等の下フレーム（図示せず）に保持されており、かかる照明装置１８０の上側に液晶パネル１００ｐおよび上フレーム１５０が重ねて配置されている。上フレーム１５０は、ＳＵＳ板等の薄い金属板に対するプレス加工等により形成されてなり、矩形の上板部１５５と、上板部１５５の外周縁から下方に折れ曲がった４つの側板部１５１〜１５４とを備えている。上板部１５５には、液晶パネル１００ｐから出射された光を出射する矩形の窓１５６が形成されており、上板部１５５は、液晶パネル１００ｐの表示光出射側のうち、外周端部を全周にわたって覆っている。
【００２１】
液晶パネル１００ｐは、四角形の平面形状を有しており、詳しくは後述するように、画素電極（図示せず）等が形成された素子基板１０と、素子基板１０に対して所定の隙間を介して対向配置された対向基板２０と、この対向基板２０と素子基板１０とを貼り合わせるシール材とを備えている。素子基板１０および対向基板２０はガラス基板等の透光性基板からなる。本形態では、対向基板２０が表示光の出射側に配置され、素子基板１０は照明装置１８０の側に配置されている。液晶パネル１００ｐは、ＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式、あるいはＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）方式の液晶パネルとして構成されており、素子基板１０に画素電極が形成され、対向基板２０に共通電極（図示せず）が形成されている。液晶パネル１００ｐの上面には上偏光板１１８が重ねて配置され、液晶パネル１００ｐの下面と照明装置１８０との間には下偏光板１１７が配置されている。なお、素子基板１０が対向基板２０に対して表示光の出射側に配置されることもある。また、液晶パネル１００ｐがＩＰＳ（In Plane Switching）方式や、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式の液晶パネルである場合、共通電極は、素子基板１０の側に設けられる。なお、液晶パネル１００ｐがＩＰＳ方式やＦＦＳ方式の液晶パネルであっても、対向基板２０の側にシールド等を目的に共通電極を形成することもある。
【００２２】
ここで、素子基板１０は対向基板２０より大きい。このため、素子基板１０は、対向基板２０の端部からＹ軸方向の一方側Ｙ１に張り出した張り出し領域１１０と、対向基板２０の端部からＸ軸方向の他方側Ｘ２に張り出した張り出し領域１２０を有している。かかる張り出し領域１１０、１２０の上面にはフレキシブル配線基板２００が接続されている。フレキシブル配線基板２００は、複数枚が張り出し領域１１０、１２０に接続した構造を有しており、かかるフレキシブル配線基板２００あるいはフレキシブル配線基板２００に接続された回路基板（図示せず）には、液晶パネル１００ｐにデータ信号や走査信号を供給する駆動用ＩＣ（図示せず）や、照明装置１８０の光源駆動用ＩＣ（図示せず）が実装されている。
【００２３】
［電気光学装置１００の構成］
（全体構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００（液晶装置）の電気的構成を示すブロック図である。図３において、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ｃがマトリクス状に配列された画像表示領域１００ａ（有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図４等を参照）では、画像表示領域１００ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ｃが構成されている。複数の画素１００ｃの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター１００ｔ、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター１００ｔのソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター１００ｔのゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター１００ｔのドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２４】
また、電気光学装置１００は、フレキシブル配線基板２００に実装された駆動用ＩＣ内に走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１を備えており、データ線駆動回路１０１は各データ線６ａにデータ信号（画像信号）を順次供給する。また、走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに走査信号を順次供給する。
【００２５】
各画素１００ｃにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図４等を参照）に形成された共通電極と電気光学物質層としての液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ｃには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ｃに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２６】
（液晶パネル１００ｐの具体的構成例）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。なお、図４において、画素電極９ａ、信号線、端子等の数については少なく示してある。
【００２７】
図４に示すように、液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形の透光性基板である。従って、素子基板１０は、４つの基板縁１０ａ〜１０ｄを備え、対向基板２０は、素子基板１０の４つの基板縁１０ａ〜１０ｄに沿って延在する４つの基板縁２０ａ〜２０ｄを備えている。素子基板１０と対向基板２０とは、対向基板２０の４つの基板縁２０ａ〜２０ｄに沿うように四角枠状に設けられたシール材８０によって貼り合わされており、シール材８０は４つの辺８０ａ〜８０ｄを有している。シール材８０は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材８１が配合されている。本形態において、シール材８０は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の基板縁２０ａ〜２０ｄに沿うように延在している。なお、シール材８０には、辺８０ｂの一部が液晶注入口８０ｒとして途切れており、かかる液晶注入口８０ｒは液晶材料を注入した後、封止材８８で塞がれている。
【００２８】
かかる液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１００ａが四角形の領域として設けられている。また、液晶パネル１００ｐにおいて、対向基板２０の基板縁２０ａから張り出した素子基板１０の張り出し領域１１０、１２０では、基板縁１０ａに沿って複数の端子１０２ａが配列されており、対向基板２０の基板縁２０ｄから張り出した素子基板１０の張り出し領域１２０では、基板縁１０ｄに沿って複数の端子１０２ｂが配列されている。かかる端子１０２ａ、１０２ｂは、フレキシブル配線基板２００を接続するための端子である。本形態では、端子１０２ａには、フレキシブル配線基板２００として３枚のフレキシブル配線基板２０１、２０２、２０３が接続され、端子１０２ｂには、フレキシブル配線基板２００として２枚のフレキシブル配線基板２０６、２０７が接されている。
【００２９】
素子基板１０において、端子１０２ａ（基板縁１０ａの側）から画像表示領域１００ａに向けては複数のデータ線６ａの引き回し部分が延在しており、データ線６ａの引き回し部分は、基板縁１０ａと画像表示領域１００ａとを結ぶ方向に延在している。ここで、データ線６ａの引き回し部分の形成領域は、３枚のフレキシブル配線基板２０１、２０２、２０３に対応して３つの信号線形成領域６０（信号線形成領域６１、６２、６３）に分割されている。このため、３つの信号線形成領域６０の間６６は、データ線６ａが形成されていない空き領域になっている。また、データ線６ａの引き回し部分は、画像表示領域１００ａの外側では斜めに延在しているが、画像表示領域１００ａの内側では、Ｙ軸方向に直線的に延在し、かつ、Ｘ軸方向では等間隔である。
【００３０】
また、素子基板１０において、端子１０２ｂ（基板縁１０ｄの側）から画像表示領域１００ａに向けては複数の走査線３ａの引き回し部分が延在しており、走査線３ａの引き回し部分は、基板縁１０ｄと画像表示領域１００ａとを結ぶ方向に延在している。ここで、走査線３ａの引き回し部分の形成領域は、２枚のフレキシブル配線基板２０６、２０７に対応して２つの信号線形成領域３０（信号線形成領域３１、３２）に分割されている。このため、２つ信号線形成領域３０の間は、走査線３ａが形成されていない空き領域になっている。また、走査線３ａの引き回し部分は、画像表示領域１００ａの外側では斜めに延在しているが、画像表示領域１００ａの内側では、Ｘ軸方向に直線的に延在し、かつ、Ｙ軸方向では等間隔である。
【００３１】
図４（ｂ）に示すように、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓにおいて、画像表示領域１００ａには、図３を参照して説明した画素トランジスター（図示せず）、および画素トランジスターに電気的に接続する透光性の画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。なお、素子基板１０の一方面１０ｓにおいて、外周領域１００ｒのうち、画像表示領域１００ａとシール材８０とに挟まれた四角枠状の周辺領域１００ｓには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１００ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。
【００３２】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面２０ｓ側には透光性の共通電極２１（液晶駆動用電極）が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ｃに跨って形成されている。
【００３３】
また、対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓ側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１００ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａと、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとからなる。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材８０の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材８０とは重なっていない。なお、図５を参照して説明するように、対向基板２０の一方面２０ｓ側にはカラーフィルター層等も形成されている。
【００３４】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいては、詳しくは後述するように、素子基板１０の基板縁１０ａと画像表示領域１００ａとの間（対向基板２０の基板縁２０ａと画像表示領域１００ａとの間）には、素子基板１０と対向基板２０とを導通させる基板間導通部１９０が構成されている。
【００３５】
より具体的には、素子基板１０の一方面１０ｓには、シール材８０の外側において対向基板２０と重なる位置に素子基板側基板間導通用電極６ｅが形成されており、かかる素子基板側基板間導通用電極６ｅには共通電位Ｖcomが印加されている。また、対向基板２０の一方面２０ｓには、素子基板側基板間導通用電極６ｅと重なる領域に対向基板側基板間導通用電極２１ｅが形成されており、かかる対向基板側基板間導通用電極２１ｅは共通電極２１に導通している。本形態において、対向基板側基板間導通用電極２１ｅは共通電極２１の一部からなる。また、素子基板１０と対向基板２０との間において、素子基板側基板間導通用電極６ｅおよび対向基板側基板間導通用電極２１ｅとの間には、導電粒子９１を含む基板間導通材９０が配置されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。導電粒子９１は、金属粒子や、ガラスやプラスチックの粒子に銀層や金層の金属層が形成された構成を有している。
【００３６】
（画素の具体的構成）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００の画素１００ｃの説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、およびＦ−Ｆ′線に相当する位置で電気光学装置１００を切断したときの断面図である。なお、図５（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは長い破線で示し、下電極層４ａは細い実線で示してある。なお、素子基板１０では、誘電体層４２ａが形成されているが、誘電体層４２ａは容量線５ｂと重なる領域に形成されているため、図５（ａ）には図示を省略してある。また、下電極層４ａの外周縁に沿ってエッチングストッパー層４０ａの開口縁が存在するが、図５（ａ）では、かかる開口縁の図示は省略してある。
【００３７】
図５（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ｃの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆと重なる領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａおよびデータ線６ａは画素間領域１０ｆと重なるように直線的に形成されている。より具体的には、画素間領域１０ｆのうち、第１方向（Ｙ軸方向）に延在する第１画素間領域１０ｇと重なる領域に沿ってデータ線６ａが直線的に延在し、第２方向（Ｘ軸方向）に延在する第２画素間領域１０ｈと重なる領域に沿って走査線３ａが直線的に延在している。
【００３８】
また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター１００ｔが形成されており、本形態において、画素トランジスター１００ｔは、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に形成されている。素子基板１０には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３９】
図５（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター１００ｔ、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００４０】
素子基板１０において、複数の画素１００ｃの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター１００ｔが形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対して透光性のゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。なお、基板本体１０ｗと下地絶縁膜１２の層間、あるいは２層にした下地絶縁膜１２の層間に、走査線３ａと重なる遮光層を形成する場合や、かかる遮光層を走査線３ａとし、遮光層とゲート電極３ｃとを導通させた構造を採用することもある。
【００４１】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００４２】
下電極層４ａの上層側には、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率絶縁膜からなる誘電体層４２ａが形成されている。誘電体層４２ａの上層側には、誘電体層４２ａを介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂが形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２ａおよび下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２ａおよび容量線５ｂは、画素トランジスター１００ｔの上層側に形成され、保持容量５５は、画素トランジスター１００ｔの上層側のうち、少なくとも画素トランジスター１００ｔに対して平面視で重なる領域に形成されている。
【００４３】
本形態において、誘電体層４２ａは、容量線５ｂと略同一形状をもって同一の領域に形成されている。また、誘電体層４２ａの端縁４２ｇおよび容量線５ｂの端縁５ｇは、下電極層４ａと重なる位置にある。下電極層４ａと誘電体層４２ａとの層間にはシリコン酸化膜等からなるエッチングストッパー層４０ａが形成されており、かかるエッチングストッパー層４０ａには、下電極層４ａに対して部分的に重なる領域に開口部４０ｂが形成されている。このため、下電極層４ａと容量線５ｂとは、開口部４０ｂにおいて誘電体層４２ａを介して対向し、保持容量５５を構成している。また、エッチングストッパー層４０ａは、少なくとも誘電体層４２ａの端縁４２ｇおよび容量線５ｂの端縁５ｇと重なる領域に形成されている。なお、エッチングストッパー層４０ａは、誘電体層４２ａの端縁４２ｇおよび容量線５ｂの端縁５ｇと重なる領域のみに形成される場合もある。
【００４４】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００４５】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜からなる四角形の画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。第３層間絶縁膜４４の表面には、図４（ｂ）等を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図５（ａ）には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された透光性導電膜からなる。
【００４６】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、本形態において、配向膜１６は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。
【００４７】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロムやそれらの化合物や合金等からなる導電性の遮光層２９が形成されており、かかる遮光層２９のうち、画像表示領域１００ａに形成されているブラックマトリクス部２９ｂは、画素間領域１０ｆ（図５（ａ）等を参照）と重なる位置で縦横に延在している。
【００４８】
本形態において、遮光層２９にアルミニウム合金層（アルミニウム系金属層）が用いられている。また、遮光層２９の上層（素子基板１０に対向する側の面）には、カラーフィルター層２７、保護膜２８、共通電極２１が形成されており、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。遮光層２９の上層（素子基板１０に対向する側の面）には配向膜２６が形成されており、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。本形態において、配向膜２６は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。
【００４９】
このように構成した電気光学装置１００において、液晶材料として誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられており、配向膜１６、２６は、液晶材料を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作させる。
【００５０】
（基板間導通部１９０の平面的構成）
図６は、本発明を適用した電気光学装置１００の基板間導通部１９０の説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた状態における基板間導通部１９０等の平面構成を示す説明図、および対向基板２０を貼り合わせる前の状態における素子基板１０の基板間導通部１９０等の平面構成を示す説明図である。なお、図６において、素子基板側基板間導通用電極６ｅに形成した開口部６ｆの数について少なく表してある。
【００５１】
図４に示すように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の側から共通電極２１に共通電位Ｖcomを供給するにあたって、シール材８０の外側のうち、素子基板１０と対向基板２０とが重なっている領域に基板間導通部１９０が構成されている。本形態では、素子基板１０の基板縁１０ａと画像表示領域１００ａとの間（対向基板２０の基板縁２０ａと画像表示領域１００ａとの間）において、シール材８０に近接する位置に基板間導通部１９０が２個所、構成されている。ここで、２個所の基板間導通部１９０の構成は同一であるため、フレキシブル配線基板２０２、２０３が接続されている付近に設けた基板間導通部１９０を例に説明し、フレキシブル配線基板２０１、２０２が接続されている付近に設けた基板間導通部１９０の説明は省略する。
【００５２】
本形態では、基板間導通部１９０を構成するにあたって、まず、図６に示すように、素子基板１０において、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分（信号線）が延在する信号線形成領域６０の間６６（信号線形成領域６２、６３の間６６）には素子基板側基板間導通用電極６ｅが形成されている。かかる素子基板側基板間導通用電極６ｅの形成位置は、対向基板２０と重なる領域である。また、対向基板２０では、一方面２０ｓの略全面に共通電極２１が形成されているため、共通電極２１のうち、素子基板側基板間導通用電極６ｅと重なる領域は、図４（ｂ）に示す対向基板側基板間導通用電極２１ｅとして利用される。
【００５３】
次に、シール材８０は、対向基板２０の基板縁２０ａ〜２０ｂに沿って設けられており、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせている。ここで、シール材８０は、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲しており、かかる屈曲部分８５は、信号線形成領域６０の間６６に位置し、データ線６ａとは重なっていない。
【００５４】
本形態では、素子基板側基板間導通用電極６ｅを両側で挟む信号線形成領域６０の端部に位置するデータ線６ａの引き回し部分（信号線）は、互いに近接するように斜めに傾きながら画像表示領域１００ａに向かって延在している。かかる形状に対応して、屈曲部分８５は、信号線形成領域６０の間６６において、信号線形成領域６０の端部に沿って斜めに延在する辺８５１、８５２（斜辺）を備えている。また、屈曲部分８５は、屈曲部分８５に対して対向する対向基板２０の基板縁２０ａに並行して延在する辺８５３を有している。
【００５５】
また、素子基板側基板間導通用電極６ｅは、基板縁２０ａに並行して延在する辺６ｅ1と、辺６ｅ1に対して画像表示領域１００ａ側で辺６ｅ1に並行に延在する辺６ｅ2と、辺６ｅ1の両端から画像表示領域１００ａに向けて延在する２つの辺６ｅ3、６ｅ5と、辺６ｅ3と辺６ｅ2の端部を繋ぐ辺６ｅ4と、辺６ｅ5と辺６ｅ2の端部を繋ぐ辺６ｅ6とを有している。ここで、素子基板側基板間導通用電極６ｅは、シール材８０の屈曲部分８５と重なる領域に形成されており、かつ、素子基板側基板間導通用電極６ｅのサイズは屈曲部分８５より大である。このため、シール材８０は、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、画像表示領域１００ａの側に位置する部分と重なっている。
【００５６】
また、素子基板側基板間導通用電極６ｅには、Ｘ軸方向に延在するスリット状の開口部６ｆがＹ軸方向に複数、並列している。それ故、素子基板側基板間導通用電極６ｅは、開口部６ｆで挟まれた部分が細幅部分になっており、本形態において、シール材８０は、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、開口部６ｆによって細幅部分となっている領域に重なっている。かかる開口部６ｆは、図８を参照して後述するように、シール材８０と重なる領域に、部分的に素子基板１０の表面からの高さが低くなっている部分を形成しており、それより、シール材８０と重なる領域における導電膜の密度を調整する。なお、スリット状の開口部６ｆに代えて、開口部６ｆを格子状に形成してもよい。
【００５７】
次に、基板間導通材９０は、シール材８０の屈曲部分８５と屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａとに挟まれた領域内で基板縁２０ａに沿って延在するように帯状に設けられている。本形態において、基板間導通材９０は、屈曲部分８５において基板縁２０ａに並行して延在する辺８５３に接するように延在している。このため、基板間導通材９０の画像表示領域１００ａと反対側の端部は、シール材８０において屈曲部分８５を挟む両側部分の外縁８０ｇを直線的に結んだ仮想線より画像表示領域１００ａの側に位置しており、基板間導通材９０は、外縁８０ｇを直線的に結んだ仮想線より基板縁２０ａの側に張り出していない。
【００５８】
かかる構成によれば、例えば、素子基板１０にシール材８０および基板間導通材９０を塗布した後、素子基板１０との間にシール材８０および基板間導通材９０を挟むように対向基板２０を重ねれば、素子基板１０と対向基板２０は、ギャップ材８１を含有するシール材８０で所定の間隙を介して貼り合わされるとともに、素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板側基板間導通用電極２１ｅとは、導電粒子９１を含む基板間導通材９０によって導通する。
【００５９】
なお、本形態では、素子基板側基板間導通用電極６ｅを両側で挟む信号線形成領域６０の端部に形成されている配線６ｊは、隣り合う信号線形成領域６０同士を電気的に接続している。かかる配線６ｊは、例えば、シールド線あるいは同期信号線である。
【００６０】
（素子基板側基板間導通用電極６ｅおよびデータ線６ａの具体的構成）
図７は、本発明を適用した電気光学装置１００に用いた素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅやデータ線６ａの引き回し部分の構成を示す説明図であり、図７（ａ１）、（ａ２）は、素子基板側基板間導通用電極６ｅの平面構成を模式的に示す説明図、および断面構成を模式的に示すＥ−Ｅ′断面図であり、図７（ｂ１）、（ｂ２）は、データ線６ａの平面構成を模式的に示す説明図、および断面構成を模式的に示すＦ−Ｆ′断面図である。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００においてシール材８０のギャップ材８１で素子基板１０と対向基板２０との間隙を制御する様子を示す説明図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、図６のＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断面図である。図９は、本発明を適用した電気光学装置１００に設けた素子基板側基板間導通用電極６ｅを拡大して示す説明図である。なお、図７において、素子基板側基板間導通用電極６ｅに形成した開口部６ｆの数について少なく表してある。また、図８では、図７（ａ２）、（ｂ２）等に示す下地絶縁膜１２や第２層間絶縁膜４３等の図示を省略してある。また、図９では、開口部６ｆが最低限必要な部分（シール材８０と重なる部分）を右下がりの斜線を付した領域で示し、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、導電性保護膜が必要な部分を右上がりの斜線を付した領域で示してある。
【００６１】
図７に示すように、本形態の電気光学装置１００において、素子基板側基板間導通用電極６ｅは、データ線６ａの引き回し部分と同様、第２層間絶縁膜４３上に形成された同一の導電膜から構成されている。ここで、素子基板側基板間導通用電極６ｅの高さ位置や、データ線６ａの引き回し部分の高さ位置を調整することを目的に、素子基板側基板間導通用電極６ｅの下層側、およびデータ線６ａの引き回し部分の下層側には、図４に示す走査線３ａ、下電極層４ａ、容量線５ｂ等の同一の導電膜３ｅ、３ｔ、４ｅ、４ｔ、５ｅ、５ｔ等が形成されている。また、素子基板側基板間導通用電極６ｅの下層側、およびデータ線６ａの引き回し部分の下層側には、下地絶縁膜１２、ゲート絶縁層２、第１層間絶縁膜４１、誘電体層４２ａ、第２層間絶縁膜４３等も形成されている。
【００６２】
素子基板側基板間導通用電極６ｅの上層側には第３層間絶縁膜４４が形成されているが、かかる第３層間絶縁膜４４には開口部４４ｅが形成されているので、素子基板側基板間導通用電極６ｅの表面は露出している。かかる開口部４４ｅは、第３層間絶縁膜４４に対するエッチングにより形成され、その際、素子基板側基板間導通用電極６ｅはエッチングストッパーとして機能する。このため、エッチングストッパー層４０ａや第１層間絶縁膜４１がエッチングされることはない。なお、本形態では、素子基板側基板間導通用電極６ｅの表面側のうち、基板間導通材９０が設けられている領域には、図５（ｂ）に示す画素電極９ａと同時形成されたＩＴＯ膜からなる導電性保護膜９ｇが形成されており、かかる導電性保護膜９ｇは、第３層間絶縁膜４４の開口部４４ｅを介して素子基板側基板間導通用電極６ｅに導通している。導電性保護膜９ｇは、素子基板側基板間導通用電極６ｅを構成する金属膜の表面が酸化して接触抵抗が高くなることを防止する機能を発揮する。また、本形態では、開口部４４ｅを形成する際、素子基板側基板間導通用電極６ｅをエッチングストッパーとして機能させることにより、開口部４４ｅを導電膜５ｅまで到達させ、素子基板側基板間導通用電極６ｅと導電膜５ｅとを導電性保護膜９ｇによって導通させる構造が採用されている。一方、データ線６ａの引き回し部の上層側には、第３層間絶縁膜４４が形成されており、かかる第３層間絶縁膜４４の表面には、データ線６ａの引き回し部等に起因する凸部４４ｔが形成されている。
【００６３】
ここで、素子基板側基板間導通用電極６ｅはスリット状の開口部６ｆが形成されているため、素子基板側基板間導通用電極６ｅの表面側のうち、シール材８０が設けられている領域にも第３層間絶縁膜４４の表面に凸部４４ｔが形成されている。このため、図８を参照して以下に説明するように、素子基板１０と対向基板２０との間隙をシール材８０のギャップ材８１で精度よく制御することができる。
【００６４】
まず、図８（ａ）に示すように、素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）との間には、シール材８０のギャップ材８１、および基板間導通材９０の導電粒子９１が介在するが、ギャップ材８１としては、導電粒子９１より硬い材料が用いられている。このため、素子基板側基板間導通用電極６ｅと共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）との間にギャップ材８１および導電粒子９１が介在している場合でも、素子基板１０と対向基板２０との間隙をギャップ材８１で制御することができる。
【００６５】
次に、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、シール材８０のギャップ材８１は、素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）との間に介在するとともに、素子基板１０のデータ線６ａの引き回し部分と対向基板２０との間にも介在している。なお、本形態では、対向基板２０において、データ線６ａの引き回し部分が形成された信号線形成領域６０と対向する領域には共通電極２１は形成されていない。但し、共通電極２１の厚さは１００ｎｍであり、素子基板側基板間導通用電極６ｅやデータ線６ａの引き回し部分を構成する導電膜の厚さ（例えば、３００ｎｍ〜５００ｎｍ）からみれば薄いので、共通電極２１の有無は、素子基板１０と対向基板２０との間隙に大きな影響を及ぼさない。
【００６６】
ここで、データ線６ａの引き回し部分が形成された信号線形成領域６０では、データ線６ａの引き回し部分が間にスペースをもって形成されているため、素子基板１０のデータ線６ａの引き回し部分によって第３層間絶縁膜４４の表面に形成された凸部４４ｔと対向基板２０とに接触するギャップ材８１の密度が低い。そこで、本形態では、素子基板側基板間導通用電極６ｅにスリット状の開口部６ｆを設け、素子基板側基板間導通用電極６ｅの表面側のうち、シール材８０が設けられている領域にも第３層間絶縁膜４４の表面に凸部４４ｔが形成されている。このようにして、素子基板側基板間導通用電極６ｅにおいてギャップ材８１と接する密度を低下させることにより、素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）とに接触するギャップ材８１の密度を低下させてある。従って、素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）とに接触するギャップ材８１の密度と、第３層間絶縁膜４４の凸部４４ｔと対向基板２０とに接触するギャップ材８１の密度とが同等である。また、データ線６ａの引き回し部分と重なる部分の第３層間絶縁膜４４の表面の高さと、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、シール材８０が設けられている領域の第３層間絶縁膜４４の表面の高さとが同等である。それ故、本形態によれば、ギャップ材８１が素子基板１０の素子基板側基板間導通用電極６ｅと対向基板２０の共通電極２１（対向基板側基板間導通用電極２１ｅ）との間に介在するとともに、素子基板１０のデータ線６ａの引き回し部分と対向基板２０との間にも介在している場合でも、素子基板１０と対向基板２０との間隙をギャップ材８１で制御することができる。
【００６７】
なお、図９には、開口部６ｆが最低限必要な部分（シール材８０と重なる部分）を右下がりの斜線を付した領域で示してあり、素子基板側基板間導通用電極６ｅのうち、導電性保護膜９ｇが必要な部分を右上がりの斜線を付した領域で示してある。なお、導電性保護膜９ｇは、シール材８０と重なるように形成してもよい。
【００６８】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０に素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けるにあたって、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０の間６６を利用している。また、シール材８０については、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲した屈曲部分８５を設け、かかる屈曲部分８５の内側に基板間導通材９０を屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａに沿って延在するように設ける。このため、基板間導通材９０を広い領域に設けて基板間導通部１９０での抵抗を低減した場合でも、対向基板２０の基板縁２０ａから基板間導通材９０が張り出すことがないとともに、データ線６ａの引き回し部分と素子基板側基板間導通用電極６ｅとが重なって容量が寄生してしまうことを防止することができる。
【００６９】
また、基板間導通材９０の画像表示領域１００ａと反対側の端部は、シール材８０において屈曲部分８５を挟む両側部分の外縁８０ｇを直線的に結んだ仮想線より画像表示領域１００ａの側に位置している。このため、シール材８０と対向基板２０の基板縁２０ａとが近接している場合でも、対向基板２０の基板縁２０ａからの基板間導通材９０が張り出すことがない。
【００７０】
また、複数の信号線形成領域６０において素子基板側基板間導通用電極６ｅの両側に位置する一対の端部は、互いに近接するように斜めに傾きながら画像表示領域１００ａに向かって延在している形状に合わせて、屈曲部分８５は、斜めに延在する辺８５１、８５２（斜辺）を備えている。このため、屈曲部分８５で囲まれた領域を最大限広くすることができるので、基板間導通材９０を広い領域に設けることができる。
【００７１】
また、屈曲部分８５は、屈曲部分８５と対向する対向基板２０の基板縁２０ａに並行して延在する辺８５３を有し、基板間導通材９０は、辺８５３に接するように延在している。このため、屈曲部分８５が画像表示領域１００ａに向けて凹む寸法を小さくしつつ、基板間導通材９０を広い領域に設けても、基板間導通材９０が屈曲部分８５から基板縁２０ａの側に張り出すことを防止することができる。
【００７２】
また、本形態では、基板間導通部１９０を２個所に設けたため、基板間導通材９０を広い領域に設けることができるので、基板間導通部１９０での抵抗を低減することができる。
【００７３】
［別の実施の形態］
図１０は、本発明を適用した別の電気光学装置１００に設けた素子基板側基板間導通用電極６ｅ等の説明図であり、図８に対応する部分を示してある。より具体的には、図１０（ａ）、（ｂ）は、素子基板側基板間導通用電極６ｅが形成されている領域の断面図、およびデータ線６ａの引き回し部分が形成されている領域の断面図である。図１〜図９には、画素トランジスター１００ｔとして、半導体層１ａにポリシリコン膜を用いたトップゲート構造の電界効果型トランジスターを構成したが、半導体層１ａにアモルファスシリコン膜を用いたボトムゲート構造の電界効果型トランジスター等を画素トランジスター１００ｔとして用いた電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。この場合、図１０に示すように、データ線６ａや素子基板側基板間導通用電極６ｅはゲート絶縁層２の表面に形成されることになる。
【００７４】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、基板間導通部１９０を２個所に設けたが、基板間導通部１９０を１個所、あるいは３個所以上に設ける場合に本発明を適用してもよい。また、例えば、上記実施の形態では、データ線６ａが延在している側に基板間導通部１９０を設けたが、走査線３ａが延在している側に基板間導通部１９０を設けてもよく、データ線６ａが延在している側および走査線３ａが延在している側の双方に基板間導通部１９０を設けてもよい。
【００７５】
上記実施の形態では、素子基板１０に接続した複数枚のフレキシブル配線基板２００から信号を画像表示領域１００ａに供給することにより、複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０を設け、かかる信号線形成領域６０の間６６を利用して素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けたが、例えば、複数の駆動用ＩＣを素子基板１０に実装することにより、複数の信号線形成領域６０を設けてもよい。また、素子基板１０自身に駆動回路を内蔵させる場合でも、複数の駆動回路を素子基板１０に内蔵させることにより、複数の信号線形成領域６０を設けてもよい。
【００７６】
上記実施の形態では、電気光学装置１００として透過型の電気光学装置１００を例示したが、反射型の液晶装置や、プラズマディスプレイ、電界放出型ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ等において基板間導通を行う場合に本発明を適用してもよい。
【００７７】
［電子機器への搭載例］
上述実施形態では、電気光学装置１００を搭載した電子機器２０００として、液晶テレビを例示したが、液晶テレビ以外にも、パーソナルコンピューターのディスプレイ、デジタルサイネージ、カーナビゲーション装置、携帯用情報端末等の電子機器の表示部に本発明を適用した電気光学装置１００を用いてもよい。
【符号の説明】
【００７８】
６ｅ・・素子基板側基板間導通用電極、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２１ｅ・・対向基板側基板間導通用電極、５０・・液晶層（電気光学物質層）、６０・・信号線形成領域、８０・・シール材、８５・・屈曲部分、９０・・基板間導通材、８１・・ギャップ材、９１・・導電粒子、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画像表示領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示領域内に設けられた画素電極、基板縁と前記画像表示領域とを結ぶ方向に複数本の信号線が延在するとともに、前記基板縁の延在方向に存在する複数の信号線形成領域、および前記複数の信号線形成領域の間に設けられた素子基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた素子基板と、
共通電極、および前記素子基板側基板間導通用電極と重なる位置で前記共通電極に導通する対向基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた対向基板と、
前記対向基板の基板縁に沿って設けられて前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせているとともに、前記素子基板側基板間導通用電極が設けられた領域では前記画像表示領域に向けて凹むように屈曲した屈曲部分を備えたシール材と、
前記素子基板と前記対向基板との間で前記シール材により囲まれた領域に設けられた電気光学物質層と、
前記素子基板と前記対向基板との間において前記屈曲部分と該屈曲部分に対向する前記対向基板の基板縁とに挟まれた領域内で当該基板縁に沿って延在するように設けられて前記素子基板側基板間導通用電極と前記対向基板側基板間導通用電極とを導通させる基板間導通材と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記基板間導通材の前記画像表示領域と反対側の端部は、前記シール材において前記屈曲部分を挟む両側部分の外縁を直線的に結んだ仮想線より前記画像表示領域の側に位置することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の信号線形成領域において前記素子基板側基板間導通用電極の両側に位置する前記信号線の一対の端部は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在しており、
前記屈曲部分は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在する斜辺を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記屈曲部分は、該屈曲部分と対向する前記対向基板の基板縁に並行して延在する辺を有し、
前記基板間導通材は、当該辺に接するように延在していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記素子基板側基板間導通用電極の一部は、前記シール材と平面視で重なっていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記シール材は、前記素子基板と前記対向基板との間隙を制御するギャップ材を含んでおり、
前記素子基板側基板間導通用電極には、前記シール材と重なる領域に部分的に前記素子基板の表面からの高さが低い部分が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記信号線形成領域は、前記基板縁の延在方向に３以上設けられ、
前記素子基板側基板間導通用電極は、２以上設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
画像表示領域内に設けられた画素電極、基板縁と前記画像表示領域とを結ぶ方向に複数本の信号線が延在するとともに、前記基板縁の延在方向に存在する複数の信号線形成領域、および前記複数の信号線形成領域の間に設けられた素子基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた素子基板と、
共通電極、および前記素子基板側基板間導通用電極と重なる位置で前記共通電極に導通する対向基板側基板間導通用電極を一方面側に備えた対向基板と、
前記対向基板の基板縁に沿って設けられて前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせているとともに、前記素子基板側基板間導通用電極が設けられた領域では前記画像表示領域に向けて凹むように屈曲した屈曲部分を備えたシール材と、
前記素子基板と前記対向基板との間で前記シール材により囲まれた領域に設けられた電気光学物質層と、
前記素子基板と前記対向基板との間において前記屈曲部分と該屈曲部分に対向する前記対向基板の基板縁とに挟まれた領域内で当該基板縁に沿って延在するように設けられて前記素子基板側基板間導通用電極と前記対向基板側基板間導通用電極とを導通させる基板間導通材と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記基板間導通材の前記画像表示領域と反対側の端部は、前記シール材において前記屈曲部分を挟む両側部分の外縁を直線的に結んだ仮想線より前記画像表示領域の側に位置することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の信号線形成領域において前記素子基板側基板間導通用電極の両側に位置する前記信号線の一対の端部は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在しており、
前記屈曲部分は、互いに近接するように斜めに傾きながら前記画像表示領域に向かって延在する斜辺を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記屈曲部分は、該屈曲部分と対向する前記対向基板の基板縁に並行して延在する辺を有し、
前記基板間導通材は、当該辺に接するように延在していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記素子基板側基板間導通用電極の一部は、前記シール材と平面視で重なっていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記シール材は、前記素子基板と前記対向基板との間隙を制御するギャップ材を含んでおり、
前記素子基板側基板間導通用電極には、前記シール材と重なる領域に部分的に前記素子基板の表面からの高さが低い部分が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記信号線形成領域は、前記基板縁の延在方向に３以上設けられ、
前記素子基板側基板間導通用電極は、２以上設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−２００５５（Ｐ２０１３−２００５５Ａ）
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５２７３７（Ｐ２０１１−１５２７３７）
【出願日】平成２３年７月１１日（２０１１．７．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月１１日（２０１１．７．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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