【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。また、ブルー相を示す液晶を用いた液晶表示装置において、より低消費電力化を達成することを目的の一とする。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とでブルー相を示す液晶層を挟持する液晶表示装置において、第１の基板と液晶層との間に設けられる画素電極層（第１の電極層）及び共通電極層（第２の電極層）を重ならないように配置する。画素電極層は第１の基板の液晶層側の面から液晶層に突出して設けられたリブ状の第１の構造体の上面側面を覆って形成され、共通電極層は第１の基板の液晶層側の面から液晶層に突出して設けられたリブ状の第２の構造体の上面側面を覆って形成される。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】駆動回路及び画素部を有し、駆動回路は、デュアルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成され、画素部はシングルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成される表示装置である。該表示装置おけるデュアルゲート型の薄膜トランジスタは、半導体層が微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域で形成され、ゲート絶縁層及び絶縁層が半導体層の微結晶半導体領域に接する。 （もっと読む）

【課題】水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な半導体装置、例えば、プラスチック基板上に形成されたＯＬＥＤを有する発光装置、プラスチック
基板を用いた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成した後、支持体に被剥離層を接着して基板から引き剥がして被剥離層を剥離した後、被剥離層に接する薄膜を成膜した後、転写体２２と貼り合わせる。こうすることによって、剥離の際に生じるクラックを修復し、被剥離層に接する薄膜として熱伝導性を有する膜２０、具体的にはアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの窒化酸化物を用いることによって、素子の発熱を拡散させ、転写体２２、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を保護する効果を有する。 （もっと読む）

【課題】より高コントラスト化を可能とするブルー相を示す液晶材料を用いた液晶表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、ブルー相を示す液晶層を対向する開口パターン（スリット）を有する第１の共通電極層及び第２の共通電極層と、開口パターンを有する画素電極層とで挟持する。画素電極層は第１の基板の液晶層側の面から液晶層に突出して設けられた構造体の上部に形成され、液晶層中において画素電極層は第１の共通電極層と第２の共通電極層との間に配置される。液晶表示装置のセルギャップを５μｍ未満（好ましくは１μｍ以上）とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜トランジスタ、その製造方法及び酸化物半導体薄膜トランジスタを具備した有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】基板、基板上のゲート電極、ゲート電極及び露出された基板上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上で、ゲート電極と対向する位置にありつつ、Ｈｆの濃度が９〜１５ａｔｏｍ％の範囲にあるＨｆＩｎＺｎＯ系からなる酸化物半導体層、及び酸化物半導体層の両側から、ゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインを含む薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】 低電気抵抗で、かつ繰返しの加熱環境にあって抵抗率安定性に優れるＮｉ合金電極膜、そのＮｉ合金電極膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 基板上に形成される電極膜であって、０．５〜２．０原子％のＷを含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる組成を有し、抵抗率が３０μΩｃｍ以下である繰返し加熱における抵抗率安定性に優れるＮｉ合金電極膜である。また、繰返し加熱に曝される電極膜形成用に用いられる０．５〜２．０原子％のＷを含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる組成を有するＮｉ合金電極膜形成用スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】不対結合手に代表される欠陥を多く含む絶縁層を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を間に介して、酸化物半導体層上に形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸素過剰な混合領域、又は酸素過剰な酸化物絶縁層を通過させて欠陥を含む絶縁層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】特性の異なるトランジスタ、具体的には動特性（オン特性や周波数特性（ｆ特性と呼ばれる））に優れたトランジスタと、オフ電流が抑制されたトランジスタとを同一基板上に有する半導体装置を提供することを課題の一とする。また、当該半導体装置を簡便な方法で作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】真性又は実質的に真性であって、表面に結晶領域を含む酸化物半導体層をトランジスタに用いる。真性又は実質的に真性な半導体は、酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去し、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きいものを用いる。該酸化物半導体層の上下に絶縁膜を介して配置した一対の導電膜の電位を制御して、該酸化物半導体層に形成するチャネルの位置を変えることにより、トランジスタの電気特性を制御すればよい。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、上記腐食防止用塗料の塗布や剥離といった更なる工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止することのできる表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉおよび／またはＣｏを０．１５原子％以下（０原子％を含まない）、Ｇｅを０．２原子％以上２．０原子％以下、およびＬａ、Ｇｄ、ＮｄおよびＹよりなる群から選択される１種以上の元素を０．０５原子％以上１．０原子％以下含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜の表面において観察される腐食孔のアスペクト比（腐食深さ／腐食直径）が０．１２以下であることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極と重なるように設けられたゲート絶縁層及び酸化物半導体層と、酸化物半導体層の一部と重なるソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタが、画素部に配設される信号線と画素電極との間に設けられており、薄膜トランジスタのオフ電流は、１×１０^−１３Ａ以下であって、液晶素子に並列した容量素子を設けずに液晶容量のみで電位を保持することが可能となり、画素部には画素電極と接続される容量素子が形成されていない構成の液晶表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板処理の効率を高めることができ、また半導体膜の移動度を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体膜を成膜する成膜装置と、レーザー装置とを備えたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であり、レーザー装置は、被処理物に対するレーザー光の照射位置を制御する第１の手段と、レーザー光を発振する第２の手段（レーザー発振装置１２１３）と、前記レーザー光を加工または集光する第３の手段（光学系１２１４）と、前記第２の手段の発振を制御し、なおかつ第３の手段によって加工されたレーザー光のビームスポットがマスクの形状のデータ（パターン情報）に従って定められる位置を覆うように前記第１の手段を制御する第４の手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を確保し、低い電圧で液晶を駆動して消費電力を低減し、また、開口率を大きくし、さらに色相による透過率の差を補償する。
【解決手段】第１基板と、第２基板と、第１基板及び第２基板の間に封止されており、複数の液晶分子で構成される液晶物質層と、第１基板上に形成される面形電極と、第１基板上に形成され、画素領域において面形電極と重畳する少なくとも２つの線形電極とを含み、線形電極と面形電極との間に電圧を印加することにより電気場が生成され、線形電極の境界における電気場の平均水平成分は、２つの線形電極の中間における電気場の平均水平要素よりも大きい、液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ又は該シフトレジスタを有する表示装置の消費電力を低減すること。
【解決手段】シフトレジスタは、クロック信号が１本の配線によって供給されるのではなく、複数の配線によって供給される。さらに、該複数の配線のいずれか一は、シフトレジスタの動作期間を通してクロック信号を供給するのではなく一部の期間においてのみクロック信号を供給する。そのため、クロック信号の供給に伴い駆動される容量負荷を低減することができる。その結果、シフトレジスタの消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】静電シールドとしての導電膜の腐蝕を抑制した横電界方式の液晶表示装置を提供
すること。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置１０であって、一対の基板の他方２６には、液晶
３４と接する面と反対側の面には透明導電性材料で形成された第１導電膜３１が形成され
、第１導電膜３１は導電性材料からなる接続体４０によってグラウンド電位４３と接続さ
れている液晶表示装置１０において、第１導電膜３１の表面には、透明導電性材料からな
る第２導電膜３２が形成され、第２導電膜３２の表面に偏光板３３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成することにより、開口率を上げる。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）

【課題】細い線状の微細な薄膜パターンが精度良く安定して形成することができる薄膜パ
ターン形成基板、デバイスの製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】基板表面に薄膜パターンが形成された基板Ｐであって、この基板Ｐは、機能
液Ｌを注入することができる液体注入部Ａ２と、機能液Ｌが流動するように接続して配置
された液体流動部Ａ１とが設けられている。これら、液体注入部Ａ２と液体流動部Ａ１と
の線幅において、液体注入部Ａ２の幅ｄが、液体流動部Ａ１の線幅ｂの２倍以下であり、
機能液Ｌの直径より大きい構成である。 （もっと読む）