【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】基板１の上に有機半導体層２を蒸着や塗布によって形成する。その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層３を、ＣＶＤ法や水溶液の塗布によって形成する。その上にフォトレジスト層４を塗布によって形成し、これをパターニングしてマスク層５を形成する。マスク層５をマスクとして、保護層３と有機半導体層２をパターニングして、有機半導体パターン７を得る。パターニング終了後もマスク層５は保護層として残す。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板に転写方式で薄膜トランジスタを備える画像表示装置を製造することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
支持基板の主面側に有機材料からなる樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の上層に半導体回路または表示回路を形成する工程と、前記樹脂膜に吸収される波長の光を前記支持基板側から照射して、前記支持基板から前記樹脂層を剥離する工程と、前記樹脂層を薄膜化又は除去する工程と、前記樹脂層の側から第１基板を貼る工程とを有する画像表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】透過型の液晶表示装置において、消費電力の低減及び表示品質の低下の抑制を両立させること。
【解決手段】バックライトとして面発光を行う光源を適用する。当該光源は、発光を面状に行う光源であるため発光面積が広い。そのため、当該バックライトでは、放熱を効率よく行うことができる。これにより、画素に対して長期間に渡って画像信号の入力が行われない場合であっても、当該画素において画像信号を保持することが可能になる。すなわち、消費電力の低減と表示品質の低下の抑制を両立することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高性能化および製造容易化を実現可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持基体１の上にゲート電極２を形成したのち、そのゲート電極２の上にゲート絶縁層３を形成する。続いて、ゲート絶縁層３の上に有機半導体層を形成したのち、レーザアブレーション法により有機半導体層をパターニングして有機半導体パターン４を形成する。最後に、有機半導体パターン４の上にソース電極５およびドレイン電極６を形成する。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にマスクを形成し、マスクにスリミング処理を行い、マスクを用いて絶縁膜にエッチング処理を行い、絶縁膜を覆うように導電膜を形成し、導電膜および絶縁膜に研磨処理を行うことにより、導電膜および絶縁膜の厚さを等しくし、導電膜をエッチングして、導電膜より厚さの小さいソース電極およびドレイン電極を形成し、絶縁膜、ソース電極、およびドレイン電極と接する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の絶縁膜と重畳する領域にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を抑制でき、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触が得られると共に、十分な耐熱性を有する表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜および／または薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、３０原子％以上のＭｏを含有するＡｌ−Ｍｏ合金、またはＭｏと、Ｍｎ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｇ、およびＦｅよりなるＸ群から選択される少なくとも１種とを含有するＡｌ−Ｍｏ−Ｘ合金の単層から構成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】開口率及び静電容量を向上させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の第１領域に位置する薄膜トランジスタと、第１領域に隣接する第２領域に位置するキャパシタとを備え、薄膜トランジスタは、活性層と、活性層のチャネル領域に対応する位置に、前記活性層と離隔されて位置するゲート電極と、活性層に電気的に接続されるソース及びドレイン電極と、活性層とゲート電極との間に順次形成された第１絶縁層〜第３絶縁層を有するゲート絶縁膜とを備え、第１絶縁層の厚さに対する第２絶縁層の厚さの比は、約０．１〜約１．５であり、第２絶縁層の厚さに対する第３絶縁層の厚さの比は、約２〜約１２である表示装置。 （もっと読む）

【課題】迷光の発生あるいはヒロックの発生を防止しつつ、素子基板に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型の液晶装置１００において、反射性の画素電極９ａより下層側には、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓ、９ｔに重なるアルミニウム配線からなる反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）が設けられ、隙間領域９ｓ、９ｔに入射した光を反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）で反射し画像の表示に利用することができる。データ線６ａおよび容量線５ｂの表面には、隙間領域９ｓ、９ｔと重なる領域を露出させる遮光性保護層８６ａ、８５ｂが窒化シリコン膜等により形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置が、絶縁膜と、絶縁膜上において該絶縁膜と接する第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と一部が接する第２の金属酸化物膜と、第２の金属酸化物膜上において該第２の金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィールドシーケンシャル駆動により３Ｄ画像を表示する際に、低消費電力化を図るための具体的な駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】左目用画像と右目用画像とを切り替えて表示する液晶表示装置と、左目用画像または右目用画像の表示に同期して視認者の左目または右目において左目用画像または右目用画像が選択的に視認されるようにするための切替手段つき眼鏡と、により立体画像を視認できる液晶表示装置の駆動方法において、左目用画像及び右目用画像は、バックライト部から照射される複数の色に対応した光を所定の期間内で切り替えることで左目または右目において混色させて視認されるものであり、バックライト部から照射される光は、左目用画像及び右目用画像を構成する複数の色毎の画像信号に応じて、連続して照射される構成とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板と対向基板との導通をとるための高価な銀ペーストや金ボール材料等、かつこれらを形成するための工程を不要とし低価格の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は、表示領域外に配置された接続パッドと、表示領域外に配置された台座と、この台座上に配置されて対向電極に当接すると共に、接続パッドに電気的に接続される接続電極と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】使用者が、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに直接またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】フレキシブル基板上に反射電極と電気的に接続する第１のトランジスタと、フォトセンサとを有し、表示部の第１画面領域にタッチ入力ボタンを静止画として表示し、表示部の第２画面領域に動画として出力表示する。表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合とで異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。 （もっと読む）

【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極３５と、スイッチング素子３４と、対向電極８２と、液晶層２８と、第１配向膜７１と、第１配向膜７１と画素電極３５との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層７０と、液晶層２８と対向電極８２との間に、対向電極８２と当接して設けられた第２配向膜８３と、を備える。画素電極３５にスイッチング素子３４を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極３５に高電位が印加されているときのスイッチング素子３４の寄生容量による画素電極３５の電位の変化量と、画素電極３５に低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極３５の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が、基準電位よりも低い。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、トランジスタ数を削減し、表示品位及び／または撮像品位を向上させる。
【解決手段】ゲートが選択信号線２０８に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方に出力信号線２１２が電気的に接続され、他方に基準信号線２１１が電気的に接続されたトランジスタ２０５と、リセット信号線２０９にアノードまたはカソードの一方が電気的に接続され、他方にトランジスタ２０５のバックゲート２０６が電気的に接続されたフォトダイオード２０４を有し、フォトダイオード２０４を順バイアスとしてトランジスタ２０５のバックゲート電位を初期化し、逆バイアスとしたフォトダイオード２０４の光の強度に応じた逆方向電流で前記バックゲート電位を変化させ、トランジスタ２０５をオンすることで前記出力信号線２１２の電位を変化させ、光の強度に応じた信号を得る。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）