【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第１の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第２の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第２の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第１の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 （もっと読む）

【課題】安定してブルー相を発現することのできる液晶表示装置を作製する。
【解決手段】液晶組成物を含む液晶層を挟持して、シール材によって第１の基板と第２の基板とを固着し、熱処理により液晶層の配向状態を等方相とし、液晶層に光を照射して、液晶層の高分子安定化処理を行うとともに、光照射中に液晶層の配向状態を等方相からブルー相へと相転移を行う。これによって、ブルー相以外の配向状態を示す欠陥（配向欠陥）を抑制した液晶表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。具体的には結晶性の高い酸化物半導体膜を形成する作製プロセスを提供する。
【解決手段】意図的に窒素を酸化物半導体に対して添加することにより、六方晶であり、ウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜において、窒素を含む領域の結晶性は、窒素をあまり含まない領域、或いは窒素を意図的に添加していない領域に比べて高くなる。この結晶性の高いウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域として用いる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率を向上させる。
【解決手段】複数のトランジスタ素子を備えたアクティブマトリクス基板１０１Ａであって、可視光を透過させることが可能な基板１０と、基板上に形成され、亜鉛錫酸化物から構成される導電体材料よりなり、可視光を透過させることが可能な配線（Ｌ_Ｇ、Ｌ_Ｄ、Ｌ_Ｐ、Ｌ１、Ｌ２等）であってトランジスタ素子における電極として機能している、配線と、基板の垂直方向からみて配線の少なくとも一部と重なり、配線よりもキャリア濃度が低く、亜鉛錫酸化物から構成される半導体材料よりなり、かつ可視光を透過させることが可能な半導体層４４と、配線および半導体層の少なくとも一部を覆い、可視光を透過させることが可能な絶縁膜（４０、５０）と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの光リーク電流が低減され、かつ、従来よりも少ないフォトリソフォグラフィ工程で製造することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、絶縁性基板１上に、基板１側から、ゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜６と、互いに離間形成されたドレイン電極９及びソース電極１１と、チャネル層を含む少なくとも１層の半導体膜２１とが順次形成された薄膜トランジスタ１０１と、画素電極１０とが複数対アレイ状に形成されたものである。ドレイン電極９及びソース電極１１は、基板１側から透光性導電膜ＥＭ２と非透光性導電膜ＥＭ３とが順次積層された積層構造を有し、かつ、ドレイン電極９の透光性導電膜ＥＭ２及び／又は非透光性導電膜ＥＭ３が延設され、この延設部分により画素電極１０が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】映像品質が向の上された表示装置とその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による表示装置は複数の画素を有し、各画素は第１絶縁基板の上に具備されたゲート電極と、ゲート電極をカバーし、第１絶縁基板の上に具備されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上にゲート電極とオーバーラップして配置された半導体パターンと、半導体パターンの上に互に離隔されて具備されたソース電極とドレイン電極と、ゲート絶縁膜の上に配置され、その一部がドレイン電極と接触する透明画素電極、透明画素電極の上に形成された保護層、及び第１絶縁基板と第１絶縁基板に対向する第２絶縁基板の中でいずれか１つに具備され画素電極と電界を形成する共通電極を含む。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、エッチストッパー層を設けなくてもウェットエッチング時の加工性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、前記半導体層と前記金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、半導体層は酸化物半導体からなり、バリア層は、高融点金属系薄膜とＳｉ薄膜の積層構造を有し、Ｓｉ薄膜は半導体層と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】光照射されてトランジスタの電気特性が変動した場合でも、その電気特性をほぼ光照射前の状態にする手法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタのゲート電極に、正のバイアス電圧を１０ｍｓｅｃ以上印加することにより、光照射されて変動した当該トランジスタの電気特性をほぼ光照射前の状態にすることが可能になる。なお、当該トランジスタのゲート電極に対する正のバイアス電圧印加は、当該トランジスタが受光する光量を参照して適切なタイミングで行う。これより光照射されても表示品位の低下が抑制された表示装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で配線間の静電破壊を防ぐこと。
【解決手段】表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に第１の信号線と第２の信号線とが形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上層に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上層に設けられ、前記第１の信号線および第２の信号線と平面的に重なる半導体膜が形成された半導体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、該第１導電層は、塗布法を用いて形成されたものであり、該第１導電層の端部は該第２導電層の端部と比較して電極ブロックの内側に位置している有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置であって、室外においても鮮明な表示を可能とする携帯電子機器用モニターを提供することを課題とする。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置において、反射電極を設ける。反射電極を設けることにより、室外において、効率よく自然光を反射することができ、鮮明な表示を提供することができる。さらに反射電極に凹凸を設けると、反射率を高めることができる。このような室外においても鮮明な表示を可能とする横電界方式の液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素電極表面でのヒロックの発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供すること。
【課題手段】電気光学装置１００の素子基板１０においては、画素電極９ａを形成するための反射性導電膜と、絶縁保護膜１７を形成するためのシリコン酸化膜をこの順に成膜した後、反射性導電膜およびシリコン酸化膜を同時にパターニングして反射性の画素電極９ａと絶縁保護膜１７とを同一工程でパターニングし、しかる後に、絶縁保護膜１７の上層側にシリコン酸化膜からなる平坦化絶縁膜１８を形成する。従って、絶縁保護膜１７は、画素電極９ａと同一パターン形状をもって画素電極９ａに重なっている。 （もっと読む）

【課題】高電圧に対する高い耐久性と信頼性を有する酸化物半導体薄膜トランジスタを提供することが可能な、新規かつ改良された酸化物半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、基板の上部に形成されて第１面積を有するゲート電極、ゲート電極をカバーするためにゲート電極の上部に形成されるゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜の上部に形成されて第１面積より狭い第２面積を有する活性層、活性層のソース領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるソース電極、活性層のドレーン領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるドレーン電極及び活性層、ソース電極及びドレーン電極をカバーする保護膜を含む。従って、酸化物半導体薄膜トランジスタは高電圧に対する高耐久性及び信頼性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画像の周囲に光漏れに起因する像が現れるということを極力防止等することで、画質を高める。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、データ線、走査線、ＴＦＴ及び画素電極を備えている。前記基板は、ＴＦＴ及び画素電極の形成領域として規定される画像表示領域（１０ａ）と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有する。画像表示領域上には、画素電極における電位を所定期間保持する蓄積容量と、該蓄積容量を構成する容量電極に接続される容量配線（４００）とを備え、前記画像表示領域及び前記周辺領域間を画する額縁領域（５３）上には、容量配線と同一膜として形成され、且つ、当該額縁領域の少なくとも一部に形成された額縁パターン（４０６）を備えている。この額縁パターンは、外部回路接続端子（１０２Ｑ）に接続された配線（４０４）とも同一膜として形成されている。 （もっと読む）

【課題】必要十分なキャパシティをもつ保持容量を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属表面を有する基板１１と、前記金属表面を有する基板上に形成された絶縁膜１２と、前記絶縁膜上に形成された画素部とを有する半導体装置において、前記画素部は、ＴＦＴと、該ＴＦＴと接続する配線２１とを有しており、保持容量は、前記金属表面を有する基板、前記絶縁膜および前記配線により構成されている。前記絶縁膜の膜厚が薄いほど、また、前記絶縁膜と前記配線の接する領域の面積が大きいほど、大きなキャパシティを得られるので有利である。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に於けるＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造の形成は、従来、ゲート電極をマスクにセルフアラインで形成しているが、ゲート電極が２層構造となる場合が多く、成膜工程とエッチング工程が複雑になる。またドライエッチング等のプロセスのみでＬＤＤ構造及びＧＯＬＤ構造の形成を行っている為、トランジスタ構造が全て同一構造となり、回路毎にＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造及びシングルドレイン構造を別々に形成することが困難である。
【解決手段】 回折格子パターン或いは半透膜から成る光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスク或いはレチクルをゲート電極形成用フォトリソグラフィ工程に適用することにより、ドライエッチング及びイオン注入工程を通し、回路毎にＧＯＬＤ構造及びＬＤＤ構造及びシングルドレイン構造のトランジスタを簡単に形成することができることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の低下を抑制できる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置１は、画素電極218と共通電極216とは、平面視してＸ方向に沿って交互に配置されており、絶縁部材217は、画素電極218側の第１面217ａ
と、第１基体21の第１主面21ａ側の、Ｘ方向における両端が第１面217ａの両端に比べて
内側に位置している第２面217ｂとを有しており、画素電極218は、絶縁部材217の第１面217ａを被覆しているとともに、平面視してＸ方向における両端部が隣り合う共通電極216
に重なっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】複数の光検出回路のそれぞれにより第１の光データを生成し、第１の光データを用いて画像処理回路により画像データを生成して記憶回路に保持し、ＣＰＵにより、記憶回路から画像データを読み出し、画像データを画像信号として入出力部に入力し、入出力部により、画像信号から表示データ信号を生成し、生成した表示データ信号を表示回路に入力し、表示回路が画像データに基づく表示状態である間に、複数の光検出回路のそれぞれにより第２の光データを生成する。 （もっと読む）

【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法は、前記第１の基板上に、映像信号線が接続される第１の電極と前記画素電極と接続される第２の電極とを含む薄膜トランジスタを形成する工程と、前記第２の電極よりも上層に第１のシリコン窒化膜を形成する工程と、前記第１のシリコン窒化膜よりも上層に有機絶縁膜を形成する工程と、前記有機絶縁膜よりも上層に容量電極を形成する工程と、前記有機絶縁膜を形成した後に前記容量電極より上層かつ前記画素電極よりも下層に前記第１のシリコン窒化膜の成膜温度よりも低温で第２のシリコン窒化膜を成膜する工程と、前記第２の電極上に、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜とを貫通し前記第２の電極と前記画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）