【課題】電磁波シールド性が向上し安定した動作品質が得られる電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置は、素子基板１０上に設けられた、画素電極１５と、画素電極１５と電気的に接続されたＴＦＴ（薄膜トランジスター）３０と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に設けられた少なくとも５層の導電層と、を備え、少なくとも５層の導電層が１層おきに固定電位とされている。具体的には、ゲート電極３０ｇと平面的に重なる第１導電層３１の配線３１ｂと、第３導電層３３と、第５導電層としての第２容量電極１６ａとに駆動電圧の最大電位と基準電位との間の中間電位が与えられている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の作製工程においてマスク枚数を追加することなく、反射電極の散
乱構造を作製する。
【解決手段】層間膜に感光性樹脂膜を用いる。フォトマスク１００の第１の透光部１０１
を通して露光してパターニングしてコンタクトホール１０３〜１０６を得る。フォトマス
ク１００の第２の透光部１０２を通して露光すると、感光性樹脂膜が解像不能となり、感
光性樹脂膜の表面に凹凸ができる。これにより一枚のフォトマスクでコンタクトホール形
成と層間膜表面に凹凸を有する散乱構造とができる。 （もっと読む）

【課題】 １枚の基板から得られる表示パネルの枚数が多くでき、放電破壊を抑制するショート配線としても機能する共通配線の構成のアレイ基板において、外部接続端子と共通配線とを接続する接続配線の、共通配線のコンタクトホールを有する接続部での腐食を抑制して信頼性の向上を図る。
【解決手段】 絶縁性基板１上に、複数の表示パネル５０を構成する複数の表示領域４０が配置され、走査配線２、信号配線６、及び共通配線８０に接続される外部接続端子６０を有するアレイ基板１１０において、外部接続端子６０と隣接する表示パネル５０の共通配線８０とを接続する接続配線７０は、隣接する表示パネル５０の共通配線８０に設けられたコンタクトホール６４を有する接続部６５において接続され、接続部６５は対向基板１２０を貼り合わせるシール材９５が形成される領域下、又はシール材９５より表示領域４０側である内側に配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置の製造工程のうちの表示板に集積されたゲート駆動部に静電気が流入することを防止する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、基板、基板上に形成された複数のスイッチング素子を各々含む複数の画素、スイッチング素子に接続され、行方向に延びている複数のゲート線、ゲート線と各々接続されている回路部及び回路部と接続されている配線部を含むゲート駆動部を含み、回路部はトランジスタを含み、配線部は信号線を含み、トランジスタと信号線は接続部材を介して接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】精細かつ高スループットの導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第１の波面と第２の波面とを有する基体と、第１の波面上に形成された、２層以上の層が積層された積層膜とを備える。積層膜が、導電パターン部を形成する。第１の波面および第２の波面が、０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、上層と、上層よりも広い幅を有する下層とからなる２層構造とする。ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。上層の端面から突出させた下層部分と、ＩＴＯとを接合させる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一と
する。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置に
おいて、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電
極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二
種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けら
れた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構
成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続する
パッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表示品位を改善することが可能な表示装置及び表示装置用アレイ基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上に配置され可視光領域での透過率が０．５以上の下地層、前記下地層より厚い膜厚を有するとともに前記下地層の上に積層された透明材料からなる透明層、及び、前記透明層の上に積層された主配線材料からなる主配線層の積層体によって形成された信号配線と、を備え、前記透明層の膜厚をｄ（ｎｍ）とし、前記透明層の屈折率をｎとしたとき、積ｎ×ｄが４００より小さいことを特徴とする表示装置用アレイ基板。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、限られた基板上の領域内で蓄積容量の容量値を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に設けられた画素電極（９）と、基板と画素電極との間に設けられ、互いに交差するデータ線（６）及び走査線（１１）と、基板とデータ線との間に設けられ、データ線に電気的に接続された第１ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された第２ソースドレイン領域を有する半導体層（３０ａ）と、データ線と半導体層との間に設けられた第１絶縁膜（４２）と、データ線と画素電極との間に設けられた第２絶縁膜（４３）と、半導体層と画素電極との間に設けられ、第１絶縁膜及び第２絶縁膜を貫通するように設けられた溝（９１）内の少なくとも一部に設けられた溝内部分（７０ａ）を有する蓄積容量（７０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】画素電極と共通電極とが絶縁膜を介して対向した構造を有し、画素の一部に電気的欠陥が生じた場合にも良品化することが可能なＴＦＴアレイ基板を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板１０１は、薄膜トランジスタ１０と、ドレイン電極１６に導電接続された画素電極２０と、画素電極４０と絶縁膜３０を介して対向形成された共通電極４０とを含む画素が複数マトリクス状に形成されたものである。ＴＦＴアレイ基板１０１は、１個の画素に着目したとき、画素電極２０が複数の分割画素電極２０Ｄに分割されており、かつ、ドレイン電極１６と複数の分割画素電極２０Ｄとをそれぞれ導電接続する複数の分岐導電部１６Ｂを有し、平面視上、複数の分岐導電部１６Ｂの少なくとも一部の形成領域に、共通電極４０が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】Ｇａを含まないＩｎ−Ｚｎ−Ｏの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】Ｉｎと；Ｚｎと；Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｍｇ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭを用いたアクティブマトリクス型表示装置では、ＳＲＡＭ回路を構成するトランジスタ数が多く、画素面積が小さい場合、画素の中に入りきらない、もしくは開口率が低下するという問題があった。リフレッシュが不要で消費電力の小さな表示装置を提供する。
【解決方法】本発明は、画素をスイッチング素子と、不揮発性メモリ素子で構成する。不揮発性メモリ素子は強誘電体素子を用い、保持を行うことによって、静止画を表示する場合フレーム毎に書き込みを行う必要をなくすことができる。また、強誘電体メモリは占有面積が小さいので開口率を著しく落とすことなく、メモリを内蔵することができる。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の大型化に対応し得る金属配線を作製する。
【解決手段】絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜１２，１３を形成し、前記導電膜１２，１３上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、エッチングガスの総流量、エッチングガスにおける酸素または塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成する。このようにして形成された金属配線は、幅や長さのばらつきが低減されており、基板１０の大型化にも十分対応し得る。 （もっと読む）

【課題】作製工程を増やすことなく、凹凸形状の画素電極を作製することを目的とする。
【解決手段】凸部は、フォトマスクを用いて作製すると再現性の高いものが得られるため、画素ＴＦＴ１２０３の作製工程にしたがって作製すればよい。画素ＴＦＴ１２０３の作製と同様に積層される半導体層、ゲート絶縁膜および導電膜を積層して凸部を形成する。こうして形成された凸部および同一工程で形成された画素ＴＦＴ、駆動回路に含まれるＴＦＴを覆うように層間絶縁膜を形成する。凹凸を有する層間絶縁膜が形成されたら、その上に画素電極を形成する。画素電極の表面も絶縁膜の凹凸の影響を受け表面が凹凸化する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が低減されて結晶性が良好な半導体膜の形成方法及びその成方法を用いて製造された半導体装置並びにディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に非晶質シリコン膜１２を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２の表面に、結晶化を促進する触媒物質であるニッケルを含むニッケル薄膜１３を形成する工程と、非晶質シリコン膜１２を熱処理して、非晶質シリコン膜１２を結晶性シリコン膜１２に結晶化する工程と、結晶性シリコン膜１２に、隣接する各結晶粒の結晶方位角度差が、概略１０°以下あるいは５８°〜６２°を保持する最も高い値になるようなエネルギー密度を有するエキシマレーザーを照射して、結晶性シリコン膜１２の結晶性をさらに向上させて多結晶半導体膜とする工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】開口率を大きくすることができ、表示性能を向上できる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】複数の信号線は、２本と１本との各組として複数の画素電極の第１の方向における間にそれぞれ配線し、複数の第２の座標検知配線は、信号線が配線された以外の複数の画素電極の第１の方向における間にそれぞれ配線し、これら配線によって第１の方向で第２の座標検知配線の両側に配置された各画素用トランジスタの間に、土台部と、第１と第２の座標検知部と、を第１の方向と直交する第２の方向に詰めて配置し、各画素電極の間隔を狭くする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定した特性を示す金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極１と、ゲート電極１上に設けられたゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に設けられたドレイン電極３Ｂ，４Ｂと、ゲート絶縁膜２上にドレイン電極３Ｂ，４Ｂと隣接して設けられ、金属酸化物半導体で構成されたチャネル層５とを備え、ドレイン電極３Ｂ，４Ｂは、ゲート電極１への電圧印加によりチャネル層５に形成される反転層１０１と接触すべくゲート絶縁膜２上に設けられ、チャネル層５を構成する金属酸化物半導体よりも酸化物生成自由エネルギーが若干小さい金属酸化物半導体で構成された第１ドレイン電極３と、第１ドレイン電極３上に設けられ、金属で構成された第２ドレイン電極４とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定してブルー相を発現することのできる液晶表示装置を作製する。
【解決手段】液晶組成物を含む液晶層を挟持して、シール材によって第１の基板と第２の基板とを固着し、熱処理により液晶層の配向状態を等方相とし、液晶層に光を照射して、液晶層の高分子安定化処理を行うとともに、光照射中に液晶層の配向状態を等方相からブルー相へと相転移を行う。これによって、ブルー相以外の配向状態を示す欠陥（配向欠陥）を抑制した液晶表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。具体的には結晶性の高い酸化物半導体膜を形成する作製プロセスを提供する。
【解決手段】意図的に窒素を酸化物半導体に対して添加することにより、六方晶であり、ウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜において、窒素を含む領域の結晶性は、窒素をあまり含まない領域、或いは窒素を意図的に添加していない領域に比べて高くなる。この結晶性の高いウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域として用いる。 （もっと読む）