導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器
【課題】精細かつ高スループットの導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第１の波面と第２の波面とを有する基体と、第１の波面上に形成された、２層以上の層が積層された積層膜とを備える。積層膜が、導電パターン部を形成する。第１の波面および第２の波面が、０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）の関係を満たす。
【解決手段】導電性素子は、第１の波面と第２の波面とを有する基体と、第１の波面上に形成された、２層以上の層が積層された積層膜とを備える。積層膜が、導電パターン部を形成する。第１の波面および第２の波面が、０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）の関係を満たす。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器に関する。詳しくは、基体表面に導電パターン部が形成された導電性素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基材上に所定の回路パターンの導電層を形成する方法としては、フォトリソグラフィーを利用した回路パターン形成方法が広く用いられている。この回路パターンの形成方法では、ステップ＆リピート方式、またはそれに近い方式が一般的に用いられている。具体的には、この形成方法では、「金属層コーティング」→「レジスト塗布」→「露光」→「現像」→「除去」→「レジスト剥離」の工程を経て、回路パターンが形成される。このため、フォトリソグラフィーを利用した回路パターンの形成方法は、低スループットとなる。
【０００３】
そこで、スループットの向上を実現すべく、スクリーン印刷による回路パターン形成方法が提案されている。このスクリーン印刷による回路パターン形成方法は、絶縁性基材上に金属ペーストなどをマスクを介してスキージで塗布し、その後焼成して所定の回路パターンの導電層を形成する方法である。スクリーン印刷による回路パターン形成方法はスループットに優れるため、種々のデバイスに対する応用が検討されている。例えば特許文献１には、スクリーン印刷を用いてタッチパネルの電極を形成する方法が開示されている。また、特許文献２には、スクリーン印刷を用いて画像表示装置の電極を形成する方法が開示されている。
【０００４】
しかしながら、スクリーン印刷はマスクが高価であること、マスクを精度良く位置合わせするのが煩雑であること、マスクの穴が目詰まりし易いことなどの問題がある。このため、スクリーン印刷以外にも、優れたスループットを実現できる回路パターンの形成方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６６０２５号広報
【０００６】
【特許文献２】特開２００５−１４９８０７号広報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明の目的は、精細かつ高スループットを実現できる導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するために、第１の発明は、
第１の波面と第２の波面とを有する基体と、
第１の波面上に形成された、２層以上の層が積層された積層膜と
を備え、
積層膜は、導電パターン部を形成し、
第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第1の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
【０００９】
第２の発明は、
第１の波面と第２の波面とを有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜を形成する工程と、
第１の波面および第２の波面のうち、第２の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、第１の波面上に形成された積層膜を残すことにより、導電パターン部を形成する工程と
を備え、
第１の波面と第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
【００１０】
本発明において、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下であることが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【００１１】
本発明において、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第１の波面の平均波長λ１、および第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下であることが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【００１２】
本発明において、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第２の波面の平均波長λ２が、１００μｍ以上であることが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【００１３】
本発明において、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第１の波面の平均波長λ１、および第２の波面の平均波長λ２が、１００μｍ以上であることが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【００１４】
本発明において、第２の波面上に形成された、積層膜の一部からなる残留膜をさらに備え、積層膜、および残留膜が、以下の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２（但し、Ｓ１：積層膜の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
このような関係を満たす場合、第１の波面上に形成された積層膜は、第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、第２の波面上に形成された残留膜は、第２の波面上に不連続的に形成されていることが好ましい。
【００１５】
本発明において、第２の波面上に形成された、積層膜の一部からなる残留膜をさらに備え、積層膜、および残留膜が、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２（但し、ｄ１：積層膜の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
【００１６】
本発明において、積層膜は、導電層と、該導電層上に形成された機能層とを備え、機能層は、導電層とは異なる材料からなることが好ましい。積層膜は、異なる除去速度の材料で構成されていることが好ましい。導電層は、酸化物半導体を含む透明導電層であることが好ましい。酸化物半導体は、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいることが好ましい。導電層は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。導電層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいることが好ましい。機能層は、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいることが好ましい。機能層は、導電層と異なる材料からなりＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕ選ばれる少なくとも１種を含んでいることが好ましい。機能層は、アモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましい。
【００１７】
本発明において、導電性素子は、配線素子、情報入力装置、導電性素子、表示装置、または電子機器に適用して好適なものである。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、精細かつ高スループットを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１Ｃは、図１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１Ｄは、図１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。
【図２】図２Ａは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図２Ｂは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。
【図３】図３Ａは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図３Ｂは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。
【図４】図４Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図４Ｂは、図４Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。
【図５】図５Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図５Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図５Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。
【図６】図６は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。
【図７】図７Ａ〜図７Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図８】図８Ａ〜図８Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図９】図９Ａ〜図９Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図１０】図１０Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１０Ｃは、図１０Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１０Ｄは、図１０Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。
【図１１】図１１Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。
【図１２】図１２Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図１２Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す断面図である。
【図１３】図１３Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１３Ｃは、図１３Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１３Ｄは、図１３Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第５の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルを備える表示装置の一構成例を示す斜視図である。
【図１６】図１６Ａは、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。図１６Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。
【図１７】図１７Ａは、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。図１７Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。
【図１８】図１８Ａは、本発明の第７の実施形態に係るＩＣカードの一構成例を示す平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示したＩＣカードの一部を拡大して表す平面図である。
【図１９】図１９Ａは、本発明の第８の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図１９Ｃは、図１９Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。
【図２０】図２０Ａは、参考例１に係る透明導電性シートの作製に用いた石英マスタの成形面を示す模式図である。図２０Ｂは、参考例１に係る透明導電性シートの導通／非導通評価ポイントを示す模式図である。
【図２１】図２１は、実施例１−２に係る導電性シート表面の光学顕微鏡観察像を示す図である。
【図２２】図２２は、エッチング時間と初期表面抵抗に対する逆数（仮想厚さ変化）との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（波面の有無を利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
２．第２の実施形態（２種の波面の違いを利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
３．第３の実施形態（導電パターン部を基体の両面に形成した例）
４．第４の実施形態（構造体を凹状とした例）
５．第５の実施形態（表示装置に対する適用例）
６．第６の実施形態（情報入力装置に対する適用例）
７．第７の実施形態（ＩＣカードに対する適用例）
８．第８の実施形態（表示装置に対する適用例）
【００２１】
＜１．第１の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１Ｃは、図１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１Ｄは、図１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。以下では、導電性素子１の主面の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その主面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。
【００２２】
第１の実施形態に係る導電性素子１は、交互に形成された第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2を有する基体２と、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のうち、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４とを備える。積層膜４は、導電パターン部をなすように第１の領域Ｒ1に連続的に形成されている。導電パターン部は、例えば、配線パターン部、電極パターン部などである。積層膜４は、２層以上の層が積層された積層膜であり、少なくとも導電層４ａを含んでいることが好ましい。
【００２３】
この導電性素子１は、例えば、プリント基板、画像表示素子などである。プリント基板としては、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板などが挙げられる。画像表示素子としては、例えば、液晶表示素子、エルクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）などが挙げられる。
【００２４】
（第１の領域、第２の領域）
第１の領域Ｒ1の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には積層膜４が連続的に形成されている。一方、第２の領域Ｒ2の基体表面には、例えば波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には積層膜４が形成されていない状態となっている。したがって、第２の領域Ｒ2は、隣接する第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ1に連続的に形成された積層膜４は、第１の領域Ｒ1の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。
【００２５】
平面Ｓｐ１、および波面Ｓｗ２が以下の関係を満たすことが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：平面Ｓｐ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：平面Ｓｐ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
なお、平面Ｓｐ１は、振動の平均幅Ａｍ１が「０」の波面とみなすことができるため、上述のように平面Ｓｐ１の振動の平均幅Ａｍ１、平均波長λｍ１および比率（Ａｍ１／λｍ１）を定義することができる。
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。
【００２６】
ここで、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は以下のようにして求めたものである。まず、波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子１の断面を切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、波面Ｓｗ２の波長λ２、および振動の幅Ａ２を求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を求める。次に、これらの平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を用いて、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）を求める。
【００２７】
波面Ｓｗ２は、例えば、可視光の波長以下の波長を有する１次元的または２次元的な波面であり、具体的には、可視光の波長以下の配置ピッチで多数の構造体３が１次元的または２次元的に配列されてなる凹凸面である。
【００２８】
波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして、波面Ｓｗ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。
【００２９】
波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００ｎｍ以上の範囲である。平均波長λｍ２が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２の作製が困難となる傾向がある。
また、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。
【００３０】
第２の領域Ｒ2には積層膜４またはその一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ2が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。第２の領域Ｒ2に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４と、第２の領域Ｒ2に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：積層膜の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
このような関係を満たす場合、第１の領域Ｒ1には積層膜４が連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ2には残留膜が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。
【００３１】
また、第２の領域Ｒ2に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４と、第２の領域Ｒ2に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：積層膜の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
このような関係を満たす場合、残留膜の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、積層膜４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ2が絶縁領域として機能することが好ましい。
【００３２】
なお、上述したように、残留膜は導電パターン部としては機能しないため、図１Ｂ、および図１Ｄでは、残留膜の図示を省略している。また、図１Ａでは、第１の領域Ｒ1に連続的に形成された積層膜４、すなわち導電パターン部が、直線状の形状を有している例が示されているが、導電パターン部の形状はこれに限定されるものではなく、回路や素子の設計などに応じて所望の形状とすることが可能である。
【００３３】
以下、導電性素子１を構成する基体２、構造体３、および積層膜４について順次説明する。
【００３４】
（基体）
基体２は、例えば、透明性または不透明性を有する基体である。基体２の材料としては、例えば、プラスチック材料などの有機材料、ガラスなどの無機材料を用いることができる。
【００３５】
ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）などが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。
【００３６】
基体２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。
【００３７】
基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。
【００３８】
基体２の形状としては、例えば、フィルム状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、フィルムにはシートが含まれるものと定義する。
【００３９】
（構造体）
波面Ｓｗ２は、例えば多数の構造体３が第２の領域Ｒ2に配列された凹凸面である。構造体３は、例えば、基体１の表面に対して凸状を有している。構造体３は、例えば、基体２と別成形、または基体２と一体成形されている。構造体３と基体２とを別成形する場合には、必要に応じて構造体３と基体２との間に基底層を備えるようにしてもよい。基底層は、構造体３の底面側に構造体３と一体成形された層であり、構造体３と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。基底層の厚さは、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。
【００４０】
構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）が以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ｈｍ／Ｐｍ）≦１．８
（但し、Ｈｍ：構造体３の平均高さ、Ｐｍ：構造体３の平均配置ピッチ）
（Ｈｍ／Ｐｍ）＞１．８であると、構造体３を転写する際に剥離不良となり構造体３が破壊される傾向がある。
【００４１】
ここで、構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）は、以下のようにして求めたものである。まず、構造体３の高さが最大となる位置を含むようにして導電性素子１の断面を切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３の配置ピッチＰ、および高さＨを求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、構造体３の平均配置ピッチＰｍおよび平均高さＨｍを求める。次に、これらの平均配置ピッチＰｍおよび平均高さＨｍを用いて、構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）を求める。
【００４２】
複数の構造体３の配列としては、例えば、１次元または２次元配列を用いることができる。構造体３の配列としては、例えば、規則的または不規則的な配列を用いることができ、原盤の作製方法などに応じて上記配列のうちから適切な配列を選択することが好ましい。
【００４３】
構造体３の平均配置ピッチＰｍは、導電性素子表面における光の反射を低減する観点からすると、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ以上１ｍｍ以下の波長帯域をいう。具体的には、平均配置ピッチＰｍは、好ましくは１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲内である。平均配置ピッチＰｍが１８０ｎｍ未満であると、構造体３の作製が困難となる傾向がある。一方、平均配置ピッチＰｍが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
【００４４】
以下に、図２Ａ〜図３Ｂを参照しながら、複数の構造体３が１次元配列または２次元配列された第２の領域Ｒ2について具体的に説明する。
【００４５】
図２Ａは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図２Ｂは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。複数の構造体３が、例えば、第２の領域Ｒ2において複数列のトラックＴ上に２次元配列されている。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴを蛇行（ウォブル）させるようにしてもよい。複数例のトラックＴ上に配列された複数の構造体３が、例えば、所定の規則的な配置パターンをなるようにしてもよい。構造体３の配置パターンとしては、四方格子状、六方格子状などの格子状パターンが挙げられ、これらの格子状パターンを歪ませるようにしてもよい。構造体３の高さが基体１の表面において規則的または不規則的に変化するようにしてもよい。また、構造体３をランダムに配列するようにしてもよい。
【００４６】
構造体３の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球状、半楕円球状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。後述するロール原盤露光装置（図６参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体３の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。
【００４７】
図３Ａは、複数の構造体が１次元配列された第１の領域を拡大して表す斜視図である。図３Ｂは、複数の構造体が１次元配列された第１の領域を拡大して表す平面図である。複数の構造体３が、例えば、第２の領域Ｒ2において複数列のトラックＴ上に、これらのトラックＴに沿うようにして１次元配列されている。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックを蛇行（ウォブル）させるようにしてもよい。
【００４８】
構造体３は、例えば、一方向に向かって延在された柱状体であり、その断面形状は、例えば三角形状、頂部に曲率Ｒが付された三角形状、多角形状、半円形状、半楕円形状、放物線状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３の具体的形状としては、例えば、レンチキュラー形状、プリズム形状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３の高さが、トラック方向に向かって変化するようにしてもよい。また、構造体３が、トラック方向に断続するようにしてもよい。
【００４９】
（積層膜）
積層膜４は、例えば、第１の領域Ｒ１上に形成された導電層４ａと、導電層４ａ上に形成された機能層４ｂとを備える。積層膜４は、異なる除去速度の材料、具体的には、異なる除去速度の積層膜から構成されていることが好ましい。導電層４ａとしては、例えば、金属層、透明導電層、金属酸化物層、遷移金属化合物層などを用いることができるが、これらの限定されるものではない。機能層４ｂの材料としては、少なくとも導電層４ａとは異なる材料が好ましく、さらに除去工程時に溶解レート差が生じるものがより好ましい。
【００５０】
透明導電層としては、例えば、無機透明導電層を用いることができる。無機透明導電層は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ2、ＩｎＯ2、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電膜を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。
【００５１】
金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
【００５２】
機能層４ｂとしては、少なくとも導電層４ａに対して、エッチャントに対する溶解度もしくはエッチングレートが異なることが望ましく、例えばＳｉＯ2などの金属酸化物層や遷移金属化合物、さらには結晶状態が異なる膜同士で機能層４ｂが多結晶化してエッチャント耐性が向上している状態も望ましい。機能層４ｂは、アモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましい。また、機能層４ｂとしては、導電層４ａに対して溶解レートが異なるものであれば金属でも使用可能であり、導電層４ａと異種材料であればＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む材料を用いることができる。
【００５３】
第１の領域Ｒ1における積層膜４の表面抵抗は、５０００Ω／□以下であることが好ましい。５０００Ω／□を超えると、抵抗が増大しすぎて電極として使用できなくなる傾向がある。
【００５４】
［ロール原盤の構成］
図４Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図４Ｂは、図４Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤１１は、上述した基体表面に構造体３を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面には多数の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に設定されている。図４Ａおよび図４Ｂでは、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が周方向に向かって、リング状に形成されている場合が示されているが、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の形状はこの例に限定されるものではなく、所望とする導電パターン部の形状、すなわち第２の領域に形成する積層膜４の形状に応じて適宜選択される。ロール原盤１１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。
【００５５】
図５Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図５Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図５Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ2には、例えば、凹部である構造体１２が可視光の波長以下のピッチで多数配置されているのに対して、第１の領域Ｒ1には、例えば、凹部である構造体１２が形成されず平面状とされている。
【００５６】
ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1、および第２の領域Ｒ2はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ1、および第２の領域Ｒ2に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1に形成された平面Ｓｐ１は、基体２の第１の領域Ｒ1に平面Ｓｐ１を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ2に形成された波面Ｓｗ２は、基体２の第２の領域Ｒ2に波面Ｓｗ２を形成するためのものである。具体的には、ロール原盤１１の波面Ｓｗ２は、上述の基体２の表面の波面Ｓｗ２の凹凸形状を反転した形状を有している。すなわち、ロール原盤１１の構造体１２は、上述の基体２の表面の構造体３の凹凸形状を反転した形状を有している。
【００５７】
［露光装置の構成］
図６は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。以下、図６を参照して、ロール原盤露光装置の構成について説明する。なお、このロール原盤露光装置は、例えば、光学ディスク記録装置をベースとして構成することが可能である。
【００５８】
レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤１１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
【００５９】
ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１４の位相変調を行う。
【００６０】
変調光学系２５において、レーザー光１４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ2）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acoust-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
【００６１】
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤１１上のレジスト層へ照射される。原盤１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、原盤１１を回転させるとともに、レーザー光１４を原盤１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
【００６２】
露光装置は、例えば、四方格子または六方格子などの所定の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
【００６３】
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、四方格子または六方格子パターンなどの所定の２次元パターンを記録することができる。
【００６４】
［導電性素子の製造方法］
以下、図７〜図９を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子１の製造方法の一例について説明する。
【００６５】
（レジスト成膜工程）
まず、図７Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図７Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。
【００６６】
（露光工程）
次に、図７Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１４をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を照射する。この際、配線パターン間の絶縁領域に対応する第２の領域Ｒ2のみに潜像を形成し露光部とするのに対して、導電パターン部に対応する第１の領域Ｒ1は露光せず、非露光部とする。レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５は、例えば、可視光の波長以下のピッチで形成される。
【００６７】
潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、四方格子パターンまたは六方格子パターンなどの所定の２次元パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
【００６８】
（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、図８Ａに示すように、レジスト層１３を現像処理する。図示するように、レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１５に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。これにより、第２の領域Ｒ2のレジスト層１３には、四方格子パターンまたは六方格子パターンなどの所定の２次元パターンの開口部が形成されるのに対して、第１の領域Ｒ1のレジスト層１３には、開口部が形成されず、第１の領域Ｒ1全体はレジスト層１３に覆われた状態が維持される。すなわち、第２の領域Ｒ2のみに開口パターンを有するマスクがロール原盤表面に形成される。
【００６９】
（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をロールエッチング処理する。これにより、ロール原盤表面のうち第２の領域Ｒ2では、開口部を介してエッチングが進行し、図８Ｂに示すように、第２の領域の領域Ｒ2には、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状などの構造体（凹部）１２が形成される。一方、ロール原盤表面のうち第１の領域Ｒ1では、この領域全体がレジスト層１３に覆われているため、エッチングは施されず、平面状のロール原盤表面が維持される。エッチング方法としては、例えばドライエッチングを用いることができる。
【００７０】
（転写工程）
次に、例えば、図８Ｃに示すように、ロール原盤１１と、転写材料１５を塗布したフィルムなどの基体２とを密着させ、紫外線などのエネルギー線を照射して転写材料１５を硬化させた後、硬化した転写材料１５と一体となった基体２を剥離する。これにより、図９Ａに示すように、平面Ｓｐ１が形成された第１の領域Ｒ1と、波面Ｓｗ２が形成された第２の領域Ｒ2とを有する基体２が得られる。
【００７１】
転写材料１５としては、例えば、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることができる。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、エネルギー線を照射することによって硬化させることができる樹脂組成物である。エネルギー線とは、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、高周波などのラジカル、カチオン、アニオンなどの重合反応の引き金と成りうるエネルギー線を示す。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、他の樹脂と混合して用いるようにしてもよく、例えば熱硬化性樹脂組成物などの他の硬化性樹脂組成物と混合して用いてもよい。また、エネルギー線硬化性樹脂組成物は、有機無機ハイブリッド材料であってもよい。また、２種以上のエネルギー線硬化性樹脂組成物を混合して用いるようにしてもよい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂を用いることが好ましい。
【００７２】
紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
【００７３】
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。
【００７４】
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。
【００７５】
開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。
【００７６】
紫外線硬化性樹脂組成物などのエネルギー線硬化性樹脂組成物に対して、フィラーや機能性添加剤などを添加してもよい。フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。
【００７７】
基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。
【００７８】
基体２の成形方法は特に限定されず、例えば射出成形法、押し出し成形法、キャスト成形法などを用いることができる。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。
【００７９】
（積層膜の成膜工程）
次に、図９Ｂに示すように、基体表面の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2に２層以上の層を積層することにより、積層膜４を形成する。具体的には例えば、基体表面の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2に導電層４ａ、機能層４ｂをこの順序で積層することにより、積層膜４を形成する。積層膜４の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。また、基体２を加熱しながら、積層膜４を形成するようにしてもよい。
【００８０】
（アニール工程）
次に、必要に応じて、積層膜４に対してアニール処理を施す。これにより、積層膜４または積層膜４に含まれる無機透明導電層が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。
【００８１】
（積層膜の除去工程）
次に、図９Ｃに示すように、積層膜４が形成された基体表面に対して、エッチング処理を施す。これにより、第２の領域Ｒ2では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ1では積層膜４が残留する。具体的には例えば、第２の領域Ｒ2では導電層４ａ、機能層４ｂが除去されるのに対して、第１の領域Ｒ1では導電層４ａ、機能層４ｂが残留する。したがって、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４は導電パターン部として機能するのに対して、第２の領域Ｒ2は上記導電パターン部間の絶縁領域として機能する。エッチングとしては、ウェットエッチングまたはドライエッチングを用いることができ、両者を組み合わせて用いるようにしてもよい。ウエットエッチングのエッチング液としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸および塩化第二鉄のうち１種類以上が用いることができる。また、シュウ酸、リン酸・酢酸・硝酸の混酸、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液をエッチング液として用いるようにしてもよい。ドライエッチングとしては、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を用いることができる。
【００８２】
ここで、除去とは、（１）第２の領域Ｒ2から積層膜４を完全になくすこと、（２）第２の領域Ｒ2にて導電性を示さない程度まで積層膜２を不連続な状態（例えば島状の状態）にすること、または（３）第２の領域Ｒ2にて導電性を示さない程度の薄さまで積層膜４を薄くすることを意味する。
【００８３】
具体的には、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２のうち平面Ｓｐ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【００８４】
また、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、波面Ｓｐ上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２のうち平面Ｓｐ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【００８５】
また、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さを平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２のうち平面Ｓｐ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【００８６】
（洗浄工程）
次に、必要に応じて、エッチング処理を施した基体表面を洗浄する。
以上により、目的とする導電性素子１が得られる。
【００８７】
第１の実施形態では、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜４を形成する。そして、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２に形成した積層膜４の状態の違いを利用して、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２の波面のうち、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を除去するのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を残すことにより、導電パターン部を形成する。したがって、精細かつ高スループットの導電性素子１を実現できる。
【００８８】
＜２．第２の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１０Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１０Ｃは、図１０Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１０Ｄは、図１０Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態に係る導電性素子１は、第１の領域Ｒ1に形成された第１の波面Ｓｗ１と、第２の領域Ｒ2に形成された第２の波面Ｓｗ２との違い（例えば振動の平均幅の違い）を利用して、第１の領域Ｒ1と第２の領域Ｒ2とに成膜された積層膜４のエッチング速度を変化させて、配線パターンなどを形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。
【００８９】
（第１の領域、第２の領域）
第１の領域Ｒ1の基体表面には第１の波面Ｓｗ１が形成され、この第１の波面Ｓｗ１上には積層膜４が連続的に形成されている。一方、第２の領域Ｒ2の基体表面には第２の波面Ｓｗ１が形成され、この第２の波面Ｓｗ２上には積層膜４が形成されていない状態となっている。第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の波長を有する波面である。したがって、第２の領域Ｒ2は、隣接する第２の領域Ｒ2に形成された積層膜４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ1に連続的に形成された積層膜４は、第１の領域Ｒ1の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。
また、波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、および波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ１、および平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。
【００９０】
積層膜４は、第１の領域Ｒ1において第１の構造体３1による反射防止効果を阻害しないように、第１の構造体３1の表面形状に倣って形成され、第１の構造体３1と積層膜４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。積層膜４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。積層膜４を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。第１の構造体３1の高さを低くした場合にも、第１の構造体３1の反射防止効果を阻害しないような膜厚で積層膜４を形成することができるからである。すなわち、積層膜４が第１の構造体３1の形状に倣った形状を維持することができるからである。
【００９１】
第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）よりも大きいことが好ましい。これにより、光学特性と電気的選択性を両立できるからである。具体的には、比率（Ａｍ１／λｍ１）および比率（Ａｍ２／λｍ２）が、以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ２）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：波面Ｓｗ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：波面Ｓｗ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。
ここで、波面Ｓｗ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）は、第１の実施形態における波面Ｓｗ２と同様にして測定したものである。
【００９２】
波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の形状、波長および振動の幅はそれぞれ独立に選択することが可能である。具体的には例えば、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２はそれぞれ独立に、１次元的または２次元的な波面とすることが可能である。また、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の波長および振動の幅はそれぞれ独立に、ナノオーダーまたはミクロンオーダーの波長および振動の幅とすることが可能である。
【００９３】
第２の領域Ｒ2には積層膜４の一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ2が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。この場合、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４の面積は、第２の領域Ｒ2に形成された積層膜４またはその一部の面積よりも大きいことが好ましい。具体的には、第１の領域Ｒ1には積層膜４が連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ２には積層膜４またはその一部が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。また、第２の領域Ｒ2に形成された積層膜４またはその一部の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ2が絶縁領域として機能するようにしてもよい。
【００９４】
（構造体）
第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３1が形成された凹凸面である。第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３2が形成された凹凸面である。第１の構造体３2の平均アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）は、第２の構造体３1の平均アスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）に比して大きいことが好ましい。具体的には、第１の構造体３1、および第２の構造体３2が以下の関係を満たしていることが好ましい。
０＜（Ｈｍ１／Ｐｍ１）＜（Ｈｍ２／Ｐｍ２）≦１．８
（但し、Ｈｍ１：第１の構造体３1の平均高さ、Ｈｍ２：第２の構造体３2の平均高さ、Ｐｍ１：第１の構造体３1の平均配置ピッチ、Ｐｍ２：第２の構造体３2の平均配置ピッチ）
比率（Ｈｍ２／Ｐｍ２）＞１．８であると、第２の構造体３2を転写する際に剥離不良となり構造体３2が破壊される傾向がある。
【００９５】
ここで、第１の構造体３1のアスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）、および第２の構造体３2のアスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）は、第１の実施形態における構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）と同様にして測定したものである。
第１の構造体３1、および第２の構造体３2において、上記以外のことは第１の実施形態における構造体３と同様とすることができる。なお、第１の構造体３1、および第２の構造体３2の配置パターンや形状などは同一である必要はなく、両構造体が異なる配置パターンや形状などをとるようにしてもよい。
【００９６】
［ロール原盤の構成］
図１１Ａは、基体２を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態に係るロール原盤１１は、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の両領域にそれぞれ、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２を備える点において、第１の実施形態のものとは異なっている。
【００９７】
ロール原盤１１の第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の第１の構造体１２1を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の第２の構造体１２2を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の第１の波面Ｓｗ１、第２の波面Ｓｗ２はそれぞれ、基体２の第１の波面Ｓｗ１、第２の波面Ｓｗ２の凹凸を反転した形状を有している。
【００９８】
ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1に形成された凹状の構造体１２1は、基体２の第１の領域Ｒ1に形成された凸状の構造体３1を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ2に形成された凹状の構造体１２2は、基体２の第２の領域Ｒ2に形成された凸状の構造体３2を形成するためのものである。第２の構造体１２2のアスペクト比は、第１の構造体１２1のアスペクト比に比して大きいことが好ましい。
【００９９】
［導電性素子の製造方法］
第２の実施形態におけるエッチング工程では、積層膜４が形成された基体表面に対してエッチング処理を施すことにより、第２の領域Ｒ2では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ1では積層膜４が残留する。具体的には、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、第１の波面Ｓｗ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【０１００】
また、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、第１の波面Ｓｗ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【０１０１】
また、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さを第１の波面Ｓｗ１上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に導電パターン部を選択的に形成することができる。
【０１０２】
第２の実施形態では、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の両領域にそれぞれ構造体３1および構造体３2を形成しているので、導電性素子１の反射防止特性を向上することができる。このような構成とする場合、導電パターン部として機能する第１の領域Ｒ1の積層膜４は、第１の領域Ｒ1に形成された構造体３1の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、反射防止特性および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。
【０１０３】
変調（例えば振幅変調および／または周波数変調）が施された波面を基体表面に形成し、その基体表面上に積層膜４を形成することで、基体２の波面の変調の違いに応じて、積層膜４の状態を変化させることができる。したがって、基体２の波面の変調の違いに応じて、エッチング溶液に対する積層膜４の溶解度を変化させることができる。すなわち、基体２の波面の変調の違いを利用して、基体表面に所望の導電パターン部を形成することができる。
【０１０４】
基体表面の波面をナノ構造体により形成した場合には、視認性および光学特性を向上することもできる。光学特性を劣化させずに所望の電気抵抗を実現することができる。
【０１０５】
導電層からなる配線を基体表面に形成する従来の情報入力装置（例えば、デジタル式抵抗タッチパネルや静電容量式タッチパネルなど）では、導電層と基材とは反射率が異なるため、配線が見えて表示品質が劣化する傾向がある。これに対して、本発明の実施形態に係る情報入力装置では、積層膜４の有無にかかわらず、低反射および高透過率を実現しているため、配線の視認を抑制できる。
【０１０６】
＜３．第３の実施形態＞
図１２Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。第３の実施形態に係る導電性素子１は、基体２の両主面に第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2を設定し、両領域のうち第１の領域Ｒ1にのみ連続的に積層膜４を形成することで、基体両面に導電パターン部を形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。また、図１２Ｂに示すように、基体２に第１の領域Ｒ1にスルーホール（貫通孔）を形成し、このスルーホールに導体インクなどの導電材料を埋め込み、基体２の両面に形成された回路などの導電パターン部を電気的に接続するようにしてもよい。
【０１０７】
第３の実施形態では、基体２の両面に導電パターン部を形成しているので、第１の実施形態よりも多くの回路などを導電性素子１に搭載することが可能となる。
【０１０８】
＜４．第４の実施形態＞
図１３Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１３Ｃは、図１３Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１３Ｄは、図１３Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。第４の実施形態に係る導電性素子１は、凹部である構造体３が基体表面の第２の領域Ｒ2に多数配列されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。
この第４の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
【０１０９】
この第４の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１０】
＜５．第５の実施形態＞
図１４は、本発明の第５の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。図１４に示すように、液晶表示素子は、パッシブマトリックス駆動方式（単純マトリックス駆動方式ともいう。）の表示素子であり、所定間隔を離して対向配置された第１の基材１０１および第２の基材１１１と、第１の基材１０１および第２の基材１１１の間に配置された液晶層１２１とを備える。
【０１１１】
第１の基材１０１の両主面のうち、第２の基材１１１に対向する一主面には、直線状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第１の基材１０１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における第１の基材表面は、可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第１の基材１０１の両主面のうち、第２の基材１１１に対向する一主面には、連続的に形成された積層膜からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）１０２がストライプ状に形成されている。
【０１１２】
第２の基材１１１の両主面のうち、第１の基材１０１に対向する一主面には、直線状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第２の基材１１１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における第２の基材表面は、可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が不連続的に島状などに形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体が形成されず平面とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第２の基材１１１の両主面のうち、第１の基材１０１に対向する一主面には、連続的に形成された積層膜からなる縦（Ｙ）電極（第２の電極）１１２がストライプ状に多数形成されている。
【０１１３】
第１の基材１０１および第２の基材１１１の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2は、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基材１０１の横電極１０２と第２の基材１１１の縦電極１１２とは互いに直交する関係にある。
【０１１４】
第５の実施形態では、例えば波面の有無または構造体の有無を利用して液晶表示素子の電極を作製することができる。また、例えば波面の波長または構造体の配置ピッチを可視光の波長以下とした場合には、液晶表示素子の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。
【０１１５】
また、上述の第２の実施形態のように、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のそれぞれにアスペクト比などの異なる構造体を形成するようにしてもよい。これにより、液晶表示素子の反射防止特性および／または透過特性をさらに向上することができる。このような構成とする場合、横電極１０２および縦電極１１２として機能する第２の領域Ｒ2の透明積層膜は、第２の領域Ｒ2に形成された構造体の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、構造体による反射防止および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。
【０１１６】
＜６．第６の実施形態＞
図１５は、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルを備える表示装置の一構成例を示す斜視図である。図１５に示すように、表示装置２０２上にタッチパネル（情報入力装置）２０１が設けられている。表示装置２０２とタッチパネル２０１とは、例えば粘着剤を介して貼り合わされている。また、タッチパネル２０１の表面にフロントパネル（表面部材）２０３をさらに備えるようにしてもよい。タッチパネル２０１とフロントパネル（表面部材）２０３とは、例えば粘着剤により貼り合わされる。
【０１１７】
表示装置２０１としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。タッチパネル３０２は、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルである。抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルが挙げられる。静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、Ｗｉｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ方式またはＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルが挙げられる。
【０１１８】
（第１の構成例）
図１６Ａは、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。このタッチパネル２０１は、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルであり、ドットスペーサ（図示省略）を介して所定間隔を離して対向配置された第１の基材２１１と第２の基材２２１とを備える。
【０１１９】
図１６Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基材２２１は第１の基材２１１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２１１の両主面のうち、第２の基材２２１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第１の基材２１１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における第１の基材表面は、可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2における第１の基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２１１の両主面のうち、第２の基材２２１に対向する一主面には、連続的に形成された積層膜からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２１２がストライプ状に形成されている。
【０１２０】
第２の基材２２１の両主面のうち、第１の基材２１１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第２の基材２２１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における第２の基材表面は、可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2における第２の基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第２の基材２２１の両主面のうち、第１の基材２１１に対向する一主面には、連続的に形成された積層膜からなる縦（Ｙ）電極（第２の電極）２２２がストライプ状に多数形成されている。
【０１２１】
第１の基材２１１および第２の基材２２１の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2は、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基材２１１の横電極２１２と第２の基材２２１１の縦電極２２１とは互いに直交する関係にある。
【０１２２】
（第２の構成例）
図１７Ａは、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。このタッチパネルは、ＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルであり、重ね合わされた第１の基材２３１と第２の基材２４１とを備える。
【０１２３】
図１７Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基材２４１は第１の基材２３１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２３１の両主面のうち、第２の基材２４１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ1の間は第２の領域Ｒ2により隔てられている。第２の基材２４１の両主面のうち、第２の基材２３１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ1の間は第２の領域Ｒ2により隔てられている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第１の基材２３１および第２の基材２４１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。
【０１２４】
第１の基材２３１の第１の領域Ｒ1は、所定形状の単位領域Ｃ1をＸ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ2は、所定形状の単位領域Ｃ2をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。第２の基材２４１の第１の領域Ｒ1は、所定形状の単位領域Ｃ1をＹ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ2は、所定形状の単位領域Ｃ2をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位領域Ｃ1および単位領域Ｃ2の形状としては、例えばダイヤモンド形状（菱形形状）、三角形状、四角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
【０１２５】
第１の領域Ｒ1における第１の基材表面または第２の基材表面は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、例えば残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2における第１の基材表面または第２の基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２３１の両主面のうち、第２の基材２４１に対向する一主面には、積層膜からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２３２が配列されている。また、第２の基材２４１の両主面のうち、第１の基材２３１に対向する一主面には、積層膜からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）２４２が配列されている。横電極２３２および縦電極２４２は、第２の領域Ｒ2と同様の形状を有する。
【０１２６】
第１の基材２３１の横電極２３２と第２の基材２４１の縦電極２４２とは互いに直交する関係にある。第１の基材２３１と第２の基材２４１とを重ね合わせた状態において、第１の基材２３１の第１の領域Ｒ1と、第２の基材２４１の第２の領域Ｒ2とが重ね合わされ、第１の基材２３１の第２の領域Ｒ2と、第２の基材２４１の第１の領域Ｒ1とが重ね合わされる。
【０１２７】
第６の実施形態では、例えば波面の有無または構造体の有無を利用してタッチパネル２０１の電極を作製することができる。また、例えば波面の波長または構造体の配置ピッチを可視光の波長以下とした場合には、タッチパネル２０１の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。
【０１２８】
また、上述の第２の実施形態のように、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のそれぞれにアスペクト比などの異なる構造体を形成するようにしてもよい。これにより、タッチパネル２０１の反射防止特性および／または透過特性をさらに向上することができる。このような構成とする場合、電極として機能する第１の領域Ｒ1の積層膜は、第１の領域Ｒ1に形成された構造体の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、構造体による反射防止効果および／または透過特性向上の効果の低下を抑制することができるからである。
【０１２９】
＜７．第７の実施形態＞
図１８Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るＩＣカードの一構成例を示す平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示したＩＣカードの一部を拡大して表す平面図である。このＩＣカードは、いわゆる非接触型ＩＣカードであり、基材３０１と、アンテナコイル３０２と、ＩＣチップ３０３とを備える。アンテナコイル３０２の両端がＩＣチップ３０３に対して接続されている。また、基材３０１の両面には外装材（図示省略）が設けられている。
【０１３０】
基材３０１の形状としては、フィルム状、シート状、基板状を用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、ＩＣカード１に求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。基材１０２の材料としては、耐久性や利便性などの観点から、フレキシブル性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。このような樹脂材料としては、例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエステルを用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。
【０１３１】
基材３０１の一主面の周縁部には、例えば、第１の領域Ｒ1と第１の領域Ｒ2とが交互に螺旋状に形成されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における基材３０１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における基材表面は、微細ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2における基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、基材３０１の一主面の周縁部には、連続的に形成された積層膜からなるアンテナコイル３０２が第２の領域Ｒ2の形状に倣って形成されている。なお、上述の第２の実施形態のように、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のそれぞれにアスペクト比などの異なる構造体を形成するようにしてもよい。
【０１３２】
外装材は、ＩＣカードの表面および裏面を構成するものであり、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチルテレフタレート）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール、配向ＰＥＴなどの高分子材料を主成分とするが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。
【０１３３】
アンテナコイル３０２は、基材３０１上に複数回巻回されて形成されたループコイル形状の電磁誘導コイルであり、その両端はＩＣチップ３０３に接続されている。アンテナコイル１０３は、リーダ／ライタから発せられる交流磁界を受信して交流電圧を誘起し、その交流電圧をＩＣチップ３０３に供給する。
【０１３４】
ＩＣチップ３０３は、アンテナコイル３０２から供給される電力により駆動し、ＩＣカード１内の各部を制御する。例えば、ＩＣチップ３０３は、アンテナコイル５を介してリーダ／ライタと通信を行う。具体的には、リーダ／ライタとの相互認証やデータのやり取りなどを行う。
【０１３５】
第７の実施形態では、例えば波面の有無または構造体の有無を利用してＩＣカードのアンテナコイル３０２を作製することができる。したがって、エッチングなどを用いずにアンテナコイル３０２を作製することができるので、ＩＣカードの生産性を向上することができる。
【０１３６】
＜８．第８の実施形態＞
図１９Ａは、本発明の第８の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図１９Ｃは、図１９Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。第８の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所または対向する箇所には同一の符号を付す。この表示装置４００は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の導電性素子４０１と、第１の導電性素子４０１と対向配置された第２の導電性素子４０２と、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）４０３とを備える。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本発明を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置された導電性素子間に媒質層が設けられた構成であれば本発明は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気などの気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子などの部材が含まれていてもよい。マイクロカプセル電気泳動方式以外に本発明を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパーなどが挙げられる。
【０１３７】
マイクロカプセル層４０３は、多数のマイクロカプセル４３１を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。
【０１３８】
第１の導電性素子４０１は、第２の導電性素子４０２と対向する側に平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体２と、この基体２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４とを備える。また、必要に応じて、粘着剤などの貼合層４１１を介して、基体２をガラスなどの支持体４１２に貼り合わせるようにしてもよい。第２の導電性素子４０２は、第１の導電性素子４０１と対向する側に平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体２と、この基体２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４とを備える。
【０１３９】
第１の導電性素子４０１、および第２の導電性素子４０２が有する積層膜４は、電子ペーパー４００の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。
この第８の実施形態において、上記以外のことは第１の実施形態と同様である。
【実施例】
【０１４０】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【０１４１】
以下の実施例、比較例および参考例では、導電性シートの表面抵抗は４端子抵抗測定機にて測定した。なお、プローブ先端針の径はＲ１００μｍとし、針のピッチは１ｍｍとした。
【０１４２】
（参考例１）
（転写工程）
まず、図２０Ａに示すように、平面領域（第１の領域）Ｒ1とナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ2とが成形面にストライプ状に形成された石英マスタを準備した。次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ＰＥＴシート表面のうち、ナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ2には凸状のナノ構造体が多数形成されるのに対して、平面領域（第１の領域）Ｒ1には平坦面が形成された光学シートが得られた。構造体の配置ピッチは２５０ｎｍ、構造体の高さは２００ｎｍ、構造体の形状は円錐台、構造体の配列は六方配置であった。
【０１４３】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ2ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ2＝２００：１３とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１４４】
（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成した光学シートに対して、１５０℃、３０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ2Ｏ3のピークが確認された。
【０１４５】
（エッチング工程）
次に、アニール処理を施した光学シートを、ＰＨ＝３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。
【０１４６】
（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施した光学シートを純水により洗浄した。
以上により、目的とする透明導電性シートが得られた。
【０１４７】
（導通／非導通評価）
上述のようにして得られた実施例１に係る透明導電性シートの表面について、テスターを用いて導通および非導通を、図２０Ｂに示すポイントで評価した。その評価結果を表１に示す。
【０１４８】
表１は、参考例１に係る透明導電性シートの評価結果を示す。
【表１】
【０１４９】
表１から以下のことがわかる。
透明導電性シート表面のうちナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ2は絶縁状態となるのに対して、平面領域（第１の領域）Ｒ1は導通状態となる。したがって、インプリント工程、成膜工程およびエッチング工程を順次行うだけで、配線や電極などの所望の導電パターン部を基体表面に形成できる。すなわち、スループットを向上することができる
【０１５０】
（実施例１−１）
（転写工程）
まず、平面（第１の波面）を有する第１の領域と、波面（第２の波面）を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１５１】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表２に示す。
【０１５２】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、波面頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１５３】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＡｇ層を形成した。
以下に、Ａｇ層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：２００ｎｍ
【０１５４】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表２に示す。
【０１５５】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。
【０１５６】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１５７】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表２に示す。
【０１５８】
（実施例１−２）
（転写工程）
まず、波面（第１の波面）を有する第１の領域と、平面（第２の波面）を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１５９】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表３に示す。
【０１６０】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：４０ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、波面頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１６１】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＡｇ層を形成した。
以下に、Ａｇ層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：２００ｎｍ
【０１６２】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表３に示す。
【０１６３】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。
【０１６４】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１６５】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表３に示す。
【０１６６】
（表面観察）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面を光学顕微鏡を用いて観察した。その結果を図２１に示す。
【０１６７】
表２は、実施例１−１に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表２】
【０１６８】
表３は、実施例１−２に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表３】
【０１６９】
表２、表３から以下のことがわかる。
導電性シート表面のうち、波面を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去され絶縁状態となるのに対して、平面を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去されず残り導通状態が維持される。
したがって、電気抵抗を下げるため膜構成を多層構造とした場合でも、除去選択性を確保でき、平面領域ではＩＴＯ層およびＡｇ層を残すことができる。すなわち、低抵抗な配線を容易に作製することができる。
【０１７０】
（実施例１−３）
まず、第１の波面を有する第１の領域と、第２の波面を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域と転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１７１】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表４に示す。
【０１７２】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１７３】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＡｇ層を形成した。
以下に、Ａｇ層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：２００ｎｍ
【０１７４】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表４に示す。
【０１７５】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。
【０１７６】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１７７】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表４に示す。
【０１７８】
表４は、実施例１−３に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表４】
【０１７９】
表４から以下のことがわかる。
導電性シート表面のうち、高い比率（Ａｍ／λｍ＝０．７６）を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去され絶縁状態となる。これに対して、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６）を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去されず残り導通状態が維持される。
したがって、第1の領域と第２の領域との両領域に波面を形成した場合でも、比率（Ａｍ／λｍ）の大きさを調整することで、除去選択性を確保でき、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６）を有する第１の領域ではＩＴＯ層およびＡｇ層を残すことができる。すなわち、低抵抗な配線を容易に作製することができる。
【０１８０】
（実施例２−１）
（転写工程）
まず、波面（第１の波面）を有する第１の領域と、平面（第２の波面）を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１８１】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表５に示す。
【０１８２】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１８３】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＳｉＯ2層を形成した。
以下に、ＳｉＯ2層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．２８Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
Ａｒガス流量：１００ｓｃｃｍ
Ｏ2ガス流量：１８０ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：５ｎｍ
【０１８４】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表５に示す。
【０１８５】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。
【０１８６】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１８７】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表５に示す。
【０１８８】
（比較例２−１）
ＳｉＯ2層の形成を省略する以外は実施例２−１と同様にして光学シートを作製した。また、除去工程前後における光学シートの表面抵抗も実施例２−１と同様にして測定した。その結果を表６に示す。
【０１８９】
表５は、実施例２−１に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表５】
【０１９０】
表６は、比較例２−１に係る光学シートの測定結果を示す。
【表６】
【０１９１】
表５、表６から以下のことがわかる。
実施例２−１において、導電性シート表面のうち、波面を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去され絶縁状態となるのに対して、平面を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去されず残り導通状態が維持される。
ＳｉＯ2層のみを形成した比較例２−１においては、６０秒の除去工程を経ると、波面および平面に関われず、ＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去され絶縁状態となる。
したがって、金属層であるＡｇ層の代わりに、レジスト層であるＳｉＯ2層を用いた多層構造を採用した場合にも、除去選択性を確保でき、平面領域ではＩＴＯ層およびＳｉＯ2層を残すことができる。また、ＳｉＯ2層をＩＴＯ層上に積層することで、除去工程におけるＩＴＯ層の耐性を向上し、除去選択性を飛躍的に向上することができる。
【０１９２】
（実施例２−２）
まず、第１の波面を有する第１の領域と、第２の波面を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域と転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１９３】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表７に示す。
【０１９４】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１９５】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＳｉＯ2層を形成した。
以下に、ＳｉＯ2層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．２８Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
Ａｒガス流量：１００ｓｃｃｍ
Ｏ2ガス流量：１８０ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：５ｎｍ
【０１９６】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表７に示す。
【０１９７】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。
【０１９８】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１９９】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表７に示す。
【０２００】
（比較例２−２）
ＳｉＯ2層の形成を省略する以外は実施例２−２と同様にして光学シートを作製した。また、除去工程前後における光学シートの表面抵抗も実施例２−２と同様にして測定した。その結果を表８に示す。
【０２０１】
表７は、実施例２−２に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表７】
【０２０２】
表８は、比較例２−２に係る光学シートの測定結果を示す。
【表８】
【０２０３】
表７、表８から以下のことがわかる。
実施例２−２においては、導電性シート表面のうち、高い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６４）を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去され絶縁状態となる。これに対して、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．５２）を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去されず残り導通状態が維持される。
ＩＴＯ層のみを形成した比較例２−２においては、６０秒の除去工程を経ると、高い比率（Ａｍ／λｍ）の大きさに関われず、ＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去され絶縁状態となる。
したがって、金属層であるＡｇ層の代わりに、レジスト層であるＳｉＯ2層を用いた多層構造を採用した場合にも、比率（Ａｍ／λｍ）の大きさを調整することで、除去選択性を確保でき、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６）を有する第１の領域ではＩＴＯ層およびＳｉＯ2層を残すことができる。また、ＳｉＯ2層をＩＴＯ層上に積層することで、除去工程におけるＩＴＯ層の耐性を向上し、除去選択性を飛躍的に向上することができる。
【０２０４】
（参考例２−１）
（成膜工程）
まず、平滑な表面を有するＰＥＴシートを準備した。次に、スパッタリング法により、ＰＥＴシート上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ2ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ2＝２０：１とした。また、ＩＴＯ層の膜厚が３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。
【０２０５】
（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ2Ｏ3のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２０６】
（参考例２−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例２−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。
【０２０７】
（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ＝３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。
【０２０８】
（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２０９】
（参考例２−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１０】
（参考例２−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１１】
（参考例２−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１２】
（参考例２−６）
浸漬時間を５０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１３】
（参考例２−７）
浸漬時間を６０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１４】
（参考例３−１）
（転写工程）
まず、凹状のナノ構造体が成形面に形成された石英マスタを準備した。次に、ナノ構造体を形成した石英マスタに紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させ紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ナノ構造体が多数表面に形成されたＰＥＴシートが得られた。
以下に、ＰＥＴシート表面に形成されたナノ構造体の構成の詳細を示す。
構造体の配列：六方格子配列
構造体の凹凸形状：凸状
構造体の全体形状：円錐台
構造体の配置ピッチ：２５０ｎｍ
構造体の高さ：９０ｎｍ
構造体のアスペクト比：０．３６
【０２１５】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ2ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ2＝２０：１とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚である。本発明者の知見によれば、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０２１６】
（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ2Ｏ3のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２１７】
（参考例３−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例３−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。
【０２１８】
（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ＝３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。
【０２１９】
（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２２０】
（参考例３−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例３−２と同様にして光学シートを得た。
【０２２１】
（参考例４−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例３−１と同様にして光学シートを得た。
【０２２２】
（参考例４−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例３−２と同様にして光学シートを得た。
【０２２３】
（参考例４−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例３−３と同様にして光学シートを得た。
【０２２４】
（参考例５−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例３−１と同様にして光学シートを得た。
【０２２５】
（参考例５−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例３−２と同様にして光学シートを得た。
【０２２６】
（参考例５−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例３−３と同様にして光学シートを得た。
【０２２７】
（参考例６−１）
（成膜工程、アニール工程）
以下のプレズムシートを用いる以外は参考例３−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するプリズムシートを作製した。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
以下に、プレズムシートの構成の詳細を示す。
プリズム（構造体）の配列：１次元配列
プリズムの凹凸形状：凸状
プリズムの形状：断面２等辺三角形状の柱状体
プリズムの配置ピッチ：１０μｍ
プリズムの高さ：５μｍ
プリズムのアスペクト比：０．５０
【０２２８】
（参考例６−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例６−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するプリズムシートを作製した。
【０２２９】
（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したプリズムシートを、ＰＨ＝３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。
【０２３０】
（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２３１】
（参考例６−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例６−２と同様にして光学シートを得た。
【０２３２】
（参考例６−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は参考例６−２と同様にして光学シートを得た。
【０２３３】
（参考例８−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は参考例６−２と同様にして光学シートを得た。
【０２３４】
（表面抵抗）
上述のようにして得られた参考例２−１〜６−５の光学シート表面の表面抵抗値を４端針法にて測定した。その結果を表９に示す。
【０２３５】
（初期変化率の逆数）
上述のようにようにして得られた参考例２−１〜６−５の光学シート表面の初期変化率の逆数（仮想厚さの変化）を以下の式より求めた。その結果を表１０および図２２に示す。
（初期表面抵抗に対する変化率の逆数）＝（エッチング前のサンプルの表面抵抗）／（エッチング後のサンプルの表面抵抗）
【０２３６】
表９は、参考例２−１〜６−５に係る光学シートの表面抵抗の評価結果を示す。
【表９】
【０２３７】
表１０は、参考例２−１〜６−５に係る光学シートの初期変化率の逆数の評価結果を示す。
【表１０】
【０２３８】
表９、表１０および図２２から以下のことがわかる。
平坦面上にＩＴＯ層を形成した参考例２−１〜２−７では、エッチングによりＩＴＯ層の膜厚に殆ど変化せず、表面抵抗がほぼ一定となる傾向がある。これに対して、多数の構造体上にＩＴＯ層を形成した参考例３−１〜３−３、参考例４−１〜４−３、参考例５−１〜５−３では、エッチングによりＩＴＯ層の膜厚が急激に減少し、表面抵抗が急激に上昇する傾向がある。
ミクロンオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した参考例６−１〜６−５でも、
ナノオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した参考例３−１〜３−３、参考例４−１〜４−３、参考例５−１〜５−３と同様の傾向を示す。
【０２３９】
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０２４０】
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
【０２４１】
また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【０２４２】
また、上述の実施形態では、片面または両面に配線が形成された単層の導電性素子に対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、多層の導電性素子に対しても適用可能である。
【０２４３】
また、上述の実施形態では、平面状の基体表面に配線を形成する場合を例として説明したが、配線を形成する面は平面に限定されるものではなく、曲面状の基体表面に配線を形成するようにしてもよい。
【０２４４】
また、上述の実施形態では、液晶表示素子に対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、パッシブマトリックス駆動方式の種々の表示素子（例えばＥＬ素子、電子ペーパーなど）に対しても適用可能である。
【０２４５】
また、上述の実施形態では、２つの基材を重ね合わせる構成を有する投影型静電容量方式タッチパネルに対して本発明を適用した例について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。例えば、１つの基材の両面に電極を形成した構成を有する投影型静電容量方式タッチパネルに対しても本発明は適用可能である。
【０２４６】
また、上述の実施形態では、電子機器として表示装置や情報入力装置に本発明を適用する例について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、表示素子や配線素子（例えばプリント基板）などを備える種々の電子機器に対して適用可能である。
【符号の説明】
【０２４７】
１ 導電性素子
２ 基体
３ 構造体
４ 積層膜
１１ ロール原盤
１２ 構造体
１３ レジスト層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器に関する。詳しくは、基体表面に導電パターン部が形成された導電性素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基材上に所定の回路パターンの導電層を形成する方法としては、フォトリソグラフィーを利用した回路パターン形成方法が広く用いられている。この回路パターンの形成方法では、ステップ＆リピート方式、またはそれに近い方式が一般的に用いられている。具体的には、この形成方法では、「金属層コーティング」→「レジスト塗布」→「露光」→「現像」→「除去」→「レジスト剥離」の工程を経て、回路パターンが形成される。このため、フォトリソグラフィーを利用した回路パターンの形成方法は、低スループットとなる。
【０００３】
そこで、スループットの向上を実現すべく、スクリーン印刷による回路パターン形成方法が提案されている。このスクリーン印刷による回路パターン形成方法は、絶縁性基材上に金属ペーストなどをマスクを介してスキージで塗布し、その後焼成して所定の回路パターンの導電層を形成する方法である。スクリーン印刷による回路パターン形成方法はスループットに優れるため、種々のデバイスに対する応用が検討されている。例えば特許文献１には、スクリーン印刷を用いてタッチパネルの電極を形成する方法が開示されている。また、特許文献２には、スクリーン印刷を用いて画像表示装置の電極を形成する方法が開示されている。
【０００４】
しかしながら、スクリーン印刷はマスクが高価であること、マスクを精度良く位置合わせするのが煩雑であること、マスクの穴が目詰まりし易いことなどの問題がある。このため、スクリーン印刷以外にも、優れたスループットを実現できる回路パターンの形成方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６６０２５号広報
【０００６】
【特許文献２】特開２００５−１４９８０７号広報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、本発明の目的は、精細かつ高スループットを実現できる導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するために、第１の発明は、
第１の波面と第２の波面とを有する基体と、
第１の波面上に形成された、２層以上の層が積層された積層膜と
を備え、
積層膜は、導電パターン部を形成し、
第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第1の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
【０００９】
第２の発明は、
第１の波面と第２の波面とを有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜を形成する工程と、
第１の波面および第２の波面のうち、第２の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、第１の波面上に形成された積層膜を残すことにより、導電パターン部を形成する工程と
を備え、
第１の波面と第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法である。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
【００１０】
本発明において、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下であることが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【００１１】
本発明において、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第１の波面の平均波長λ１、および第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下であることが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【００１２】
本発明において、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第２の波面の平均波長λ２が、１００μｍ以上であることが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【００１３】
本発明において、第１の波面および第２の波面が、以下の関係を満たし、第１の波面の平均波長λ１、および第２の波面の平均波長λ２が、１００μｍ以上であることが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【００１４】
本発明において、第２の波面上に形成された、積層膜の一部からなる残留膜をさらに備え、積層膜、および残留膜が、以下の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２（但し、Ｓ１：積層膜の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
このような関係を満たす場合、第１の波面上に形成された積層膜は、第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、第２の波面上に形成された残留膜は、第２の波面上に不連続的に形成されていることが好ましい。
【００１５】
本発明において、第２の波面上に形成された、積層膜の一部からなる残留膜をさらに備え、積層膜、および残留膜が、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２（但し、ｄ１：積層膜の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
【００１６】
本発明において、積層膜は、導電層と、該導電層上に形成された機能層とを備え、機能層は、導電層とは異なる材料からなることが好ましい。積層膜は、異なる除去速度の材料で構成されていることが好ましい。導電層は、酸化物半導体を含む透明導電層であることが好ましい。酸化物半導体は、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいることが好ましい。導電層は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。導電層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいることが好ましい。機能層は、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいることが好ましい。機能層は、導電層と異なる材料からなりＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕ選ばれる少なくとも１種を含んでいることが好ましい。機能層は、アモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましい。
【００１７】
本発明において、導電性素子は、配線素子、情報入力装置、導電性素子、表示装置、または電子機器に適用して好適なものである。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、精細かつ高スループットを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１Ｃは、図１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１Ｄは、図１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。
【図２】図２Ａは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図２Ｂは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。
【図３】図３Ａは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図３Ｂは、複数の構造体が１次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。
【図４】図４Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図４Ｂは、図４Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。
【図５】図５Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図５Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図５Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。
【図６】図６は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。
【図７】図７Ａ〜図７Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図８】図８Ａ〜図８Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図９】図９Ａ〜図９Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【図１０】図１０Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１０Ｃは、図１０Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１０Ｄは、図１０Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。
【図１１】図１１Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。
【図１２】図１２Ａは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。図１２Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る導電性素子の変形例を示す断面図である。
【図１３】図１３Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１３Ｃは、図１３Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１３Ｄは、図１３Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第５の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルを備える表示装置の一構成例を示す斜視図である。
【図１６】図１６Ａは、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。図１６Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。
【図１７】図１７Ａは、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。図１７Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。
【図１８】図１８Ａは、本発明の第７の実施形態に係るＩＣカードの一構成例を示す平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示したＩＣカードの一部を拡大して表す平面図である。
【図１９】図１９Ａは、本発明の第８の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図１９Ｃは、図１９Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。
【図２０】図２０Ａは、参考例１に係る透明導電性シートの作製に用いた石英マスタの成形面を示す模式図である。図２０Ｂは、参考例１に係る透明導電性シートの導通／非導通評価ポイントを示す模式図である。
【図２１】図２１は、実施例１−２に係る導電性シート表面の光学顕微鏡観察像を示す図である。
【図２２】図２２は、エッチング時間と初期表面抵抗に対する逆数（仮想厚さ変化）との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（波面の有無を利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
２．第２の実施形態（２種の波面の違いを利用して基体表面に導電パターン部を形成した例）
３．第３の実施形態（導電パターン部を基体の両面に形成した例）
４．第４の実施形態（構造体を凹状とした例）
５．第５の実施形態（表示装置に対する適用例）
６．第６の実施形態（情報入力装置に対する適用例）
７．第７の実施形態（ＩＣカードに対する適用例）
８．第８の実施形態（表示装置に対する適用例）
【００２１】
＜１．第１の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１Ｃは、図１Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１Ｄは、図１Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。以下では、導電性素子１の主面の面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向、およびＹ軸方向とし、その主面に垂直な方向をＺ軸方向と称する。
【００２２】
第１の実施形態に係る導電性素子１は、交互に形成された第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2を有する基体２と、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のうち、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４とを備える。積層膜４は、導電パターン部をなすように第１の領域Ｒ1に連続的に形成されている。導電パターン部は、例えば、配線パターン部、電極パターン部などである。積層膜４は、２層以上の層が積層された積層膜であり、少なくとも導電層４ａを含んでいることが好ましい。
【００２３】
この導電性素子１は、例えば、プリント基板、画像表示素子などである。プリント基板としては、例えば、リジッド基板、フレキシブル基板、リジッドフレキシブル基板などが挙げられる。画像表示素子としては、例えば、液晶表示素子、エルクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子（例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）などが挙げられる。
【００２４】
（第１の領域、第２の領域）
第１の領域Ｒ1の基体表面には、例えば平面Ｓｐ１が形成され、この平面Ｓｐ１上には積層膜４が連続的に形成されている。一方、第２の領域Ｒ2の基体表面には、例えば波面Ｓｗ２が形成され、この波面Ｓｗ２上には積層膜４が形成されていない状態となっている。したがって、第２の領域Ｒ2は、隣接する第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ1に連続的に形成された積層膜４は、第１の領域Ｒ1の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。
【００２５】
平面Ｓｐ１、および波面Ｓｗ２が以下の関係を満たすことが好ましい。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：平面Ｓｐ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：平面Ｓｐ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
なお、平面Ｓｐ１は、振動の平均幅Ａｍ１が「０」の波面とみなすことができるため、上述のように平面Ｓｐ１の振動の平均幅Ａｍ１、平均波長λｍ１および比率（Ａｍ１／λｍ１）を定義することができる。
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。
【００２６】
ここで、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は以下のようにして求めたものである。まず、波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして導電性素子１の断面を切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、波面Ｓｗ２の波長λ２、および振動の幅Ａ２を求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を求める。次に、これらの平均波長λｍ２、および振動の平均幅Ａｍ２を用いて、波面Ｓｗ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）を求める。
【００２７】
波面Ｓｗ２は、例えば、可視光の波長以下の波長を有する１次元的または２次元的な波面であり、具体的には、可視光の波長以下の配置ピッチで多数の構造体３が１次元的または２次元的に配列されてなる凹凸面である。
【００２８】
波面Ｓｗ２の振動の幅が最大となる位置を含むようにして、波面Ｓｗ２を一方向に向かって切断したときの断面形状は、例えば、三角波形状、正弦波形状、２次曲線もしくは２次曲線の一部を繰り返した波形状、またはこれらに近似する形状などである。２次曲線としては、円、楕円、放物線などが挙げられる。
【００２９】
波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００ｎｍ以上の範囲である。平均波長λｍ２が１００ｎｍ未満であると、波面Ｓｗ２の作製が困難となる傾向がある。
また、波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。
【００３０】
第２の領域Ｒ2には積層膜４またはその一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ2が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。第２の領域Ｒ2に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４と、第２の領域Ｒ2に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：積層膜の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
このような関係を満たす場合、第１の領域Ｒ1には積層膜４が連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ2には残留膜が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。
【００３１】
また、第２の領域Ｒ2に残留膜が存在する場合、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４と、第２の領域Ｒ2に形成された残留膜とが、以下の関係を満たすことが好ましい。
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：積層膜の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
このような関係を満たす場合、残留膜の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、積層膜４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ2が絶縁領域として機能することが好ましい。
【００３２】
なお、上述したように、残留膜は導電パターン部としては機能しないため、図１Ｂ、および図１Ｄでは、残留膜の図示を省略している。また、図１Ａでは、第１の領域Ｒ1に連続的に形成された積層膜４、すなわち導電パターン部が、直線状の形状を有している例が示されているが、導電パターン部の形状はこれに限定されるものではなく、回路や素子の設計などに応じて所望の形状とすることが可能である。
【００３３】
以下、導電性素子１を構成する基体２、構造体３、および積層膜４について順次説明する。
【００３４】
（基体）
基体２は、例えば、透明性または不透明性を有する基体である。基体２の材料としては、例えば、プラスチック材料などの有機材料、ガラスなどの無機材料を用いることができる。
【００３５】
ガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラスなど（「化学便覧」基礎編、P.I-537、日本化学会編参照）が用いられる。プラスチック材料としては、透明性、屈折率、および分散などの光学特性、さらには耐衝撃性、耐熱性、および耐久性などの諸特性の観点から、ポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（CR-39）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよび不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）などが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。
【００３６】
基体２としてプラスチック材料を用いる場合、プラスチック表面の表面エネルギー、塗布性、すべり性、平面性などをより改善するために、表面処理として下塗り層を設けるようにしてもよい。この下塗り層としては、例えば、オルガノアルコキシメタル化合物、ポリエステル、アクリル変性ポリエステル、ポリウレタンなどが挙げられる。また、下塗り層を設けるのと同様の効果を得るために、基体２の表面に対してコロナ放電、ＵＶ照射処理を行うようにしてもよい。
【００３７】
基体２がプラスチックフィルムである場合には、基体２は、例えば、上述の樹脂を伸延、あるいは溶剤に希釈後フィルム状に成膜して乾燥するなどの方法で得ることができる。また、基体２の厚さは、例えば２５μｍ〜５００μｍ程度である。
【００３８】
基体２の形状としては、例えば、フィルム状、プレート状、ブロック状を挙げることができるが、特にこれらの形状に限定されるものではない。ここで、フィルムにはシートが含まれるものと定義する。
【００３９】
（構造体）
波面Ｓｗ２は、例えば多数の構造体３が第２の領域Ｒ2に配列された凹凸面である。構造体３は、例えば、基体１の表面に対して凸状を有している。構造体３は、例えば、基体２と別成形、または基体２と一体成形されている。構造体３と基体２とを別成形する場合には、必要に応じて構造体３と基体２との間に基底層を備えるようにしてもよい。基底層は、構造体３の底面側に構造体３と一体成形された層であり、構造体３と同様のエネルギー線硬化性樹脂組成物などを硬化してなる。基底層の厚さは、特に限定されるものではなく、必要に応じて適宜選択することができる。
【００４０】
構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）が以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ｈｍ／Ｐｍ）≦１．８
（但し、Ｈｍ：構造体３の平均高さ、Ｐｍ：構造体３の平均配置ピッチ）
（Ｈｍ／Ｐｍ）＞１．８であると、構造体３を転写する際に剥離不良となり構造体３が破壊される傾向がある。
【００４１】
ここで、構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）は、以下のようにして求めたものである。まず、構造体３の高さが最大となる位置を含むようにして導電性素子１の断面を切り出し、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）にて撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、構造体３の配置ピッチＰ、および高さＨを求める。この測定を導電性素子１から無作為に選び出された１０箇所で繰り返し行い、測定値を単純に平均（算術平均）して、構造体３の平均配置ピッチＰｍおよび平均高さＨｍを求める。次に、これらの平均配置ピッチＰｍおよび平均高さＨｍを用いて、構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）を求める。
【００４２】
複数の構造体３の配列としては、例えば、１次元または２次元配列を用いることができる。構造体３の配列としては、例えば、規則的または不規則的な配列を用いることができ、原盤の作製方法などに応じて上記配列のうちから適切な配列を選択することが好ましい。
【００４３】
構造体３の平均配置ピッチＰｍは、導電性素子表面における光の反射を低減する観点からすると、反射の低減を目的とする光の波長帯域以下であることが好ましい。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、例えば、紫外光の波長帯域、可視光の波長帯域または赤外光の波長帯域である。ここで、紫外光の波長帯域とは１０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の波長帯域、可視光の波長帯域とは３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域、赤外光の波長帯域とは８３０ｎｍ以上１ｍｍ以下の波長帯域をいう。具体的には、平均配置ピッチＰｍは、好ましくは１８０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上３２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲内である。平均配置ピッチＰｍが１８０ｎｍ未満であると、構造体３の作製が困難となる傾向がある。一方、平均配置ピッチＰｍが３５０ｎｍを超えると、可視光の回折が生じる傾向がある。
【００４４】
以下に、図２Ａ〜図３Ｂを参照しながら、複数の構造体３が１次元配列または２次元配列された第２の領域Ｒ2について具体的に説明する。
【００４５】
図２Ａは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す斜視図である。図２Ｂは、複数の構造体が２次元配列された第２の領域を拡大して表す平面図である。複数の構造体３が、例えば、第２の領域Ｒ2において複数列のトラックＴ上に２次元配列されている。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックＴを蛇行（ウォブル）させるようにしてもよい。複数例のトラックＴ上に配列された複数の構造体３が、例えば、所定の規則的な配置パターンをなるようにしてもよい。構造体３の配置パターンとしては、四方格子状、六方格子状などの格子状パターンが挙げられ、これらの格子状パターンを歪ませるようにしてもよい。構造体３の高さが基体１の表面において規則的または不規則的に変化するようにしてもよい。また、構造体３をランダムに配列するようにしてもよい。
【００４６】
構造体３の具体的な形状としては、例えば、錐体状、柱状、針状、半球状、半楕円球状、多角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではなく、他の形状を採用するようにしてもよい。錐体状としては、例えば、頂部が尖った錐体形状、頂部が平坦な錐体形状、頂部に凸状または凹状の曲面を有する錐体形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。また、錐体状の錐面を凹状または凸状に湾曲させるようにしてもよい。後述するロール原盤露光装置（図６参照）を用いてロール原盤を作製する場合には、構造体３の形状として、頂部に凸状の曲面を有する楕円錐形状、または頂部が平坦な楕円錐台形状を採用し、それらの底面を形成する楕円形の長軸方向をトラックＴの延在方向と一致させることが好ましい。
【００４７】
図３Ａは、複数の構造体が１次元配列された第１の領域を拡大して表す斜視図である。図３Ｂは、複数の構造体が１次元配列された第１の領域を拡大して表す平面図である。複数の構造体３が、例えば、第２の領域Ｒ2において複数列のトラックＴ上に、これらのトラックＴに沿うようにして１次元配列されている。トラックＴの形状としては、直線状、円弧状などを用いることができ、これらの形状のトラックを蛇行（ウォブル）させるようにしてもよい。
【００４８】
構造体３は、例えば、一方向に向かって延在された柱状体であり、その断面形状は、例えば三角形状、頂部に曲率Ｒが付された三角形状、多角形状、半円形状、半楕円形状、放物線状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３の具体的形状としては、例えば、レンチキュラー形状、プリズム形状などを挙げることができるが、これらの形状に限定されるものではない。構造体３の高さが、トラック方向に向かって変化するようにしてもよい。また、構造体３が、トラック方向に断続するようにしてもよい。
【００４９】
（積層膜）
積層膜４は、例えば、第１の領域Ｒ１上に形成された導電層４ａと、導電層４ａ上に形成された機能層４ｂとを備える。積層膜４は、異なる除去速度の材料、具体的には、異なる除去速度の積層膜から構成されていることが好ましい。導電層４ａとしては、例えば、金属層、透明導電層、金属酸化物層、遷移金属化合物層などを用いることができるが、これらの限定されるものではない。機能層４ｂの材料としては、少なくとも導電層４ａとは異なる材料が好ましく、さらに除去工程時に溶解レート差が生じるものがより好ましい。
【００５０】
透明導電層としては、例えば、無機透明導電層を用いることができる。無機透明導電層は、透明酸化物半導体を主成分としていることが好ましい。透明酸化物半導体としては、例えば、ＳｎＯ2、ＩｎＯ2、ＺｎＯおよびＣｄＯなどの二元化合物、二元化合物の構成元素であるＳｎ、Ｉｎ、ＺｎおよびＣｄのうちの少なくとも一つの元素を含む三元化合物、または多元系（複合）酸化物を用いることができる。透明酸化物半導体の具体例としては、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ））、ＳＺＯ、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ））などが挙げられる。特に、信頼性の高さ、および抵抗率の低さなどの観点から、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が好ましい。無機透明導電膜を構成する材料は、導電性の向上の観点からすると、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。
【００５１】
金属層の材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
【００５２】
機能層４ｂとしては、少なくとも導電層４ａに対して、エッチャントに対する溶解度もしくはエッチングレートが異なることが望ましく、例えばＳｉＯ2などの金属酸化物層や遷移金属化合物、さらには結晶状態が異なる膜同士で機能層４ｂが多結晶化してエッチャント耐性が向上している状態も望ましい。機能層４ｂは、アモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいることが好ましい。また、機能層４ｂとしては、導電層４ａに対して溶解レートが異なるものであれば金属でも使用可能であり、導電層４ａと異種材料であればＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む材料を用いることができる。
【００５３】
第１の領域Ｒ1における積層膜４の表面抵抗は、５０００Ω／□以下であることが好ましい。５０００Ω／□を超えると、抵抗が増大しすぎて電極として使用できなくなる傾向がある。
【００５４】
［ロール原盤の構成］
図４Ａは、基体を作製するためのロール原盤の一構成例を示す斜視図である。図４Ｂは、図４Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。ロール原盤１１は、上述した基体表面に構造体３を成形するための原盤である。ロール原盤１１は、例えば、円柱状または円筒状の形状を有し、その円柱面または円筒面には多数の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に設定されている。図４Ａおよび図４Ｂでは、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が周方向に向かって、リング状に形成されている場合が示されているが、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の形状はこの例に限定されるものではなく、所望とする導電パターン部の形状、すなわち第２の領域に形成する積層膜４の形状に応じて適宜選択される。ロール原盤１１の材料としては、例えばガラスを用いることができるが、この材料に特に限定されるものではない。
【００５５】
図５Ａは、ロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。図５Ｂは、第２の領域の一部を拡大して示す斜視図である。図５Ｃは、第２の領域の一部を拡大して示す平面図である。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ2には、例えば、凹部である構造体１２が可視光の波長以下のピッチで多数配置されているのに対して、第１の領域Ｒ1には、例えば、凹部である構造体１２が形成されず平面状とされている。
【００５６】
ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1、および第２の領域Ｒ2はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ1、および第２の領域Ｒ2に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1に形成された平面Ｓｐ１は、基体２の第１の領域Ｒ1に平面Ｓｐ１を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ2に形成された波面Ｓｗ２は、基体２の第２の領域Ｒ2に波面Ｓｗ２を形成するためのものである。具体的には、ロール原盤１１の波面Ｓｗ２は、上述の基体２の表面の波面Ｓｗ２の凹凸形状を反転した形状を有している。すなわち、ロール原盤１１の構造体１２は、上述の基体２の表面の構造体３の凹凸形状を反転した形状を有している。
【００５７】
［露光装置の構成］
図６は、ロール原盤露光装置の一構成例を示す概略図である。以下、図６を参照して、ロール原盤露光装置の構成について説明する。なお、このロール原盤露光装置は、例えば、光学ディスク記録装置をベースとして構成することが可能である。
【００５８】
レーザー光源２１は、記録媒体としての原盤１１の表面に着膜されたレジストを露光するための光源であり、例えば波長λ＝２６６ｎｍの記録用のレーザー光１４を発振するものである。レーザー光源２１から出射されたレーザー光１４は、平行ビームのまま直進し、電気光学素子（ＥＯＭ：Electro Optical Modulator）２２へ入射する。電気光学素子２２を透過したレーザー光１４は、ミラー２３で反射され、変調光学系２５に導かれる。
【００５９】
ミラー２３は、偏光ビームスプリッタで構成されており、一方の偏光成分を反射し他方の偏光成分を透過する機能をもつ。ミラー２３を透過した偏光成分はフォトダイオード２４で受光され、その受光信号に基づいて電気光学素子２２を制御してレーザー光１４の位相変調を行う。
【００６０】
変調光学系２５において、レーザー光１４は、集光レンズ２６により、ガラス（ＳｉＯ2）などからなる音響光学素子（ＡＯＭ：Acoust-Optic Modulator）２７に集光される。レーザー光１４は、音響光学素子２７により強度変調され発散した後、レンズ２８によって平行ビーム化される。変調光学系２５から出射されたレーザー光１４は、ミラー３１によって反射され、移動光学テーブル３２上に水平かつ平行に導かれる。
【００６１】
移動光学テーブル３２は、ビームエキスパンダ３３、および対物レンズ３４を備えている。移動光学テーブル３２に導かれたレーザー光１４は、ビームエキスパンダ３３により所望のビーム形状に整形された後、対物レンズ３４を介して、原盤１１上のレジスト層へ照射される。原盤１１は、スピンドルモータ３５に接続されたターンテーブル３６の上に載置されている。そして、原盤１１を回転させるとともに、レーザー光１４を原盤１１の高さ方向に移動させながら、レジスト層へレーザー光１４を間欠的に照射することにより、レジスト層の露光工程が行われる。形成された潜像は、円周方向に長軸を有する略楕円形になる。レーザー光１４の移動は、移動光学テーブル３２の矢印Ｒ方向への移動によって行われる。
【００６２】
露光装置は、例えば、四方格子または六方格子などの所定の２次元パターンに対応する潜像をレジスト層に形成するための制御機構３７を備えている。制御機構３７は、フォマッター２９とドライバ３０とを備える。フォマッター２９は、極性反転部を備え、この極性反転部が、レジスト層に対するレーザー光１４の照射タイミングを制御する。ドライバ３０は、極性反転部の出力を受けて、音響光学素子２７を制御する。
【００６３】
このロール原盤露光装置では、２次元パターンが空間的にリンクするように１トラック毎に極性反転フォマッター信号と記録装置の回転コントロラーを同期させ信号を発生し、音響光学素子２７により強度変調している。角速度一定（ＣＡＶ）で適切な回転数と適切な変調周波数と適切な送りピッチでパターニングすることにより、四方格子または六方格子パターンなどの所定の２次元パターンを記録することができる。
【００６４】
［導電性素子の製造方法］
以下、図７〜図９を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る導電性素子１の製造方法の一例について説明する。
【００６５】
（レジスト成膜工程）
まず、図７Ａに示すように、円柱状または円筒状のロール原盤１１を準備する。このロール原盤１１は、例えばガラス原盤である。次に、図７Ｂに示すように、ロール原盤１１の表面にレジスト層１３を形成する。レジスト層１３の材料としては、例えば有機系レジスト、および無機系レジストのいずれを用いてもよい。有機系レジストとしては、例えばノボラック系レジストや化学増幅型レジストを用いることができる。また、無機系レジストとしては、例えば、１種または２種以上含む金属化合物を用いることができる。
【００６６】
（露光工程）
次に、図７Ｃに示すように、上述したロール原盤露光装置を用いて、ロール原盤１１を回転させると共に、レーザー光（露光ビーム）１４をレジスト層１３に照射する。このとき、レーザー光１４をロール原盤１１の高さ方向（円柱状または円筒状のロール原盤１１の中心軸に平行な方向）に移動させながら、レーザー光１４を照射する。この際、配線パターン間の絶縁領域に対応する第２の領域Ｒ2のみに潜像を形成し露光部とするのに対して、導電パターン部に対応する第１の領域Ｒ1は露光せず、非露光部とする。レーザー光１４の軌跡に応じた潜像１５は、例えば、可視光の波長以下のピッチで形成される。
【００６７】
潜像１５は、例えば、ロール原盤表面において複数列のトラックをなすように配置されるとともに、四方格子パターンまたは六方格子パターンなどの所定の２次元パターンを形成する。潜像１５は、例えば、トラックの延在方向に長軸方向を有する楕円形状である。
【００６８】
（現像工程）
次に、例えば、ロール原盤１１を回転させながら、レジスト層１３上に現像液を滴下して、図８Ａに示すように、レジスト層１３を現像処理する。図示するように、レジスト層１３をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザー光１４で露光した露光部は、非露光部と比較して現像液に対する溶解速度が増すので、潜像（露光部）１５に応じたパターンがレジスト層１３に形成される。これにより、第２の領域Ｒ2のレジスト層１３には、四方格子パターンまたは六方格子パターンなどの所定の２次元パターンの開口部が形成されるのに対して、第１の領域Ｒ1のレジスト層１３には、開口部が形成されず、第１の領域Ｒ1全体はレジスト層１３に覆われた状態が維持される。すなわち、第２の領域Ｒ2のみに開口パターンを有するマスクがロール原盤表面に形成される。
【００６９】
（エッチング工程）
次に、ロール原盤１１の上に形成されたレジスト層１３のパターン（レジストパターン）をマスクとして、ロール原盤１１の表面をロールエッチング処理する。これにより、ロール原盤表面のうち第２の領域Ｒ2では、開口部を介してエッチングが進行し、図８Ｂに示すように、第２の領域の領域Ｒ2には、トラックの延在方向に長軸方向をもつ楕円錐形状または楕円錐台形状などの構造体（凹部）１２が形成される。一方、ロール原盤表面のうち第１の領域Ｒ1では、この領域全体がレジスト層１３に覆われているため、エッチングは施されず、平面状のロール原盤表面が維持される。エッチング方法としては、例えばドライエッチングを用いることができる。
【００７０】
（転写工程）
次に、例えば、図８Ｃに示すように、ロール原盤１１と、転写材料１５を塗布したフィルムなどの基体２とを密着させ、紫外線などのエネルギー線を照射して転写材料１５を硬化させた後、硬化した転写材料１５と一体となった基体２を剥離する。これにより、図９Ａに示すように、平面Ｓｐ１が形成された第１の領域Ｒ1と、波面Ｓｗ２が形成された第２の領域Ｒ2とを有する基体２が得られる。
【００７１】
転写材料１５としては、例えば、エネルギー線硬化性樹脂組成物を用いることができる。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、エネルギー線を照射することによって硬化させることができる樹脂組成物である。エネルギー線とは、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線（Ｘ線、α線、β線、γ線など）、マイクロ波、高周波などのラジカル、カチオン、アニオンなどの重合反応の引き金と成りうるエネルギー線を示す。エネルギー線硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、他の樹脂と混合して用いるようにしてもよく、例えば熱硬化性樹脂組成物などの他の硬化性樹脂組成物と混合して用いてもよい。また、エネルギー線硬化性樹脂組成物は、有機無機ハイブリッド材料であってもよい。また、２種以上のエネルギー線硬化性樹脂組成物を混合して用いるようにしてもよい。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂を用いることが好ましい。
【００７２】
紫外線硬化性樹脂組成物は、例えば、単官能モノマー、二官能モノマー、多官能モノマーなどからなり、具体的には、以下に示す材料を単独または、複数混合したものである。
単官能モノマーとしては、例えば、カルボン酸類（アクリル酸）、ヒドロキシ類（２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート）、アルキル、脂環類（イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート）、その他機能性モノマー（２−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレンクリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、２−（パーフルオロオクチル）エチル アクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−パーフルオロオクチルー２−ヒドロキシプロピル アクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチル アクリレート、２−（パーフルオロー３−メチルブチル）エチル アクリレート）、２，４，６−トリブロモフェノールアクリレート、２，４，６−トリブロモフェノールメタクリレート、２−（２，４，６−トリブロモフェノキシ）エチルアクリレート）、２−エチルヘキシルアクリレートなどを挙げることができる。
【００７３】
二官能モノマーとしては、例えば、トリ（プロピレングリコール）ジアクリレート、トリメチロールプロパン ジアリルエーテル、ウレタンアクリレートなどを挙げることができる。
【００７４】
多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレートなどを挙げることができる。
【００７５】
開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンなどを挙げることができる。
【００７６】
紫外線硬化性樹脂組成物などのエネルギー線硬化性樹脂組成物に対して、フィラーや機能性添加剤などを添加してもよい。フィラーとしては、例えば、無機微粒子および有機微粒子のいずれも用いることができる。無機微粒子としては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの金属酸化物微粒子を挙げることができる。機能性添加剤としては、例えば、レベリング剤、表面調整剤、消泡剤などを挙げることができる。
【００７７】
基体２の材料としては、例えば、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、ガラスなどが挙げられる。
【００７８】
基体２の成形方法は特に限定されず、例えば射出成形法、押し出し成形法、キャスト成形法などを用いることができる。必要に応じて、コロナ処理などの表面処理を基体表面に施すようにしてもよい。
【００７９】
（積層膜の成膜工程）
次に、図９Ｂに示すように、基体表面の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2に２層以上の層を積層することにより、積層膜４を形成する。具体的には例えば、基体表面の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2に導電層４ａ、機能層４ｂをこの順序で積層することにより、積層膜４を形成する。積層膜４の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）を用いることができる。また、基体２を加熱しながら、積層膜４を形成するようにしてもよい。
【００８０】
（アニール工程）
次に、必要に応じて、積層膜４に対してアニール処理を施す。これにより、積層膜４または積層膜４に含まれる無機透明導電層が、例えばアモルファスと多結晶との混合状態となる。
【００８１】
（積層膜の除去工程）
次に、図９Ｃに示すように、積層膜４が形成された基体表面に対して、エッチング処理を施す。これにより、第２の領域Ｒ2では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ1では積層膜４が残留する。具体的には例えば、第２の領域Ｒ2では導電層４ａ、機能層４ｂが除去されるのに対して、第１の領域Ｒ1では導電層４ａ、機能層４ｂが残留する。したがって、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４は導電パターン部として機能するのに対して、第２の領域Ｒ2は上記導電パターン部間の絶縁領域として機能する。エッチングとしては、ウェットエッチングまたはドライエッチングを用いることができ、両者を組み合わせて用いるようにしてもよい。ウエットエッチングのエッチング液としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸および塩化第二鉄のうち１種類以上が用いることができる。また、シュウ酸、リン酸・酢酸・硝酸の混酸、硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液をエッチング液として用いるようにしてもよい。ドライエッチングとしては、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）を用いることができる。
【００８２】
ここで、除去とは、（１）第２の領域Ｒ2から積層膜４を完全になくすこと、（２）第２の領域Ｒ2にて導電性を示さない程度まで積層膜２を不連続な状態（例えば島状の状態）にすること、または（３）第２の領域Ｒ2にて導電性を示さない程度の薄さまで積層膜４を薄くすることを意味する。
【００８３】
具体的には、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２のうち平面Ｓｐ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【００８４】
また、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、波面Ｓｐ上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２のうち平面Ｓｐ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【００８５】
また、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さを平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２のうち平面Ｓｐ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【００８６】
（洗浄工程）
次に、必要に応じて、エッチング処理を施した基体表面を洗浄する。
以上により、目的とする導電性素子１が得られる。
【００８７】
第１の実施形態では、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜４を形成する。そして、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２に形成した積層膜４の状態の違いを利用して、平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２の波面のうち、波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を除去するのに対して、平面Ｓｐ１上に形成された積層膜４を残すことにより、導電パターン部を形成する。したがって、精細かつ高スループットの導電性素子１を実現できる。
【００８８】
＜２．第２の実施形態＞
［導電性素子の構成］
図１０Ａは、本発明の第２の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１０Ｃは、図１０Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１０Ｄは、図１０Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態に係る導電性素子１は、第１の領域Ｒ1に形成された第１の波面Ｓｗ１と、第２の領域Ｒ2に形成された第２の波面Ｓｗ２との違い（例えば振動の平均幅の違い）を利用して、第１の領域Ｒ1と第２の領域Ｒ2とに成膜された積層膜４のエッチング速度を変化させて、配線パターンなどを形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。
【００８９】
（第１の領域、第２の領域）
第１の領域Ｒ1の基体表面には第１の波面Ｓｗ１が形成され、この第１の波面Ｓｗ１上には積層膜４が連続的に形成されている。一方、第２の領域Ｒ2の基体表面には第２の波面Ｓｗ１が形成され、この第２の波面Ｓｗ２上には積層膜４が形成されていない状態となっている。第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の波長を有する波面である。したがって、第２の領域Ｒ2は、隣接する第２の領域Ｒ2に形成された積層膜４の間を絶縁するための絶縁領域として機能する。これに対して、第１の領域Ｒ1に連続的に形成された積層膜４は、第１の領域Ｒ1の延在方向に向かって導電性を有し、導電パターン部として機能する。
また、波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１、および波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２は、好ましくは１００μｍ以下の範囲である。平均波長λｍ１、および平均波長λｍ２が１００μｍを超えると、インプリントと膜形成の際に段差、カバレッジに問題が発生し不具合が生じる。
【００９０】
積層膜４は、第１の領域Ｒ1において第１の構造体３1による反射防止効果を阻害しないように、第１の構造体３1の表面形状に倣って形成され、第１の構造体３1と積層膜４との表面形状がほぼ相似形状であることが好ましい。積層膜４の形成による屈折率プロファイルの変化を抑制し、優れた反射防止特性および／または透過特性を維持できるからである。積層膜４を構成する材料は、アモルファスと多結晶との混合状態であることが好ましい。第１の構造体３1の高さを低くした場合にも、第１の構造体３1の反射防止効果を阻害しないような膜厚で積層膜４を形成することができるからである。すなわち、積層膜４が第１の構造体３1の形状に倣った形状を維持することができるからである。
【００９１】
第２の波面Ｓｗ２の平均波長λｍ２に対する振動の平均幅Ａｍ２の比率（Ａｍ２／λｍ２）は、第１の波面Ｓｗ１の平均波長λｍ１に対する振動の平均幅Ａｍ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）よりも大きいことが好ましい。これにより、光学特性と電気的選択性を両立できるからである。具体的には、比率（Ａｍ１／λｍ１）および比率（Ａｍ２／λｍ２）が、以下の関係を満たすことが好ましい。
０＜（Ａｍ１／λｍ２）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：波面Ｓｗ１の振動の平均幅、Ａｍ２：波面Ｓｗ２の振動の平均幅、λｍ１：波面Ｓｗ１の平均波長、λｍ２：波面Ｓｗ２の平均波長）
比率（Ａｍ２／λｍ２）＞１．８であると、波面Ｓｗ２を転写する際に剥離不良となり波面Ｓｗ２が破壊される傾向がある。
ここで、波面Ｓｗ１の比率（Ａｍ１／λｍ１）は、第１の実施形態における波面Ｓｗ２と同様にして測定したものである。
【００９２】
波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の形状、波長および振動の幅はそれぞれ独立に選択することが可能である。具体的には例えば、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２はそれぞれ独立に、１次元的または２次元的な波面とすることが可能である。また、波面Ｓｗ１、および波面Ｓｗ２の波長および振動の幅はそれぞれ独立に、ナノオーダーまたはミクロンオーダーの波長および振動の幅とすることが可能である。
【００９３】
第２の領域Ｒ2には積層膜４の一部が残留膜として完全に存在しないことが好ましいが、第２の領域Ｒ2が絶縁領域として機能する程度であれば残留膜として存在していてもよい。この場合、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４の面積は、第２の領域Ｒ2に形成された積層膜４またはその一部の面積よりも大きいことが好ましい。具体的には、第１の領域Ｒ1には積層膜４が連続的に形成されているのに対して、第２の領域Ｒ２には積層膜４またはその一部が島状などに不連続に形成されていることが好ましい。また、第２の領域Ｒ2に形成された積層膜４またはその一部の厚さが、実質的に導電性を示さないほどに、第１の領域Ｒ1に形成された積層膜４の厚さよりも薄く、第２の領域Ｒ2が絶縁領域として機能するようにしてもよい。
【００９４】
（構造体）
第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３1が形成された凹凸面である。第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで多数の第１の構造体３2が形成された凹凸面である。第１の構造体３2の平均アスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）は、第２の構造体３1の平均アスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）に比して大きいことが好ましい。具体的には、第１の構造体３1、および第２の構造体３2が以下の関係を満たしていることが好ましい。
０＜（Ｈｍ１／Ｐｍ１）＜（Ｈｍ２／Ｐｍ２）≦１．８
（但し、Ｈｍ１：第１の構造体３1の平均高さ、Ｈｍ２：第２の構造体３2の平均高さ、Ｐｍ１：第１の構造体３1の平均配置ピッチ、Ｐｍ２：第２の構造体３2の平均配置ピッチ）
比率（Ｈｍ２／Ｐｍ２）＞１．８であると、第２の構造体３2を転写する際に剥離不良となり構造体３2が破壊される傾向がある。
【００９５】
ここで、第１の構造体３1のアスペクト比（Ｈｍ１／Ｐｍ１）、および第２の構造体３2のアスペクト比（Ｈｍ２／Ｐｍ２）は、第１の実施形態における構造体３のアスペクト比（Ｈｍ／Ｐｍ）と同様にして測定したものである。
第１の構造体３1、および第２の構造体３2において、上記以外のことは第１の実施形態における構造体３と同様とすることができる。なお、第１の構造体３1、および第２の構造体３2の配置パターンや形状などは同一である必要はなく、両構造体が異なる配置パターンや形状などをとるようにしてもよい。
【００９６】
［ロール原盤の構成］
図１１Ａは、基体２を作製するためのロール原盤の一部を拡大して表す斜視図である。図１１Ｂは、図１１Ａに示したロール原盤の一部を拡大して表す断面図である。第２の実施形態に係るロール原盤１１は、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の両領域にそれぞれ、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２を備える点において、第１の実施形態のものとは異なっている。
【００９７】
ロール原盤１１の第１の波面Ｓｗ１は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の第１の構造体１２1を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の第２の波面Ｓｗ２は、例えば可視光の波長以下のピッチで凹状の第２の構造体１２2を配列することにより形成されている。ロール原盤１１の第１の波面Ｓｗ１、第２の波面Ｓｗ２はそれぞれ、基体２の第１の波面Ｓｗ１、第２の波面Ｓｗ２の凹凸を反転した形状を有している。
【００９８】
ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2はそれぞれ、基体２の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2に対応している。すなわち、ロール原盤１１の第１の領域Ｒ1に形成された凹状の構造体１２1は、基体２の第１の領域Ｒ1に形成された凸状の構造体３1を形成するためのものである。ロール原盤１１の第２の領域Ｒ2に形成された凹状の構造体１２2は、基体２の第２の領域Ｒ2に形成された凸状の構造体３2を形成するためのものである。第２の構造体１２2のアスペクト比は、第１の構造体１２1のアスペクト比に比して大きいことが好ましい。
【００９９】
［導電性素子の製造方法］
第２の実施形態におけるエッチング工程では、積層膜４が形成された基体表面に対してエッチング処理を施すことにより、第２の領域Ｒ2では積層膜４が除去されるのに対して、第１の領域Ｒ1では積層膜４が残留する。具体的には、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を実質的に除去するのに対して、第１の波面Ｓｗ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【０１００】
また、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４を除去して島状などに不連続にするのに対して、第１の波面Ｓｗ１上に形成された積層膜４を連続的につながるように残留させることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に選択的に導電パターン部を形成することができる。
【０１０１】
また、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の膜質や相状態等の違いを利用して、第２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４の厚さを第１の波面Ｓｗ１上に形成された積層膜４の厚さに比して大幅に薄くすることが好ましい。これにより、第１の波面Ｓｗ１および第２の波面Ｓｗ２のうち第１の波面Ｓｗ１上に導電パターン部を選択的に形成することができる。
【０１０２】
第２の実施形態では、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2の両領域にそれぞれ構造体３1および構造体３2を形成しているので、導電性素子１の反射防止特性を向上することができる。このような構成とする場合、導電パターン部として機能する第１の領域Ｒ1の積層膜４は、第１の領域Ｒ1に形成された構造体３1の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、反射防止特性および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。
【０１０３】
変調（例えば振幅変調および／または周波数変調）が施された波面を基体表面に形成し、その基体表面上に積層膜４を形成することで、基体２の波面の変調の違いに応じて、積層膜４の状態を変化させることができる。したがって、基体２の波面の変調の違いに応じて、エッチング溶液に対する積層膜４の溶解度を変化させることができる。すなわち、基体２の波面の変調の違いを利用して、基体表面に所望の導電パターン部を形成することができる。
【０１０４】
基体表面の波面をナノ構造体により形成した場合には、視認性および光学特性を向上することもできる。光学特性を劣化させずに所望の電気抵抗を実現することができる。
【０１０５】
導電層からなる配線を基体表面に形成する従来の情報入力装置（例えば、デジタル式抵抗タッチパネルや静電容量式タッチパネルなど）では、導電層と基材とは反射率が異なるため、配線が見えて表示品質が劣化する傾向がある。これに対して、本発明の実施形態に係る情報入力装置では、積層膜４の有無にかかわらず、低反射および高透過率を実現しているため、配線の視認を抑制できる。
【０１０６】
＜３．第３の実施形態＞
図１２Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す断面図である。第３の実施形態に係る導電性素子１は、基体２の両主面に第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2を設定し、両領域のうち第１の領域Ｒ1にのみ連続的に積層膜４を形成することで、基体両面に導電パターン部を形成している点において、第１の実施形態とは異なっている。また、図１２Ｂに示すように、基体２に第１の領域Ｒ1にスルーホール（貫通孔）を形成し、このスルーホールに導体インクなどの導電材料を埋め込み、基体２の両面に形成された回路などの導電パターン部を電気的に接続するようにしてもよい。
【０１０７】
第３の実施形態では、基体２の両面に導電パターン部を形成しているので、第１の実施形態よりも多くの回路などを導電性素子１に搭載することが可能となる。
【０１０８】
＜４．第４の実施形態＞
図１３Ａは、本発明の第４の実施形態に係る導電性素子の一構成例を示す平面図である。図１３Ｂは、図１３Ａに示したＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１３Ｃは、図１３Ｂに示した第１の領域の一部を拡大して表す断面図である。図１３Ｄは、図１３Ｂに示した第２の領域の一部を拡大して表す断面図である。第４の実施形態に係る導電性素子１は、凹部である構造体３が基体表面の第２の領域Ｒ2に多数配列されている点において、第１の実施形態のものとは異なっている。
この第４の実施形態において、上記以外のことは、第１の実施形態と同様である。
【０１０９】
この第４の実施形態では、第１の実施形態における凸形状の構造体３の形状を反転して凹形状としているので、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１０】
＜５．第５の実施形態＞
図１４は、本発明の第５の実施形態に係る液晶表示素子の一構成例を示す斜視図である。図１４に示すように、液晶表示素子は、パッシブマトリックス駆動方式（単純マトリックス駆動方式ともいう。）の表示素子であり、所定間隔を離して対向配置された第１の基材１０１および第２の基材１１１と、第１の基材１０１および第２の基材１１１の間に配置された液晶層１２１とを備える。
【０１１１】
第１の基材１０１の両主面のうち、第２の基材１１１に対向する一主面には、直線状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第１の基材１０１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における第１の基材表面は、可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第１の基材１０１の両主面のうち、第２の基材１１１に対向する一主面には、連続的に形成された積層膜からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）１０２がストライプ状に形成されている。
【０１１２】
第２の基材１１１の両主面のうち、第１の基材１０１に対向する一主面には、直線状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第２の基材１１１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における第２の基材表面は、可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が不連続的に島状などに形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2には、構造体が形成されず平面とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第２の基材１１１の両主面のうち、第１の基材１０１に対向する一主面には、連続的に形成された積層膜からなる縦（Ｙ）電極（第２の電極）１１２がストライプ状に多数形成されている。
【０１１３】
第１の基材１０１および第２の基材１１１の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2は、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基材１０１の横電極１０２と第２の基材１１１の縦電極１１２とは互いに直交する関係にある。
【０１１４】
第５の実施形態では、例えば波面の有無または構造体の有無を利用して液晶表示素子の電極を作製することができる。また、例えば波面の波長または構造体の配置ピッチを可視光の波長以下とした場合には、液晶表示素子の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。
【０１１５】
また、上述の第２の実施形態のように、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のそれぞれにアスペクト比などの異なる構造体を形成するようにしてもよい。これにより、液晶表示素子の反射防止特性および／または透過特性をさらに向上することができる。このような構成とする場合、横電極１０２および縦電極１１２として機能する第２の領域Ｒ2の透明積層膜は、第２の領域Ｒ2に形成された構造体の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、構造体による反射防止および／または透過特性の効果の低下を抑制することができるからである。
【０１１６】
＜６．第６の実施形態＞
図１５は、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルを備える表示装置の一構成例を示す斜視図である。図１５に示すように、表示装置２０２上にタッチパネル（情報入力装置）２０１が設けられている。表示装置２０２とタッチパネル２０１とは、例えば粘着剤を介して貼り合わされている。また、タッチパネル２０１の表面にフロントパネル（表面部材）２０３をさらに備えるようにしてもよい。タッチパネル２０１とフロントパネル（表面部材）２０３とは、例えば粘着剤により貼り合わされる。
【０１１７】
表示装置２０１としては、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイ、プラズマディスプレイ（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）などの各種表示装置を用いることができる。タッチパネル３０２は、例えば、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチパネルである。抵抗膜方式のタッチパネルとしては、例えば、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルが挙げられる。静電容量方式のタッチパネルとしては、例えば、Ｗｉｒｅ Ｓｅｎｓｏｒ方式またはＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルが挙げられる。
【０１１８】
（第１の構成例）
図１６Ａは、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの第１の構成例を示す斜視図である。このタッチパネル２０１は、マトリックス抵抗膜方式のタッチパネルであり、ドットスペーサ（図示省略）を介して所定間隔を離して対向配置された第１の基材２１１と第２の基材２２１とを備える。
【０１１９】
図１６Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基材２２１は第１の基材２１１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２１１の両主面のうち、第２の基材２２１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第１の基材２１１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における第１の基材表面は、可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2における第１の基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２１１の両主面のうち、第２の基材２２１に対向する一主面には、連続的に形成された積層膜からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２１２がストライプ状に形成されている。
【０１２０】
第２の基材２２１の両主面のうち、第１の基材２１１に対向する一主面には、矩形状の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第２の基材２２１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における第２の基材表面は、可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2における第２の基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第２の基材２２１の両主面のうち、第１の基材２１１に対向する一主面には、連続的に形成された積層膜からなる縦（Ｙ）電極（第２の電極）２２２がストライプ状に多数形成されている。
【０１２１】
第１の基材２１１および第２の基材２２１の第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2は、互いに直交する関係にある。すなわち、第１の基材２１１の横電極２１２と第２の基材２２１１の縦電極２２１とは互いに直交する関係にある。
【０１２２】
（第２の構成例）
図１７Ａは、本発明の第６の実施形態に係るタッチパネルの第２の構成例を示す斜視図である。このタッチパネルは、ＩＴＯ Ｇｒｉｄ方式の投影型静電容量方式タッチパネルであり、重ね合わされた第１の基材２３１と第２の基材２４１とを備える。
【０１２３】
図１７Ｂは、第１の基材の一構成例を示す分解斜視図である。なお、第２の基材２４１は第１の基材２３１とほぼ同様の構成を有するので、分解斜視図の記載を省略する。第１の基材２３１の両主面のうち、第２の基材２４１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ1の間は第２の領域Ｒ2により隔てられている。第２の基材２４１の両主面のうち、第２の基材２３１に対向する一主面には、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2が交互に繰り返し設定され、隣り合う第１の領域Ｒ1の間は第２の領域Ｒ2により隔てられている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における第１の基材２３１および第２の基材２４１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。
【０１２４】
第１の基材２３１の第１の領域Ｒ1は、所定形状の単位領域Ｃ1をＸ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ2は、所定形状の単位領域Ｃ2をＸ軸方向に繰り返し連結してなる。第２の基材２４１の第１の領域Ｒ1は、所定形状の単位領域Ｃ1をＹ軸方向に繰り返し連結してなり、第２の領域Ｒ2は、所定形状の単位領域Ｃ2をＹ軸方向に繰り返し連結してなる。単位領域Ｃ1および単位領域Ｃ2の形状としては、例えばダイヤモンド形状（菱形形状）、三角形状、四角形状などが挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
【０１２５】
第１の領域Ｒ1における第１の基材表面または第２の基材表面は、例えば可視光の波長以下の配置ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、例えば残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2における第１の基材表面または第２の基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、第１の基材２３１の両主面のうち、第２の基材２４１に対向する一主面には、積層膜からなる複数の横（Ｘ）電極（第１の電極）２３２が配列されている。また、第２の基材２４１の両主面のうち、第１の基材２３１に対向する一主面には、積層膜からなる複数の縦（Ｙ）電極（第２の電極）２４２が配列されている。横電極２３２および縦電極２４２は、第２の領域Ｒ2と同様の形状を有する。
【０１２６】
第１の基材２３１の横電極２３２と第２の基材２４１の縦電極２４２とは互いに直交する関係にある。第１の基材２３１と第２の基材２４１とを重ね合わせた状態において、第１の基材２３１の第１の領域Ｒ1と、第２の基材２４１の第２の領域Ｒ2とが重ね合わされ、第１の基材２３１の第２の領域Ｒ2と、第２の基材２４１の第１の領域Ｒ1とが重ね合わされる。
【０１２７】
第６の実施形態では、例えば波面の有無または構造体の有無を利用してタッチパネル２０１の電極を作製することができる。また、例えば波面の波長または構造体の配置ピッチを可視光の波長以下とした場合には、タッチパネル２０１の反射防止特性および／または透過特性を向上することができる。
【０１２８】
また、上述の第２の実施形態のように、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のそれぞれにアスペクト比などの異なる構造体を形成するようにしてもよい。これにより、タッチパネル２０１の反射防止特性および／または透過特性をさらに向上することができる。このような構成とする場合、電極として機能する第１の領域Ｒ1の積層膜は、第１の領域Ｒ1に形成された構造体の形状に倣った形状とすることが好ましい。これにより、構造体による反射防止効果および／または透過特性向上の効果の低下を抑制することができるからである。
【０１２９】
＜７．第７の実施形態＞
図１８Ａは、本発明の第１０の実施形態に係るＩＣカードの一構成例を示す平面図である。図１８Ｂは、図１８Ａに示したＩＣカードの一部を拡大して表す平面図である。このＩＣカードは、いわゆる非接触型ＩＣカードであり、基材３０１と、アンテナコイル３０２と、ＩＣチップ３０３とを備える。アンテナコイル３０２の両端がＩＣチップ３０３に対して接続されている。また、基材３０１の両面には外装材（図示省略）が設けられている。
【０１３０】
基材３０１の形状としては、フィルム状、シート状、基板状を用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、ＩＣカード１に求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。基材１０２の材料としては、耐久性や利便性などの観点から、フレキシブル性を有する樹脂材料を用いることが好ましい。このような樹脂材料としては、例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエステルを用いることができるが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。
【０１３１】
基材３０１の一主面の周縁部には、例えば、第１の領域Ｒ1と第１の領域Ｒ2とが交互に螺旋状に形成されている。第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2における基材３０１の表面構造は、上述の第１〜第４の実施形態のいずれかの導電性素子における基体の表面構造と同様である。例えば、第１の領域Ｒ1における基材表面は、微細ピッチで構造体が多数形成されて波面とされ、残留膜が島状などに不連続的に形成されている。これに対して、第２の領域Ｒ2における基材表面は、構造体が形成されず平面状とされ、積層膜が連続的に形成されている。したがって、基材３０１の一主面の周縁部には、連続的に形成された積層膜からなるアンテナコイル３０２が第２の領域Ｒ2の形状に倣って形成されている。なお、上述の第２の実施形態のように、第１の領域Ｒ1および第２の領域Ｒ2のそれぞれにアスペクト比などの異なる構造体を形成するようにしてもよい。
【０１３２】
外装材は、ＩＣカードの表面および裏面を構成するものであり、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチルテレフタレート）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール、配向ＰＥＴなどの高分子材料を主成分とするが、特にこれらの材料に限定されるものではなく、従来公知の樹脂材料からＩＣカードに求められる特性に応じて任意に選択し使用することが可能である。
【０１３３】
アンテナコイル３０２は、基材３０１上に複数回巻回されて形成されたループコイル形状の電磁誘導コイルであり、その両端はＩＣチップ３０３に接続されている。アンテナコイル１０３は、リーダ／ライタから発せられる交流磁界を受信して交流電圧を誘起し、その交流電圧をＩＣチップ３０３に供給する。
【０１３４】
ＩＣチップ３０３は、アンテナコイル３０２から供給される電力により駆動し、ＩＣカード１内の各部を制御する。例えば、ＩＣチップ３０３は、アンテナコイル５を介してリーダ／ライタと通信を行う。具体的には、リーダ／ライタとの相互認証やデータのやり取りなどを行う。
【０１３５】
第７の実施形態では、例えば波面の有無または構造体の有無を利用してＩＣカードのアンテナコイル３０２を作製することができる。したがって、エッチングなどを用いずにアンテナコイル３０２を作製することができるので、ＩＣカードの生産性を向上することができる。
【０１３６】
＜８．第８の実施形態＞
図１９Ａは、本発明の第８の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図１９Ｂは、図１９Ａに示した配線領域を拡大して表す拡大断面図である。図１９Ｃは、図１９Ａに示した非配線領域を拡大して表す拡大断面図である。第８の実施形態において、第１の実施形態と同一の箇所または対向する箇所には同一の符号を付す。この表示装置４００は、いわゆるマイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーであり、第１の導電性素子４０１と、第１の導電性素子４０１と対向配置された第２の導電性素子４０２と、これらの両素子間に設けられたマイクロカプセル層（媒質層）４０３とを備える。ここでは、マイクロカプセル電気泳動方式の電子ペーパーに対して本発明を適用した例について説明するが、電子ペーパーはこの例に限定されるものではなく、対向配置された導電性素子間に媒質層が設けられた構成であれば本発明は適用可能である。ここで、媒質には液体および固体以外に、空気などの気体も含まれる。また、媒質には、カプセル、顔料および粒子などの部材が含まれていてもよい。マイクロカプセル電気泳動方式以外に本発明を適用可能な電子ペーパーとしては、例えばツイストボール方式、サーマルリライタブル方式、トナーディスプレイ方式、Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ型電気泳動方式、電子粉粒方式の電子パーパーなどが挙げられる。
【０１３７】
マイクロカプセル層４０３は、多数のマイクロカプセル４３１を含んでいる。マイクロカプセル内には、例えば、黒色粒子おび白色粒子が分散された透明な液体（分散媒）が封入されている。
【０１３８】
第１の導電性素子４０１は、第２の導電性素子４０２と対向する側に平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体２と、この基体２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４とを備える。また、必要に応じて、粘着剤などの貼合層４１１を介して、基体２をガラスなどの支持体４１２に貼り合わせるようにしてもよい。第２の導電性素子４０２は、第１の導電性素子４０１と対向する側に平面Ｓｐ１および波面Ｓｗ２を有する基体２と、この基体２の波面Ｓｗ２上に形成された積層膜４とを備える。
【０１３９】
第１の導電性素子４０１、および第２の導電性素子４０２が有する積層膜４は、電子ペーパー４００の駆動方式に応じて所定の電極パターン状に形成されている。駆動方式としては、例えば単純マトリックス駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式、セグメント駆動方式などが挙げられる。
この第８の実施形態において、上記以外のことは第１の実施形態と同様である。
【実施例】
【０１４０】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【０１４１】
以下の実施例、比較例および参考例では、導電性シートの表面抵抗は４端子抵抗測定機にて測定した。なお、プローブ先端針の径はＲ１００μｍとし、針のピッチは１ｍｍとした。
【０１４２】
（参考例１）
（転写工程）
まず、図２０Ａに示すように、平面領域（第１の領域）Ｒ1とナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ2とが成形面にストライプ状に形成された石英マスタを準備した。次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ＰＥＴシート表面のうち、ナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ2には凸状のナノ構造体が多数形成されるのに対して、平面領域（第１の領域）Ｒ1には平坦面が形成された光学シートが得られた。構造体の配置ピッチは２５０ｎｍ、構造体の高さは２００ｎｍ、構造体の形状は円錐台、構造体の配列は六方配置であった。
【０１４３】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ2ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ2＝２００：１３とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１４４】
（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成した光学シートに対して、１５０℃、３０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ2Ｏ3のピークが確認された。
【０１４５】
（エッチング工程）
次に、アニール処理を施した光学シートを、ＰＨ＝３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。
【０１４６】
（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施した光学シートを純水により洗浄した。
以上により、目的とする透明導電性シートが得られた。
【０１４７】
（導通／非導通評価）
上述のようにして得られた実施例１に係る透明導電性シートの表面について、テスターを用いて導通および非導通を、図２０Ｂに示すポイントで評価した。その評価結果を表１に示す。
【０１４８】
表１は、参考例１に係る透明導電性シートの評価結果を示す。
【表１】
【０１４９】
表１から以下のことがわかる。
透明導電性シート表面のうちナノ構造体形成領域（第２の領域）Ｒ2は絶縁状態となるのに対して、平面領域（第１の領域）Ｒ1は導通状態となる。したがって、インプリント工程、成膜工程およびエッチング工程を順次行うだけで、配線や電極などの所望の導電パターン部を基体表面に形成できる。すなわち、スループットを向上することができる
【０１５０】
（実施例１−１）
（転写工程）
まず、平面（第１の波面）を有する第１の領域と、波面（第２の波面）を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１５１】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表２に示す。
【０１５２】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、波面頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１５３】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＡｇ層を形成した。
以下に、Ａｇ層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：２００ｎｍ
【０１５４】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表２に示す。
【０１５５】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。
【０１５６】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１５７】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表２に示す。
【０１５８】
（実施例１−２）
（転写工程）
まず、波面（第１の波面）を有する第１の領域と、平面（第２の波面）を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１５９】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表３に示す。
【０１６０】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：４０ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、波面頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１６１】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＡｇ層を形成した。
以下に、Ａｇ層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：２００ｎｍ
【０１６２】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表３に示す。
【０１６３】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。
【０１６４】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１６５】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表３に示す。
【０１６６】
（表面観察）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面を光学顕微鏡を用いて観察した。その結果を図２１に示す。
【０１６７】
表２は、実施例１−１に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表２】
【０１６８】
表３は、実施例１−２に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表３】
【０１６９】
表２、表３から以下のことがわかる。
導電性シート表面のうち、波面を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去され絶縁状態となるのに対して、平面を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去されず残り導通状態が維持される。
したがって、電気抵抗を下げるため膜構成を多層構造とした場合でも、除去選択性を確保でき、平面領域ではＩＴＯ層およびＡｇ層を残すことができる。すなわち、低抵抗な配線を容易に作製することができる。
【０１７０】
（実施例１−３）
まず、第１の波面を有する第１の領域と、第２の波面を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域と転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１７１】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表４に示す。
【０１７２】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１７３】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＡｇ層を形成した。
以下に、Ａｇ層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．１１Ｐａ
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：２００ｎｍ
【０１７４】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表４に示す。
【０１７５】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に２０秒間浸漬させた。
【０１７６】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１７７】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表４に示す。
【０１７８】
表４は、実施例１−３に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表４】
【０１７９】
表４から以下のことがわかる。
導電性シート表面のうち、高い比率（Ａｍ／λｍ＝０．７６）を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去され絶縁状態となる。これに対して、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６）を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去されず残り導通状態が維持される。
したがって、第1の領域と第２の領域との両領域に波面を形成した場合でも、比率（Ａｍ／λｍ）の大きさを調整することで、除去選択性を確保でき、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６）を有する第１の領域ではＩＴＯ層およびＡｇ層を残すことができる。すなわち、低抵抗な配線を容易に作製することができる。
【０１８０】
（実施例２−１）
（転写工程）
まず、波面（第１の波面）を有する第１の領域と、平面（第２の波面）を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域とが転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１８１】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表５に示す。
【０１８２】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１８３】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＳｉＯ2層を形成した。
以下に、ＳｉＯ2層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．２８Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
Ａｒガス流量：１００ｓｃｃｍ
Ｏ2ガス流量：１８０ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：５ｎｍ
【０１８４】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表５に示す。
【０１８５】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。
【０１８６】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１８７】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表５に示す。
【０１８８】
（比較例２−１）
ＳｉＯ2層の形成を省略する以外は実施例２−１と同様にして光学シートを作製した。また、除去工程前後における光学シートの表面抵抗も実施例２−１と同様にして測定した。その結果を表６に示す。
【０１８９】
表５は、実施例２−１に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表５】
【０１９０】
表６は、比較例２−１に係る光学シートの測定結果を示す。
【表６】
【０１９１】
表５、表６から以下のことがわかる。
実施例２−１において、導電性シート表面のうち、波面を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去され絶縁状態となるのに対して、平面を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去されず残り導通状態が維持される。
ＳｉＯ2層のみを形成した比較例２−１においては、６０秒の除去工程を経ると、波面および平面に関われず、ＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去され絶縁状態となる。
したがって、金属層であるＡｇ層の代わりに、レジスト層であるＳｉＯ2層を用いた多層構造を採用した場合にも、除去選択性を確保でき、平面領域ではＩＴＯ層およびＳｉＯ2層を残すことができる。また、ＳｉＯ2層をＩＴＯ層上に積層することで、除去工程におけるＩＴＯ層の耐性を向上し、除去選択性を飛躍的に向上することができる。
【０１９２】
（実施例２−２）
まず、第１の波面を有する第１の領域と、第２の波面を有する第２の領域とが同一面上に交互にストライプ状に形成された石英マスタを作製した。
次に、この石英マスタの成形面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させて、紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、第１の領域と第２の領域と転写された光学シート（ナノインプリントフィルム）が作製された。
【０１９３】
（形状測定）
次に、作製した光学シートの転写面の平均波長λｍおよび振動の平均幅Ａｍを測定し、それらの測定値から比率（Ａｍ／λｍ）を求めた。その結果を表７に示す。
【０１９４】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、光学シートの成形面上にＩＴＯ層を形成した。
以下に、ＩＴＯ層成膜時における成膜条件を示す。
到達真空度：０．０００１５Ｐａ
成膜時真空度：０．２４Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
混合ガスの混合比率（体積比率）：Ａｒ：Ｏ2＝２００：１３
平板換算膜厚：３６ｎｍ
ここで、平板換算膜厚は、光学シート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚であり、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０１９５】
次に、真空状態を保持したまま、スパッタリング法により、ＩＴＯ層上にＳｉＯ2層を形成した。
以下に、ＳｉＯ2層成膜時における成膜条件を示す。
成膜時真空度：０．２８Ｐａ
ガス種：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス
Ａｒガス流量：１００ｓｃｃｍ
Ｏ2ガス流量：１８０ｓｃｃｍ
平板換算膜厚：５ｎｍ
【０１９６】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した光学シートの表面抵抗を測定した。その結果を表７に示す。
【０１９７】
（除去工程）
次に、光学シートをＰＨ＝３程度の溶液に６０秒間浸漬させた。
【０１９８】
（洗浄工程）
次に、純水にて光学シートを洗浄した。
以上により、目的とする導電性シートが作製された。
【０１９９】
（表面抵抗測定）
次に、上述のようにして作製した導電性シートの表面抵抗を測定した。その結果を表７に示す。
【０２００】
（比較例２−２）
ＳｉＯ2層の形成を省略する以外は実施例２−２と同様にして光学シートを作製した。また、除去工程前後における光学シートの表面抵抗も実施例２−２と同様にして測定した。その結果を表８に示す。
【０２０１】
表７は、実施例２−２に係る導電性シートの測定結果を示す。
【表７】
【０２０２】
表８は、比較例２−２に係る光学シートの測定結果を示す。
【表８】
【０２０３】
表７、表８から以下のことがわかる。
実施例２−２においては、導電性シート表面のうち、高い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６４）を有する第２の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＡｇ層が除去され絶縁状態となる。これに対して、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．５２）を有する第１の領域では、除去工程においてＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去されず残り導通状態が維持される。
ＩＴＯ層のみを形成した比較例２−２においては、６０秒の除去工程を経ると、高い比率（Ａｍ／λｍ）の大きさに関われず、ＩＴＯ層およびＳｉＯ2層が除去され絶縁状態となる。
したがって、金属層であるＡｇ層の代わりに、レジスト層であるＳｉＯ2層を用いた多層構造を採用した場合にも、比率（Ａｍ／λｍ）の大きさを調整することで、除去選択性を確保でき、低い比率（Ａｍ／λｍ＝０．６）を有する第１の領域ではＩＴＯ層およびＳｉＯ2層を残すことができる。また、ＳｉＯ2層をＩＴＯ層上に積層することで、除去工程におけるＩＴＯ層の耐性を向上し、除去選択性を飛躍的に向上することができる。
【０２０４】
（参考例２−１）
（成膜工程）
まず、平滑な表面を有するＰＥＴシートを準備した。次に、スパッタリング法により、ＰＥＴシート上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ2ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ2＝２０：１とした。また、ＩＴＯ層の膜厚が３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。
【０２０５】
（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ2Ｏ3のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２０６】
（参考例２−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例２−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。
【０２０７】
（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ＝３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。
【０２０８】
（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２０９】
（参考例２−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１０】
（参考例２−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１１】
（参考例２−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１２】
（参考例２−６）
浸漬時間を５０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１３】
（参考例２−７）
浸漬時間を６０秒間に変更する以外は参考例２−２と同様にして光学シートを得た。
【０２１４】
（参考例３−１）
（転写工程）
まず、凹状のナノ構造体が成形面に形成された石英マスタを準備した。次に、ナノ構造体を形成した石英マスタに紫外線硬化樹脂を塗布し、易接着層付きＰＥＴシートを密着させ紫外線を照射し硬化させながら、ＰＥＴシートを剥離した。これにより、ナノ構造体が多数表面に形成されたＰＥＴシートが得られた。
以下に、ＰＥＴシート表面に形成されたナノ構造体の構成の詳細を示す。
構造体の配列：六方格子配列
構造体の凹凸形状：凸状
構造体の全体形状：円錐台
構造体の配置ピッチ：２５０ｎｍ
構造体の高さ：９０ｎｍ
構造体のアスペクト比：０．３６
【０２１５】
（成膜工程）
次に、スパッタリング法により、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面上にＩＴＯ層を形成した。到達真空度は０．０００１５Ｐａ、成膜時真空度は０．２４Ｐａとし、成膜時にはＡｒガスとＯ2ガスとを導入し、その混合比率はＡｒ：Ｏ2＝２０：１とした。また、膜厚が平板換算で３０ｎｍとなるように成膜条件を調整した。なお、平板換算膜厚は、ナノ構造体が形成されたＰＥＴシート表面にＩＴＯ層を形成した場合と同様の成膜条件にて、平板上にＩＴＯ層を形成したときの膜厚である。本発明者の知見によれば、平板換算膜厚は、構造体頂部の膜厚とほぼ等しくなる。
【０２１６】
（アニール工程）
次に、ＩＴＯ層を形成したＰＥＴシートに対して、１５０℃、６０分間の大気中アニールを施した。これにより、ＩＴＯ層の多結晶化が促進された。次に、この促進の状態を確認すべく、Ｘ線回折（X‐ray diffraction：ＸＲＤ）でＩＴＯ層を測定したところ、Ｉｎ2Ｏ3のピークが確認された。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２１７】
（参考例３−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例３−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するＰＥＴフィルムを作製した。
【０２１８】
（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したＰＥＴフィルムを、ＰＨ＝３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。
【０２１９】
（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２２０】
（参考例３−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例３−２と同様にして光学シートを得た。
【０２２１】
（参考例４−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例３−１と同様にして光学シートを得た。
【０２２２】
（参考例４−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例３−２と同様にして光学シートを得た。
【０２２３】
（参考例４−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１２０ｎｍ、アスペクト比を０．４８とする以外は参考例３−３と同様にして光学シートを得た。
【０２２４】
（参考例５−１）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例３−１と同様にして光学シートを得た。
【０２２５】
（参考例５−２）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例３−２と同様にして光学シートを得た。
【０２２６】
（参考例５−３）
構造体の配置ピッチを２５０ｎｍ、構造体の高さを１５５ｎｍ、アスペクト比を０．６２とする以外は参考例３−３と同様にして光学シートを得た。
【０２２７】
（参考例６−１）
（成膜工程、アニール工程）
以下のプレズムシートを用いる以外は参考例３−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するプリズムシートを作製した。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
以下に、プレズムシートの構成の詳細を示す。
プリズム（構造体）の配列：１次元配列
プリズムの凹凸形状：凸状
プリズムの形状：断面２等辺三角形状の柱状体
プリズムの配置ピッチ：１０μｍ
プリズムの高さ：５μｍ
プリズムのアスペクト比：０．５０
【０２２８】
（参考例６−２）
（成膜工程、アニール工程）
まず、参考例６−１と同様にして成膜工程およびアニール工程を行い、アニール処理が施されたＩＴＯ層を有するプリズムシートを作製した。
【０２２９】
（エッチング工程）
次に、アニール処理を施したプリズムシートを、ＰＨ＝３程度の溶液に１０秒間浸漬させて、ＩＴＯ層をエッチングした。
【０２３０】
（洗浄工程）
次に、エッチング処理を施したＰＥＴシートに対して、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄、純粋洗浄を順次行った。
以上により、目的とする光学シートが得られた。
【０２３１】
（参考例６−３）
浸漬時間を２０秒間に変更する以外は参考例６−２と同様にして光学シートを得た。
【０２３２】
（参考例６−４）
浸漬時間を３０秒間に変更する以外は参考例６−２と同様にして光学シートを得た。
【０２３３】
（参考例８−５）
浸漬時間を４０秒間に変更する以外は参考例６−２と同様にして光学シートを得た。
【０２３４】
（表面抵抗）
上述のようにして得られた参考例２−１〜６−５の光学シート表面の表面抵抗値を４端針法にて測定した。その結果を表９に示す。
【０２３５】
（初期変化率の逆数）
上述のようにようにして得られた参考例２−１〜６−５の光学シート表面の初期変化率の逆数（仮想厚さの変化）を以下の式より求めた。その結果を表１０および図２２に示す。
（初期表面抵抗に対する変化率の逆数）＝（エッチング前のサンプルの表面抵抗）／（エッチング後のサンプルの表面抵抗）
【０２３６】
表９は、参考例２−１〜６−５に係る光学シートの表面抵抗の評価結果を示す。
【表９】
【０２３７】
表１０は、参考例２−１〜６−５に係る光学シートの初期変化率の逆数の評価結果を示す。
【表１０】
【０２３８】
表９、表１０および図２２から以下のことがわかる。
平坦面上にＩＴＯ層を形成した参考例２−１〜２−７では、エッチングによりＩＴＯ層の膜厚に殆ど変化せず、表面抵抗がほぼ一定となる傾向がある。これに対して、多数の構造体上にＩＴＯ層を形成した参考例３−１〜３−３、参考例４−１〜４−３、参考例５−１〜５−３では、エッチングによりＩＴＯ層の膜厚が急激に減少し、表面抵抗が急激に上昇する傾向がある。
ミクロンオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した参考例６−１〜６−５でも、
ナノオーダーの配置ピッチで多数の構造体を形成した参考例３−１〜３−３、参考例４−１〜４−３、参考例５−１〜５−３と同様の傾向を示す。
【０２３９】
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【０２４０】
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
【０２４１】
また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【０２４２】
また、上述の実施形態では、片面または両面に配線が形成された単層の導電性素子に対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、多層の導電性素子に対しても適用可能である。
【０２４３】
また、上述の実施形態では、平面状の基体表面に配線を形成する場合を例として説明したが、配線を形成する面は平面に限定されるものではなく、曲面状の基体表面に配線を形成するようにしてもよい。
【０２４４】
また、上述の実施形態では、液晶表示素子に対して本発明を適用した例を説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、パッシブマトリックス駆動方式の種々の表示素子（例えばＥＬ素子、電子ペーパーなど）に対しても適用可能である。
【０２４５】
また、上述の実施形態では、２つの基材を重ね合わせる構成を有する投影型静電容量方式タッチパネルに対して本発明を適用した例について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではない。例えば、１つの基材の両面に電極を形成した構成を有する投影型静電容量方式タッチパネルに対しても本発明は適用可能である。
【０２４６】
また、上述の実施形態では、電子機器として表示装置や情報入力装置に本発明を適用する例について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、表示素子や配線素子（例えばプリント基板）などを備える種々の電子機器に対して適用可能である。
【符号の説明】
【０２４７】
１ 導電性素子
２ 基体
３ 構造体
４ 積層膜
１１ ロール原盤
１２ 構造体
１３ レジスト層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波面および第２の波面を有する基体と、
上記第１の波面上に形成された、２層以上の層が積層された積層膜と
を備え、
上記積層膜は、導電パターン部を形成し、
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
【請求項２】
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
上記第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下である請求項１記載の導電性素子。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【請求項３】
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
上記第１の波面の平均波長λ１、および上記第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下である請求項１記載の導電性素子。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【請求項４】
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
上記第２の波面の平均波長λ２が、１００μｍ以上である請求項１記載の導電性素子。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【請求項５】
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
上記第１の波面の平均波長λ１、および上記第２の波面の平均波長λ２が、１００μｍ以上である請求項１記載の導電性素子。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【請求項６】
上記第２の波面上に形成された、上記積層膜の一部からなる残留膜をさらに備え、
上記積層膜、および上記残留膜が、以下の関係を満たす請求項１記載の導電性素子。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：積層膜の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
【請求項７】
上記第１の波面上に形成された積層膜は、上記第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、上記第２の波面上に形成された残留膜は、上記第２の波面上に不連続的に形成されている請求項６記載の導電性素子。
【請求項８】
上記第２の波面上に形成された、上記積層膜の一部からなる残留膜をさらに備え、
上記積層膜、および上記残留膜が、以下の関係を満たす請求項１記載の導電性素子。
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：積層膜の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
【請求項９】
上記積層膜は、導電層と、該導電層上に形成された機能層とを備え、
上記機能層は、上記導電層とは異なる材料からなる請求項１記載の導電性素子。
【請求項１０】
上記積層膜は、異なる除去速度の材料で構成されている請求項１記載の導電性素子。
【請求項１１】
上記導電層は、酸化物半導体を含む透明導電層である請求項９記載の導電性素子。
【請求項１２】
上記酸化物半導体は、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいる請求項１１記載の導電性素子。
【請求項１３】
上記導電層は、アモルファスと多結晶との混合状態である請求項９記載の導電性素子。
【請求項１４】
上記導電層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項９記載の導電性素子。
【請求項１５】
上記機能層は、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項９記載の導電性素子。
【請求項１６】
上記機能層は、上記導電層と異なる材料からなりＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕ選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項９記載の導電性素子。
【請求項１７】
上記機能層は、アモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいる請求項９記載の導電性素子。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える配線素子。
【請求項１９】
請求項１から１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える情報入力装置。
【請求項２０】
請求項１から１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える表示装置。
【請求項２１】
請求項１から１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える電子機器。
【請求項２２】
第１の波面と第２の波面とを有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜を形成する工程と、
上記第１の波面および上記第２の波面のうち、上記第２の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、上記第１の波面上に形成された積層膜を残すことにより、導電パターン部を形成する工程と
を備え、
上記第１の波面と上記第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
【請求項１】
第１の波面および第２の波面を有する基体と、
上記第１の波面上に形成された、２層以上の層が積層された積層膜と
を備え、
上記積層膜は、導電パターン部を形成し、
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
【請求項２】
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
上記第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下である請求項１記載の導電性素子。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【請求項３】
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
上記第１の波面の平均波長λ１、および上記第２の波面の平均波長λ２が、可視光の波長以下である請求項１記載の導電性素子。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【請求項４】
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
上記第２の波面の平均波長λ２が、１００μｍ以上である請求項１記載の導電性素子。
（Ａｍ１／λｍ１）＝０、０＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【請求項５】
上記第１の波面および上記第２の波面が、以下の関係を満たし、
上記第１の波面の平均波長λ１、および上記第２の波面の平均波長λ２が、１００μｍ以上である請求項１記載の導電性素子。
０＜（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
【請求項６】
上記第２の波面上に形成された、上記積層膜の一部からなる残留膜をさらに備え、
上記積層膜、および上記残留膜が、以下の関係を満たす請求項１記載の導電性素子。
Ｓ１＞Ｓ２
（但し、Ｓ１：積層膜の面積、Ｓ２：残留膜の面積）
【請求項７】
上記第１の波面上に形成された積層膜は、上記第１の波面上に連続的に形成されているのに対して、上記第２の波面上に形成された残留膜は、上記第２の波面上に不連続的に形成されている請求項６記載の導電性素子。
【請求項８】
上記第２の波面上に形成された、上記積層膜の一部からなる残留膜をさらに備え、
上記積層膜、および上記残留膜が、以下の関係を満たす請求項１記載の導電性素子。
ｄ１＞ｄ２
（但し、ｄ１：積層膜の厚さ、ｄ２：残留膜の厚さ）
【請求項９】
上記積層膜は、導電層と、該導電層上に形成された機能層とを備え、
上記機能層は、上記導電層とは異なる材料からなる請求項１記載の導電性素子。
【請求項１０】
上記積層膜は、異なる除去速度の材料で構成されている請求項１記載の導電性素子。
【請求項１１】
上記導電層は、酸化物半導体を含む透明導電層である請求項９記載の導電性素子。
【請求項１２】
上記酸化物半導体は、インジウム錫酸化物、または酸化亜鉛を含んでいる請求項１１記載の導電性素子。
【請求項１３】
上記導電層は、アモルファスと多結晶との混合状態である請求項９記載の導電性素子。
【請求項１４】
上記導電層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項９記載の導電性素子。
【請求項１５】
上記機能層は、酸化物および遷移金属化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項９記載の導電性素子。
【請求項１６】
上記機能層は、上記導電層と異なる材料からなりＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、ＴｉおよびＣｕ選ばれる少なくとも１種を含んでいる請求項９記載の導電性素子。
【請求項１７】
上記機能層は、アモルファスと多結晶との混合状態にある層、および多結晶化状態にある層の少なくとも１種を含んでいる請求項９記載の導電性素子。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える配線素子。
【請求項１９】
請求項１から１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える情報入力装置。
【請求項２０】
請求項１から１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える表示装置。
【請求項２１】
請求項１から１７のいずれか１項に記載の導電性素子を備える電子機器。
【請求項２２】
第１の波面と第２の波面とを有する基体表面に対して、２層以上の層を積層して積層膜を形成する工程と、
上記第１の波面および上記第２の波面のうち、上記第２の波面上に形成された積層膜を除去するのに対して、上記第１の波面上に形成された積層膜を残すことにより、導電パターン部を形成する工程と
を備え、
上記第１の波面と上記第２の波面が、以下の関係を満たす導電性素子の製造方法。
０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８
（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２２】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２２】
【図２１】
【公開番号】特開２０１２−１６３７８９（Ｐ２０１２−１６３７８９Ａ）
【公開日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４４６６（Ｐ２０１１−２４４６６）
【出願日】平成２３年２月７日（２０１１．２．７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月７日（２０１１．２．７）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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