【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】精細かつ高スループットの導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第１の波面と第２の波面とを有する基体と、第１の波面上に形成された、２層以上の層が積層された積層膜とを備える。積層膜が、導電パターン部を形成する。第１の波面および第２の波面が、０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】優れたスループットを実現できる導電性素子を提供する。
【解決手段】導電性素子は、第１の波面および第２の波面を有する基体と、第１の波面上に形成された導電層とを備える。導電層は、導電パターン部を形成し、第１の波面および第２の波面が、０≦（Ａｍ１／λｍ１）＜（Ａｍ２／λｍ２）≦１．８（但し、Ａｍ１：第１の波面の振動の平均幅、Ａｍ２：第２の波面の振動の平均幅、λｍ１：第１の波面の平均波長、λｍ２：第２の波面の平均波長）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブと電極をなす金属とを強い結合力でかつ十分な密着性を持って接合できるカーボンナノチューブへの金属接合方法及びＣＮＴを用いた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブへの金属接合方法は、カーボンナノチューブを成長させる工程と、成長させたカーボンナノチューブの欠陥に硫黄原子を導入する工程と、前記硫黄原子を介して、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｈｇ、Ｓｉ、Ｇａ及びＡｓの中から選択された少なくとも１つの金属またはこれらの合金を接合する工程とを、含む。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品位の低下を抑制して、薄膜トランジスタの欠陥を修正する。
【解決手段】各画素毎にゲート電極が規定され、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１ａと、各画素のゲート電極に絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第１半導体層１３ａと、各画素毎に各ゲート線１１ａに絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第２半導体層１３ｂと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の一方の端部に重なるようにソース電極１４ａａが規定され、各ゲート線１１ａと交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４ａと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の他方の端部に重なると共にソース電極１４ａａと対峙するようにドレイン電極１４ｂａが規定され、各画素電極にそれぞれ接続するように設けられた複数のドレイン線１４ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗を低下させて、均一かつ確実に動作させる透明薄膜トランジスタ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】実質的に透明な基板と、基板上に実質的に透明な導電材料の第１の薄膜と金属材料の第２の薄膜とを２層以上積層して形成されたゲート配線と、ゲート配線上に形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体活性層と、実質的に透明な半導体活性層を挟んで離間して形成された実質的に透明な導電材料の第５の薄膜と金属材料の第６の薄膜とを２層以上積層して形成されたソース配線と、実質的に透明な半導体活性層を挟み、ソース配線に離間して実質的に透明な導電材料の第７の薄膜で形成されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする透明薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線として用いられる銅層が塊状になるのを抑え、さらに拡散バリア層との密着性を向上させるため、改良された付着方法、又はメタライゼーション方法を提供する。
【解決手段】銅シード層とバリア層の間に密着促進層を被着する。コンピュータを用いたシミュレーションで銅膜の塊状化が起こる状況および銅層の密着性に関する評価を行い、密着促進層材料にクロム合金を用いることで、銅膜の密着性を著しく高める。さらにポリデンテートβ−ケトイミネートのクロム含有錯体を密着促進層材料のクロム合金を作るためのクロム含有前駆物質とする。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン形成された導電性金属層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間に改善された接着性を与えるものである。
【解決手段】本発明は、パターン形成された導電性金属層、通常は銅層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間の改善された接着に関する。
改善された接着性を有するこの構造は、パターン形成された障壁誘電体層とパターン形成された導電性金属層との間に接着層を含んでいる。この接着層は、銅のバルク電気抵抗率を増加することなしに、金属層と障壁層との間の接着力を、向上させる。改善された接着性を有する構造を作る方法は、パターン形成された導電性金属層を有機金属前駆体に熱的に暴露させ、少なくとも、パターン形成された導電性金属層の表面上に、接着層を堆積させる工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】平面表示装置100及びその製造方法において、信号線方向に隣り合う画素電極同士を導通させる方式での補修（タンデムリペア）を、画素ドット欠陥の位置に拘わらず容易に行うことができ、また、画素開口率の低下を最小限としつつ、リペア箇所での補助容量比のズレを防止できるものを提供する。
【解決手段】信号線31方向での画素電極6間の中間領域のうち、信号線方向及び走査線方向のいずれから見ても一つ置きに、導電層フロートパターン12Aと、これに重なり合う補助容量線延在部22Aと、この切り欠きに対応するリペア接続用パターン32Aとを設けておく。タンデムリペアの際、リペア接続用パターン32Aにレーザー光を照射して導電層フロートパターン12Aに達する導通部82を作成する。そして、レーザーＣＶＤによる画素電極6間のブリッジ配線81が、リペア接続用パターン32Aを直接覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】レーザＣＶＤ法による加工時間を短縮することができるレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】レーザ光８の光路に沿って、スリットマスク２０、リレーレンズ１１、対物レンズ１２、ガスウインドウ１４及び被加工物である基板１５をこの順に配置する。スリットマスク２０は、例えば直線形状スリット２３及び迂回形状スリット２４を有する。このようなスリット形状のレーザ光を基板１５上に像１３として結像させる。また、ガスウインドウ１４から原料ガスを基板１５に向けて供給する。レーザＣＶＤ法を用いて基板１５上の配線欠陥（断線部）を接続するように導電膜をスリット形状で一括形成することにより、修正加工を行う。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造にも適用出来る好ましくはカーボンで作られるナノチューブによるビアの形成法を提供する。
【解決手段】底部と、側壁とを備える、少なくとも１つのビアを、金属材料の２つの層４及び１２を隔てる絶縁材料層５の中に形成する。次いで接着層７及び／又は保護層８の上に触媒層９を堆積する。さらに抑止層１１を、前記ビアの前記底部における前記触媒層９の部分を除く、前記ビアの前記ビアの側壁の上と、前記絶縁材料層５の上に方向性堆積によって形成する。ナノチューブを前記抑止層１１のない前記ビア底部の前記触媒層９の部分から成長させて前記金属材料の２つの層４及び１２を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Ｗの表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＭｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成する際に、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の表面および絶縁膜の凹部に沿ってシード層を成膜し、凹部に銅配線を埋め込んだ後、加熱によりバリア膜を形成すると共にシード層を構成する金属の余剰分を配線から除去するにあたって、配線中における前記金属およびその酸化物の残留を抑えて、配線抵抗の上昇を抑えること。
【解決手段】凹部の底部に露出した、銅からなる下層側導電路の表面における、前記銅の自然酸化物を還元するかまたは除去する工程と、前記自然酸化物が還元または除去された基板に対し、銅よりも酸化傾向が高く、酸化物となって銅の拡散防止機能を発揮する自己形成バリア用の金属、またはこの金属と銅との合金からなるシード層を形成する工程と、凹部に銅を埋め込んだ後に前記自己形成バリア用の金属を酸化してバリア層を形成すると共に余剰の自己形成バリア用の金属を埋め込まれた銅の表面に析出させるために基板を加熱する工程と、を含むように半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】加工対象においてレーザ加工を精度よく行なうことが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】加工用レーザを照射するためのレーザ光源と、加工用レーザをＸＹ方向に走査させるガルバノミラーと、加工対象物をＸＹ方向に移動させるＸＹステージとを備えたレーザ加工装置によって、ガルバノミラーの走査可能範囲よりも大きな図形を加工する。加工対象において、ガルバノミラーの走査可能範囲を超える図形を、ガルバノミラーの走査可能範囲内に収まる図形によって複数に分割し、ＸＹステージを移動することにより、ガルバノミラーの走査可能範囲内に複数に分割した図形を移動し、ガルバノミラーにより加工用レーザを走査し、分割した図形に対し加工用レーザを照射することによりレーザ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】欠陥修正工程の作業効率を向上させ、タクトタイムの短縮及び作業者の工数費の削減を図る。
【解決手段】複数の配線パターン及びその周辺回路が形成された配線基板内の欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する際、配線基板を繰り返しパターンが形成された第１の範囲と、繰り返しパターンが形成されていない第２の範囲と、繰り返しパターンと独自パターンが混在して形成された第３の範囲とに分類し、予め各範囲ごとに欠陥修正手法をデータベースに登録しておく。そして、検査対象の配線基板を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出し、その検出された欠陥の配線基板内における位置に基づいて、データベースから欠陥修正手法を読み出して選定し、その選定された欠陥修正手法に基づき欠陥の修正を実行することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料として有機酸銅を用いることにより、微細な凹部を埋め込みつつ銅の薄膜を膜厚の制御性良く、しかも高い成膜レートで堆積させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜装置２０において、排気可能になされた処理容器２２と、被処理体を載置するための載置台２４と、被処理体を加熱するための加熱手段２６と、処理容器に設けられて、処理容器内へガスを導入するためのガス導入部５６と、ガス導入部へ気体の有機酸銅を供給する原料ガス供給手段６８と、装置全体の動作を制御する装置制御部１００とを備え、被処理体の表面に薄膜として銅膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】複雑な修正作業を要する難易度の高い欠陥に対しても精度良く欠陥修正を行えるようにする。
【解決手段】複数の配線パターンが形成された基板６上の欠陥を修正する欠陥修正方法であって、基板６上の欠陥部位を検出し、その欠陥部位の基板６上における位置情報を取得する。次に、その時点のプロセス情報を入手し、欠陥部位の位置情報に基づいて当該欠陥部位における基板の基板設計情報を取得する。また、抽出された欠陥部位の特徴量を数値化し特徴情報を生成し、特徴情報に基づいて欠陥種別を分類する。そして、欠陥部位の位置情報、特徴情報、欠陥種別及び基板設計情報に基づいて欠陥部位の欠陥修正方法を生成し、生成された欠陥修正方法に基づき欠陥修正機構４を動作させて欠陥修正を行う。 （もっと読む）

【課題】 プロセス全体に要するコストや時間を軽減させ、微粒子をナノオーダで選択的に堆積させつつ、高精度なパターニングを実現する。
【解決手段】 少なくとも微粒子を基板表面に堆積させて構成した薄膜の作製方法において、ナノメータサイズの核をいわゆる起点として照射される光により微粒子の堆積が誘起されることに着目し、ナノメータサイズの核が予め形成された基板表面へ微粒子を堆積させると共に光を照射させ、この照射する光の波長を制御することにより微粒子を選択的に堆積させる。 （もっと読む）