【課題】反射層の上層に屈折率の異なる複数の透光膜を積層した場合でも、透光膜の膜厚の測定結果に基づいて、透光膜の表面側からの研磨量やエッチング量を適正に設定することのできる電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置用基板を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０の製造方法では、画素電極９ａと同一の層あるいは画素電極９ａより下層側にモニター用反射パターン７ｚ、９ｚを形成しておき、画素電極９ａおよびモニター用反射パターン７ｚ、９ｚの上層側に第１透光膜１８１、および第２透光膜１８２を形成する。また、第２透光膜１８２のモニター用反射パターン７ｚ、９ｚに重なる部分を除去した後、第３透光膜１７を形成する。この状態で、モニター用反射パターン７ｚ、９ｚに光を照射し、膜厚を測定する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、アンカリング強度の大きい光配向膜を形成し、液晶表示装置のＡＣ残像を抑制する。
【解決手段】光配向処理を施す配向膜材料において、剛直な高分子となるポリイミドと、柔軟な高分子となるポリイミドを混合して用いる。本発明にかかるこの材料は、偏光紫外線照射後におけるオリゴマの回転を生じやすく、配向膜のUV吸収二色比を向上させることが出来る。したがって、配向膜による液晶に対するアンカリング強度が強く、ＡＣ残像を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】画素内に容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１の電極と第２の電極と、ソース電極とドレイン電極のうちの一方が前記第１の電極と接続された薄膜トランジスタと、前記一方の電極よりも上層に順に形成される第１のシリコン窒化膜および有機絶縁膜とを有する。前記第２の電極は前記有機絶縁膜よりも上層に形成され、第２のシリコン窒化膜は前記第２の電極と前記第１の電極との間の層に形成され、前記第１のシリコン窒化膜と前記第２のシリコン窒化膜は両者を貫通しソース電極とドレイン電極のうち一方の電極と前記第１の電極とを接続するコンタクトホールを有し、前記第２のシリコン窒化膜は、前記一方の電極と接触する領域を持たず、前記第２のシリコン窒化膜の下面が前記コンタクトホールにおいて前記第１のシリコン窒化膜の上面と接触している。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板１１０側と反対側に反射防止層１３０が形成された反射防止層１３０が形成された電極（図１４のＡに相当するソースドレイン電極層）と、基板１１０側と反対側に反射防止膜が形成されていない反射防止膜除去電極（図１４のＢに相当するソースドレイン電極層）と、基板１１０上に設けられた親液性領域Ｒと、反射防止膜除去電極とに接するように形成された半導体層１５０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿って延出した副画素電極と、前記副画素電極の一端側に接続され第１方向に交差する第２方向に沿って延出した第１主画素電極と、前記副画素電極の他端側に接続され第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出した第２主画素電極と、を備えた第１基板と、前記副画素電極を挟んだ両側にそれぞれ配置され第１方向に沿って延出した第１副共通電極及び第２副共通電極と、前記副画素電極の一端側で第２方向に沿って前記第１主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第１副共通電極と接続された第１主共通電極と、前記副画素電極の他端側で第２方向に沿って前記第２主画素電極とは逆向きに延出するとともに前記第２副共通電極と接続された第２主共通電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または
、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁層と、絶縁層中に埋め込まれたソース電極、およびドレイン電極と、絶
縁層表面、ソース電極表面、およびドレイン電極表面、の一部と接する酸化物半導体層と
、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、絶縁
層表面の一部であって、酸化物半導体層と接する領域は、その二乗平均平方根（ＲＭＳ）
粗さが１ｎｍ以下であり、絶縁層表面の一部とソース電極表面との高低差、および絶縁層
表面の一部とドレイン電極表面との高低差は、５ｎｍ以上の半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】プロセスステップを減らし、製造コストを下げることの可能な表示パネルならびにそれを備えた表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】サブピクセル１１ごとに液晶素子１４およびトランジスタ１５が設けられている。トランジスタ１５は、基板４１上に、ゲート電極４２、ゲート絶縁膜４３、チャネル層４４、ソース電極４５およびドレイン電極４６を含んで構成されている。ドレイン電極４６は、画素電極１６と同一面内に形成されており、さらに画素電極１６と接続されている。画素電極１６は反射電極としての役割も有している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの作製工程において、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁膜、ゲート電極層、酸化アルミニウム膜を順に作成した後、酸化物半導体層および酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、かつ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体層を形成する。また、酸化アルミニウム膜を形成することにより、該トランジスタを有する半導体装置や電子機器の作製工程での熱処理でも大気から水や水素が酸化物半導体層に侵入し、拡散することを防止することができ、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】層数を低減し、製造コストを抑え、かつ点灯異常を抑制して製造歩留まりの向上を図ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素部（ａ）と周辺部（ｃ）とを有する基板を用いた液晶表示装置の製造方法において、ゲート絶縁膜３上に半導体層４と画素電極５を形成した後、基板上に導電膜を平面ベタに形成し、ホトレジストパターンをマスクとして、画素部（ａ）の半導体層４と画素電極５とを電気的に接続するドレイン電極を形成すると共に、画素部（ａ）と周辺部（ｃ）における半導体層４を露出させ、周辺部の半導体層４をエッチング量の指標として用いて画素領域（ａ）の半導体層４をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】省電力で駆動が可能な光導電スイッチング素子、光導電スイッチング素子アレイ、表示装置および画像形成装置を提供すること。
【解決手段】光導電スイッチング素子アレイ１は、第１の共通電極２と、第１の共通電極２に対向配置され、第１の共通電極２との間で電圧が印加される個別電極３と、第１の共通電極２と個別電極３との間に配置され、アドレス光Ｌ２を受光することにより導電性が発現する光導電層４とを備え、光導電層４は、アドレス光Ｌ２を受光した際に電荷を発生する機能を有する第１の電荷発生層４１および第２の電荷発生層４２と、第１の電荷発生層４１および第２の電荷発生層４２でそれぞれ発生した電荷を輸送する機能を有する電荷輸送層４３とを備え、第１の電荷発生層４１と第２の電荷発生層４２とは、電荷輸送層４３の面方向の異なる位置に配置され、電荷輸送層４３の厚さ方向にも異なる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】所望の保持容量を有すると共に、画素電極の表面における凹凸に起因する表示ムラが低減された電気光学装置、これを備えた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０上に、トランジスターと、トランジスターに対応して設けられた画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に、画素電極１５と一部が対向するように設けられ、画素電極１５と誘電体層１４を介して保持容量を構成する容量配線３ｂと、を備え、容量配線３ｂは、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられた絶縁膜１３に埋め込まれるように形成されており、絶縁膜１３と共に画素電極１５側の面が平坦化されてなる。 （もっと読む）

【課題】表示装置等の接続端子部分における腐食による断線を防止する。
【解決手段】第１の配線（２）と第２の配線（６）とを透明導電薄膜（１０）により複数箇所で接続して接続端子を構成する。接続端子部分が第１の配線（２）と第２の配線（６）とによる並列接続となり、且つ、第１の配線（２）と第２の配線（６）とが複数箇所で接続されるため、断線のリスクが大幅に低減される。 （もっと読む）