【課題】単一セルギャップで二重セルギャップと同じ特性を有するアレイ基板を提供する。
【解決手段】アレイ基板（１００）は、スイッチング素子、絶縁層、画素電極、反射板（１７０）、及びインナー偏光子層（１９０）を含む。スイッチング素子は、基板の反射領域に形成される。絶縁層は、基板とスイッチング素子をカバーするが、スイッチング素子のドレイン電極を露出させるホールが形成される。画素電極は、ホールを経由してスイッチング素子と電気的に連結される。反射板は、画素電極をカバーしながら反射領域に形成される。インナー偏光子層は、反射板に対応して形成される。 （もっと読む）

【課題】 製造工程の簡略化により製造コストの削減が可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、第１基板１０の一面に、第１基板１０の一面よりも相対的に親液性を有するパターン領域１２を形成するパターン領域形成工程と、第２基板１４の一面に撥液処理して撥液領域を形成する撥液処理工程と、第１基板１０と第２基板１４の主面同士を微小な間隙ｄ１を設けて略平行に配置する配置工程と、間隙ｄ１を設けて略平行に配置した第１基板１０と第２基板１４とからなる一対の基板を、機能液に接触させる接触工程と、接触工程において所定時間経過の後、一対の基板を機能液から離し、第１基板１０と第２基板１４を離反させる離反工程と、第１基板１０に形成された機能液を乾燥することにより機能液の構成材料からなるパターンを形成するパターン形成工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを有するアクティブマトリクス基板において、基板の伸縮のため製造時に複数のパターンの位置あわせが全面に渡って達成することが困難になる。
【解決手段】基材上に複数の第１配線と、複数の前記第１配線と交差する複数の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを絶縁する絶縁膜と、前記第２配線に隣り合う複数の画素電極と、を備え、前記複数の画素電極の各々に対応した半導体膜が設けられ、前記半導体膜は前記複数の第１配線と前記複数の第２配線とが交差する複数の交差部のうち少なくとも１つの交差部と前記複数の画素電極のうち１つとに重なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開口率を向上し、視野角が広く、かつ、鮮明で明るい画像表示を実現することを目的とする。
【解決手段】第１の基板上に形成された信号配線と、画素電極と、共通電極と、を有し、画素電極と共通電極とは、基板面と平行な電界が生じるように配置され、第１の基板に対向する第２の基板は、画素部の各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層と、第２の基板の前記カラーフィルター層が形成された反対側の面に形成された透光性導電膜と、を有し、各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層は、それぞれ、隣接する画素間において該隣接する画素のカラーフィルター層と重なる部分を有し、第１の基板上の信号配線は、第２の基板上のカラーフィルター層が重なる部分と重畳するように配置される液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 液相法を用いて形成され、優れた動作信頼性を具備するとともに、高歩留まりに製造可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 液相法を用いて形成されてなる電極部材を具備した薄膜トランジスタであって、前記電極部材が、ともに金属材料からなるバリア層と基体層とを積層してなる積層構造を備えており、前記バリア層を構成する金属材料が、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｎから選ばれる１種又は２種以上の金属材料からなる構成とした。例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）６０は、バリア金属膜６１ａ（バリア層）とソース電極膜６６（基体層）との積層構造を有するソース電極３４と、バリア金属膜６１ａ（バリア層）と、ドレイン電極膜６７（基体層）との積層構造を有するドレイン電極３５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示パネルの一方の基板の共通電極と他方の基板のトランスファ電極との電気的接続の有無が簡単に確認できる接続のための導電性樹脂粒子を提供し、さらに、その電気的接続が簡単に確認できる液晶表示パネル及びその検査方法を提供すること。
【解決手段】 一方の基板に共通電極１８を有し、他方の基板にトランスファ電極１７_１〜１７₄を有し、両電極を導電性樹脂粒子４０で接続した液晶表示パネル１０において、該導電性樹脂粒子４０として所定の粒径の柔軟性を有する蛍光性材料含有樹脂粒子の表面を導電性の金属層４２で被覆したものを使用する。
製造された液晶表示パネルの導電性樹脂材料４０の表面の金属層４２にはクラック又は縦割れ４３が生じているため、液晶表示パネル１０に紫外線を含む光を照射すると、蛍光性材料含有樹脂粒子の表面が露出しているので、ここから蛍光が発生する。この蛍光を発しないものは不良品として識別できる。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に第１の膜１０２を形成する工程と、前記第１の膜１０２上にマスク材料を含有する溶液を吐出して前記第１の膜１０２上にマスク１０３を形成する工程と、前記マスク１０３を用いて前記第１の膜１０２をパターニングして前記基板１０１上に塗れ性の低い領域１０４と塗れ性の高い領域１０５を形成する工程と、前記マスク１０３を除去する工程と、前記塗れ性の低い領域１０４に挟まれた前記塗れ性の高い領域１０５に、絶縁膜、半導体膜又は導電膜材料を含有する溶液１０６を吐出して絶縁膜、半導体膜又は導電膜のパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、工程を単純化すると共に、コストを低減できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供するところにある。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイ基板は、基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートライン上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲートラインと交差されるように形成され、ＷＳｉ_ｘ、ＣｏＳｉ_ｘ、ＮｉＳｉ_ｘのうち少なくともいずれか一つを含むデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインの交差部に位置する薄膜トランジスタと、前記ゲートライン及びデータラインの交差で設けられた画素領域に形成され、前記薄膜トランジスタと接続される画素電極と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透過型液晶表示装置として使用したとき、及び反射型液晶表示装置として使用したときのいずれにおいても良好な表示品質が得られる半透過型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】１つの画素毎に、反射電極１２０と、透明電極１２２と、反射電極１２０に接続されたＴＦＴ１１６と、透明電極１２２に接続されたＴＦＴ１１７とを形成する。そして、反射電極１２０にＴＦＴ１１６を介して第１のデータ信号を書き込み、透明電極１２２にＴＦＴ１１７を介して第２のデータ信号を書き込む。このように、反射電極１２０及び透明電極１２２に個別のデータ信号を書き込むことにより、透過型液晶表示装置として使用したとき、及び反射型液晶表示装置として使用したときのいずれにおいても良好な表示品質が得られる。 （もっと読む）

【課題】 配線パターンを形成する際のプロセスタイムを短縮する。
【解決手段】 撥液性を有する基板Ｐ上に配線パターンを形成する配線パターン形成方法であって、液滴吐出法によって親液性材料Ｘ２を上記基板上に吐出配置することによって親液領域Ｈ１を形成する工程と、上記親液領域上に導電性微粒子を含む機能液を配置し乾燥、焼成させることによって上記配線パターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４２を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物に供与する液体の性状に関わらず、特別な装置又は器具等を用いずに、加工対象物を加工し得る方法の提供。
【解決手段】 本発明は、加工対象物上に、液体を配置する第１工程と、前記液体に気体を溶解させ、当該液体を変質させて、前記加工対象物を当該変質後の液体により加工する第２工程とを含む加工方法により、上記課題を解決する。また、前記第１工程が、インクジェット法により前記液体を配置する工程であることが好ましい。 （もっと読む）

（課題）
本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
（解決方法）
基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。
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ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの開口率及び透過率を向上させることができる、指紋認識素子を内装した型液晶表示装置が開示される。指紋識別基板４００は、ＴＦＴ基板３００に取付けられる。該ＴＦＴ基板は、カラーフィルタ３３６と薄膜トランジスタがセルフアラインされるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造を有する。薄膜トランジスタ基板のカラーフィルタと薄膜トランジスタとのアライン不良を除去してミスアラインを減少させることができ、開口率を大きく向上させてディスプレイ特性を向上させることができる。また、ガラス基板数を減少させ、透過率が増加されることによって、指紋認識の感度を更に向上させることができる。
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【課題】 配線パターンの引き回しが容易になったり、基板の小型化を図ったりすることができる半導体素子の実装構造等を提供する。
【解決手段】 基板に対して、フェイスダウンボンディングするためのバンプ電極群を備えた半導体素子と、基板上の配線パターンと、を電気接続した半導体素子の実装構造等であって、バンプ電極群が、半導体素子の一辺に沿って配列された第１のバンプ電極列と、半導体素子の対向する一辺から所定距離だけ離して、実質的に直線状に面内配置された第２のバンプ電極列とを含み、基板上に、第１のバンプ電極列に対応した第１の配線パターンと、第２のバンプ電極列に対応した第２の配線パターンとがそれぞれ形成してあり、かつ、鉛直方向に眺めた場合に、第１の配線パターンが半導体素子の一辺と交差するように引き出して形成してあるとともに、第２の配線パターンが、半導体素子の一辺以外の複数辺と交差するように引き出して形成してある。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを用いたディスプレイを目的とする。特に、ナノワイヤ画素トランジスタ、ナノワイヤロウトランジスタ、ナノワイヤカラムトランジスタおよびナノワイヤエッジ電子回路を用いた液晶ディスプレイについて説明する。ナノワイヤ画素トランジスタは、液晶を含む画素に印加される電圧制御に使用される。１対のナノワイヤロウトランジスタに接続されたロウトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタをオン／オフするために使用される。ナノワイヤカラムトランジスタは、ナノワイヤカラムトランジスタに接続されたコラムトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタ全面に印加される電圧を制御するために使用される。
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【課題】 モニター本体などに取り付ける際に生じた導電性の異物によって、アレイ基板端部に設けられる端子部周辺で短絡が生じるのを抑制させた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 前面に液晶パネル３の表示領域を露出させる開口２ａが設けられたフロントフレーム２と、液晶パネル３が載置される内フレーム１１と、ランプユニットを収容するリアフレーム１５とを備え、内フレーム１１の側面には、取付部材を係合させる係合孔１１ｃが設けられ、リアフレーム１５の側面には、液晶パネル３の端子部の位置に対応させて内側へ凹ませた凹部１５ａと、前方へ突出し、取付部材を貫通させる貫通孔１５ｃが形成された突出部とが設けられ、内フレーム１１が、その側面における係合孔１１ｃの周辺に異物の移動を阻止する阻止手段を有するように構成される。 （もっと読む）