【課題】対向電極が平面ベタで形成され、層間絶縁膜を介して櫛歯状の画素電極が形成されたＩＰＳ方式液晶表示装置において、対向電極とその上に形成された層間絶縁膜が剥離することを防止する。
【解決手段】有機パッシベーション膜１０７の上に平面ベタで対向電極１０８が形成されている。対向電極１０８の上に層間絶縁膜１０９を形成する前に、プラズマアッシャー処理を行う。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜１０７の表面が削れてオーバーハング部であるＡ部が形成される。プラズマアッシャー処理によって有機パッシベーション膜１０７の表面が削れるとともに、対向電極１０８の表面も粗面化されるので、層間絶縁膜１０９の有機パッシベーション膜１０７あるいは対向電極１０８との接触面積が増大し、接着力が上昇する。また、プラズマアッシャーによって対向電極１０８上のレジスト残りも除去されるので、層間絶縁膜１０９の接着力が増大する。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提
供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に形成され、トランジスタのソース１０２ｄ、チャネル
領域１０２ｃ、及びドレイン１０２ｂが形成された島状の第１の半導体膜１０２と、ソー
ス１０２ｄ又はドレイン１０２ｂとなる第１の半導体膜１０２と同一の材料から構成され
、下地絶縁膜１０１上に形成された第１の電極１０２ｃと、第１の電極１０２ｃの上方に
形成され、第１の開口パターン１１２を有する第２の電極１０８と、第２の電極１０８の
上方に配置された液晶１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ソース配線とゲート配線とが製造工程中の静電気によるショートを防止すること
が可能な液晶表示装置の素子構造を提供することを目的とする。
【解決手段】ソース配線が第１の半導体層、第２の半導体層、及び導電層によって構成さ
れる。そして、ソース配線とゲート配線の交差部において、ソース配線の端部の導電層を
除去して、半導体層がはみ出した形状とする。なお、ゲート配線、第１の半導体層、第２
の半導体層、及び導電層の材料はＴＦＴを形成するために用いた材料と同一の材料からな
る。 （もっと読む）

【課題】周囲の明るさに合わせた画像表示を行う液晶表示装置を提供することを課題の一とする。或いは、外光を照明光源とする反射モードと、バックライトを用いる透過モードの両モードでの画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】液晶層を介して入射する光を反射して表示を行う反射領域と、バックライトからの光を透過して表示を行う透過領域とを設け、反射モードと透過モードの切り換えを行う。フルカラー画像の表示を行う場合、画素部が第１の領域及び第２の領域を少なくとも有し、第１の領域に、異なる色相を有する複数の光が、第１の輪番に従い順次供給されると共に、第２の領域にも異なる色相を有する複数の光が、第１の輪番とは異なる第２の輪番に従い、順次供給される。透過モード時に、反射領域を黒表示として、外光が反射領域で反射されることによるコントラストの低下を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＭｇ、Ｃａ、Ｃｏ及びＭｎから選択される１種以上の元素を表す。）と、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）（但し、ＹはＢ、Ｙ、Ｃｒから選択される１種以上の元素を表す。）又は４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）（但し、ＺはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなり、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、２価の金属イオン（Ｘ²⁺）、３価の金属イオン（Ｙ³⁺）、及び、４価の金属イオン（Ｚ⁴⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ³⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．８、０．１≦［Ｘ²⁺］／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５、及び、０．１≦｛［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝／｛［Ｉｎ³⁺］＋［Ｘ²⁺］＋［Ｙ³⁺］＋［Ｚ⁴⁺］｝≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを備える薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流、及び、電界起因のリーク電流を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順に形成された微結晶シリコン膜８、非晶質シリコン膜９、及び、Ｎ型非晶質シリコン膜１０を含む半導体層２５と、微結晶シリコン膜８の端部８ｂと接触し、かつ、Ｎ型非晶質シリコン膜１０と接続されたドレイン電極１２とを備える。半導体層２５は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、微結晶シリコン膜８の端部８ｂは、Ｎ型非晶質シリコン膜１０と同じＮ型の導電型を有する。 （もっと読む）

【課題】画質が明るく安価な発光装置およびそれを用いた電気器具を提供する。
【解決手段】同一の絶縁体上に画素部および駆動回路を含む発光装置において、画素部および駆動回路は全てｎチャネル型の半導体素子で形成され、製造工程が簡略化されている。また、画素部に設けられた発光素子は、絶縁体から遠ざかる方向に放射されるため、ほぼ画素電極（ＥＬ素子の陰極に相当する）全体が有効発光領域となる、従って、画素電極の面積を有効に活用した表示領域とすることができ、画質が明るく安価な発光装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】屋外でも使用可能であり、高精細で且つ色調変化の少ない液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】透光性を有する一対の基板と、一対の基板の間に少なくとも液晶素子を含む画素部と、一対の基板の外側に少なくとも画素部に光を入射させる照明部と、一対の基板と照明部の間に第１の偏光部材と、照明部の外側に反射部材と、一対の基板を介して第１の偏光部材と反対側に第２の偏光部材と、画素部の外側に偏光板を介して一対の基板と対向して設けられる第１の光センサおよび第２の光センサとを有し、第１の光センサは外光の照度を検知する機能を有し、第２の光センサは画素部から射出される偏光の色調を検知する機能を有する液晶表示装置である。また、第２の光センサで検知する画素部の色調によって、光源から特定の波長を有する光を射出し、画素部の色調を補正する機能を有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高く、かつ、オン電流の大きい半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体層のチャネル領域に接する絶縁層として、酸素放出量の多い絶縁層を用い、酸化物半導体層のソース領域及びドレイン領域に接する絶縁層として、酸素放出量の少ない絶縁層を用いる。酸素放出量の多い絶縁層から酸素が放出されることにより、チャネル領域中の酸素欠損及び当該絶縁層とチャネル領域の界面準位密度を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。ソース領域及びドレイン領域については、酸素放出量の少ない絶縁層に接して設けることで、ソース領域及びドレイン領域の高抵抗化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】画像の画質を向上させる。
【解決手段】複数のフレーム期間毎に、表示回路に入力される表示データ信号のデータのそれぞれを、左眼用画像データ又は右眼用画像データに交互に切り替え、フレーム期間毎に、複数の表示回路が１行以上の表示回路毎に分けられた複数のグループのそれぞれにおいて、各行の表示回路に表示選択信号のパルスをＺ回（Ｚは３以上の自然数）順次入力し、Ｋ個目（Ｋは２以上の自然数）のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと、Ｋ−１個目のフレーム期間に入力される表示データ信号のデータと、を比較してカラーの画像及び黒の画像を選択的に表示する。 （もっと読む）

【課題】 コモン転移シール部の幅の広がりが抑制された液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】 第１基板２０と第２基板１０との間に設けられた液晶層４０と、液晶層を包囲するシール部３２と、第１基板と第２基板とを電気的に接続する転移部６０とを有し、表示領域と前記表示領域の周辺の非表示領域とを備え、非表示領域内に、第１基板と第２基板との間の間隙が部分的に広い広ギャップ領域を有し、広ギャップ領域は、第１基板または第２基板の表面の凹部を含み、転移部６０とシール部３２の少なくとも一部３２ｃが凹部に設けられている。広ギャップ領域は、例えば、樹脂層６１の貫通孔６１ａによって形成される。 （もっと読む）

【課題】 シール材の内側と外側とで基板間の距離を均一化することによって、セル厚ムラが生じず、表示領域全体で表示の均質化を図ることができる液晶表示用パネル及びそれを備える液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ基板とそれに対向する対向基板がシール材で貼り合わされ、該シール材で囲まれた領域の内側に液晶層が挟持された液晶表示用パネルであって、
該液晶表示用パネルは、シール材で囲まれた領域の内側及び外側にスペーサーが配置され、該薄膜トランジスタ基板は、スペーサーと重畳する領域に配置されたパネル構成部材の厚みが、シール材で囲まれた領域の内側と外側とで実質的に等しい液晶表示用パネル。 （もっと読む）

【課題】特性が良好なトランジスタを提供する。
【解決手段】例えば、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造のトランジスタを作製するに際して、ソースとドレインを構成する導電層を３層の積層構造とし、２段階のエッチングを行う。すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、第１のエッチング工程は少なくとも第１の膜を露出するまで行う。第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 （もっと読む）

【課題】同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。
【解決手段】ゲート配線上に絶縁膜を設けることで、ゲート配線が非選択の期間に液晶にかかるゲート電圧の絶対値を減少させることができる。絶縁膜は遮光性樹脂膜、柱状スペーサーで形成すると、マスク枚数の増加を抑えることができる。また、絶縁膜上に画素電極を形成し、ゲート配線と画素電極が重なり合うようにすることで、画素電極の電界遮蔽効果によって、液晶にかかるゲート電圧を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実
現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と
、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第
２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側
において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチ
ップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性
導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電
気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を防ぐことができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一つとする。或いは、消費電力の低減を実現することができる液晶表示装置及びその駆動方法の提案を課題の一つとする。
【解決手段】第１の領域及び第２の領域を少なくとも有する画素部と、複数の光源とを有し、第１の領域及び第２の領域は、画像信号の電圧に従って透過率が制御される液晶素子と、電圧の保持を制御するオフ電流の著しく低いトランジスタとをそれぞれ有し、複数の光源は、第１の領域に異なる色相を有する複数の光を第１の輪番に従い順次供給すると共に、第２の領域に異なる色相を有する複数の光を第１の輪番とは異なる第２の輪番に従い順次供給する第１の駆動、或いは第１の領域及び第２の領域のいずれか一つまたは両方に単一の色相を有する光を連続して供給する第２の駆動を行い、電圧の保持を行う期間が、第１の駆動と第２の駆動とで異なる液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電界効果移動度が大きい酸化物半導体層を用いた半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。また、高速動作可能な半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層をハロゲン元素により終端化させて、酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接する導電層のコンタクト抵抗の増大を抑制することで、酸化物半導体層と導電層のコンタクト抵抗が良好になり、電界効果移動度が高いトランジスタを作製することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜と電極配線膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、その製造工程において、腐食防止用塗料の塗布や剥離といった工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止できるような薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜と電極配線膜が直接接続する構造を有する薄膜トランジスタ基板であって、前記透明導電膜の結晶最大粒径が２００ｎｍ以下である薄膜トランジスタ基板。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を形成した後、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように、種結晶上に微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件である。第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比を周期的に増減させながら処理室に供給し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】半透過型液晶表示装置において、反射電極と透明電極とを構成する場合、２つの
レジストマスクを用いるため、コストが高い。
【解決手段】画素電極となる透明電極と反射電極を積層させる。反射電極上に半透部を有
する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジ
ストパターンを形成する。レジストパターンを用いて反射電極と透明電極とを形成する。
以上により、１つのレジストマスクを用いて、反射電極と透明電極を形成することが可能
となる。 （もっと読む）