【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩＣの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジスタを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給する。 （もっと読む）

【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】ギャップ保持部材が限られた画素領域内に均一性よく配置され、機械的信頼性に優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】対向する二つの基板の間に、複数の柱状のギャップ保持部材と、液晶と、を備えるアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、複数の薄膜トランジスタを構成する配線の少なくともいずれか一は、複数の薄膜トランジスタのいずれかの電極に接続される複数の非拡張部と、複数の非拡張部と同じ線幅である第１の領域と、該第１の領域に接する第２の領域と、からなる複数の拡張部と、を有し、複数の柱状のギャップ保持部材の一方は該第２の基板に設けられた形成物に接し、複数の柱状のギャップ保持部材の他方は第１の基板に設けられた形成物に接し、複数の柱状のギャップ保持部材は複数の拡張部と重畳させる。 （もっと読む）

【課題】現在、良質な膜を得るために、下地膜から非晶質シリコン膜までの形成プロセスは、各々の成膜室にて行われている。これらの成膜条件をそのまま用いて同一成膜室にて下地膜から非晶質シリコン膜までを連続形成すると、結晶化工程で十分に結晶化されない。
【解決手段】水素希釈したシランガスを用いて非晶質シリコン膜を形成することにより、下地膜から非晶質シリコン膜までを同一成膜室内で連続形成しても、結晶化工程で十分に結晶化可能となる。 （もっと読む）

【課題】必要十分なキャパシティをもつ保持容量を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属表面を有する基板１１と、前記金属表面を有する基板上に形成された絶縁膜１２と、前記絶縁膜上に形成された画素部とを有する半導体装置において、前記画素部は、ＴＦＴと、該ＴＦＴと接続する配線２１とを有しており、保持容量は、前記金属表面を有する基板、前記絶縁膜および前記配線により構成されている。前記絶縁膜の膜厚が薄いほど、また、前記絶縁膜と前記配線の接する領域の面積が大きいほど、大きなキャパシティを得られるので有利である。 （もっと読む）

【課題】偏向光の波面の乱れが生じず、光の利用効率が高く、機械的な可動部がない光偏向器及び光走査装置を提供する。
【解決手段】透明基板１１Ａ，１１Ｂの基板面に形成された透明電極１２Ａ，１２Ｂが互いに対向する状態で配置された一対の透明基板１１Ａ，１１Ｂと、透明基板１１Ｂの光入射面に対して所定の角度θをもって分子方向が配列され、透明基板１１Ａ，１１Ｂ間に収容された液晶１４とを備え、互いに対向する透明電極１２Ａ，１２Ｂのうち少なくとも一方を高抵抗膜で形成し、高抵抗膜で形成した透明電極１２Ｂに給電電極部１５Ａ，１５Ｂを設け、給電電極１５Ａ，１５Ｂに交流電圧を印加する電源１６Ａ，１６Ｂを備えた。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯ_Ｘ膜と、ＳｉＯ_Ｘ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｎ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】横電界方式の液晶表示装置において、高い透過率・コントラストを実現する透明基板およびカラーフィルタを提供するものである。
【解決手段】横電界方式の液晶表示装置に用いられ、液晶を挟持し、液晶に接する側の裏面に酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）による透明導電膜が設けられた透明基板において、透明基板と、透明導電膜の間に透明樹脂からなる層を具備し、透明基板の屈折率をｎ_０、透明導電膜の屈折率をｎ_１、透明樹脂の屈折率をｎ_２としたときに、ｎ_０、ｎ_１、ｎ_２が以下の（式１）を満たすことを特徴とする液晶表示装置用透明基板である。
０．８５×ｎ_０×ｎ_１≦ｎ_２^２≦１．１７×ｎ_０×ｎ_１ （式１） （もっと読む）

【課題】 半導体装置に於けるＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造の形成は、従来、ゲート電極をマスクにセルフアラインで形成しているが、ゲート電極が２層構造となる場合が多く、成膜工程とエッチング工程が複雑になる。またドライエッチング等のプロセスのみでＬＤＤ構造及びＧＯＬＤ構造の形成を行っている為、トランジスタ構造が全て同一構造となり、回路毎にＬＤＤ構造とＧＯＬＤ構造及びシングルドレイン構造を別々に形成することが困難である。
【解決手段】 回折格子パターン或いは半透膜から成る光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスク或いはレチクルをゲート電極形成用フォトリソグラフィ工程に適用することにより、ドライエッチング及びイオン注入工程を通し、回路毎にＧＯＬＤ構造及びＬＤＤ構造及びシングルドレイン構造のトランジスタを簡単に形成することができることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の材料膜（六方晶の結晶構造を有する膜）を形成し、第１の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第２の材料膜（結晶性酸化物半導体膜）を形成し、第１の材料膜と第２の材料膜の積層を形成する。第１の材料膜としては、ウルツ鉱型結晶構造を有する材料膜（例えば窒化ガリウム、或いは窒化アルミニウム）、或いはコランダム型結晶構造を有する材料膜（α−Ａｌ_２Ｏ_３、α−Ｇａ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｔｉ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、或いはα−Ｆｅ_２Ｏ_３）を用いる。 （もっと読む）

【課題】表示画像のコントラストを向上させる。
【解決手段】複数の光検出回路のそれぞれにより第１の光データを生成し、第１の光データを用いて画像処理回路により画像データを生成して記憶回路に保持し、ＣＰＵにより、記憶回路から画像データを読み出し、画像データを画像信号として入出力部に入力し、入出力部により、画像信号から表示データ信号を生成し、生成した表示データ信号を表示回路に入力し、表示回路が画像データに基づく表示状態である間に、複数の光検出回路のそれぞれにより第２の光データを生成する。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離してじん性の高い第１の支持体に移し替え、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい液晶表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】島状半導体層を形成するためのフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省略し、ゲート電極（同一層で形成される配線等を含む）を形成する工程、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される配線等含む）を形成する工程、コンタクトホールを形成する（コンタクトホール以外の絶縁層等の除去を含む）工程、画素電極（同一層で形成される配線等を含む）を形成する工程の４つのフォトリソグラフィ工程で液晶表示装置を作製する。コンタクトホールを形成する工程において、半導体層が除去された溝部を形成することで、寄生チャネルの形成を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】画素部や信号線駆動回路が形成された基板と、ドライバＩＣとの接続配線数を低減させる。
【解決手段】信号線駆動回路は第１乃至第３のトランジスタを有し、第１乃至第３のトランジスタは第１乃至第３の信号線と電気的に接続している。第１乃至第３の信号線は画素部へ延びている。第１乃至第３のトランジスタは共通して、ドライバＩＣの第１端子と電気的に接続している。このような構成により、接続配線数を１／３に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】マスク数が少なく、工程が簡略な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、導電膜と、をこの順に積層して形成し、導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極を形成し、不純物半導体膜を離間させつつ半導体膜の上部を加工してソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域と重畳しない部分の上部が除去された半導体層と、を形成し、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース領域及びドレイン領域、ソース電極及びドレイン電極上にパッシベーション膜を形成し、パッシベーション膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクにより、ソース電極またはドレイン電極に達する開口部を形成しつつ、少なくともパッシベーション膜と半導体層を島状に加工し、エッチングマスクを除去し、ゲート絶縁膜及びパッシベーション膜上に画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、１つのレジストマスクを用
いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。
【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露
光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金
属膜を形成する。以上により、１つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形
成することが可能となる。 （もっと読む）