【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とＴＦＴとの電気的な干渉を抑制する構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された電磁シールド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソース配線と前記画素電極との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、柱状スペーサを設けた半透過型液晶表示装置において、透過領域に用いる色材と反射領域に用いる色材とが同じであっても、反射モードにおける白の色味の変化を抑えることができるとともに、反射率の低下を最小限に抑えることが可能な半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明段は、カラーフィルタ基板３０と、ＴＦＴ基板と、カラーフィルタ基板３０とＴＦＴ基板とに挟持された液晶と、緑の色材を有する画素にのみ形成され、セルギャップを規定する柱状スペーサと、柱状スペーサを形成した位置近傍の所定の領域にのみ設けられた遮光部とを備える。 （もっと読む）

【課題】上層の画素電極と下層のＴＦＴのドレイン電極との間の断線による点欠陥を防止した電気光学表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極１６は、第３の絶縁膜１２および第２の絶縁膜１１を貫通してドレイン電極９上に達する画素ドレインコンタクトホールＣＨの内壁を覆うようにも配設され、画素ドレインコンタクトホールＣＨの底部においては、コンタクト導電膜１５を介してドレイン電極９と電気的に接続される構成となっている。画素ドレインコンタクトホールＣＨは、第２の絶縁膜１１を貫通するコンタクトホール１３と、第３の絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１４とが連通して構成され、コンタクトホール１４は、その底部の寸法よりも開口端の寸法が大きくなるように内壁がなだらかに傾斜して、断面形状がすり鉢状をなすように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 保持容量において誘電体層として用いる陽極酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置１の素子基板１０において、非線形素子４３の絶縁層は、非線形素子用下電極４４の上面４４１を覆う部分が、サリチル酸塩をエチレングリコール−水との混合溶媒に溶解させた有機系電解液中で形成した第１の陽極酸化膜４９であり、側面部４４２を覆う部分が、クエン酸の水溶液からなる水系電解液中で形成した第２の陽極酸化膜４６である。第１の陽極酸化膜４９は第２の陽極酸化膜４６より膜厚が厚く、かつ、誘電率が低い。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射窓の付着物を抑制することで、照射密度の均一化を図り、これによって被処理基板上に均一な膜を形成できる電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 減圧状態に維持された光照射室２内の被処理基板５にエネルギー光８を照射することにより熱処理を施す電気光学装置の製造装置１であって、光照射室２に設けられた光導入用の窓部３と、被処理基板５との間には、当該被処理基板５から放出する放出物質を付着させる防着板７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成にすることなく、消費電力を低下させ、また駆動電圧や消費電力の上昇を招くことなく暗点の発生を抑制することが可能な表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極と、第２の電極と、第１の電極及び第２の電極の間に挟まれた有機化合物を含む積層体を有し、有機化合物を含む積層体には発光層とバッファ層が設けられており、前記バッファ層は有機化合物と無機化合物の混合層でなる。このバッファ層は第１の電極と第２の電極とのショートを防ぐ機能を有している。また上記の有機化合物を含む積層体は有機発光層及び液晶機能を有する層を有している。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】タングステンを固溶したインジウム酸化物を含有し、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００１以上０．０３４以下含まれ、密度が４．０ｇ／ｃｍ³以上６．５ｇ／ｃｍ³以下である酸化物焼結体とする。 （もっと読む）

【課題】 保持容量において誘電体層として用いる陽極酸化膜を薄くすることにより、素子基板上に大きな段差が発生することを防止可能な電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置１の素子基板１０において、非線形素子４３の絶縁層は、クエン酸の水溶液からなる水系電解液中で形成した第１の陽極酸化膜４６であり、保持容量９ａの誘電体層は、サリチル酸塩をエチレングリコール−水との混合溶媒に溶解させた有機系電解液中で形成した第２の陽極酸化膜４９であり、誘電率が低い。従って、同一容量値の保持容量９ａを形成するのに第２の陽極酸化膜４９を薄くできる。 （もっと読む）

【課題】 透明なフィルム基材の一方の面に、前記フィルム基材の側から第一透明誘電体薄膜、第二透明誘電体薄膜および透明導電性薄膜がこの順に形成されている透明導電性積層体であって、透明性等の光学特性に優れた透明導電性積層体を提供すること。
【解決手段】 厚さが２〜２００μｍの透明なフィルム基材の一方の面に、前記フィルム基材の側から第一透明誘電体薄膜、第二透明誘電体薄膜および透明導電性薄膜がこの順に形成されている透明導電性積層体であって、第一透明誘電体薄膜は、真空蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレーディング法により形成され、かつ第一透明誘電体薄膜は、酸化インジウム１００重量部に対して、酸化錫を０〜２０重量部、酸化セリウムを１０〜４０重量部含む複合酸化物からなり、第一透明誘電体薄膜の屈折率をｎ１、第二透明誘電体薄膜の屈折率をｎ２、透明導電性薄膜の屈折率をｎ３としたとき、ｎ２＜ｎ３≦ｎ１の関係を満たすことを特徴とする透明導電性積層体。 （もっと読む）

【課題】 真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有するトップゲート構造の薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。
【解決手段】 窒化シリコンからなる保護膜１６をマスクとして、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜形成用膜およびｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層形成用層を連続してエッチングすることにより、保護膜１６下に半導体薄膜１５を形成し、半導体薄膜１５下の両側にオーミックコンタクト層１３、１４を形成し、そして半導体薄膜１５の上面全体に保護膜１６をそのまま残すことにより、加工精度を良くすることができる。 （もっと読む）

【目的】
ＴＦＴ基板製作時の工程数を削減できると同時に製造歩留まりが高く、さらに明るい画面が得られる液晶表示装置およびその製造方法を提供すること。
【構成】
透明ガラス基板上で少なくとも、チャネル長方向において、透明画素電極の下部のソース金属電極の端部が、半導体層の端部から延在して形成され、さらにデータライン下部に遮光電極、ゲートライン自身を遮光電極とする構成とするようにした。
【効果】
製造工程数の削減、歩留まりの向上、明るい画面が可能である。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】水素、又はＨ_２Ｏを含むガスを用いたスパッタリング法により第１の電極層を形成し、第１の電極層上に電界発光層を形成し、電界発光層上に第２の電極層を形成し表示装置を作製する。また酸化珪素及び酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物からなる第１の電極層と、第１の電極層上に電界発光層と、前記電界発光層上に第２の電極層とを有し、電界発光層は、第１の電極層に接して有機化合物と無機化合物とを含む層を有するように表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】光リーク電流の変化によって発生する残像を防止する液晶表示装置及びその製造方法、並びにエージングシステムを提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置の製造方法は、ゲート電極、ゲート電極上に形成された半導体層、並びに半導体層上で且つゲート電極の両側にそれぞれ形成されたドレイン電極及びソース電極を含む複数の薄膜トランジスタを具備する液晶パネルを製造し、液晶パネルの正常動作時に薄膜トランジスタをターンオフするためにゲート電極に印加される電圧レベルを第３電圧、液晶パネルの正常動作時にドレイン電極に印加される電圧レベルのうち最大電圧レベルを第４電圧、ゲート電極に印加される電圧レベルを第１電圧且つ前記ドレイン電極に印加される電圧レベルを第２電圧とするとき、第１電圧−第２電圧＜第３電圧−第４電圧となるように直流電圧である第１電圧及び第２電圧を印加することを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶が均一で抵抗値が低く電気的な動作が安定なＩＴＯ膜を成膜する液晶表示素子の作製方法を提供する。
【解決手段】画素電極１０と光透過性共通電極（ＩＴＯ４）の間に注入された液晶層６を有する液晶表示素子１の作製方法において、真空槽にターゲットを載置する陰極板と、陰極板に対向配置され、ターゲットに対向配置するように光透過性基板２を支持する陽極板と、ターゲットをスパッタするスパッタ源とを有するスパッタ装置を用い、陽極板に支持された基板を温度２２０℃に保った状態で、スパッタレートを０．５ｎｍ〜０．７ｎｍ／分間にして、スパッタ源によりターゲットをスパッタして光透過性基板２上に光透過性共通電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 銀の使用量を大幅に抑制しつつ高い反射率を維持すると共に、駆動時に液晶にかかる電圧の非対称性をなくして焼き付きやフリッカー等の発生を防止することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 アルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる画素電極１２と該画素電極を駆動する駆動回路とがマトリックス状に配列された駆動基板１４と、対向電極１６が形成された透明基板３４とを、前記画素電極と対向電極とが対向するように間に液晶を挟んで接合してなる液晶表示装置において、前記画素電極上に、銀含有薄膜５０と前記対向電極の材料と実質的に同一な材料よりなる透明導電薄膜５１とを順次積層するように構成する。 （もっと読む）

【課題】実質的なチャネル長の長さを短くし、半導体装置を微細化することができる半導体装置及びその作製方法を提供する。また、実質的なチャネル長の長さを短くすることによってゲート容量を減少させることができ、半導体装置の高速動作及び高性能化を実現できる半導体装置及び、その作製方法を提供する。また、製造工程を簡略化することができる作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に形成されたる島状半導体膜と、島状半導体膜上に形成されたゲート電極とを有する半導体装置であって、ゲート電極は高密度プラズマにより表面を酸化されることによって、スリミング化し、実質的なチャネル長を短くしている。 （もっと読む）

【課題】 フリッカや液晶の焼き付きの発生しない液晶表示装置を、反射率を低下させずに工程数を増加させることなく低コストで、かつ電池腐食の発生を抑制して高い歩留で製造することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 反射画素電極１１（第３の金属膜）とその上層の第２の透明導電性膜１２を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理した。第２の透明導電性膜１２の膜厚を５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすることにより、反射画素電極への現像液の侵入を防止し、下地の画素電極の電池反応による腐食を防止し、高い歩留で製造することが可能である。更に、対向電極基板の透明共通電極との仕事関数差を小さくし、フリッカや液晶の焼き付きの発生しない液晶表示装置を、工程数を増加させることなく低コストで製造することが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関し、ゲート電極や所定の配線の材料に低抵抗金属を用いても、高い信頼性を確保しうる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板は、窒素含有層としてのＡｌＮ膜５１と、主配線層としてのＡｌ膜５０と、ＭｏＮ膜５４とＭｏ膜５３とからなる上層配線層とにより構成された積層構造のゲート電極３３を有している。ゲート電極３３の側面は全体としてなだらかに傾斜するように形成されているので、ゲート絶縁膜３２上に良好な膜質のゲート絶縁膜３２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置に関し、短絡欠陥を容易に修復できる表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に絶縁膜を介して互いに交差して形成された複数のバスライン１２、１４と、バスライン１２、１４の交差位置近傍に形成されたＴＦＴ２０と、ＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続された画素電極１６と、画素電極１６から分離され、ソース電極２２に容量を介して接続された画素電極１７と、画素電極１６、１７を分離する間隙部４０とを備えた画素領域と、間隙部４０近傍の画素電極１６に間隙部４０に沿って形成されたスリット部４４とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】複雑な駆動回路が不要であり、応答特性が優れた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル１００は、ＴＦＴ基板１１０と、対向基板１３０と、それらの間に封入された液晶からなる液晶層１４０とにより構成されている。１つの画素は、セルギャップが４μｍに設定された領域Ｉと、透明絶縁膜１３５が形成されてセルギャップが２μｍに設定された領域IIとに分割されている。領域Ｉでは電圧を印加すると液晶分子の配向が安定する直前に輝度が高くなる現象（オーバーシュート）が発生し、領域IIではオーバーシュートが発生しない。画素全体の応答特性では、これらの領域の応答特性を合成したものとなる。画素全体における輝度の最大値が、安定時の輝度の１１０％以下となるように、領域Ｉ，IIの面積比やセルギャップ等のパラメータを設定する。 （もっと読む）