【課題】 フォトリソグラフィ法を用いることなく、半導体層をパターニングすることで形成された、半導体装置、電気光学装置、電子機器、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板上方に、第１の導電膜と、第２の導電膜と、上記第１および第２の導電膜上に形成された半導体層と、上記半導体層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された塗布膜と、を有し、上記半導体層と上記塗布膜の幅は等しいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 有機材料を半導体層に用いた半導体装置であって、当該半導体装置が適用される用途に拘らず、特にフレキシビリティが要求されるような用途においても好適に用いることができ、クラックや剥離等の不具合の生じ難い半導体装置を安価に提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置用基板は、基板上に、複数のデータ線と、前記複数のデータ線と交差する複数の走査線と、前記複数の交差に応じて形成される複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタに応じて形成される複数の第１の封止層と、を有し、前記各トランジスタはそれぞれ有機半導体層からなるチャネル領域を有し、 前記各第１の封止層は前記各チャネル領域のいずれかひとつを覆うように形成され、前記各第１の封止層は無機材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】８０４で示されるが共通の活性層であり、この活性層中にチャネル形成領域が形成される。８０１は共通のゲイト電極およびゲイト配線である。８０５は共通のソース電極およびソース配線である。８０６は共通のドレイン電極およびドレイン配線である。そして８０２で示されるのが、ソース／ドレイン電極とソース／ドレイン領域とのコンタクト部分である。このように薄膜トランジスタを複数並列に接続することにより、耐圧が高く大電流を扱うことのできる薄膜トランジスタを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 大きなオン電流と小さなオフ電流を有する、良好な特性の薄膜トランジスタ装置をフォトリソの回数を減らし、安価に提供する。さらに、この薄膜トランジスタ装置を使用した薄膜トランジスタアレイ及び画像の安定し軽量で薄い薄膜トランジスタディスプレイを提供する
【解決手段】 ゲート電極およびキャパシタ下部電極とを有し、その上に形成されたゲート絶縁膜を介してゲート絶縁膜に接してソース電極及びドレイン電極が配置されており、ソース電極及びドレイン電極の間隙を埋めるように半導体層が配置されており、その上に形成された層間絶縁膜を介して画素電極が配置されてなり、平面配置的に見てソース電極が孤立島パターンであり、ゲート電極がソース電極及びドレイン電極の間にあってソース電極をほぼ囲むＣ字状であり、ドレイン電極がゲート電極をほぼ囲むＣ字状であって、ソース電極の内部にキャパシタ下部電極を有する薄膜トランジスタ装置。 （もっと読む）

【課題】 液晶等の電気光学装置において、限られた基板上の領域に、端面リークが生じ難い構造の蓄積容量を備え、これにより高品位の画像表示を可能とし且つ信頼性を高める。
【解決手段】 電気光学装置は、データ線及び走査線と、トランジスタと、該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、表示用電極とを備える。更に、基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、下側電極の下地面の上層側であって且つ上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜を備える。上側電極は、スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在しており、スペーサ絶縁膜の存在によって、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離が増大されている。 （もっと読む）

【課題】 高動作マージン・高信頼性・狭額縁・小型・低コストの駆動回路一体型アクティブマトリクス型の表示装置の提供。
【解決手段】 ゲート線駆動回路１２は、ノードＡを構成する配線等が全てシール材１１よりも外側に配置されている。そのため、シール材１１に覆われている領域よりも容量値が小さいため、対向電極１１の電位変動によるノードＡの電位変動が小さい。したがって、動作マージンや信頼性の低下を、抑制することができる。また、図５（ｂ）に示すように、ノードＡの一部がシール材１１よりも外側に配置されている構成においては、図５（ａ）の構成と比較してシール材１１に覆われている分だけ、対向電極２１との容量が大きくなる。しかし、回路の動作マージンや信頼性の低下への影響を問題ない範囲に抑えることができれば、図５（ａ）と比較してＬを短くすることができる。すなわち、図５（ａ）の構成よりも、さらに表示装置の狭額縁化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】グレートーンマスクを用いて形成されるデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該デバイスパターンと重なり部分を有するように形成されるゲート電極やコンタクトホール等と関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】グレートーンマスク２０を用いて形成される第１のデバイスパターン３０と、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターン３０と重なり部分を有するように形成されるコンタクトホールＨ等の第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するための、第１のデバイスパターン３０に対応するマスクパターンであって、第１のデバイスパターン３０と第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応するグレートーンマスク２０上の領域が半透光部となるマスクパターンと、マスクパターンの半透光部の形成と同時に形成された、第２のデバイスパターンに関係するマークパターン３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ラテラル構造を採用して場合でも、漏れ電流が小さい非線形素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、および非線形素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＤ１０は、下部電極１３ｂと、この下部電極１３ｂの上面および側面を覆うように形成された絶縁体１１と、この絶縁体１１の表面に形成されて相互に離間した上部電極１５ａ、１５ｂとから構成され、絶縁体１１は、下部電極１３ｂの上面を覆う第１の絶縁膜１７ａと、下部電極１３ｂの側面を覆う第２の絶縁膜１４と、第１の絶縁膜１７ａおよび第２の絶縁膜１４を覆う第３の絶縁膜１８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板の貼り合わせ時のアライメント誤差を考慮する必要を無くして画素の微細化や高開口率化が可能であるとともに表示品位を向上可能な液晶パネルを提供する。
【解決手段】 赤色着色層１４Ｒは赤色のカラーフィルタを成すカラーフィルタ部分１４ＲＣとスペーサ部分１４ＲＳとに大別され、両部分１４ＲＣ，１４ＲＳは単一の着色層をパターニングすることによって形成される。同様に、緑色着色層、青色着色層および暗色層も２つの部分に大別される。スペーサ１４Ｓは、赤色着色層１４Ｒのスペーサ部分１４ＲＳと、緑色着色層のスペーサ部分１４ＧＳと、青色着色層のスペーサ部分１４ＢＳと、暗色層のスペーサ部分１４ＺＳとが積層されて成る。スペーサ１４Ｓは、ＴＦＴ１２Ｔ（の半導体層１２ＴＡ）に対向して、アレイ基板１３上に配置されている。スペーサ１４Ｓを容量配線１２ＷＣまたはゲート配線に対向して配置しても良い。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスの複雑化を招くことなく、電気的特性のばらつきを抑えることができ、かつ、下部電極あるいはそれと同時形成した配線の抵抗率を低く抑えることのできる非線形素子、この非線形素子を備えた電気光学装置、及び非線形素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 非線形素子１０は、下部電極１３と、下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを有している。下部電極１３は、下層側に窒素含有のタンタル層１３１からなる立方晶系のタンタル層を備えるとともに、その上層側には、酸素含有のタンタル層１３２を備えている。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単で製造が容易であり、効率の良い光偏向が可能な光偏向素子を提供する。
【解決手段】光偏向素子１は、一対の透明な基板３と、スペーサー４と、複数本の透明なライン電極５と、誘電体層６と、キラルスメクチックＣ相を形成可能な液晶層７と、複数本のライン電極５群を電気的に直列に接続する抵抗膜８を有している。ライン電極５群と抵抗膜８は同一材料で形成されており、抵抗膜８の表面抵抗率をＲ_Ｒ、ライン電極５の表面抵抗率をＲ_Ｅとしたときに、Ｒ_Ｒ＞Ｒ_Ｅであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の品質を高め、これを用いたアクティブマトリクス表示装置の表示品質を向上させる。
【解決手段】 基板５０１、ゲート電極５０２、ゲート絶縁膜５０３、ソース電極５０４、ドレイン電極５０５、及び半導体層５０６を設けた半導体装置であって、さらに、この半導体層５０６上に、この半導体層５０６と同じ形状を有する半導体層パターン化膜５０７を少なくとも１層以上有する構成とし、この半導体層パターン化膜により、半導体層とエッチング加工用のフォトレジストが直接に接しない構成とし、例えばポリビニルアルコールを主たる成分として加工してなる感光性樹脂膜５０８のパターニングを行い、エッチングにより半導体層５０６と半導体層パターン化膜５０７を加工して半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】セルギャップが均一で、液晶分子のスイッチング方向を制御した広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実現する。
【解決手段】第１の基板及び第２基板間に保持された負の誘電性異方性を有する液晶と、第１の基板に設けられた逆スタガ型の薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続され、第１の基板に設けられた第１の電極と、第１の電極に対向する第２の電極と、を有し、第１の電極は、第１の領域及び第２の領域に分割され、第１の領域の液晶の傾きと、第２の領域の液晶の傾きとは対称となる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】回路基板に異方導電性接着材を用いて他の半導体装置等を熱圧着するときに、回路基板の配線パターンに生じる腐食や断線を抑制することができる回路基板及び回路基板への半導体装置の取付方法を提供する。
【解決手段】導電膜１２と、導電膜１２を被覆する絶縁膜３９とが基板２に積層された回路基板１である。絶縁膜３９の内部応力が圧縮応力とされ、半導体装置７が絶縁膜３９との間に異方導電性接着材４６を挟んで絶縁膜３９上に搭載されている。異方導電性接着材４６を用いて半導体装置７を回路基板１上へ熱圧着するときに、異方導電性接着材４６の未硬化部分における導電膜１２の腐食を減らし、導電膜１２に形成された配線の断線を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】画素電極と直接接続でき、しかも、約２５０℃といった比較的低い熱処理温度を適用した場合でも充分に低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを兼ね備えた配線材料を有する薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１〜６原子％、およびグループＸに属する元素を０．１〜２．０原子％の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの少なくとも一種、グループＸは、Ｍｇ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｄｙの少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、例えば、表示装置において、表示ムラを低減することのできる電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板の製造方法、かかる電子デバイス用基板を備える表示装置および信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】
本発明の電子デバイス用基板は、基板と、この基板上に設けられたスイッチング素子と、このスイッチング素子を覆い、前記スイッチング素子の端子（接続部３５４）に到達するコンタクトホール３６１が設けられた層間絶縁膜３６０と、層間絶縁膜３６０上に設けられた画素電極２２３と、画素電極２２３に連続して、コンタクトホール３６１の内面および接続部３５４の表面に、気相プロセスにより形成された導電膜３７１と、コンタクトホール３６１の導電膜３７１内側の空間３６２を埋めるように充填された充填材料３７２とで構成される電気接続部３７０とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】 所望の素子特性を有するＴＦＤを得ることが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置の製造方法は、第２層間絶縁膜２５に、コンタクトホール９，１０，１３，３３，３６，４１，４４を形成するとともに、ＴＦＤの半導体層７１の一部で開口するコンタクトホール７５，７６を形成する工程と、前記コンタクトホールを通してイオン注入することによりＴＦＤを構成する半導体層７１のうちの先に形成したＰ型不純物拡散領域７２とは異なる領域にＮ型不純物拡散領域７４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 放熱性を高めることで、半導体素子の良好な動作を可能とする、電気光学装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子１３が設けられた素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された透光性基板２０と、を備えた電気光学装置１である。そして、素子基板１０は、金属基板１０ａ上に半導体素子１３が設けられて構成されたものである。この素子基板１３は、透光性基板２０側と反対側の面に、フィン形状の放熱部１１を備えている。また、金属基板１０ａは、透光性基板２０の熱膨張係数と略同じとするような材料から構成されている。透光性基板２０は、ガラスからなり、金属基板１０ａを形成する材料が、インバー合金である。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスにおける半導体層の熱的制限の影響が少なく、低コスト化に有利な画素構造を提供する。
【解決手段】 画素構造は、画素電極２０と、この画素電極２０に対応するスイッチング素子１０とを有する。画素電極２０とスイッチング素子１０とが同一の基板Ｐ上に形成されており、スイッチング素子１０における半導体層１１に比べて基板Ｐ側の層（第１層Ｌ１）に画素電極２０が配されている。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供する。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴのソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としている。 （もっと読む）