【課題】短い光路長で線状のビームスポットを形成でき、または長辺方向の長さが長い線状のビームスポットを形成でき、さらにその線方向の両端における集光位置のずれを解消できるレーザ照射装置を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを、長辺方向と短辺方向とを有する線状のビームスポットに成形する光学系を有するレーザ照射装置において、前記光学系は、前記第一の短辺方向集光用シリンドリカルレンズと前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズとの間に長辺方向集光用シリンドリカルレンズが配置され、前記長辺方向集光用シリンドリカルレンズで均一面の位置のずれを発生させ、前記均一面から前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズまでの距離が画角によらず一定となるようにすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロジェクタ等に用いられるアクティブマトリクス型の表示装置において、補助容量と、遮光膜またはシールドパターンを備えた構成について提案する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路を用いた表示装置であって、当該薄膜トランジスタ上に順次形成された第１の絶縁膜、第１および第２の電極、窒化珪素膜、電極パターンと、窒化珪素膜および電極パターン上に形成された第２の絶縁膜と、当該第２の絶縁膜上に順次形成された遮光膜、第３の絶縁膜と、当該第３の絶縁膜上に形成され、第１の電極に接続された画素電極と、を有し、第１の電極、窒化珪素膜、電極パターンによって、容量が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非線形素子の素子特性のばらつき及び経時変化を抑制することのできる構造及び方法並びにこれを用いた電気光学装置の構成及び製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の非線形素子１０は、酸素を含有する金属若しくは合金で構成された下部電極１３と、下部電極１３の上面を覆う上面絶縁膜１４Ａと、下部電極１３の側面を覆う側面絶縁膜１４Ｂと、上面絶縁膜１４Ａ及び側面絶縁膜１４Ｂを介して下部電極１３に接合された上部電極１５と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 液晶ディスプレイ装置の反射式基板の製造方法の提供。
【解決手段】 （ａ）少なくとも一種類の軟性金属或いはその合金で形成された第１金属層を表面に具えた基板を提供するステップ、及び、（ｂ）窒化アルミニウム層を第１金属層の上に形成するステップ、を包含する。本発明の方法は単一ステップを利用し、粗化表面を具えた金属反射層を完成し、大幅に製造の時間とコストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 反射電極の形成の際、突起の角分布を一定に維持しながら、突起の大きさと間隔を縮少して一定の大きさの画素空間を占める突起の密度を増大させることにより、反射モードにおける反射率及び視野角を改善することができる液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 薄膜トランジスタ（４３、４７、４８、４９）及び保護膜５１が順に形成された基板４１を提供するステップと、保護膜５１の上に突起５５が形成される部位を露出させる複数の開口部を有するシャドウマスクを位置させるステップと、シャドウマスクを用い、基板にスパッタリングを行って、スパッタリングラジカルに開口部を通過させ、保護膜５１上に選択的に蒸着させて突起５５を形成するステップと、シャドウマスクを除去するステップと、突起５５を含む基板４１上に反射電極５９を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】均一な画質を有する薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板は、基板と、基板上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャンネル領域を有し、多結晶シリコンからなる複数の半導体と、半導体上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、チャンネル領域と重畳するゲート線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ソース領域と接続されているデータ線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドレイン領域と接続されている画素電極とを備え、半導体の表面は複数の突起（Ｐ）を有し、半導体の長さ（Ｘ）が突起（Ｓ）間の距離の整数倍である。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でＮｉシリサイドを形成する。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、前記基板を加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を１０ｎｍ以上成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 工程時間の短縮と小型化とを実現することができる液晶表示パネル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明による液晶表示パネルは、共通電極を備える第１基板と、共通電極と電界を形成する画素電極と、画素電極と接続された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに信号を供給するための信号ラインと、信号ラインが形成された領域を除いた残りの領域に形成され、共通電極に共通電圧を供給するためのコンタクト部１２４を含む第２基板及びコンタクト部１２４と共通電極とを接続させる導電性スペーサー１８４ａ、１８２ａを有する第１基板と第２基板との間のシーラント１８４、１８２とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位相遅延膜を液晶表示装置内部に形成することによって製品コストを節減できる表示装置と薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透過領域と反射領域を有する表示装置の薄膜トランジスタ表示板であって、基板と、前記基板上に形成される透明電極と、前記反射領域に位置し、前記透明電極上に形成される反射電極と、前記反射電極上に形成される第１位相遅延膜と、前記第１位相遅延膜上に形成され、速い軸の角度が前記第１位相遅延膜の速い軸の角度と互いに異なる第２位相遅延膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ブラシ洗浄により生じた異物を表示領域外で塞き止め捕捉することができ、異物が隣接画素間や対向電極基板と短絡して生じる欠陥をなくす製造方法を得る。
【解決手段】 液晶表示装置１の表示領域２の近傍周辺に異物２８を捕捉ための障壁６を形成する。障壁６の製造方法として、ＴＦＴ１６を形成すると同時にＴＦＴ１６を構成する複数の材料と同一の材料により障壁６を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】画素不良を容易に修理できる薄膜トランジスタ表示板の修理方法を提供する。
【解決手段】ゲート線121、ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線171、各々のゲート線及びデータ線と接続され、ドレイン電極175を備える薄膜トランジスタ、並びにドレイン電極と直接接続されている第１の画素電極190aと、第１の画素電極から分離され、第１の画素電極と容量性結合している第２の画素電極190bとを備える画素電極を含む薄膜トランジスタ表示板において、第１及び第２の画素電極を部分的に選択して薄膜トランジスタから断線させる。 （もっと読む）

【課題】アクティブ基板上に柱状スペーサを形成し、液晶表示装置の生産コストの低減を図る。
【解決手段】アクティブ基板を保護する機能を有するパシベーション絶縁層またはソース・ドレイン配線上に形成された感光性有機絶縁層パターンの形成にあたり、ハーフトーン露光技術を併用して、パシベーション絶縁層上に局所的に感光性有機絶縁層パターンを形成する、感光性有機絶縁層よりなるパシベーション絶縁層の一部の膜厚を厚く形成する、あるいはソース・ドレイン配線上に形成された感光性有機絶縁層の一部の膜厚を厚く形成する等の手段によりアクティブ基板上に柱状スペーサを形成する。 （もっと読む）

【課題】信号配線の断線や画素電極の損傷の発生を伴うことなく、欠陥修正を高精度で行うことができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された複数の走査配線１１と、走査配線１１に交差する複数の信号配線１２と、対応する走査配線１１に印加される信号に応答して動作する複数のスイッチング素子１３と、スイッチング素子１３を介して対応する信号配線に電気的に接続され得る複数の画素電極１４とを備えている。各画素電極１４は、対応する信号配線に基板法線方向から見たときに重なる重畳部を有する。導電部材１８が、絶縁膜２１を介して信号配線１２の下層に設けられている。この導電部材１８は、基板法線方向から見たときに少なくとも一部が画素電極１４の重畳部に重なっており、レーザ光を照射されることによって溶融して信号配線１２と画素電極１４とを接続し得る。 （もっと読む）

【課題】 アレイ基板の検査を実施する上で必要な抵抗値を有する抵抗体を、新たな抵抗材料を追加すること無く、簡単なプロセスにより形成でき、抵抗体における切断処理により問題が生じることの無い薄膜トランジスタアレイ基板等を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ１１を含む本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板では、ゲート配線１・ソース配線２と、ショートリング配線３との間に、抵抗体４が配設されている。抵抗体４は、第一の半導体膜４１と不純物がドープされた第二の半導体膜４２とが当該順に積層された構造を有している。 （もっと読む）

【課題】特性が向上した薄膜トランジスタの製造方法、これを有する表示装置、及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１００は、基板１０５上にゲート電極１１０、ゲート絶縁膜１１５、半導体パターン１２２及び半導体パターン上に相互離隔する第１及び第２導電性接合パターン１２７ａ，１２７ｂ、第１バリヤーパターン１３１，１４１、ソース，ドレインパターン１３３，１４３、及び第１，第２キャッピングパターン１３５，１４５が形成されたソース，ドレイン電極１３０，１４０を含む。第１及び第２導電性接合パターン１２７ａ，１２７ｂが垂直なプロファイルを有するように形成する。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗特性及び信頼性を同時に確保する。
【解決手段】導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する表示装置用配線と、基板１１０、該基板１１０上に形成されているゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜１４０上に形成されているソース電極１７３を含むデータ線１７１及びソース電極１７３と対向しているドレイン電極１７５、及びドレイン電極１７５と接続されている画素電極１９０を有している。ゲート線とデータ線１７１及びドレイン電極１７５の少なくとも一方とは、導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する。これにより、配線の密着性が向上するので剥離を防止することができ、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】
抵抗特性及び透過率特性を損なうことなくエッチング加工性に優れた積層型透明電極膜の製造方法及び積層型透明電極形成用の積層体を提供する。
【解決手段】
本発明による積層型透明電極膜の製造方法は、基板上に第１透明電極膜を形成するステップと、第１透明電極膜の上に酸化銀系薄膜を形成するステップと、酸化銀系薄膜上に第２透明電極膜を形成するステップと、第１透明電極膜、酸化銀系薄膜、第２透明電極膜の積層を加熱して低抵抗化及び透明化するステップとを含み、第１透明電極膜と第２透明電極膜の少なくとも何れかが還元作用を有する。 （もっと読む）

【課題】画素の補助容量に関する新規な構造を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板と、絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜と、結晶性珪素膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、ゲイト電極上に層間絶縁膜を介して形成されたドレイン電極と、ドレイン電極上に形成された誘電体と、誘電体上に形成された導電性被膜とを有し、ドレイン電極は、結晶性珪素膜の５０％以上の面積を覆うように形成され、導電性被膜とドレイン電極とを電極とし、誘電体とで容量を形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを有するアクティブマトリクス基板において、基板の伸縮のため製造時に複数のパターンの位置あわせが全面に渡って達成することが困難になる。
【解決手段】基材上に複数の第１配線と、複数の前記第１配線と交差する複数の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを絶縁する絶縁膜と、前記第２配線に隣り合う複数の画素電極と、を備え、前記複数の画素電極の各々に対応した半導体膜が設けられ、前記半導体膜は前記複数の第１配線と前記複数の第２配線とが交差する複数の交差部のうち少なくとも１つの交差部と前記複数の画素電極のうち１つとに重なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路性能に応じて適切な構造の薄膜トランジスタを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。
【解決手段】動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。 （もっと読む）