【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型のＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜を成膜し、該非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜上にドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型のＴＦＴを形成して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 表示装置の小型化が可能で、かつ表示不良などの検査を行うことができる表示装置を提供する。
【解決手段】 配線群が形成された絶縁性基板１と、前記絶縁性基板の端部近傍に形成され、前記絶縁性基板１の表示領域の配線群と接続される駆動電極出力用配線が形成された面上で、前記配線群に信号を供給する駆動回路３のバンプと接続される電極端子とを備えた表示装置であって、前記絶縁性基板１上に形成された駆動回路出力用電極端子７は、前記駆動回路３が実装された領域以外まで延在して形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 工程数を増大させることなく、遮光性の優れた遮光層を形成可能な電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置において、異なる色に対応する画素５の境界領域において、遮光層２９は、下地層２２の溝状の凹部２２０の内部に形成された反射層２３の一部２３０と、異なる色に対応する反射表示用カラーフィルタ層２５１Ｒ、２５１Ｇ、２５１Ｂのうちの２つの重なり部分２５０とから構成されている。また、同一の色に対応する画素５同士の境界領域において、遮光層２９は、下地層２２の溝状の凹部２２０の内部に形成された反射層２３の一部２３０と、３色の反射表示用カラーフィルタ層２５１Ｒ、２５１Ｇ、２５１Ｂの重なり部分とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板の製造工程の簡素化、及び画素の開口率を低減しないストレージキャパシタの形成。
【解決手段】基板上にゲート電極を有するゲート線と維持電極線を形成し、それら線上にゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜上に半導体層を形成し、その上にオーミック接触部材を形成する。オーミック接触部材上にソース電極を有するデータ線及びドレイン電極を形成し、それらの上に保護膜を蒸着する。保護膜上に第１感光膜を形成し、それをマスクとして保護膜をエッチングし、データ線の一部とゲート絶縁膜の第１部分を露出させる。第１感光膜を変化させ第２感光膜を形成し、それをマスクとして保護膜をエッチングし、ゲート絶縁膜の第２部分とドレイン電極の少なくとも一部を露出させ、且つゲート絶縁膜の第１部分を除去してゲート線の一部を露出させる。導電体膜を蒸着する。第２感光膜を除去してドレイン電極と接続される画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された信号配線１１と、信号配線１１に交差する走査配線１３と、走査配線１３に印加される信号に応答して動作するボトムゲート型の薄膜トランジスタ１４と、薄膜トランジスタ１４を介して信号配線１１に電気的に接続され得る画素電極１５とを備えている。信号配線１１は、第１の層間絶縁膜１２を介して走査配線１３の下層に形成されており、第１の層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２’を介して薄膜トランジスタ１４のソース電極１４Ｓに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 優れた電気伝導性を示すと共に、大気中で繰り返し高温加熱処理が施された場合であっても、優れた耐凝集性を示すフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜を提供する。
【解決手段】 フラットパネルディスプレイ用の配線電極膜であって、Ｂｉを０．０１〜１．５ａｔ％含有し(Ｃｕ、Ａｕ及びＰｄよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１．５ａｔ％含んでいてもよい）、残部実質的にＡｇからなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用Ａｇ基合金配線電極膜。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４１を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３５、３６とを接続する接続配線の一部である上層接続配線４８、５１、５４は、トップゲート電極８が設けられたトップゲート絶縁膜３９上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４２を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 （もっと読む）

（課題）様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
（解決方法）本発明は、基板上に被剥離層を形成し、この被剥離層にエッチングストッパー膜が設けられた封止基板を接着材で貼り合わせ、その後、封止基板のみをエッチングまたは研磨によって除去する。残ったエッチングストッパー膜は、そのままブロッキング膜として機能させる。また、貼り付ける部材としてマグネットシートを貼り付けてもよい。
（もっと読む）

【課題】 良好な素子特性を維持しながら、補助容量線の抵抗に起因した表示品位の低下を抑制する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、互いに交差する方向に延在する走査線２１及びデータ線１３と、データ線１３に一端が接続された二端子型非線形素子であって、第１導電層１４１と、絶縁層１４５と、第１導電層１４１よりも抵抗率が低い材料からなる第２導電層１３１，１４２とを積層してなる二端子型非線形素子１４と、二端子型非線形素子１４の他端に接続され、走査線２１に電気光学物質を挟んで対向する画素電極１６と、第２導電層１３１，１４２と同一の材料からなり、走査線２１と交差する補助容量線１７と、補助容量線１７に接続された第１電極１８１と画素電極１６に接続された第２電極１８２とが相互に対向してなる補助容量１８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 表示品位が高く、周辺回路とのコンタクト性に優れた液晶表示装置を構成するマトリックス基板およびその製造方法を実現する。
【解決手段】 複数の液晶セルを形成するためのマトリクス回路が形成されている液晶用マトリクス基板において、液晶パネルを組み立てるときに貼り合わせ面となる表面に島状に、第１の導電材からなる絵素電極１２と、第２の導電材からなる端子電極１３とを形成する。このとき、第１の導電材は、第２の導電材よりも透過性が高く、かつ、導電性が低いものを使用する。 （もっと読む）

（課題）
本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
（解決方法）
基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。
（もっと読む）

【課題】 ピクセル口径比（開口率）を増大し、静電容量性クロストークを減少させたＴＦＴアレイ、およびそのＴＦＴアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数のコンタクト・バイアス３５あるいは開口部を有するフォトイメージ形成型絶縁層をアドレス線５、７とピクセル電極３間に設け、両者を重複可能とする。この絶縁層により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。望ましい一実施例では、クロストークを減少するために絶縁層の誘電率は約３．０未満である。 （もっと読む）

【課題】フリッカ、焼き付き、中間階調の表示不良などの不具合が発生することを防止し、画像品質を向上する。
【解決手段】複数の走査配線２１１における各行の走査配線２１１ｂが、複数の画素電極１１１のうち、当該行の走査配線２１１ｂの形成領域と異なる領域に形成された画素電極１１１ｂを選択して画素スイッチング素子１１２に走査信号を供給するように形成する。これにより、走査信号を供給する際に、走査配線２１１と画素電極１１１との間で発生する寄生容量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜が薄い低電圧駆動ＴＦＴとゲート絶縁膜が厚い高電圧駆動ＴＦＴとを有する薄膜トランジスタ装置において、高電圧駆動ＴＦＴのゲート電極及びソース／ドレイン電極をＡｌ合金等の低抵抗金属で形成することができ、且つ熱活性化処理により不純物の活性化を行うことができる薄膜トランジスタ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜１１７を形成し、第１の絶縁膜１１７の上にＭｏ膜により低電圧駆動ＴＦＴのゲート電極１１８と高電圧駆動ＴＦＴのチャネルとなる領域を覆うマスク膜とを形成し、ゲート電極１１８及びマスク膜をマスクとし半導体膜１１５に不純物を注入し、高濃度不純物領域１２２，１２４を形成する。その後、例えば５００℃、２時間の条件で熱処理して不純物を活性化する。次いで、マスク膜を除去し、第２の絶縁膜１２６を形成し、その上にＡｌ合金により高電圧駆動ＴＦＴのゲート電極１２７を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品位な表示画像を得る。
【解決手段】加熱温度220℃、保持時間30分の条件下にて、アモルファス系の画素電極の場合はアニ−ル処理Ｃを実行して画素電極１０の抵抗を小さくする。次に、その他の構成要素を取り付けて素子基板を作製すると共にカラーフィルタ基板９１を作製してそれらを貼り合せる等して電気光学装置１００を製造する。これにより、コンタクト抵抗は５００ＫΩ以下の大きさになり、横スジムラ、画素ムラ等の生じない高品位な表示画像が得られる。 （もっと読む）

【課題】 熱安定および低電気抵抗の酸化インジウムスズ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物誘電層２０を形成し、即ち、基板１０の表面に酸化物薄膜を形成するステップａと、酸化物誘電層２０を表面処理し、即ち、酸素をイオン源設備に送入し、酸素がイオン源を通過した後に発生するイオン束により酸化物誘電層２０に表面処理を実行するステップｂと、透明導電膜を形成し、即ち、イオン処理を通過した後の酸化物誘電層２０の上に酸化インジウムスズ膜３０を積層するステップｃとを含む。基板１０は、プラスチックの本体１１と本体１１の一側面に形成される硬質コーティング１２から構成され、本体１１の他側は基板１０の表面１０ａを形成する。酸化物誘電層２０にイオン処理を予め実行することで、酸化物誘電層２０の安定性および精密度を高める。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングの効率を上げ、熱処理時間を短縮させた半導体装置の提供。
【解決手段】多結晶質半導体層におけるリッジに重金属等の不純物元素が偏析することが分かった。このリッジを積極的に利用し、ゲッタリングサイト１２２０,１２２１を形成することにより近接ゲッタリングを行う。さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 表示品質の悪化や製造効率の低下を防止することが可能なアクティブマトリクス装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素部がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス装置であって、少なくとも一つの画素部は、不良箇所を有する第１の回路部と、第１の回路部上に積層され、第１の回路部の少なくとも不良箇所を置き換える第２の回路部と、第１の回路部と第２の回路部との間に設けられた接着層１２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびＴＦＴを有する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】周辺回路およびアクティブマトリクス回路を含む半導体装置において、前記周辺回路および前記アクティブマトリクス回路は、第１の絶縁膜を介して半導体層の下に設けられた第１のゲイト電極および第２の絶縁膜を介して前記半導体層の上に設けられた第２のゲイト電極を含む複数の薄膜トランジスタを含み、前記周辺回路の薄膜トランジスタの半導体層に結晶性半導体が用いられ、前記アクティブマトリクス回路の半導体層に非晶質半導体が用いられたことを特徴とする。 （もっと読む）