【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供する。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴのソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 第１支持基板から第２支持基板に転写する際に、アクティブマトリクス素子の構造や機能を破壊することがなく、信頼性の高いアクティブマトリクス基板の製造方法及びこの製造方法によって得られるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】 第１支持基板２１と、この第１支持基板２１上に設けられた、この第１支持基板２１とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第１成膜層２２と、この第１成膜層２２上に設けられた、この第１成膜層２２とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第２成膜層１３と、この第２成膜層１３上に設けられた、この第２成膜層１３とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第３成膜層１４と、この第３成膜層１４上に設けられた薄膜トランジスタ（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１９，２０）を有する画素のマトリクスとを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、明るく高品位の画像表示を行えるようにする。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続された走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）とを備える。更に、画素電極に接続されており蓄積容量（７０）を構成する中継層（７１）と、これに誘電体膜（７５）を介して対向配置されており蓄積容量を構成する固定電位側容量電極を含む容量線（３００）とを備える。中継層及び容量線は夫々、金属を含んでなり、遮光膜としても機能する。 （もっと読む）

本発明は、銅配線または銅電極の表層に銀薄膜を形成して保護する銅配線または銅電極に関する。また、本発明は、上記銅配線または銅電極を用いる液晶表示装置に関する。基板に銅配線または銅電極を形成した後、上記銅配線または銅電極の表層に銀薄膜を形成する場合、上記銀薄膜が銅配線または銅電極を保護することで酸化またはその他、不要な反応に対する銅の抵抗性を強めることによって、銅電極及び配線の性能を良好に保持することができる。
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【課題】 例えば、ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減しつつ、オフ電流の発生を抑制する。
【解決手段】 レジスト膜３０９に形成された開口部３１０を介してソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´の夫々に不純物をドープする。ここで、ソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´のうち開口部３１０に臨む領域、即ち最終的にソース電極及びドレイン電極が半導体層３０２の表面と接触する領域である接続領域３１１ａ及び３１１ｂに開口部３１０を介して選択的に不純物がドープされる。そして、レジスト膜３０９及び窒化膜３０８を除去した後、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、ゲート絶縁膜３０４、ゲート電極膜３０６を覆うように絶縁膜３１２を形成する。この状態で、半導体層３０２をアニール処理し、半導体層３０２におけるソース領域３０２ｂ´、ドレイン領域３０２ｃ´、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、並びにＬＤＤ領域３０３ａ及び３０３ｂを活性化する。 （もっと読む）

【課題】良好な表示特性を有する液晶電気光学装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板と、ガラス基板上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に形成された平坦化膜と、平坦化膜上に形成された透明導電膜でなる画素電極と、画素電極上にダイキャスト法を用いて形成されたネマチック液晶を有する液晶層と、液晶層上に透明導電膜でなる対向電極と、対向電極上に透光性の樹脂と、を有する液晶電気光学装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を単純化すると同時に、良好な画質を確保できる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。また、本発明の他の目的は、画素の開口率を向上することができる薄膜トランジスタ表示板を提供することである。
【解決手段】 本発明の実施形態による薄膜トランジスタ表示板は、ゲート線、ゲート線と交差するデータ線、ゲート線及びデータ線と分離されている蓄積電極、それぞれのゲート線及びデータ線に接続され、ドレイン電極を備える薄膜トランジスタ、ドレイン電極に接続されている画素電極、薄膜トランジスタを覆い、画素電極下部に配置されている第１絶縁膜、下部絶縁膜上部に形成され、蓄積電極に対応する部分で下部絶縁膜を露出させる開口部を有する第２絶縁膜を備える。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等に使用するＴＦＴアレイ基板を現状よりも少ないフォトリソグラフィ工程数やフォトマスク数で提供して製造コストを削減する。
【解決手段】感光性アクリル樹脂１０を使用するコンタクト形成のフォトリソグラフィ工程において、位相シフト効果を有するフォトマスクを使用し、１度のフォトリソグラフィ工程のみで通常のコンタクトホール部分に必要なテーパ形状を有するパターン１０Ａ、１０Ｂと比較的垂直に近いテーパ形状を有し、かつ微細なパターン１０Ｃを同時に形成する事により、後続工程においてフォトリソグラフィ工程を使用する事無く、絵素電極パターンを分離することが出来る新規技術と公知の４マスクプロセスの組み合わせにより、表示装置用ＴＦＴアレイ基板を３枚のフォトマスクで形成できる新規技術を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ４０μｍピッチ等の高密度の表示パネルとフィルム基板の接続の位置ズレを防止する。
【解決手段】 接続の端子を２段に分け、端子の幅を太幅と細幅の２種類とし、表示パネルの端子には１段目に太幅と２段目に細幅にし、対するフィルム基板の端子は１段目に細幅と２段目に太幅の端子を設け、互いに太幅と細幅を異方性導電膜により接続して構成することにより、位置ズレのマージンを拡大する。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置において、Ｃｒなどからなるソース電極およびドレインライン用外部接続端子とＩＴＯなどの金属酸化物からなる画素電極および上層ドレインライン用外部接続端子との間の接続抵抗値を低くする。
【解決手段】 画素電極１８および上層ドレインライン用外部接続端子２４は、オーバーコート膜１６に形成されたコンタクトホール１７、２３を介して、ソース電極７およびドレインライン用外部接続端子２１上に設けられた、ＩＴＯなどからなる金属酸化膜１１、２２に接続されている。そして、オーバーコート膜１６にコンタクトホール１７、２３をドライエッチングにより形成するとき、コンタクトホール１７、２３を介して露出される金属酸化膜１１、２２の上面はドライエッチングによるプラズマダメージに強く、またエッチングガスにさらされても変質することはない。 （もっと読む）

【課題】表示装置の開口率を減少させずに、充分な保持容量を得ることができる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示板は、基板と、基板上に形成され、第１導電性不純物でドーピングされている複数のソース領域及びドレイン領域、第２導電性不純物でドーピングされている高濃度ドーピング領域、不純物がドーピングされていない維持領域並びにチャネル領域を有する半導体と、半導体上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、チャネル領域と重畳するゲート線と、ゲート絶縁膜上に形成され、維持領域と重畳する維持電極を有する維持電極線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ソース領域またはドレイン領域に接続されているデータ線と、ゲート絶縁膜上に形成され、ソース領域またはドレイン領域及び高濃度ドーピング領域に接続されているドレイン電極と、ドレイン電極に接続されている画素電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴおよび配線上に形成され、表面平坦化のために用いられる透明樹脂からなる層間絶縁膜の膜減りを抑制して、良好な表示特性を有する高開口率の液晶表示装置を高歩留りで得る。
【解決手段】ＴＦＴ１３および配線上に透明樹脂からなる層間絶縁膜１０を形成し、この層間絶縁膜１０上に下層のソース電極配線６等と重なりを持つ画素電極１２が形成された構造を有するＴＦＴアレイにおいて、ゲート電極２ａ層上に形成されるゲート絶縁膜４がアモルファスシリコン等からなる半導体層５と同一パターンに形成された構造とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴおよび配線上に形成され、表面平坦化のために用いられる透明樹脂からなる層間絶縁膜の膜減りを抑制して、良好な表示特性を有する高開口率の液晶表示装置を高歩留りで得る。
【解決手段】ＴＦＴ１３および配線上に透明樹脂からなる層間絶縁膜１０を形成し、この層間絶縁膜１０上に下層のソース電極配線６等と重なりを持つ画素電極１２が形成された構造を有するＴＦＴアレイにおいて、ゲート電極２ａ層上に形成されるゲート絶縁膜４がアモルファスシリコン等からなる半導体層５と同一パターンに形成された構造とする。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスの複雑化を招くことなく、電気的特性および信頼性の向上を図ることのできる非線形素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として備えた電気光学装置、及び非線形素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 非線形素子１０は、タンタルなどからなる下部電極１３と、下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを有している。下部電極１３は、下層側に酸素を含有しない酸素非含有層１３２、上層側に向けて酸素含有率が連続的に増加する酸素含有率傾斜増加層１３３と、酸素を含有する最上層１３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の画素ＴＦＴ、および、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置において、基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置用配線及び前記配線を含む薄膜トランジスタ表示板に関する。
【解決手段】本発明は、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、及びクロム（Ｃｒ）から選択された少なくとも一つの金属を含有する銅合金からなる表示装置用配線、並びに、基板、前記基板上に形成されているゲート線、前記ゲート線と交差するデータ線、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている薄膜トランジスタ、及び前記薄膜トランジスタに接続されている画素電極を含み、前記ゲート線及び前記データ線のうちの少なくとも一つは、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、及びクロム（Ｃｒ）から選択された少なくとも一つの金属を含有する合金からなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。 （もっと読む）

【課題】線状のレーザー光を用いたアクティブマトリクス領域の形成工程において、レーザー光のビーム内照射エネルギー密度のバラツキによる縞模様表示を抑制する。
【解決手段】基板上に下地膜を成膜し、下地膜上にマトリクス状に配置された半導体薄膜を形成し、マトリクス状に配置された半導体薄膜の行方向および列方向に対し、０°または９０°以外の角度を有した第１の方向に長手方向を有する線状のレーザー光を走査しながら半導体薄膜に対して照射した後、第１の方向とは異なり、マトリクス状に配置された行方向および列方向に対し、０°または９０°以外の角度を有した第２の方向に長手方向を有する線状のレーザー光を走査しながら半導体薄膜に対して照射する。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の増加やスイッチング素子の駆動能力の低下を伴うことなく、走査配線と信号配線との交差部に形成される容量を低減することが可能なアクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された走査配線１１と、走査配線１１に交差する信号配線１３と、走査配線１１に印加される信号に応答して動作する薄膜トランジスタ１４と、薄膜トランジスタ１４を介して信号配線１３と電気的に接続され得る画素電極１５とを備えている。信号配線１２は、薄膜トランジスタ１４を覆う層間絶縁膜１２上にソース電極１４Ｓおよびドレイン電極１４Ｄとは異なる導電層から形成され、且つ、層間絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール１２’を介してソース電極１４Ｓに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴに匹敵する性能を有した半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基体上に非晶質珪素膜を成膜し、非晶質珪素膜上に選択的にマスク絶縁膜を形成して結晶化を助長する金属元素を導入させ、第１の加熱処理により非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜にし、マスク絶縁膜を除去し、パターニングすることにより島状の結晶性珪素膜を形成し、ハロゲン元素を含む雰囲気中において第２の加熱処理を行うことにより、島状の結晶性珪素膜中の金属元素をゲッタリング除去すると共に、ゲイト絶縁膜として用いる熱酸化膜を島状の結晶性珪素膜の表面に形成し、熱酸化膜上にゲイト電極を形成し、一導電性を付与する不純物イオンを注入して島状の結晶性珪素膜にソース領域、ドレイン領域を形成し、ソース領域及び前記ドレイン領域上面に金属膜を形成し、ソース領域とドレイン領域をシリサイド化することを特徴とする。 （もっと読む）