【課題】 透明導電層の形状を均一にして、かつ電気的特性の劣化を抑制することができる透明導電層の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜３４（画素電極コンタクトホール３６上側）の表層に機能液を撥液する撥液性を付与し、ドレイン領域３１ｄの表層（画素電極コンタクトホール３６の底部）に機能液を親液する親液性を付与し、ドレイン領域３１ｄと電気的に接続する緻密な膜構造の緻密透明導電層３８を気相プロセスで形成する前に、画素電極コンタクトホール３６内を充填する段差被覆性の高い塗布透明導電層３７を液相プロセスによって形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 初期的な非線形が高く、かつ、常温通電および高温通電の前後において非線形性の不可逆的な変動が発生しない非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０の製造工程では、タンタルからなる下部電極１３の表面を陽極酸化して酸化膜１４を形成した後、上部電極１５を形成する前に、不活性雰囲気中での第１のアニール工程と、水素含有雰囲気中でのアニールにより水素原子を前記酸化膜中に導入する第２のアニール工程とを行う。その際、第１のアニール工程での最高アニール温度は３８０から４２０℃であり、第２のアニール工程での最高アニール温度は２８０から３２０℃である。 （もっと読む）

【課題】パッド部が狭小化した場合においても、下層の配線との電気的接続を確保しつつ、検査用触手を用いた検査を行うことができるパッド部を備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】パッド部３は、配線３１と、配線３１に達するコンタクトホールＣ１が形成された絶縁膜３２と、コンタクトホールＣ１内および絶縁膜３２上に形成された導電膜３３とを有する。コンタクトホールＣ１は、パッド部３の領域内で複数に分割して形成されており、コンタクトホールＣ１の非形成領域における導電膜３３により、検査用触手が接触する接触部Ａｒを確保している。 （もっと読む）

低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できるＴＦＴ等を提供する。ＴＦＴは、小熱容量部と大熱容量部とを有する多結晶Ｓｉ膜からなり、小熱容量部が少なくともチャネル部として用いられものである。そして、多結晶Ｓｉ膜は、小熱容量部が完全溶融するとともに大熱容量部が完全溶融しないエネルギ密度のレーザアニールによる結晶粒膜によって形成されている。小熱容量部と大熱容量部との界面から成長した粗大結晶粒によってチャネル部が構成されるので、一般的なレーザアニール装置を用いて低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できる。
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【課題】 ドリフト現象を確実に防止することのできる非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルからなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、この酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。上部電極１５を形成する際、その成膜工程では、非加熱状態で成膜を開始し、酸化膜１４中の酸素欠陥の増大を防止する。 （もっと読む）

【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を透明導電膜に使用することにより、Ａｌ配線を設けた積層回路基板の製造方法を簡略化する。
【解決手段】 透明基板と、前記透明基板上に設けられた配線であって、ＡｌあるいはＡｌ合金からなるＡｌ配線と、酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化スズを主成分とする導電性酸化物からなり、前記Ａｌ配線に直接接合する透明導電膜と、を含むことを特徴とするＡｌ配線を備えた透明導電膜積層回路基板を構成する。バリヤーメタルを間に設けず、直接Ａｌ配線と透明導電膜が直接接合しているので、製造工程を簡略化することができる。また、特定の組成の導電性酸化物を用いたので、Ａｌ配線と直接接合しても接触抵抗を小さな値に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 画素面積が減少しても容量比を確保することが可能な電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、電気光学物質１３０と、該電気光学物質の一側に配置された画素電極１１４と、該画素電極に接続されたスイッチング素子１１７と、前記電気光学物質を介して前記画素電極に対向する対向電極１２２とを有する電気光学装置において、前記画素電極に対して前記電気光学物質とは反対側に対向配置され、前記画素電極との間の前記画素領域に対向する領域内に補助容量を構成する容量電極１１２を光反射性導電体により設け、前記容量電極により反射表示が可能に構成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 接合容量（Ｃｇｄ）を減少し、フィードスルー効果、又は接合容量（Ｃｇｄ）が大き過ぎることで生じる問題を改善できる薄膜トランジスタ構造を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタアレイ基板は、基板３００、前記基板３００の上に形成されるゲート電極３０２、前記基板３００と前記ゲート電極３０２を覆うゲート誘電体層３０８、前記ゲート誘電体層３０８の上に形成され、チャネル７１２を含む半導体層３１４、前記半導体層３１４における前記チャネル７１２の一方の側の部分と電気的に接続されたソース電極３２２、及び前記半導体層３１４における前記チャネル７１２の他方の側の部分と電気的に接続され、前記ゲート電極３０２に重ならないようにして配置されたドレイン電極３２４を備える。 （もっと読む）

【課題】 長時間の連続通電時や高電界の印加時においても素子破壊が発生しない非線形素子、この非線形素子を介して画素電極を駆動する電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、ニオブまたはその合金からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。ニオブの陽極酸化膜からなる絶縁体１４は、欠陥が多いため、長時間の連続通電時や高電界の印加時において過電流に起因する破壊が分散して起こるので、素子破壊が発生しにくい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ表示板の製造工程を簡素化し、薄膜トランジスタの不良率を減らす。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にゲート線を形成する段階、ゲート線上に第１絶縁膜を形成する段階、第１絶縁膜上に半導体層を形成する段階、半導体層上にデータ線及びドレーン電極を形成する段階、データ線及びドレーン電極上に第２絶縁膜を蒸着する段階、第２絶縁膜上に感光膜を形成する段階、感光膜をマスクとして第２絶縁膜と第１絶縁膜をエッチングすることによってドレーン電極の少なくとも一部と基板の少なくとも一部を露出する段階、露出されたドレーン電極の一部を除去する段階、導電膜を蒸着する段階、そして感光膜を除去してドレーン電極と連結される画素電極を形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】不良の発生を低減することができる印刷パターンを用いた処理方法及び印刷パターンの製造装置、特に、液晶パネルの製造方法及び製造装置の提供。
【解決手段】印刷法を用いて、被エッチング膜２の上にレジスト３などの印刷パターンを形成した後、該印刷パターンをマスクとしてエッチングなどの処理を行う前に、プラズマアッシングなどのドライエッチングや現像処理などのウェットエッチングを用いてレジストを厚さ方向に薄化する薄化処理（図１（ｂ））を実施する。これにより、レジスト形成領域以外の不要な部分にレジストが付着した場合でも、付着したレジスト４を除去するか若しくはサイズを小さくし、付着したレジスト４下部に被エッチング膜２を残さないか若しくは非常に小さくし、配線のショート、パターン残りによる点欠陥等の不良の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】 インジウムを使用しない透明電極であり、耐アルカリ性や湿熱安定性に優れ、しかもエッチング性に優れた透明電極を提供する。
【解決手段】 酸化亜鉛及び酸化スズを主成分とし、電極端部のテーパー角が３０〜８９度である透明電極。この透明電極中の亜鉛原子とスズ原子の総量に対する、亜鉛原子の割合（Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）、原子比）は０．５〜０．８５であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】矩形状の透過部の周囲に反射部が形成された液晶表示装置において、透過部と反射部との間の液晶分子の配向の不連続性を改善し、液晶分子の応答速度を高める。
【解決手段】互いに対向するアクティブマトリクス基板２０及び対向基板３０と、両基板間に挟持され、液晶分子４１を含む液晶層４０と、アクティブマトリクス基板２０の上に設けられた透明電極３と、透明電極３の上に設けられ、矩形状の開口部を有する絶縁層１３と、絶縁層１３とその絶縁層１３の開口部の内壁に傾斜して形成された傾斜面１８との上に設けられ、透明電極３に接続された反射電極４とを有し、反射電極４が反射部を構成し、透明電極３のうち、反射電極４から矩形状に露出した部分が透過部を構成する垂直配向方式の液晶表示装置であって、反射電極４は、傾斜面１８において、切り欠き部１９を有している。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、シリコンから成る半導体層と画素電極とのコンタクトを良好にする。
【解決手段】ドレイン領域２１１のコンタクトホール２１７にスパッタ法により、５ｎｍの厚さのチタン膜２１９、１２０ｎｍ厚さのＩＴＯ膜２１９ｂを成膜し、パターニングして、画素電極２１９を形成する。水素雰囲気中で、３００℃の温度で加熱処理することにより、活性層２０３の欠陥が修復されると同時に、チタン膜２１９ａが酸化されて、透光性を有する酸化チタン膜２１９ｃになる。チタン膜２１９ａはシリコンよりも酸化ポテンシャルが低く、かつＩＴＯ膜２１９ｂの主成分である酸化インジウムよりも酸化ポテンシャルが高いため、シリコンが酸化されることなく、チタン膜２１９ａのみが酸化されて、酸化チタン膜２１９ｃになるので、画素電極２１９とシリコンのコンタクト抵抗の増加を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 インジウムを使用しない透明電極を、電極端部の形状を逆台形することなくエッチングできる透明電極の製造方法を提供する
【解決手段】 酸化亜鉛及び酸化スズを主成分する透明導電膜を、電極端部のテーパー角が３０〜８９度となるようにエッチングする透明電極の製造方法。この製造方法において、透明電極中の亜鉛原子とスズ原子の総量に対する、亜鉛原子の割合（Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）、原子比）が０．５〜０．９であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は表示素子に適用される液晶表示装置およびその方法に関し、特に工程を単純化し得る液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、第１および第2基板と；前記第１基板上のゲートラインと；前記第１基板上のゲート絶縁膜と；前記ゲートラインと交叉して画素領域を限定するデータラインと；前記画素領域内の画素ホールと；前記画素領域内の前記画素ホールの前記ゲート絶縁膜上に透明導電層で形成された画素電極；およびゲート電極、ソース電極、ドレーン電極および半導体層を含む薄膜トランジスターを含み；前記半導体層は前記データライン、ソース電極およびドレーン電極を含むソースとドレーン金属パターンと重なり；前記ドレーン電極は前記半導体層から前記画素電極の上部側へ突出して前記画素電極と接続され；前記半導体層は前記半導体層が前記導電層に重なるところから除去されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】短い光路長で線状のビームスポットを形成でき、または長辺方向の長さが長い線状のビームスポットを形成でき、さらにその線方向の両端における集光位置のずれを解消できるレーザ照射装置を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを、長辺方向と短辺方向とを有する線状のビームスポットに成形する光学系を有するレーザ照射装置において、前記光学系は、前記第一の短辺方向集光用シリンドリカルレンズと前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズとの間に長辺方向集光用シリンドリカルレンズが配置され、前記長辺方向集光用シリンドリカルレンズで均一面の位置のずれを発生させ、前記均一面から前記第二の短辺方向集光用シリンドリカルレンズまでの距離が画角によらず一定となるようにすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロジェクタ等に用いられるアクティブマトリクス型の表示装置において、補助容量と、遮光膜またはシールドパターンを備えた構成について提案する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、薄膜トランジスタを有する画素マトリクス回路を用いた表示装置であって、当該薄膜トランジスタ上に順次形成された第１の絶縁膜、第１および第２の電極、窒化珪素膜、電極パターンと、窒化珪素膜および電極パターン上に形成された第２の絶縁膜と、当該第２の絶縁膜上に順次形成された遮光膜、第３の絶縁膜と、当該第３の絶縁膜上に形成され、第１の電極に接続された画素電極と、を有し、第１の電極、窒化珪素膜、電極パターンによって、容量が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示素子に適用される液晶表示装置及びその製造方法に係り、必要となるマスク工程の数を減少させることができる構造及び製造工程を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、第１基板及び第２基板と、第１基板上のゲートラインと、第１基板上の共通ラインと、第１基板上に配設され、共通ラインと接続する共通電極と、ゲートラインと、共通ライン及び共通電極上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配設され、ゲートラインと交差するデータラインと、ゲートラインと接続するゲート電極と、データラインと接続するソース電極と、ドレイン電極及びソース電極とドレイン電極との間にチャネルを形成する半導体層を備える薄膜トランジスタと、ドレイン電極と接続し、画素電極の一部と重畳する画素電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 プラスチック基板の熱膨張によるミスアラインメントを防ぐことができる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板上にゲート電極を有するゲート線を形成する工程と、前記ゲート線上部にゲート絶縁膜及び半導体層を形成する工程と、前記半導体層を１次パターニングする工程と、前記半導体層を２次パターニングする工程と、前記半導体層及び前記ゲート絶縁膜上にソース電極を有するデータ線及び前記ソース電極と所定間隔で対向するドレイン電極を形成する工程と、前記ドレイン電極と接続されている画素電極を形成する工程を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 （もっと読む）