【課題】トランジスタを有するアクティブマトリクス基板において、基板の伸縮のため製造時に複数のパターンの位置あわせが全面に渡って達成することが困難になる。
【解決手段】基材上に複数の第１配線と、複数の前記第１配線と交差する複数の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを絶縁する絶縁膜と、前記第２配線に隣り合う複数の画素電極と、を備え、前記複数の画素電極の各々に対応した半導体膜が設けられ、前記半導体膜は前記複数の第１配線と前記複数の第２配線とが交差する複数の交差部のうち少なくとも１つの交差部と前記複数の画素電極のうち１つとに重なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのリーク電流を許容範囲内に抑えた状態で、オン電流を増加させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板１１上に設けられた画素電極の駆動用の薄膜トランジスタ１０を備えた表示装置であって、薄膜トランジスタ１０を構成するゲート電極１９と薄膜半導体層１４とを覆う状態で設けられる層間絶縁膜２０と、接続孔２１を通じてソース・ドレイン領域１７に接続された状態で、層間絶縁膜２０上に設けられる信号配線２２と、接続孔２１’を通じてソース・ドレイン領域１７’に接続された状態で、層間絶縁膜２０上に設けられる引き出し電極２３とを備えており、引き出し電極２３は、薄膜トランジスタ１０のリーク電流の許容範囲内で、オン電流が増加するように、ソース・ドレイン領域１７’側からＬＤＤ領域１６’上の所定範囲を覆う状態で、層間絶縁膜２０上に配設されていることを特徴とする表示装置である。 （もっと読む）

【課題】 ＴＦＴを非接触で検査する。
【解決手段】 半導体画素電極７のエネルギーギャップ以上のエネルギーに相当する第１波長の光を、画素電極７上へと照射する手段２と、前記第１波長の光の照射により発生した電子が薄膜トランジスタ６へと流れるように、画素電極７に非接触で負の電圧を与える手段３と、薄膜トランジスタ６に接続された電流測定手段を用いて、前記電子の量を測定する手段と、測定された電子量から、前記第１波長の光の照射により生じた電子の量を前記負の電圧に基づいて計算する演算手段であって、計算された電子量と前記第１波長の光を前記画素電極に照射した領域の面積から予測された電子の量とを比較することにより、画素電極７または薄膜トランジスタ６に欠陥があるかどうかを判断するものである演算手段とを含んでなる検査装置１とこれを用いた検査方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開口率を向上し、視野角が広く、かつ、鮮明で明るい画像表示を実現することを目的とする。
【解決手段】第１の基板上に形成された信号配線と、画素電極と、共通電極と、を有し、画素電極と共通電極とは、基板面と平行な電界が生じるように配置され、第１の基板に対向する第２の基板は、画素部の各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層と、第２の基板の前記カラーフィルター層が形成された反対側の面に形成された透光性導電膜と、を有し、各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層は、それぞれ、隣接する画素間において該隣接する画素のカラーフィルター層と重なる部分を有し、第１の基板上の信号配線は、第２の基板上のカラーフィルター層が重なる部分と重畳するように配置される液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 プラスチック基板の切断方法を改善した可撓性液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１基板を支持体に付着する段階と、前記第１基板のみを切断して第１領域と第２領域とに分離する段階と、前記第１基板と前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階と、前記第１基板から前記第２領域の基板を除去する段階と、を含む。これにより、これにより、各支持体から基板を除去する時に別途の工程を追加することなく薄膜トランジスタ表示板の駆動部に対応するカラーフィルター表示板領域を容易に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置に用いるインバータ回路に関する。
【解決手段】インバータのＮチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＮ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、かつ前記Ｎ型の不純物の少なくとも１つと重なっているゲイト電極とを有する。
またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】視認性を安定的に確保することができる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上(110)にゲート線(121)及びゲート線から分離されている容量性補助電極(136)が形成されており、ゲート線と絶縁されて交差するデータ線(171)が形成されている。ゲート線及びデータ線と連結されドレイン電極(175a)を有する薄膜トランジスタ、及びドレイン電極に連結され容量性補助電極と重畳する容量性結合電極(176)が形成されている絶縁基板の上部には、ドレイン電極と連結されている第１画素電極(190a)、及び容量性補助電極と連結されている第２画素電極(190b)を有する画素電極(190)が形成されている。この時、画素電極は、複数の小領域に分割する切開部(91,92,,)を有するが、ドレイン電極、容量性補助電極、及び容量性結合電極などのような薄膜で覆われない小領域は対称構造をなす。 （もっと読む）

【課題】非晶質透明導電膜のアンカー効果を高めて接着力を向上させ、耐久性に優れた透明導電膜を得、また、ＡＣＦや検査用プローブとの接触抵抗を低減可能な透明導電膜を得ることを目的とする。
【解決手段】表面粗さの最大値であるRmaxの値が、１０ｎｍ以上であることを特徴とする非晶質透明導電膜を提供する。この非晶質透明導電膜と異方導電フィルム（ＡＣＦ）との間、及びこの非晶質透明導電膜と検査用プローブとの間、等に生じる接触抵抗を小さな値にすることができる。また、この非晶質透明明導電膜は、アンカー効果を従来より大きくでき、その結果、従来より耐久性の向上を図ることができる。
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【課題】 熱処理が施された場合でも、従来技術では発生しやすかったボイドが抑制され、低電気抵抗率が維持されるＣｕ合金薄膜を提供する。
【解決手段】 ＦｅおよびＰを含み残部が実質的にＣｕであるＣｕ合金薄膜であって、該ＦｅとＰの含有量が下記式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とするＣｕ合金薄膜であり、２００〜５００℃で１〜１２０分間の熱処理が施された場合に、Ｆｅ₂ＰがＣｕの結晶粒界に析出するＣｕ合金薄膜。 1.4 Ｎ_Fe＋ 8 Ｎ_P ＜ 1.3 …（１） Ｎ_Fe＋ 48 Ｎ_P ＞ 1.0 …（２） 12 Ｎ_Fe＋ Ｎ_P ＞ 0.5 …（３）［式中、Ｎ_FeはＦｅの含有量（at％）、Ｎ_PはＰの含有量（at％）である］ （もっと読む）

【課題】視認性に優れ、かつ、高解像度表示が可能であり、反射光と透過光とを共に表示に利用することができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】対向する表面に配向膜２・３が形成された一対の基板４・５と、該一対の基板間４・５に挟持された液晶層１とを有する液晶表示素子２００を備えた液晶表示装置であって、上記一対の基板４・５のうち表示面側とは液晶層１を挟んで反対側の基板５に反射膜８が形成された反射表示部９と、反射膜８が形成されていない透過表示部１０とを備えるとともに、上記反射表示部９の液晶配向と上記透過表示部１０の液晶配向とを同時に互いに異なる液晶配向とする配向機構を有し、上記一対の基板４・５における液晶層１との非接触面側に偏光板１４・１５が配置され、上記偏光板１４・１５と基板４・５との間に位相差補償板１６・１７が配置されている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、層間絶縁膜のピンホールや欠陥に起因する電極間の短絡不良を防ぐ。
【解決手段】ゲート電極２、保持容量共通電極３、ゲート配線４、ゲート端子５、ソース電極９、ドレイン電極１０、ソース配線１１及びソース端子１２といった第１の電極と、画素電極２２、ゲート端子パッド２３及びソース端子パッド２４といった第２の電極とを絶縁する層間絶縁膜１４，１８を、少なくとも二層以上で形成するとともに、この層間絶縁膜１４，１８に形成されるコンタクトホールを少なくとも二回以上の工程によって形成する。層間絶縁膜１４，１８にピンホールや欠損が発生しても、コンタクトホール以外での電極間の短絡不良を防止でき、歩留りを向上できる。 （もっと読む）

本発明は剥離工程を簡略化し、且つ大型基板に対する剥離・転写を均一に行う方法を提供する。本発明は剥離工程における第１の接着剤の剥離と、第２の接着剤の硬化と、を同時に行って、作製工程を簡略化することを特徴とする。また本発明は、半導体素子の電極まで形成された被剥離層を所定の基板に転写するタイミングを工夫することを特徴とする。特に大型基板に複数の半導体素子を形成した状態で剥離を行う場合、圧力差を利用して基板を吸着して剥離を行うことを特徴とする。
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【課題】半透過型液晶表示装置の光漏れを抑制する。
【解決手段】半透過型液晶表示装置は、所定の間隙を介してお互いに接合した一対の基板１と、間隙に保持された液晶とからなる。片方の基板１には行状の走査線４と列状の信号線５とこれらを被覆する平坦化膜６とこれら走査線４及び信号線５によって駆動される行列状の画素７とが形成されている。各画素７は上下の走査線４と左右の信号線５とで区画されている。各画素７は反射電極が形成された反射領域８と透明電極が形成された透過領域９とに上下で分かれている。信号線５より幅の太い遮光膜１０が信号線５と基板１の表面との間に介在しており、透過領域９で信号線５の脇からの光漏れを防止する。 （もっと読む）

【課題】外部接続用配線の要素であるクロム層とＩＴＯ層との間のコンタクト抵抗を低く維持し、駆動用ＩＣが誤動作するのを防止する。
【解決手段】ＴＦＤ素子の第１金属膜及び外部接続用配線の第１導電層を夫々クロムにて形成し、次にその上に酸化タンタルを形成する。次に、アニール処理Ａを約３００℃（保持時間６０分）で実行する。次に、第２金属膜を形成し、その直後に、データ線及びＴＦＤ素子の上にオーバーレイヤーを形成する。これにより、ＴＦＤ素子の第２金属膜の表面及び外部接続用配線の第１導電層の表面に酸化膜が形成されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、上層と、上層よりも広い幅を有する下層とからなる２層構造とする。ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。上層の端面から突出させた下層部分と、ＩＴＯとを接合させる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、新スパッタ方式でスパッタリングした際に発生する新たな不良モードの発生を抑制する。
【解決手段】Ａｌ合金配線を有する液晶表示装置を製造するにあたって、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｃ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｃ、ＲｅおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を0.01〜20質量％の範囲で含み、残部が実質的にＡｌからなるインゴットまたは焼結体を、大気溶解法、真空溶解法、急冷凝固法、粉末冶金法で作製するにあたって、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも1種の元素を含むガスを使用し、得られたインゴットまたは焼結体を加工してスパッタリングターゲットを作製する。このスパッタリングターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】配向分割構造をアレイ基板のみに設けたＭＶＡモードの液晶表示装置で高い透過率を実現すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置１は、第１基板２０と画素電極２３と第１配向膜２４とを備えたアレイ基板２と、第２基板３０と対向電極３３と垂直配向膜である第２配向膜３４とを備えた対向基板３と、前記アレイ基板２と前記対向基板３との間に介在すると共に誘電率異方性が負の液晶材料５を含有した液晶層とを具備し、前記アレイ基板２及び前記対向基板３のうち前記アレイ基板２にのみ、前記画素電極２３と前記対向電極３３との間に電圧を印加している電圧印加時に、前記液晶層の前記画素電極２３と前記対向電極３３とに挟まれた領域である各画素領域を液晶分子ＬＣのチルト方向が互いに異なる複数のドメインへと分割する配向分割構造ＳＬＴが設けられ、前記第１配向膜２４には、前記配向分割構造ＳＬＴの長手方向と略直交する方向ＡＲにラビング処理が施されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を増やすことなく、容量素子の誘電体膜の膜厚をＴＦＴのゲート絶縁膜の膜厚よりも薄くすることのできる薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、この電気光学装置、およびこの電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１０に蓄積容量７０を構成する際、レジストマスク４０１の開口４０１ａから半導体膜１ａの延設部分１ｆに不純物を導入するとともに、このレジスマスク４０１の開口４０１ａから誘電体膜２ｃの表面をエッチングする。このため、製造工程を増やすことなく、蓄積容量７０の誘電体膜２ｃの膜厚をＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２ａの膜厚よりも薄くすることができる。 （もっと読む）