【課題】レーザー光の照射による単結晶半導体層の端部からの膜剥がれを抑制した、ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射することによって、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁層を介して単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、脆化領域において単結晶半導体基板を分離してベース基板上に絶縁層を介して単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の端部を除去し、端部を除去した単結晶半導体層の表面にレーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィー技術に限定されることなくパターンの形成が可能であり、安価なパターン形成方法を使用できるためコストを抑制でき、また、配線パターンのサイズや形状を自由に設計できるため、製品応用への範囲が広く、大量生産が可能な、配線パターンの見えない積層体を提供すること。
【解決手段】可視光波長領域における屈折率が１．８以上、２．２以下の透明基板１と、透明基板１上の一部に形成された酸化亜鉛膜２とを備え、透明基板１の可視光領域の光の波長に対応する屈折率に対して、酸化亜鉛膜２の可視光領域の光の波長に対応する屈折率が、プラス５％およびマイナス５％の範囲内であり、透明基板１の裏面から入射されて、透明基板１のみを透過して出射される光の可視光領域における分光透過率に対して、透明基板１の裏面から入射されて、透明基板１および透明基板１の一部に形成された酸化亜鉛膜２を透過して出射される光の可視光領域における分光透過率が、プラス５％およびマイナス５％の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決方法】実質的に透明な基板と、基板上に形成された実質的に透明なゲート電極と、ゲート電極の同一層に隔離して形成された実質的に透明なキャパシタ電極と、ゲート電極及びキャパシタ電極を覆うように形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体層と、半導体層に跨って形成された実質的に透明なソース電極及び実質的に透明なドレイン電極と、ソース電極またはドレイン電極上に貫通孔を設けて形成された実質的に透明な層間絶縁層と、ソース電極またはドレイン電極のいずれかにより延在された電極領域に電気的に接続され、導電性着色材料により形成された画素電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを有する半導体装置において、薄膜トランジスタの半導体層を、金属元素が添加された酸化物半導体層とする。金属元素として鉄、ニッケル、コバルト、銅、金、モリブデン、タングステン、ニオブ、及びタンタルの少なくとも一種類以上の金属元素を用いる。また、酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、製造方法の簡素化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上に、第１の方向に延在する凸状の段差（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、下地膜上に第１の方向に交差する第２の方向に沿って長手状に形成され、凸状の段差に対応した段差を表面に有し、凸状の段差に重なる領域において、チャネル幅方向に沿った幅寸法が局所的に狭く形成された半導体層（３０ａ）と、半導体層にゲート絶縁膜（１３）を介して対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＲＧＢ方式やＲＧＢＣ方式よりも明るく、ＣＭＹ方式よりも原色に近い表示ができる画像表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】１画素が、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）のうちの２色と、レッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）、ブルー（Ｂ）のうちの２色の補色との計４色のサブピクセルからなり、基板と、基板上に形成されたカラーフィルタと、カラーフィルタ上に形成された薄膜トランジスタアレイと、薄膜トランジスタアレイ上に形成された表示媒体と、表示媒体上に形成された対向電極と、を備える画像表示装置であって、画像表示装置が反射型表示装置または半透過型表示装置であることを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル等の電気光学装置において、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効率よく抑制しつつ、動作の安定化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、チャネル領域、ソースドレイン領域及びＬＤＤ領域を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向するゲート電極（３０ｂ）と、半導体層より上層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された上側遮光膜（１）と、半導体層より下層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された下側遮光膜（１１）と、半導体層及び下側遮光膜間に積層され、少なくともＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚よりソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜（１２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体膜が分離された後の分離ボンド基板を、ＳＯＩ基板作製に用いることが可能な再生ボンド基板として再生する方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】ボンド基板の表面から一定の深さにイオンを添加することによって脆化層を形成し、ボンド基板を、絶縁膜を介してガラス基板と貼り合わせ、脆化層においてボンド基板を、ガラス基板上に絶縁膜を介して貼り合わせられた半導体膜と、分離ボンド基板と、に分離し、分離ボンド基板にフッ酸を含む溶液で第１のウェットエッチングを行い、分離ボンド基板に有機アルカリ水溶液で第２のウェットエッチングを行い、分離ボンド基板を酸化雰囲気下でハロゲンを含むガスを添加して熱酸化処理を行って、分離ボンド基板表面に酸化膜を形成し、酸化膜にフッ酸を含む溶液で第３のウェットエッチングを行い、分離ボンド基板に研磨を行って再生ボンド基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作性能及び信頼性を向上させた半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板の一部からなる単結晶シリコン薄膜を、単結晶シリコン基板を熱酸化して得られた第１の酸化シリコン膜上に有し、第１の酸化シリコン膜が、シリコン基板上に設けられた第２の酸化シリコン膜に貼り合わされたシリコン基板を用いる半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン薄膜から複数の島状シリコン層を形成し、複数の島状シリコン層の熱酸化工程後に、複数の島状シリコン層上にポリシリコンでなるゲート電極を形成し、ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、複数の島状シリコン層にソース領域及びドレイン領域を形成し、ゲート電極、ソース領域、ドレイン領域に金属膜を形成し、加熱してゲート電極、ソース領域、ドレイン領域にシリサイドを形成し、複数の島状シリコン層を覆って、層間絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数のデータ線（６ａ）及び複数の走査線（１１ａ）と、複数の画素の各々に形成された画素電極（９ａ）と、画素電極をスイッチング制御するトランジスタ（３０）と、トランジスタ遮光部分を有する遮光部（７１）と、トランジスタ遮光部分と重なる第１部分及びトランジスタ遮光部分と重ならない第２部分を有する中継電極（９５）とを備える。更に、画素電極と中継電極とは、第１部分に重なるように開孔された第１コンタクトホール（８６）を介して電気的に接続され、トランジスタと中継電極とは、第２部分に重なるように開孔された第２コンタクトホール（８５）を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＩＰＳ方式等の液晶表示装置において、表示品質を劣化させる静電気などの影響を確実に抑えることができる構成を提供するものである。
【解決手段】 Ｆｅイオン及びＮｉイオンなどの金属イオンを高濃度でガラス基板表面に照射することにより、ガラス基板表面に導電パスが形成され、本来絶縁であるガラス基板表面に導電性が生じる。本発明では、このガラス基板２が観測者側にくるように液晶表示装置を構成することとした。そして、静電気をグラウンド１１に落とすための金属などの導電性の部材１２を組み込み、表面で発生した静電気の影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタの電気特性を向上させることを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜と、少なくとも５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の側面を覆う膜と、５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の側面を覆う膜上に形成される一対の配線とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】ダブルＬＤＤ構造を改善し、リーク電流のばらつきの少ない薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１には、第１平面１１と、これより高い第２平面１２と、第１平面１１と第２平面１２を接続する段差１３とが形成されている。半導体薄膜２は、第１平面１１に沿った第１領域から、段差１３に沿った中間領域を経て、第２平面１２に沿った第２領域まで連続している。第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減しつつ、高速動作が可能な回路を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を提供するための半導体基板の作製方法を提供することを課題の一とする。または、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に非単結晶半導体層を形成した後、非単結晶半導体層の一部の領域上に単結晶半導体層を形成する。これにより、非単結晶半導体層を用いて大面積が必要とされる領域（例えば、表示装置における画素領域）の半導体素子を形成し、単結晶半導体層を用いて高速動作が求められる領域（例えば、表示装置における駆動回路領域）の半導体素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】表示品質が向上した液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１０は、複数の画素領域を含み、画素領域毎に光を反射する反射領域Ｒと光を透過させる透過領域Ｔとを有する液晶装置であって、対向する一対の基板１２，１４と、一対の基板１２，１４間に設けられた液晶層１８と、反射領域に対応して一対の基板１２，１４の内面に選択的に形成された位相差層５２と、を含み、一対の基板のうち一方の基板１２は、画素電極３４と、画素電極３４に接続されたスイッチング素子３０と、を備え、一対の基板のうち他方の基板１４は、カラーフィルタ２８を備え、他方の基板１４の液晶層１８側に対して反対側の表面に、表面側から順に、透明導電膜５６と、透明導電膜５６より屈折率が小さい透明膜５８と、の積層構造６０を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたＴＦＴを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が３×１０^１７／ｃｍ^３以上であり、前記活性層の膜厚が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】低い製造コスト及び高い歩留まりで、隔壁で区画された基板内面に電極を備えた表示パネル用基板の製法の提供。
【解決手段】隔壁６が形成された基板２の面に、電極膜４を形成する電極膜形成工程と、隔壁６が設けられた面に、光照射によって硬化または溶液不溶となるレジスト１２を塗布するレジスト塗布工程と、隔壁６の上面６ａ及び側面６ｂに光が当たるのを防ぐマスク１０を施した状態で、基板２の隔壁６が設けられた面６ａに対して垂直な方向から光を照射する光照射工程と、光照射で硬化または溶液不溶とならなかったレジスト１２を除去するレジスト除去工程と、エッチングによって、レジスト１４で覆われていない領域の電極膜４を除去する電極膜除去工程と、を含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、ウェット処理工程における電蝕の発生を防止し、高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極を駆動するための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を構成すると共に、複数の画素電極と同一膜からなる導電部（６１０）と、複数の画素電極が配列された画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に、画素電極よりも絶縁膜を介して下層側に設けられると共に、この絶縁膜に開口された開口部（８１０）から少なくとも一部が露出する端子（１０２ｃ）とを備える。更に、この端子にソースが電気的に接続されると共に導電部にドレインが電気的に接続された第１トランジスタ（５００）を備える。 （もっと読む）

【課題】配線の電気抵抗を低減した表示装置を提供する。
【解決手段】基板１０１の上方に形成された薄膜トランジスタと、基板の上方に形成され、基板が有する表示部の辺に沿って設けられ、フラットケーブルおよび薄膜トランジスタに電気的に接続された配線と、を有し、配線は、薄膜トランジスタのソース電極１０９またはドレイン電極１１０と同じ層に形成された第１の配線と、第１の配線の上方に絶縁膜を介して形成された第２の配線と、を有し、第１の配線は、第２の配線と並行に設けられ、絶縁膜に開けられた複数のコンタクトホールを介して第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）