【課題】電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０と、データ線６ａ及び走査線１１と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極９ａと、半導体層１ａと、半導体層より第１の絶縁膜２を介して上層側に配置されると共に遮光性の導電膜を含んでなり、且つ、半導体層のチャネル領域に重なる本体部３ａと、この本体部から半導体層の脇で、半導体層の第２の接合領域１ｃの側へ少なくとも第２の接合領域に隣接するように延設された延設部３１とを有するゲート電極３とを備える。更に、ゲート電極と同一膜からなり、半導体層の画素電極側ソースドレイン領域１ｅと少なくとも部分的に重なると共に画素電極及び画素電極側ソースドレイン領域と電気的に接続された遮光部４１０を備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板に不純物が混入するのを防ぐことができる、半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】水素ガス、ヘリウムガスおよびハロゲンガスから選ばれた１種または複数種のガスを含むソースガスを励起してイオンを生成し、該イオンをボンド基板に添加することで、ボンド基板中に脆化層を形成する。そして、ボンド基板の表面近傍、すなわち、ボンド基板のうち、脆化層よりも浅い位置から表面までの領域を、エッチングまたは研磨などにより除去する。次に、ボンド基板とベース基板とを貼り合わせた後、該ボンド基板を脆化層において分離させることで、ベース基板上に半導体膜を形成する。上記半導体膜をベース基板上に形成した後、該半導体膜を用いて半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極とを有し、第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極とを有し、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、一対の第２の不純物領域、及び一対の第３の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、一対の第４の不純物領域、及び一対の第５の不純物領域を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なたＺｎＯ膜を形成するＺｎＯ蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の成膜に用いられるＺｎＯ蒸着材であって、ＣｅおよびＢを含み、Ｃｅ含有量がＢ含有量より多く、Ｃｅ含有量が０.１〜１４.９質量％の範囲内およびＢ含有量が０.１〜１０質量％の範囲内であるＺｎＯ多孔質焼結体を主体とし、該焼結体が３〜５０％の気孔率を有することを特徴とし、好ましくは、ＣｅとＢの合計含有量が０.２〜１５質量％、平均気孔径０.１〜５００μｍ、平均結晶粒径１〜５００μｍのＺｎＯ蒸着材であるＺｎＯ多孔質焼結体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御された、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜にしきい値制御のための不純物元素をイオン注入法により添加し、その後、レーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。そして、微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を使用した画像の明るい透過型液晶表示素子を得る。
【解決手段】少なくとも、ＳＯＩ基板のシリコン基板１表面に透過型液晶表示素子の各画素電極を制御するためのトランジスタ等の回路素子を形成する工程と、支持基板であるシリコン基板２を薄くする工程と、シリコン基板２に水素イオンによるインプランテーションをして分割する工程と、分割したシリコン基板２を剥離する工程と、剥離したシリコン基板２の表面を研磨する工程と、前記研磨したシリコン基板２側を透明基板１に接着する工程と、前記画素電極に対応するシリコン基板１、シリコン基板２を除去する工程と、
該除去した部分と前記回路素子上部に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を平坦化処理する工程と、前記回路素子と画素電極の導通をとるためのコンタクトホールを形成する工程と、前記画素電極を形成する工程を具備する透過型液晶表示素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡易な工程で配線間の接触面積を増大させることが可能な配線基板、表示パネル、並びに、それらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る配線基板は、基板１と；基板１上に形成され、スパッタリング或いはイオンインプランテーションによる粗面化処理を施された第１配線２と；第１配線２上に形成され、第１配線２と電気的に導通された第２配線（３または４）と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板に転写方式でTFTを形成する方法において、プロセス温度を下げる必要がなく、現行のラインを使用できるとともに、コストを抑えることができる方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持基板の上層に樹脂フィルム(a)を形成する工程と、樹脂フィルム(a)の上層に半導体素子を形成する工程と、半導体素子を形成した樹脂フィルム(a)から支持基板を剥離する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、樹脂フィルム(a)は、膜厚が1μm以上30μm以下であり、波長400nm以上800nm以下の可視光の透過率が80％以上であり、3％重量減少温度が300℃以上であり、融点が280℃以上である、前記半導体装置の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高性能で安価な半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。また、劈開単結晶半導体層に不活性雰囲気中においてレーザー光の照射を行い、非単結晶半導体層には、少なくとも一度、大気雰囲気中においてレーザー光の照射を行うとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】、高精度の帯状結晶に改質して高い電界効果移動度のＴＦＴを作りこんだパネルを備えた画像表示装置の実現。
【解決手段】基板１０１上のa‐Ｓｉ膜あるいは微結晶シリコン膜１０４を帯状結晶シリコン膜（ＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜）１０５に改質するための結晶化レーザの幅方向（短軸方向）形状を、４本の連続発振レーザを光学系で結合して左右対称のガウシアン形状から非対称に傾きを持ったプロファイルとする。このレーザの照射で再結晶化したＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜上に、そのチャネル方向をＳＥＬＡＸ結晶シリコン膜の帯状結晶１０５の長手方向にソース‐ドレインを配置したＴＦＴを作製する。チャネルを移動するソース・ドレイン間電流が横断する粒界が少なくなり、画像表示の高速化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制すると共に小型化が可能である液晶表示装置を提供する。
【解決手段】石英基板２０にＷｓｉ層２１及びＳｉＯ_２層２２を介して、チャネル領域６ソース領域７、データライン側ＬＤＤ領域８、ドレイン領域９及び画素電極側ＬＤＤ領域１０を有する薄膜トランジスタ素子を形成するにあたって、データライン側ＬＤＤ領域及び画素電極側ＬＤＤ領域の一部をＳｉＯ_２層で形成した凸部１１の側面に形成する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタと半導体回路とを形成した基板の位置合わせを不要にし、かつ安定的な動作を示す半導体回路及び表示装置を提供する。
【解決手段】実質的に透明な基材上に形成されたカラーフィルタ層上にソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極、及び金属酸化物からなる半導体活性層を備えた実質的に透明な薄膜トランジスタと、実質的に透明な薄膜トランジスタと電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって形成された配線と、からなる実質的に透明な半導体回路を設けた画像表示装置において、半導体活性層の膜厚が１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下であることを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板を用いてアクティブマトリクス方式の表示装置を製造する場合に、位置精度良くＴＦＴを形成し、かつ、ＴＦＴの特性のばらつきを容易に抑制することができる表示装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】ＴＦＴにより駆動される画素を基板上に配列した表示装置を製造する方法であって、前記基板として可撓性基板１０を用い、前記ＴＦＴのソース・ドレイン間のチャネル長Ｌ方向が、前記基板上の直交する２つの方向のうち該基板の寸法変化率が小さい方向Ｘとなるように前記ＴＦＴを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】排液処理などを伴うことなく高速で透明電極のパターニングを行うことを可能にする。
【解決手段】基体１上に紫外光吸収性の薄膜パターン２を形成し、該基体１および紫外光吸収性の薄膜パターン２上に透明電極層３を形成し、透明電極層３に紫外レーザ光８を照射する。紫外レーザ光８によって下地となる紫外光を吸収する薄膜パターン２を光分解または熱分解剥離させて透明電極ごと剥離することができ、効率的に所望のパターンを得ることができ、大面積の処理も高速で行うことができる。他の形態では、基体上に透明電極層を形成した後、該透明電極層上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、次いで、前記透明電極層へ紫外レーザ光の照射を行う。薄膜パターンと薄膜パターンが形成されている部分以外の透明電極層が除去されてパターニングがなされる。 （もっと読む）

【課題】長尺の可撓性樹脂基板において、透明導電膜パターンのマスクパターニングの実現手段を提供することであり、可撓性樹脂基板において、透明導電膜パターン形成を連続的に行うことで、品質が高く、生産性が高いコストダウン可能な透明導電膜形成装置を提供することにある。また、これに用いるマスク部材、前記の形成装置により作製された有機ＥＬ用の透明導電膜樹脂基板を提供する。
【解決手段】真空槽１内を連続して搬送される長尺の可撓性樹脂基板上に、透明導電膜を形成する透明導電膜の形成装置において、可撓性樹脂基板２の搬送中に、パターン形成用のマスク部材を可撓性樹脂基板に密着し同期して移動させながら、マスク部材Ｍとの密着区間にて薄膜形成手段を用いてパターン成膜を行う透明導電膜の形成装置。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、絶縁性基板上に形成した多結晶半導体膜の高品質化を図ることである。
【解決手段】 本願発明は、絶縁性基板上の多結晶シリコン膜からなる第１の半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けたゲート電極と、上記半導体層に設けたチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に配置されたソース領域とドレイン領域とを有するＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、少なくとも上記チャネル領域の主配向が上記ゲート絶縁膜の表面に対して｛１１０｝である薄膜半導体装置である。更に、上記ソースとドレイン領域を結ぶ方向にほぼ垂直な面の主配向が｛１００｝である多結晶半導体膜を半導体装置のチャネルに適応することが、より好ましい。本願発明によれば、絶縁体基板上に、粒界、粒径、結晶方位を制御でき、結晶化の仮定で生じる膜のラフネスと結晶欠陥を低減した高品質の多結晶半導体膜を有する半導体装置を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】粒界が形成される位置を制御することが可能な結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１１に支持された非晶質半導体膜２２を用意する工程と、非晶質半導体膜にＡｒイオンを注入する工程と、工程（ｂ）の後に、非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素３５を付与する工程と、工程（ｃ）の後に、非晶質半導体膜の少なくとも一部を固相結晶化することによって、結晶質半導体膜２４を得る工程（ｄ）とを包含する。
基板１１に支持された非晶質状態の半導体膜２２を用意する工程（ａ）と、半導体膜の第１領域に第１の濃度でＡｒイオンを注入する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、半導体膜の第１領域と第１領域外の第２領域とを含む領域に、結晶化を促進する触媒元素を付与する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、半導体膜を加熱することによって半導体膜の少なくとも第２領域を固相結晶化させる工程（ｄ）とを包含する。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置において、各画素に設けられた蓄積容量を構成する誘電体膜の膜質を向上させる。
【解決手段】電気光学装置用基板は、基板（１０）上の画素毎に設けられたトランジスタ（３０）と、基板上でトランジスタより上層側に配置されており、固定電位側電極（３００ａ）、誘電体膜（７５）及び画素電位側電極（７１）が下層側から順に積層されてなる蓄積容量（７０）と、蓄積容量よりも層間絶縁膜（４３）を介して上層側に配置されており、画素毎に設けられると共に層間絶縁膜に開孔された第１のコンタクトホール（８９）を介して画素電位側電極と電気的に接続され、且つ、画素電位側電極とトランジスタとを電気的に中継接続する中継電極としても機能する画素電極（９ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜上で良好なソース−ドレイン耐圧を確保する。
【解決手段】薄膜トランジスタは絶縁性支持基板１０上に設けられる半導体薄膜１２と、半導体薄膜１２上に設けられるゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４を介して半導体薄膜１２上に形成されるゲート電極層１６を備え、半導体薄膜１２はゲート電極層１６の下方に配置されるチャネル領域１２Ｃ、チャネル領域１２Ｃの両側に配置されるソースおよびドレイン領域１２Ｓ，１２Ｄ、チャネル領域１２Ｃおよびドレイン領域１２Ｄ間に配置されるＬＤＤ領域１２ＬＤを有する。ソース領域１２Ｓは不純物濃度が半導体薄膜１２の厚さ方向においてゲート絶縁膜１４との界面から支持基板１０との界面に向かって低くなる不純物濃度プロファイルを有し、ソース領域の不純物プロファイルにおいて支持基板付近の不純物濃度がゲート絶縁膜付近の不純物濃度に対して１／１００以上低い。 （もっと読む）

【課題】プラズマディスプレイ用光学フィルターに最適である、光学特性、酸化亜鉛膜と透明基板の密着性に優れた酸化亜鉛系透明導電基板を提供する。
【解決手段】アクリル系樹脂（ａ）５０〜９９．９質量％、およびポリ乳酸系樹脂（ｂ）５０〜０．１質量％からなる樹脂組成物のフィルムもしくはシートの透明基板上に、直接酸化亜鉛系透明導電膜が形成されてなる酸化亜鉛系透明導電基板及び酸化亜鉛系透明導電基板の製造方法。 （もっと読む）