【課題】高品質な画像を表示可能な電気光学装置を製造する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）上に第１の接合領域及び第２の接合領域（１ｃ）を有する半導体層（１ａ）を含むトランジスタを形成する工程と、半導体層よりも上層側に、層間絶縁膜（４１）を積層する工程と、この層間絶縁膜に対してエッチング処理を施すことにより、蓄積容量（７０）と半導体層の画素電極線側ソースドレイン領域とを電気的に接続するためのコンタクトホールを開孔すると共に、第２の接合領域に沿った長手状の溝（８１０）を掘る工程とを含む。更に、蓄積容量を、層間絶縁膜上に半導体層と部分的に重なるように且つ画素電極線側ソースドレイン領域とコンタクトホールを介して電気的に接続されるように形成すると共に、溝に重なる溝内部分（７０ｔ）を有するように形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において高品質な表示を行う。
【解決手段】画素毎の開口領域に形成され、該開口領域を互いに隔てる非開口領域に延在する第２部分９ａｂを有する画素電極９ａと、非開口領域に形成され、画素電極９ａと接続された下部容量電極７１と、Ｘ方向に沿って延びる非開口領域Ｄ１にＸ方向に沿って形成され、下部容量電極７１より上層側に配置された容量線３００と、容量線３００より上層側であって画素電極９ａより下層側に配置され、下部容量電極７１とコンタクトホール８４を介して接続されると共に第２部分９ａｂとコンタクトホール８５を介して接続された中継層９３とを備える。更に、コンタクトホール８４及び８５は、非開口領域Ｄ１において、互いに重ならないようにＹ方向にずれて配置され、容量線３００は、コンタクトホール８４を避けるように切り欠かれてなる凹部３１０を有する。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に薄膜トランジスタと光電変換素子を有する装置において、薄膜トランジスタと光電変換素子の最適な配置、構造等を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決すべく、本発明に係る装置は、同一基板上に設けられた第１及び第２の薄膜トランジスタと、前記第１の薄膜トランジスタに電気的に接続された光電変換素子と、を有し、前記第１の薄膜トランジスタ及び前記光電変換素子は、重なっていることを特徴とする。また、他の本発明は、前記第２の薄膜トランジスタのうち、ソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された配線上に設けられた、複数の層でなる絶縁膜と、前記複数の層でなる絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、前記配線に電気的に接続された電極と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルターと半導体回路を形成した基板の位置合わせを不要にする表示装置の構造および製造方法を提供する。
【解決手段】
表示装置の視認側から見て、カラーフィルター、実質的に透明なる基材、実質的に透明な薄膜トランジスタおよび該トランジスタと電気的接点を有する実質的に透明な導電性材料によって構成した配線からなる半導体回路、反射型ディスプレイ表示要素の順に配置された画像表示装置において、カラーフィルター、実質的に透明な半導体回路が該透明なる基材の互いに異なる面に互いに位置合わせを行って形成されたことを特徴とする画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的に透明な基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、その上に透明樹脂からなるオーバーコートを付与してから、カラーフィルター層の上に保護フィルムを貼った。基材３が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンに位置合わせして設けた。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルターと半導体回路を形成した基板の位置合わせを容易にする表示装置のおよび製造方法を提供する。
【解決手段】反射型ディスプレイ表示要素と、カラーフィルター層を形成した第一の基材との間に、透明な半導体回路を形成した第二の基材を配置する。
透明な半導体回路を用いることで視認性を失わず、カラーフィルターと反射型ディスプレイ表示要素の間に半導体回路を配置することができ、カラーフィルターと半導体回路の位置合わせが容易となる。 （もっと読む）

【課題】安定な特性の薄膜トランジスタ、及びその製造方法、並びに表示装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかるＴＦＴ２０は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられた絶縁性の下地膜２１と、下地膜２１の上に設けられたチャネル領域２２２を含む半導体膜２２とを備え、チャネル領域２２２における半導体膜２２中の不純物濃度が、半導体膜２２の膜厚方向において略一定であり、チャネル領域２２２における半導体膜２２と下地膜２１との界面において不純物濃度が不連続であり、下地膜２１中の不純物濃度が、半導体膜２２中の不純物濃度よりも低く、かつＴＦＴアレイ基板１０側に向かうにつれて単調に減少しているものである。 （もっと読む）

【課題】 高い移動度と移動度や閾値電圧特性のバラツキの小さいＴＦＴを得ることができる結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、表示装置、半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板上に設けた４０乃至１００ｎｍの非単結晶半導体薄膜にレーザ光を照射して結晶化する際に、基板表面上で逆ピークパターンを有する光強度分布を形成して、この光強度分布の光強度勾配を制御して、幅より結晶成長方向に長い形状で粒長方向に｛１００｝に優先配向した結晶化粒４を配列させた結晶化粒列を形成し、この結晶化粒列の複数の結晶化粒に跨がり結晶成長方向に電流が流れるようにソース領域およびドレイン領域を設けてＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 耐擦傷性の良好な、透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】 透明なフィルム基材の一方の面にハードコート層を有し、透明なフィルム基材の他方の面には透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムにおいて、前記ハードコート層の形成材料がウレタンアクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート及び水酸基を２個以上含むアルキル基を有する（メタ）アクリルポリマーを含むことを特徴とする透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗が低く、透明導電膜との直接積層が可能な配線材料からなる配線を具備した大型・高精細の生産性に優れた平面表示パネル、及び、前記配線を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】配線の少なくともひとつが、スパッタリングにより形成されたＣｕ薄膜からなり、かつ、ＩＴＯ膜やＺｎＯ膜、又は、Ａｌ、Ｉｎ、Ｖ、Ｇａ、Ｂ、Ｙ、Ｔｉ、Ｓｃから選ばれる１種以上の元素を０．０１〜５原子％含有したＺｎＯ膜からなる透明導電膜等と直接積層した配線構造を有する平面表示パネルとすることにより、バリア層の形成を不要として、その生産性を格段に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】光リーク電流の発生を簡便に抑制することのできる反射型液晶表示基板及び反射型液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】画素電極Ｐの下方に配設された遮光膜６０の上面６０ａであって各画素電極Ｐ間に形成される間隙部７０と対向する位置に、Ｘ方向に延設されてＹ方向に並設される複数の第１溝部６１ａと、Ｙ方向に延設されてＸ方向に並設される複数の第２溝部６１ｂとを形成した。 （もっと読む）

【課題】光照射が無くても、変調媒体７に対して直接にリセット電圧を印加して表示画面の一様なリセット状態が得られる光書き込み型表示装置を提供する。
【解決手段】表示メモリ性のある表示媒体層７と、光照射によって抵抗値が変化する可変抵抗層６との間に駆動電極３を配置し、駆動電極３を分圧制御層５で挟んで画素ごとの解除電極４と接続電極４ｃとを配置する。接続電極４ｃは解除電極４に対応する領域の可変抵抗層６を解除電極４に接続する。駆動電極３に外部の電圧供給部１２１を接続しており、表示媒体層７に直接リセット電圧および書き込み電圧を印加することができる。 （もっと読む）

【課題】ガリウムを含む亜鉛の酸化物（ＧＺＯ）、またはアルミニウムを含む亜鉛の酸化物（ＡＺＯ）を用いた透明導電膜が形成された透明導電膜付き基板において、表示素子作成工程等で、化学的，物理的作用を受けて特性劣化を起こしにくい安定した透明導電膜付き基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の表面に透明導電膜２０が形成された透明導電膜付き基板１であって、透明導電膜２０は、基板１０表面に直接的にまたは他の機能層２３を介して間接的に形成された第１透明導電膜２１と、第１透明導電膜２１の表面に形成された第２透明導電膜２２とを備え、第１透明導電膜２１は、アルミニウムを含む亜鉛の酸化物ＡＺＯまたはガリウムを含む亜鉛の酸化物ＧＺＯで形成され、第２透明導電膜２２は、スズを含むインジウム酸化物ＩＴＯで形成された。 （もっと読む）

【課題】基板のＴＦＴ形成領域の各分割領域毎にイオン注入を行っても、全面で均一なイオン注入量であり、高額で大型設備とならない液晶表示装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板４のＴＦＴ形成領域を横断面形状が略細長方形状のイオンビームの長手方向に分割して形成した各分割領域４ｌ，４ｒに、該分割領域４ｌ，４ｒ毎にイオンビームを短手方向の位置を順次変えながら照射して所定イオンを注入する装置であって、イオンビームのイオン源２と基板４表面の間に、該イオンビームの断面形状を成形するマスク１５を備えると共に、マスク１５が両端部に開口量減少部分１８を有する細長方形状の開口１７を備えたものであり、隣合う分割領域４ｌ，４ｒをイオンビームでそれぞれ照射する際に、開口量減少部分１８の一方で照射した照射減少領域を、開口量減少部分１８の他方を用いて少なくとも一部重ねて照射するよう形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャネルドープの際、該チャネルドープに伴うゲート絶縁膜の劣化を防ぐことができ、ＴＦＴの信頼性向上を図ることのできるＴＦＴの製造工程を有する電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜上にａ−Ｓｉ膜が成膜されるステップＳ１と、ａ−Ｓｉ膜の少なくともチャネル領域となる領域に、不純物がイオン注入されるステップＳ２と、ａ−Ｓｉ膜がｐ−Ｓｉ膜に固相成長により結晶化されるステップＳ３と、ｐ−Ｓｉ膜がパターニングされて、ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域となる領域が形成されるステップＳ４と、パターニングされたｐ−Ｓｉ膜上に、ゲート絶縁膜が成膜されるステップＳ５及びステップＳ６と、ゲート絶縁膜上のチャネル領域となる領域の上方に、ゲート電極が成膜されるステップＳ７と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板に形成する薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を高誘電率材料を用いた厚膜とし、かつ十分なイオンをドーピングする。
【解決手段】膜厚が厚い高誘電率材料からなるゲート絶縁膜３にコンタクトホール７ａを形成した後でイオンドーピングしてｎ⁺領域７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 安価で、かつ、特性の均一な薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板上に多結晶半導体層を用いた薄膜トランジスタを有する表示装置の製造方法であって、
前記絶縁基板上に非晶質半導体層を形成する非晶質半導体層形成工程と、
前記非晶質半導体層形成工程よりも後に、前記非晶質半導体層を覆って金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層をパターニングする前に前記非晶質半導体層及び前記金属層をランプアニールすることにより前記非晶質半導体層を前記多結晶半導体層に結晶化する結晶化工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置の製造歩留まりを向上させること。
【解決手段】絶縁性基板上に、複数の島状半導体層を形成する工程と、前記島状半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜にコンタクトホールを開口する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記島状半導体層と前記ゲート電極を接触させる工程と、前記島状半導体層にソース領域、ドレイン領域、及びそれらに挟まれたチャネル領域を形成する工程と、前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記ソース領域、前記ドレイン領域および前記層間絶縁膜と接するソース／ドレイン電極を形成する工程と、前記ソース／ドレイン電極形成後に、スルーホールを開口し、前記島状半導体層と前記ゲート電極の接触部を除去する工程を有する画像表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表示パターンや引き回し配線の微細化に伴う表示ムラ等の発生を防止することができる低欠陥で表示品質の高い表示装置を形成するための表示用電極膜および表示用電極膜を用いた表示用電極パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置を形成するための表示用電極膜１であって、基板１０上に直接又は透明薄膜を介して間接的に形成された透明導電膜２０と、透明導電膜２０上に形成された低抵抗薄膜３０と、を備え、透明導電膜２０は、表面処理を行うことなく表面平均粗さＲａが１ｎｍ以下，表面突起Ｒｍａｘが１０ｎｍ以下に形成され、低抵抗薄膜３０は、面抵抗値が０．１Ω／□以下に形成されると共に、透明導電膜にダメージを与えることなく選択エッチング可能な材料で形成された。低抵抗薄膜は、２層又は３層の薄膜を膜厚合計が５００ｎｍ以下となるように積層して構成された。 （もっと読む）

【課題】 照射対象物を均一に結晶化させることができる投影マスク、レーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供するとともに、照射対象物に形成したときの電気的特性を均一にすることができる薄膜トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】 照射対象物である半導体膜３７を結晶化させるべき複数の方向に対し、前記第１軸線および第２軸線を含む平面内において、第１軸線と第２軸線との交点を中心として第２軸線から予め定める周方向一方に４５度傾斜した第１方向に延びる複数の第１光透過パターン２５ａと、前記平面内において前記４５度傾斜した第１方向に直交する第２方向に延びる複数の第２光透過パターン２５ｂとが形成される投影マスク２５に、光源２１から発せられるレーザ光３１を照射し、前記第１および第２光透過パターン２５ａ，２５ｂを透過したレーザ光を半導体膜３７に照射する。 （もっと読む）