【課題】電気光学装置に用いるインバータ回路に関する。
【解決手段】インバータのＮチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＮ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、かつ前記Ｎ型の不純物の少なくとも１つと重なっているゲイト電極とを有する。またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 透明なフィルム基材の一方の面に、前記フィルム基材の側から第一透明誘電体薄膜、第二透明誘電体薄膜および透明導電性薄膜がこの順に形成されている透明導電性積層体であって、透明性等の光学特性に優れた透明導電性積層体を提供すること。
【解決手段】 厚さが２〜２００μｍの透明なフィルム基材の一方の面に、前記フィルム基材の側から第一透明誘電体薄膜、第二透明誘電体薄膜および透明導電性薄膜がこの順に形成されている透明導電性積層体であって、第一透明誘電体薄膜は、真空蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレーディング法により形成され、かつ第一透明誘電体薄膜は、酸化インジウム１００重量部に対して、酸化錫を０〜２０重量部、酸化セリウムを１０〜４０重量部含む複合酸化物からなり、第一透明誘電体薄膜の屈折率をｎ１、第二透明誘電体薄膜の屈折率をｎ２、透明導電性薄膜の屈折率をｎ３としたとき、ｎ２＜ｎ３≦ｎ１の関係を満たすことを特徴とする透明導電性積層体。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】タングステンを固溶したインジウム酸化物を含有し、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００１以上０．０３４以下含まれ、密度が４．０ｇ／ｃｍ³以上６．５ｇ／ｃｍ³以下である酸化物焼結体とする。 （もっと読む）

【課題】 フォトリソグラフィ法を用いることなく、半導体層をパターニングすることで形成された、半導体装置、電気光学装置、電子機器、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板上方に、第１の導電膜と、第２の導電膜と、上記第１および第２の導電膜上に形成された半導体層と、上記半導体層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された塗布膜と、を有し、上記半導体層と上記塗布膜の幅は等しいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 所望の素子特性を有するＴＦＤを得ることが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置の製造方法は、第２層間絶縁膜２５に、コンタクトホール９，１０，１３，３３，３６，４１，４４を形成するとともに、ＴＦＤの半導体層７１の一部で開口するコンタクトホール７５，７６を形成する工程と、前記コンタクトホールを通してイオン注入することによりＴＦＤを構成する半導体層７１のうちの先に形成したＰ型不純物拡散領域７２とは異なる領域にＮ型不純物拡散領域７４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で平滑なＩＴＯ透明導電膜付きカラーフィルター基板を得ることを課題とする
【解決手段】ＩＴＯ透明導電膜の成膜にプラズマガンを用いるイオンプレーティング法が用い、ＩＴＯ透明導電膜を成膜されるときのカラ−フィルターが設けられた基板の温度が９０℃〜１６０℃であり、ＩＴＯ原料に照射するプラズマビームの単位面積あたりの投入出力が０．５〜１．６ｋＷ／ｃｍ^２である成膜方法である。また、ＩＴＯ透明導電膜の成膜にプラズマガンを用いるイオンプレーティング法が用いられ、ＩＴＯ原料に照射するプラズマビームの単位面積あたりの投入出力が０．５〜３ｋＷ／ｃｍ^２であり、ＩＴＯ透明導電膜を成膜されるときのカラ−フィルターが設けられた基板の温度上昇が５０℃以下であるＩＴＯ透明の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】画素の補助容量に関する新規な構造を提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板と、絶縁表面を有する基板上に形成された結晶性珪素膜と、結晶性珪素膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、ゲイト電極上に層間絶縁膜を介して形成されたドレイン電極と、ドレイン電極上に形成された誘電体と、誘電体上に形成された導電性被膜とを有し、ドレイン電極は、結晶性珪素膜の５０％以上の面積を覆うように形成され、導電性被膜とドレイン電極とを電極とし、誘電体とで容量を形成する。 （もっと読む）

【課題】回路性能に応じて適切な構造の薄膜トランジスタを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。
【解決手段】動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に形成されたＴＦＴと容量素子に対して、高い耐電圧を確保するとともに、容量素子の静電容量を向上可能な薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１０において、誘電体膜２ｃは、第１領域１ｃの外側領域には、第１領域２０１ｃよりも膜厚が厚い第２領域２０２ｃを備えているので、蓄積容量７０の耐電圧が高い。従って、蓄積容量７０では、高い耐電圧が得られるとともに、耐電圧を高くするために誘電体膜２ｃの膜厚を厚くしたことに起因する静電容量の低下を最小限に止めることができる。よって、同一基板上に形成されたＴＦＴ３０と蓄積容量７０に対して、高い耐電圧を確保するとともに、蓄積容量７０の静電容量を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４２を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４１を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３５、３６とを接続する接続配線の一部である上層接続配線４８、５１、５４は、トップゲート電極８が設けられたトップゲート絶縁膜３９上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 熱安定および低電気抵抗の酸化インジウムスズ膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 酸化物誘電層２０を形成し、即ち、基板１０の表面に酸化物薄膜を形成するステップａと、酸化物誘電層２０を表面処理し、即ち、酸素をイオン源設備に送入し、酸素がイオン源を通過した後に発生するイオン束により酸化物誘電層２０に表面処理を実行するステップｂと、透明導電膜を形成し、即ち、イオン処理を通過した後の酸化物誘電層２０の上に酸化インジウムスズ膜３０を積層するステップｃとを含む。基板１０は、プラスチックの本体１１と本体１１の一側面に形成される硬質コーティング１２から構成され、本体１１の他側は基板１０の表面１０ａを形成する。酸化物誘電層２０にイオン処理を予め実行することで、酸化物誘電層２０の安定性および精密度を高める。 （もっと読む）

【課題】 低消費電力で、電磁ノイズ、不要輻射の小さい半導体表示装置を提供する。
【解決手段】 周辺駆動回路において、レベルシフタ回路によって電圧レベルが上げられたクロック信号を、シフトレジスタ回路に入力する。そしてシフトレジスタ回路からのタイミング信号をレベルシフタ回路に入力し、２段階で電圧レベルを上げてやる。これによって、駆動回路の消費電力を小さくし、電磁ノイズを抑え、不要輻射を小さくすることを実現した。 （もっと読む）

【課題】各種電子デバイスの小型化（特に、小面積化）に貢献し得る接続線の形成方法、電子デバイス用基板、および、この電子デバイス用基板を備える電子デバイス、電子機器を提供すること。
【解決手段】接続線の形成方法は、基板７の少なくとも一方の面に、形成される接続線８１に接続される配線パターン７１を形成する工程と、基板７の縁部７２に、基板７の両面７２１、７２２および端面７２３に亘って、導電層８を形成する工程（第１の工程）と、導電層８の一部を除去して、互いに導通しない複数の接続線８１に分割する工程（第２の工程）とを有している。また、導電層８を形成する工程（第１の工程）において、導電層８の少なくとも一部は、基板７を切り出す前の原板に形成されるのが好ましい。 （もっと読む）