【課題】製造コストが少なく、光リーク電流が抑制された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】透明基板上に作製される薄膜トランジスタであって、透明基板上に、少なくともチャネル領域と重畳しないように配置された遮光膜、下地層、結晶性シリコン膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極膜を順次形成してなるトップゲート型結晶性シリコン薄膜トランジスタの構造を具え；結晶性シリコン膜には、チャネル長Ｌのチャネル領域、それを挟むＬＤＤ長ｄのＬＤＤ領域、ソース領域、ドレイン領域が形成されており；遮光膜はチャネル領域を挟んで分割されており；分割された遮光膜の間隔ｘは、チャネル長Ｌ以上、チャネル長ＬとＬＤＤ長ｄの２倍の和（Ｌ＋２ｄ）以下に選択されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物の一部領域又は全領域の比抵抗を低下させることにより、簡易な工程で多様な電子素子を作製できる電子素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも最表層の一部が比抵抗１×１０^９Ω・ｃｍ以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質な表示を行う。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板（１０）に、トランジスタの半導体層（１ａ）を形成する半導体層形成工程と、半導体層のチャネル部（１ａ’）に不純物を導入する不純物導入工程と、基板を平面的に見て、チャネル部に重なるようにゲート電極（３ｂ）を形成するゲート電極形成工程とを備える。不純物導入工程においては、不純物は、チャネル幅方向においてチャネル部の端部に位置する第１領域、及びチャネル長方向において第１領域よりも幅が狭いチャネル部の第２領域にそれぞれ導入される。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することができ、かつ、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】本発明の実施の形態１に係る薄膜トランジスタの製造方法は、絶縁基板１０の上に少なくともゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体層１３、ソース電極１４、ドレイン電極１５及び保護層１６を具備する薄膜トランジスタの製造方法であって、保護層１６が真空紫外光ＣＶＤ法により形成されるものであり、ゲート絶縁層１２の上の全面に保護層１６となる膜を成膜する工程と、保護層と１６なる膜をパターニングなしにエッチングしソース電極１４とドレイン電極１５の表面を露出させ保護層１６のパターンを形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する駆動回路及び第２の薄膜トランジスタを有する画素を有し、前記第１の薄膜トランジスタは、第１のゲート電極層と、ゲート絶縁層と、第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物導電層及び第２の酸化物導電層と、前記第１の酸化物半導体層の一部に接し、且つ前記第１の酸化物導電層及び前記第２の酸化物導電層の周縁及び側面に接する酸化物絶縁層と、第１のソース電極層と、第１のドレイン電極層と、を有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２のゲート電極層と、第２の酸化物半導体層と、透光性を有する材料により構成された第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上させる。
【解決手段】同一基板上に画素部と駆動回路が設けられ、画素部の第１の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極層と、ゲート電極層上にゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層と、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、及びドレイン電極層上に酸化物半導体層の一部と接する保護絶縁層と、保護絶縁層上に画素電極層とを有し、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、保護絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路の第２の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層と材料が異なり、第１の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジスタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トランジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレイン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤ層を有する薄膜トランジスタにおけるオフ電流を低減させることと光リーク電流を低減させることが可能な表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＰＳは第１、第２、第３の層とを有し、前記第１の層の一部は前記薄膜トランジスタのチャネル領域であり、前記第２の層は不純物層であり、前記第３の層は不純物濃度が低い低濃度不純物層ＬＤＤであり、前記第２の層は前記電極との接続箇所を有し、前記第３の層は前記第２の層を環状に囲んで形成され、平面的に見て、前記第３の層の端部のうち、前記チャネル領域側の端部は前記第１の層と接しており、前記チャネル領域側以外の端部は前記層間絶縁膜ＩＮと接しており、前記第２の層の夫々は、前記ゲート電極ＧＴと平面的に重畳する第１の領域と、前記ゲート電極ＧＴと平面的に重畳しない第２の領域とを有し、前記接続箇所は前記第２の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気的特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行う。また、ゲート電極層、ソース電極層、及びドレイン電極層を透光性の導電膜を用いて作製し、開口率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、ディスクリネーションを低減する。
【解決手段】第１及び第２の走査線と第１及び第２の信号線とによって囲まれた領域に設けられた第１の画素電極と、第２及び第３の走査線と第１及び第２の信号線とによって囲まれた領域に設けられた第２の画素電極と、第１及び第２の画素電極の上方に設けられた対向電極を有し、第１の画素電極は、中央で最大の面積を占める平坦面と、第１乃至第４の端部を有し、第１の端部は第１の走査線に沿って設けられ、第２の端部は第１の信号線に沿って設けられ、第３の端部は第２の走査線に沿って設けられ、第４の端部は第２の信号線に沿って設けられ、第２及び第４の端部は前記平坦面と同じ高さに設けられ、第１及び第３の端部は平坦面より０．５μｍ以上高く設けられた液晶表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】オン電流が高く、特性シフトが低減された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層としてのＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜のモル比〔Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ〕を２．０−ｘ：ｘ：ｙ（但し、０．０＜ｘ＜２．０、０．０＜ｙ）で表したとき、前記酸化物半導体膜の膜厚方向についての前記ｙの分布において、前記基板に近い側の膜面、及び、前記基板から離れた側の膜面よりも、前記ｙが大きい領域が存在する。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルム基板と電界効果型トランジスタとの密着性を下地層を形成することで化学的に高め、フォトリソグラフィ工程で用いる強酸や強アルカリへの浸漬によっても電界効果型トランジスタがプラスチックフィルム基板から剥離することなく再現性良く製造する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び半導体を有して形成された電界効果型トランジスタであって、基板上に高分子化合物と金属化合物との混合物を含有する下地層を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタの製造工程の簡略化が図れる電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態のトップコンタクト型の電界効果型トランジスタ１０の製造方法によれば、半導体層形成工程で形成した活性層１８上に、防護層２２を形成した後に、該防護層２２上にフォトレジスト膜を形成して露光工程においてパターン状に露光する。そして、次の現像工程において、アルカリ性現像液を用いて、上記露光工程を経たフォトレジスト膜３０を現像してレジストパターン３０Ｂ’を形成すると共に、防護層２２における該レジストパターン３０Ｂ’から露出している領域２２Ａを除去して防護層２２のエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明の構成を有さない場合に比べ、耐光性に優れた表示媒体、書込装置、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示媒体１２においては、第２の光吸収層３４が、第２の電極２２の光導電層２０とは反対側に設けられている。すなわち、第２の光吸収層３４は、表示媒体１２の光導電層２０より書込光の照射方向上流側に設けられている。この第２の光吸収層３４は、書込光を透過し、且つ３００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の全波長領域について吸光度１以上の遮光性能を示す。このため、蛍光灯の光のように、書込に利用されない波長の光が非表示面側から光導電層２０へ到ることが抑制され、光導電層２０の外光による光劣化が抑制される。従って、耐光性に優れた表示媒体１２が提供される。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート構造およびトップゲート構造の双方の特長を兼ね備えた半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】素子基板１０上の薄膜トランジスター３０は、ボトムゲート構造を備え、かつ、ポリシリコン膜からなる島状半導体膜１ａにチャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えたＧＯＬＤ構造を備えている。素子基板１０を製造する際、諧調露光により形成したレジストマスクと、かかるレジストマスクに対するエッチバックを利用して、高濃度不純物の導入、半導体膜のパターニングと、ゲート絶縁膜２ａと同層の層間絶縁膜のコンタクトホールを形成すべき領域からの半導体膜の除去、および低濃度不純物の導入とを行なう。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオフ電流の増加、又はしきい値電圧のマイナスシフトを予防すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ１５０は、ソース電極層１０７ａ及びドレイン電極層１０７ｂと酸化物半導体層１０３の間にバッファ層１０６が設けられている。バッファ層１０６は、酸化物半導体層１０３の中央部上に、絶縁体若しくは半導体である金属酸化物層１０５を有する。金属酸化物層１０５は、酸化物半導体層１０３への不純物の侵入を抑制する保護層として機能する。そのため、薄膜トランジスタ１５０のオフ電流の増加、又はしきい値電圧のマイナスシフトを予防することができる。 （もっと読む）

【課題】転写技術を利用した薄膜装置の製造工程、およびその製造後に、誘導によって生じる帯電を防止することが可能な薄膜装置、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板１２０上に薄膜素子（被転写層１１０）を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子１３０を、導電性を有する第二転写基板１２０と接続する。 （もっと読む）

【課題】配線や電極等による段差に起因する配向処理むらを抑制し、配向不良の発生を低減でき、充電時間を短くできるＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】基材２と、基材上に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層４と、オーバーコート層６と、ソース線と、画素電極８と、基材２上に形成されゲート線に接続されたゲート電極１３、ＴＦＴ用ゲート絶縁層１４、ＴＦＴ用ゲート絶縁層上に形成された半導体層１５、ＴＦＴ用ゲート絶縁層および半導体層の上に上記オーバーコート層と連続して形成されたＴＦＴ用オーバーコート層１６、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、ソース線に接続され、半導体層にソース電極用コンタクトホールｈ１を介して接続されたソース電極１７、および、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、画素電極に接続され、半導体層に透明電極用コンタクトホールｈ２を介して接続された透明電極１８を有するＴＦＴ１０とを有する。 （もっと読む）