薄膜トランジスタ、その製造方法、及び表示装置並びに電子機器

【課題】製造コストが少なく、光リーク電流が抑制された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】透明基板上に作製される薄膜トランジスタであって、透明基板上に、少なくともチャネル領域と重畳しないように配置された遮光膜、下地層、結晶性シリコン膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極膜を順次形成してなるトップゲート型結晶性シリコン薄膜トランジスタの構造を具え；結晶性シリコン膜には、チャネル長Ｌのチャネル領域、それを挟むＬＤＤ長ｄのＬＤＤ領域、ソース領域、ドレイン領域が形成されており；遮光膜はチャネル領域を挟んで分割されており；分割された遮光膜の間隔ｘは、チャネル長Ｌ以上、チャネル長ＬとＬＤＤ長ｄの２倍の和（Ｌ＋２ｄ）以下に選択されていることを特徴とする。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に形成されるトップゲート型薄膜トランジスタであって、
該薄膜トランジスタにおいては、
前記透明基板上に、
パターン化された遮光膜と、
下地層と、
パターン化された結晶性シリコン膜と、
ゲート絶縁膜と、
パターン化されたゲート電極膜が順次積層されており；
前記パターン化した結晶性シリコン膜は、
前記パターン化したゲート電極膜と重なるチャネル領域と、
前記チャネル領域に接する二つの低濃度不純物領域を有しており；
前記パターン化した遮光膜は、前記チャネル領域と重ならないように配置され、かつ、前記二つの低濃度不純物領域の何れの低濃度不純物領域においても少なくとも一部が重なるように配置されている
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
透明基板上に形成されるトップゲート型薄膜トランジスタであって、
該薄膜トランジスタにおいては、
前記透明基板上に、
パターン化された遮光膜と、
下地層と、
パターン化された結晶性シリコン膜と、
ゲート絶縁膜と、
パターン化されたゲート電極膜が順次積層されており；
前記パターン化した結晶性シリコン膜は、
高濃度不純物ドープ領域からなる、ドレイン領域とソース領域と、
前記パターン化したゲート電極膜と重なる、長さＬのチャネル領域と、
前記ゲート電極膜の両側に、前記チャネル領域に接して、低濃度不純物ドープ領域からなる長さｄのドレイン側ＬＤＤ領域と長さｄのソース側ＬＤＤ領域を有しており；
前記パターン化した遮光膜は、
チャネル領域を挟んで、ドレイン側の領域とソース側の領域に分割されており、
前記チャネル領域と重ならないように配置されており、
分割された遮光膜のドレイン側の領域とソース側の領域の間に、前記チャネル領域の長さＬ以上の間隔ｘの隙間を設けて、
分割された遮光膜のドレイン側の領域は、少なくとも、長さｄのドレイン側ＬＤＤ領域の一部とドレイン領域の一部と重なるように配置され、
分割された遮光膜のソース側の領域は、少なくとも、長さｄのソース側ＬＤＤ領域の一部とソース領域の一部と重なるように配置されており；
前記チャネル領域の長さＬ、ドレイン側ＬＤＤ領域の長さｄ、ソース側ＬＤＤ領域の長さｄに対して、
チャネル領域を挟んで分割されている、遮光膜のドレイン側の領域と遮光膜のソース側の領域の間に設ける、前記隙間の間隔ｘは、下記の式（１）を満足するように選択されている：
Ｌ＋２ｄ≧ｘ≧Ｌ式（１）
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記透明基板は、絶縁性透明基板であり；
前記下地層は、光透過性絶縁性材料からなる層であり；
前記パターン化された遮光膜は、その膜全面が前記透明基板ならびに下地層により囲まれ、電気的に孤立されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記パターン化された遮光膜は、
前記パターン化された結晶性シリコン膜の直下に位置しない、第３の領域を有しており、
チャネル領域を挟んで分割されている、前記遮光膜のドレイン側の領域と遮光膜のソース側の領域は、前記遮光膜の第３の領域を介して、電気的に相互接続されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
透明基板上に形成されるトップゲート型結晶性シリコン薄膜トランジスタを利用して、駆動される表示装置であって、
該表示装置において、駆動デバイスとして利用される、透明基板上に形成されるトップゲート型結晶性シリコン薄膜トランジスタは、
請求項１〜４のいずれか一項に記載する薄膜トランジスタである
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
表示装置を具えてなる電子機器であって、
該電子機器で採用されている、表示装置は、
請求項５に記載の表示装置である
ことを特徴とする電子機器。

【図１】