【課題】複数のフィーチャを有するターゲット設計を結像するために使用されるリソグラフィプロセスの結像性能を増す効率的なＯＰＣ方法を提供する。
【解決手段】この方法は、シミュレート像を生成するための、リソグラフィプロセスに関連するプロセス変動を説明する関数を決定するステップと、この関数に基づいて各ＯＰＣ反復において各評価点に関するターゲットグレーレベルを最適化するステップとを含む。所与の一実施形態では、この関数は、輪郭に関するＴ＋Ｖεというしきい値を有する焦点及び露光の多項式関数、すなわちＲ（ε，ｆ）＝Ｐ₀＋ｆ²・Ｐ_bとして近似値が求められ、式中、Ｐ₀が公称焦点における像強度、ｆが公称焦点に対するデフォーカス値、εが露光変化、Ｖが露光変化のスケーリング、パラメータ「Ｐ_b」が２次派生像を表す。所与の他の実施形態では、焦点及び露光変動の確率分布がガウス分布になると仮定して、最良焦点のために分析的最適グレーレベルが与えられる。 （もっと読む）

【課題】新規な構造を有する位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】照射光に対して透明な基板上に、ラインパターンが形成された遮蔽領域と、前記遮蔽領域の両側にそれぞれ配置された第一の透明領域および第二の透明領域とを有し、前記第一の透明領域の下方には位相シフタが形成されており、前記位相シフタの側壁が、外側に凸の湾曲部を有している位相シフトマスクを提供する。この位相シフタは、例えば、前記基板上からフェムト秒パルスレーザーを照射しつつ走査することで、形成することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンレイアウト設計図に記述されているパターンを効率的に再配置するパターンレイアウト設計方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィプロセスで所望の転写解像度を得ることができない距離又は所望の転写解像度を得るための補助パターンを配置することができない距離で互いに隣接するマスクパターンを互いにエッジで接続されたノードとしたグラフを作成し、該グラフにおける複数の閉ループが接続した閉ループ群に含まれる奇数ループに対し、該閉ループ群が偶数ループを含むか否かに基づいて異なる選択基準で前記奇数ループを構成するノードから再配置対象のノードを選択し、該選択したノードに対応するパターンを再配置する。 （もっと読む）

【課題】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステムを提供する。
【解決手段】極紫外線フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びプラズマエッチングチャンバシステム装置が提供される。極紫外線フォトマスクの製造方法は、フォトマスク基板１０上に上部膜を形成した後、上部膜をパターニングして傾いた側壁を有する上部パターン４５を形成する段階を含む。上部膜をパターニングする段階は、上部膜の上部面に傾いた第１方向に平行に運動する荷電された粒子を使用して、上部膜を異方性エッチングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】シミュレーションモデルを評価するために、シミュレーションモデルによるシミュレーション結果と製造結果との誤差を精密に評価することが必要とされている。
【解決手段】シミュレーション図形データ生成部１３は、シミュレーションモデルを用いるシミュレーションにより、マスク図形に基づいてウェハに形成されるべき回路のパターンとしてのシミュレーション図形を示すシミュレーション図形データ３６Ａ〜３６Ｄを生成する。図形抽出部１４は、前記マスク図形が形成されたフォトマスクを使用してウェハに形成された実回路のパターンとしての実図形と前記シミュレーション図形との排他的論理和としての差分図形群を抽出する。面積値取得部１５は、前記差分図形群の面積値群を取得する。誤差指標算出部１６は、前記面積値群に基づいて前記シミュレーションモデルの誤差指標を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩやＴＦＴ−ＬＣＤ等の製造において、ＴＦＴ等の電子デバイスのパターンをより精度よく製造することができるフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】描画機のステージ１０上に配置された場合のフォトマスクブランク１３の表面形状の変形を高さ測定手段１２で測定し、描画データ作成手段１５により、その表面形状の変形要因の中でフォトマスクが露光装置で使用される際には無くなる変形要因に起因する描画のずれについて、設計描画データを補正して描画データを得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微小図形のショット数を削減し、フォトマスクの生産性を向上させるフォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラムを提供することにある。
【解決手段】フォトマスクのパターンデータに基づき分割された複数の分割図形により構成される描画パターンデータから、光近接効果による解像限界条件を備えた微小図形を検出し（ＳＴ５）、前記描画パターンデータから、前記検出された微小図形が除去された抽出描画パターンデータを生成する（ＳＴ６）フォトマスクのパターンデータ生成方法、フォトマスクのパターンデータ生成装置、およびプログラムを提供すること。 （もっと読む）

【課題】複数の透過パターン介しての露光処理を効率的に行う技術を提供する。
【解決手段】透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２のそれぞれは、副走査方向に等間隔で規則的に配置された同数のスロットＳＬａまたはスロットＳＬｂを有する。副走査方向において、スロットＳＬａは、スロットＳＬｂに比べて、比較的幅の狭い矩形形状を有する。パターン描画装置１００は、マスク３６１を備えた露後部３０を、基板９に対して主走査方向の（＋Ｙ）側へ走査させる場合、透過パターンＳＬＧ１，ＳＬＧ２とを同時に介して基板９のレジスト層を露光する。この露光走査によれば、透過パターンＳＬＧ１を透過したパルス光が照射された領域には、所定時間経過後に、透過パターンＳＬＧ２を透過したパルス光が照射される。つまり、一方向への露光走査において、２つの透過パターンを同時に介して同一領域が露光される、重畳的露光が行われる。 （もっと読む）

【課題】光近接効果補正における補正回数を少なくする。
【解決手段】光近接効果の補正を行う工程には、設計データに対して、第１パラメータを有する補正モデルに従って第１の光近接効果補正を少なくとも１回行うことにより、第１補正後データを生成する工程と、第１補正後データに対して、第１の光近接効果補正とは第１パラメータの値を異ならせた補正モデルに従って第２の光近接効果補正を行うことにより、実パターンを示す第２補正後データを生成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】コンピュータリソグラフィモデル較正のためのテストパターン選択のための方法及び装置を提供することにある。
【解決手段】幾つかの態様によれば、本発明のパターン選択アルゴリズムは、任意の既存プールの候補テストパターンに適用することができる。幾つかの態様によれば、本発明は、最適パターンの設計とは対照的に、既存プールの候補テストパターンから最適モデルパラメータ値を求める際に最も効果的なテストパターンを自動的に選択する。追加の諸態様によれば、本発明により選択された一組のテストパターンは、モデル公式においてすべての既知の物理及び化学を励起することができ、テストパターンに関するウェーハデータは、モデル公式によって課せられる予測精度の上限を実現する最適パラメータ値に応じたモデル較正を駆動できることを確認する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置およびプロセスにおいて使用される照明源およびマスクを最適化するツールに関する。
【解決手段】本発明は、コスト関数の勾配の直接的な計算を可能にすることによって最適化の収束を著しく速める。他の態様において、本発明は、ソースとマスクの両方の同時最適化を可能にし、それによって全体的な収束を著しく速める。さらなる態様において、本発明は、従来の最適化技術が必要とする制約無しで自由形式最適化を可能にする。 （もっと読む）

【課題】光学的に孤立した孤立パターンの存在を出来る限り無くし、所望の線幅等を有するマスクパターンをフォトレジストに転写することを可能とするためのマスクパターンの補正方法を基本的に適用した露光方法を提供する。
【解決手段】複数の設計パターンをデータ化した設計パターンデータの補正に基づき作製された露光用マスクを使用して、露光用マスクに形成されたマスクパターンを基体上に形成されたフォトレジストに転写する露光方法であって、前記設計パターンデータの補正には、マスクパターン中から、光学的に孤立した孤立部分を有するパターンである孤立パターンを抽出し、孤立パターンの孤立部分と平行に延び、且つ、終端部を有する隣接パターンにおいて、孤立パターンの孤立部分が延びる方向に沿って、且つ、孤立パターンの孤立部分に隣接して、該終端部から延びる延長部分を設ける工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィプロセスのアスペクトをシミュレートするための方法を提供することにある。
【解決手段】特定の諸態様によれば、本発明は透過クロス係数を使用してスキャナデータ及びモデルを表す。他の諸態様によれば、本発明は、正確なリソグラフィシミュレーションに有用なデータ及びモデルを提供しながら、種々のスキャナサブシステムに関する機密データを第三者から見えないように隠すことができる。 （もっと読む）

【課題】シュリンク処理によるパターンの変形量を高精度で効率よく評価して、シュリンク処理の条件評価を行うこと。
【解決手段】本発明は、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２とが所定の間隔で配置された評価用パターンＰを複数備えており、各評価用パターンＰとして、第１のパターンＰ１と第２のパターンＰ２との特定方向に沿った間隔が異なるよう設けられている露光用マスクである。また、この露光用マスクを用いて感光材料を露光、現像する工程と、感光材料の現像後の評価用パターンにおける第１のパターンと第２のパターンとの相対位置を計測して第１の計測結果を得る工程と、感光材料にシュリンク処理を施す工程と、シュリンク処理後の感光材料の評価用パターンにおける第１のパターンと第２のパターンとの相対位置を計測して第２の計測結果を得る工程と、第１の計測結果と第２の計測結果との差を得る工程とを有するプロセス評価方法である。 （もっと読む）

【課題】パターン形成特徴部の幅とパターン形成特徴部の間の間隔（トレンチ幅）の双方を集積回路内で変化させつつ単一高解像度フォトマスクを用いた標準フォトリソグラフィ処理技術を用いて可能であるものと比較して高密度（即ち、低ピッチ）を持つ基板上にパターン形成特徴部を形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の上にコア層と保護層を形成し２５２、レジストパターンをコア層に転写２５６、レジスト除去自己制限的エッチングにより狭いパターン上の保護層すべてと、広いパターンの保護層の一部を除去２６０し、コンフォーマル誘電体層を形成、方向性エッチング２６４後、狭いパターン構造からコア層を除去２６８してパターン形成特徴部が形成される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを介して露光を繰り返し行うことに基づいて連続的にパターンを形成する際に、前後の露光領域の境界部に信頼性よくパターンを形成することができるネガレジスト用のフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板４２と、その中央主要部Ｍに配置され、垂直軸から相互に逆方向に傾いて配置された複数の第１ラインパターン６２と第２ラインパターン６４とが交差して構成されるメッシュ状パターン６０と、透明基板４２上の右端部Ｐ１に第１ラインパターン６２が延在して形成された第１延出ラインパターン６２ａと、透明基板４２上の左端部Ｐ２に第２ラインパターン６４が延在して形成された第２延出ラインパターン６４ａとを含む。レジストの露光領域Ｅ１の右端部Ｐ１にフォトマスク４０の左端部Ｐ２が重なるように順次露光される。フォトマスクはシールド材の導電パターン層の形成に好適に使用される。 （もっと読む）

【課題】マスクパターンに応じた適切な検証を行えるマスク検証方法を提供する。
【解決手段】マスク上のパターンの中から選択された基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを設定し、マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを設定された光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する（ＳＴＥＰ３２−３）。寸法スペックを満たしていないと判断されたとき、基準パターンを基板上に転写した際に得られるパターンが目標寸法条件を満たすように転写時の光学パラメータを変更し（ＳＴＥＰ３２−４）、マスク上のパターン中の基準パターン以外のマスクパターンを変更された光学パラメータを用いて基板上に転写した際に得られるパターンが寸法スペックを満たすか否かを検証する（ＳＴＥＰ３２−３）。 （もっと読む）

【課題】デバイス上に極小領域の特徴部分を形成するための装置、方法、およびシステムを提供する。
【解決手段】位相シフトマスクにおける点に対応する光強度の最小を形成するためのフォトリソグラフィー方法および装置が説明されている。マスクによって形成された光の位相シフトは、点の周りをらせん型に変化するので、点を通過するマスクの表面を横切る線に沿って測定された位相シフトは、その点において１８０°急増し、その点の周りを通過する線は、１３０°と２３０°の間の急増はなく、最も好ましくは、１００°と２６０°の間の急増はない。 （もっと読む）

【課題】適切に光近接効果補正されたパターンの検証を行う。
【解決手段】光近接効果補正されたパターン内の近接する頂点間の距離が規定値未満か否かを検証するパターン検証方法であって，コンピュータが，頂点座標列を有するパターンデータを解析して，光近接効果補正により形成されたセリフパターン，ノッチパターン，凸状または凹状三角パターンのうち少なくとも１つを抽出する工程と，コンピュータが，パターンデータを解析して，近接する２つの頂点間の距離が規定値未満でないことを検証する工程とを有し，検証工程において，抽出されたパターン内の２つの頂点間の距離を検証対象から除外する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板等の製造に用いられる多階調フォトマスクにおいて、半透光部を介して露光されたレジストの残膜厚のバラつきを光照射量で調整しても、他の部分のパターンに影響の少ないものを提供することを課題とする。
【解決手段】多階調フォトマスク１０が、ガラス基板１１上と、ガラス基板１１上に遮光膜が形成されている遮光部１２と、半透光膜が形成されている半透光部１３と、遮光膜及び半透光膜が形成されていない透光部１４と、遮光部１２の周縁部であって、透光部１４との境界となる部分に所定の幅の半透光膜が形成されている遮光部周縁部１５とを有することを特徴とする。 （もっと読む）