【課題】２つのパラメータで角度、幅を配慮して、斜め線を含む矩形を斜め線を含まない矩形に変更することで総描画図形数を減らし、精度を保持したままスループットを向上させる露光パターン生成方法を提供する。
【解決手段】平行な向かい合うエッジを繋ぐ斜めエッジを構成する端部のＸＹ頂点を（Ｘ１、Ｙ１）、（Ｘ２、Ｙ２）と規定し、（Ｘ２−Ｘ１）を予め指定された幅Ａで割り、分割数Ｎを算出し、（Ｙ２−Ｙ１）を分割数Ｎで、割り幅Ｙを算出し、Ｘ方向の幅を平行四辺形のＸ方向の幅として、Ｙ方向の幅を算出する幅Ｙとして構成される矩形の中心をｎ＝１〜Ｎとして、Ｘ座標（Ｘ２−Ｘ１）／Ｎ×ｎ＋平行四辺形のＸ方向の幅／２＋Ｘ１、Ｙ座標（Ｙ２−Ｙ１）／Ｎ×ｎ−（（Ｙ２−Ｙ１）／Ｎ／２）＋Ｙ１の式で求められる座標にＮ個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、寸法変換差予測の精度を向上させることができるフォトマスクの設計方法を提供する。
【解決手段】設計パターンデータを所定の領域に分割する手順と、前記分割された領域におけるパターンの周囲長を求める手順と、前記手順を繰り返すことで設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長を求める手順と、前記設計パターンデータ全域におけるパターンの周囲長と、予め求められたパターンの周囲長と寸法変換差との相関関係と、から前記設計パターンデータ全域における寸法変換差を求める手順と、前記求められた寸法変換差の値を用いて設計パターンデータのプロセス変換差補正を行う手順と、前記補正後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する手順と、を備えたことを特徴とするフォトマスクの設計方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】
微少ミラーを２次元配列したミラーデバイスを用いたパターン描画装置において、感光剤の塗布された基体上への投影像をイメージセンサで観察・測定する際に、正確かつ精細に画像データを取得する。
【解決手段】
ミラーデバイス１０３で生成された画像パターンを感光剤の塗布された基体１０７上に投影し、この投影像を撮像光学系１０９とハーフミラー１０５と投影光学系１０６によってイメージセンサ１１０に結像させる。このとき、イメージセンサ１１０の撮像面に結像した微少ミラー像のピッチとイメージセンサ１１０の撮像画素ピッチとが整数比となるような撮像光学系１０９とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、寸法変換差予測の精度を向上させることができるフォトマスクの設計方法を提供する。
【解決手段】寸法変換差予測の精度に関係する解析指標に基づいて寸法変換差を求める手順と、前記求められた寸法変換差の値を用いて、設計パターンデータに対するプロセス処理後のプロセス変換差の補正を行う手順と、前記補正を行った後の設計パターンデータから露光パターンデータを作成する手順と、を備え、前記解析指標は、形成するパターンの形状に関するもの、形成するパターンが基体面に占める割合に関するもの、前記プロセス処理を行う空間のガス成分の拡散性に関するものからなる群より選ばれた少なくとも１種であること、を特徴とするフォトマスクの設計方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】マスク上に形成されたマスクパターンによって所望寸法のパターンを基板上に形成できるか否かを正確に判定できるマスクパターン判定方法を提供すること。
【解決手段】製品マスク上に形成されたマスクパターンの寸法変動量Ｍ１，Ｍ２を導出し、テスト用マスクを用いて基板上に形成される基板上パターンの目標寸法値とテスト用マスク上に形成されたマスクパターンのマスク上許容寸法変動量Ｐとの対応関係であるマスク寸法変動曲線Ｗ１と、寸法変動量Ｍ１，Ｍ２と、に基づいて、製品マスクを用いて基板上に目標寸法値で形成可能な基板上パターンの寸法範囲を使用可能寸法範囲Ｒ１，Ｒ２として導出し、使用可能寸法範囲Ｒ１，Ｒ２と、製品マスクを用いて形成したい基板上パターンの寸法Ｂ１と、を比較することによって、形成したい基板上パターンの寸法Ｂ１を製品マスクを用いて形成できるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】遮光部１と、透光部２と、グレートーン部３とを有するグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成され、レジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、現像処理を行い、遮光部とグレートーン部とで残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、レジストが除去された領域に露出する遮光膜をエッチングする工程と、透光部を形成すべき部分上の半透光膜と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を同時に除去する工程と、レジスト膜を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】シートの凸部の厚さが厚く、欠陥がなく高品質で、かつ、生産性よく製造することができる凸状シートの製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】凸部の厚みが５〜１５０μｍ、シート全体の厚みが４０〜２５０μｍおよびピッチの幅が１０〜３００μｍである凸状シートの製造方法において、シートＷの表面に紫外線硬化樹脂液を塗布し、塗布層１０を形成する塗布工程と、フォトマスク２０を用いて、塗布層１０に照射する紫外線の強度を変化することにより、厚みを調整して塗布層１０を硬化する露光工程と、塗布層を現像処理し、未硬化域１２を選択的に溶解する現像工程と、を有することを特徴とする凸状シートの製造方法および製造装置である。 （もっと読む）

【課題】多重露光に使用される複数の原版のパターンのデータの生成に有利な技術を提供する。
【解決手段】光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置において、複数回露光を行うことで１つの層のパターンを基板に形成する多重露光に使用される複数の原版のそれぞれのパターンのデータをコンピュータによって生成する生成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】加工不良となるか否かをパターン形成前に容易かつ迅速に判定するパターン判定方法を提供すること。
【解決手段】パターン判定の対象となる加工後パターンよりも前の工程で形成されるレジストパターンＰ１のエッジライン上に、パターン判定を行う位置として代表点Ｒ１を設定する代表点設定ステップと、代表点Ｒ１から周辺レジストパターンＰ２までの最小距離であるＳ１を算出する最小距離算出ステップと、代表点Ｒ１から所定の範囲内にある領域のうち、レジストパターンＰ１と周辺レジストパターンＰ２とで挟まれたパターンの無い領域の開口面積をＡ１として算出する開口面積算出ステップと、代表点Ｒ１が加工後パターンとなった際に代表点Ｒ１が加工不良となるか否かを、Ｓ１およびＡ１を用いて判定する加工不良判定ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ステッパのショットサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッパにより露光焼き付けを行う際に、形成するストライプ状パターンの幅の寸法のばらつきを低減する。
【解決手段】ショットパターン幅いっぱいに伸びる、先端が段階的に先細りとなったくさび型となっている端部を有するストライブ状のマスクパターン５を備えるショットパターンを、ショットパターン幅の１／ｎピッチで送ってショット露光を行い、ｎ回重ねた露光を行うことにより、形成したストライプ状パターンに途切れ、くびれ、および太りが生じるのを防ぎ、ストライプ状パターンの寸法のばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成するパターンが角部分を有する複雑な２次元形状である場合でも、ＯＰＣを容易且つ正確に行う。
【解決手段】第１のターゲット図形を作成し、第１のターゲット図形について、実際に用いる露光条件よりもλ／ＮＡ（λは露光装置の光波長、ＮＡは露光装置の開口数）が小さい光学条件で光強度シミュレーションを施して第２のターゲット図形を作成した後、この第２のターゲット図形を目標としてＯＰＣを実行する。 （もっと読む）

【課題】第１配線の端部に金属膜を埋め込みやすくする。
【解決手段】この半導体装置の設計方法は、配線データ生成工程（ステップＳ２０）、第１補正後データ生成工程（ステップＳ４０）、及びＯＰＣ処理工程（ステップＳ６０）を備える。配線データ生成工程（ステップＳ２０）では、第１配線を設計し、第１配線のレイアウトおよび形状を示す配線データを生成する。第１補正後データ生成工程（ステップＳ４０）では、第１の補正ルールに従って、第１配線データに、第１配線の端部を少なくとも幅方向に太らせるための第１の補正パターンデータを付加して第１補正後データを生成する。ＯＰＣ処理工程（ステップＳ６０）では、第１補正後データに、第２の補正ルールに従って光近接効果補正（Optical Proximity Correction：ＯＰＣ）を行い、ＯＰＣ処理後データを生成する。 （もっと読む）

【課題】半透光部の透過率を微調整でき、露光光に対する半透光部の透過率の波長依存性を選択できる。
【解決手段】遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、透明基板上に半透光膜及び遮光膜が積層されてなり、透光部は透明基板が露出してなり、半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜が露出してなり、半透光膜は、第１半透光層と第１半透光層上に積層された第２半透光層を備え、半透光部を構成する第２半透光層の膜厚が、遮光部を構成する第２半透光層の膜厚より小さくなるように減膜されている。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの形状に影響を与える近接パターンをリソ検証前に評価するパターン評価方法を提供すること。
【解決手段】基板に形成する回路パターンのターゲットパターンを用いて、回路パターンの解像性能に影響を与えるＳＲＡＦをターゲットパターンの周辺に作成する近接パターン作成ステップと、ターゲットパターンの周辺に所定のパターンを配置した場合に回路パターンの解像性能に与える影響度の分布に関する干渉マップを、ターゲットパターンを用いて作成する干渉マップ作成ステップと、干渉マップとＳＲＡＦとを比較することによって、ＳＲＡＦが回路パターンの解像性能に与える影響度をスコアとして算出するスコア算出ステップと、スコアに基づいて、ＳＲＡＦが回路パターンの形状に応じた適切な位置に配置されているか否かを評価する評価ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高さおよび形状の異なる部材を自由度高く効率的に形成することができる階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に直接形成され、遮光膜形成材料からなる遮光膜と、上記透明基板上に形成され、第１半透明膜形成材料からなる第１半透明膜と、上記透明基板上に形成され、第２半透明膜形成材料からなる第２半透明膜と、を有し、上記透明基板からなる透過領域と、上記透明基板および上記遮光膜を少なくとも含む遮光領域と、上記透明基板および上記第１半透明膜からなる第１半透明領域と、上記透明基板および上記第２半透明膜からなる第２半透明領域と、を備える階調マスクであって、上記第２半透明膜形成材料が、上記第１半透明膜形成材料とはエッチング液に対する耐性が異なるものであることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】レイアウトデータの階層構造を有効に利用して、精度を高く維持しつつ処理の能率を高めることのできるアップサンプリング装置、ダウンサンプリング装置を提供する。
【解決手段】アップサンプリング部４４は、メッシュ付加部４４１および新メッシュデータ設定部４４２を備えている。メッシュ付加部４４１は、空間フィルタ部４２３から入力される画像データに新たなメッシュを付加する。新メッシュデータ設定部４４２は、付加されたメッシュ上の画像データにゼロの値を設定し、メッシュが付加される前の画像データとともに、逆フーリエ変換部４２４へ出力する。 （もっと読む）

【課題】アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること
【解決手段】透光層２、半透光層３及び遮光層４がこの順で積層されたマスクブランクス１’上にフォトレジストＲを塗布し、露光することで第１のレジスト領域Ｒ１と、第２のレジスト領域Ｒ２と、第３のレジスト領域Ｒ３を形成し、第１のレジスト領域Ｒ１を現像液で除去することで、第１の遮光層領域４ａをエッチングするためのマスクを形成し、第１の遮光層領域４ａをエッチングし、半透光層領域３ａをエッチングし、第２のレジスト領域Ｒ２を現像液で除去することで、第２の遮光層領域４ｂをエッチングするためのマスクを第３のレジスト領域Ｒ３によって形成し、第２の遮光層領域４ｂをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】光透過領域及び遮光領域からなる２値パターンのグレートーンマスクにおいても、多くの階調数を表現する。
【解決手段】光透過領域２２及び遮光領域２４を有し、かつ露光装置の分解能に対応する面積より小さい面積の小領域２０であって、光透過領域２２または遮光領域２４の面積を各々異ならせた複数の小領域２０を、階調毎に光透過領域２２または遮光領域２４の総面積が異なるように、組織的ディザ法によるベイヤーマトリックスを用いて、階調に応じた組み合わせで単位領域３０内に配列する。 （もっと読む）

【課題】補助パターン法や位相シフトマスクなどを用いずとも微細パターンの形成が可能で、かつマスクの欠陥検査を容易とする。
【解決手段】基板１の表面に遮光膜２が形成されており、この遮光膜２には、２本組の光透過用開口パターン２ａが実質的に同一の線幅で互いに間隔を持って並走し、かつ他の光透過用開口パターン２ａから孤立するように形成されている。このフォトマスク５を用いてフォトレジストを露光する際の露光量（十分大きい開口パターンへの露光エネルギ）は、露光によりフォトレジストが現像液に対して溶解性から不溶解性になる境界の露光量または不溶解性から溶解性になる境界の露光量の４倍以上２０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】表面に変極点のないテーパ形状を形成する。
【解決手段】単位領域５２を、各々の面積が露光装置の分解能に対応する面積より小さい面積の縦４×横４の小領域５４に区画する。また、単位領域５２は、小領域５４の各々が光透過領域５６及び遮光領域５８のいずれかに定められたパターンを有し、各々光透過領域５６及び遮光領域５８の個数が階調に対応する個数に定められている。複数の単位領域５２が、テーパ形状を有する光学素子を製造するための基材の一端から他端に向かって配列された複数の細長領域２００〜２１６の各々に、階調が連続して変化するように配列されると共に、光透過領域５６及び遮光領域５８が隣接して交互に配列されたパターンを有する単位領域５２が配列された細長領域２０８を基準として、露光量が多い側の細長領域２００〜２０７の幅を露光量が少ない側の細長領域２０８〜２１６の幅より広くしたフォトマスク。 （もっと読む）