【課題】段差パターンに起因するパターン形成不良領域を、正確かつ短時間に算出するパターンレイアウト評価方法を得ること。
【解決手段】実施形態のパターンレイアウト評価方法では、段差部を覆う形成膜にリソグラフィプロセスを通して形成される形成パターンから前記段差部までの距離と前記形成パターンの形状がパターン形成不良領域となる可能性との対応関係と、前記段差部のレイアウトと、を用いて算出された前記パターン形成不良領域と、前記形成パターンのレイアウトと、を比較することによって前記パターン形成不良領域を抽出する。前記対応関係は、前記対応関係を示す関数であり前記段差部を形成する際の露光条件またはプロセス条件に基づいて作成される。前記パターン形成不良領域は、前記段差部の形成に用いたレイアウトに対して前記対応関係の畳み込み演算を行うことによって算出される。 （もっと読む）

【課題】半透光部と透光部で形成される転写パターンを用いて、被加工体に微細なパターン形状を形成する場合に、マークパターンの読み取り不良を抑制できるフォトマスク及びその製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、転写パターン部のパターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクであって、転写パターン部を透明基板上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部で設け、透明基板の前記転写パターン部と異なる領域に遮光膜で形成されるマークパターン形成部を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に転写されるダミーパターンを用いることなく、レジスト寸法特性を略一定とすることが可能なフォトマスク、及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定幅の複数のライン状の第１パターンを、所定幅のライン状の第１パターンを、該第１パターンの幅方向に予め定められた第１の間隔で平行に複数形成したラインアンドスペースパターンと、前記ラインアンドスペースパターンが形成された領域とは異なる領域に、前記幅方向で、かつ前記第１パターンと平行に所定幅のライン状の第２パターンを予め定められた第２の間隔で複数形成し、さらに前記第２パターンの幅が、半導体基板に露光する際の露光解像限界以下となるように形成したアシストパターンと、を備えたフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】ポテンシャルディップの発生を抑制することが可能な不純物層を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のドットパターン３により構成された第１の領域２−１と、この領域２−１のパターンよりも大きい面積の複数のドットパターン４により構成され、第１の領域２−１に隣接する第２の領域２−２と、を具備し、これらの領域２−１、２−２の境界部分で光の透過率が不連続的に変化するグレーティングマスク１であって、第１の領域２−１のドットパターン３と第２の領域２−２のドットパターン４との間に、これらのドットパターンの中間の面積を有するドットパターン６を設けたグレーティングマスク１を用いて、半導体基板８上に塗布されたレジスト材料９を露光する工程と、露光されたレジスト材料９を現像することによりレジスト膜１０を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして用いて半導体基板８にイオンを注入することにより、不純物層１１を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に所望寸法のパターンを正確に転写できるマスクデータを短時間で作成するマスクデータ作成方法を提供すること。
【解決手段】露光装置およびフォトマスクを用いてウエハ上にフォトマスクのマスクパターンを転写してウエハ上にウエハ上パターンを形成させた場合に露光装置の光学系に起因して露光のショット内で生じるフレアのショット内分布を導出し、フレアのショット内分布に基づいて、ショット内の領域をフレアの大きさに応じた複数領域に分割し、分割された領域毎にマスクパターンをフレアの大きさに応じた寸法に補正したマスクデータを作成する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの設計・製造コストを低減する。
【解決手段】フォトマスク製造設計装置が表示手段と処理指令入力手段と、前記処理指令入力手段が制御する、改善マスクパターン作成手段と、ウェハ転写シミュレーション手段と、ウェハ転写形状差異判定手段と、ＥＢ描画図形数判定手段を有し、前記ウェハ転写形状差異判定手段が、ウェハ転写シミュレーションの結果のパターンとターゲットパターンとの差異をあらわす、ターゲットパターンの幅の最小寸法データ（ＣＤ）と、ターゲットとするパターン間のスペースの最小寸法データ（Ｓｐａｃｅ）と、ＣＤの光強度の傾きデータ（ＣＤ＿ＮＩＬＳ）と、Ｓｐａｃｅの光強度の傾きデータ（Ｓｐａｃｅ＿ＮＩＬＳ）と、焦点深度データ（ＤＯＦ）と、マスク誤差拡大率データ（ＭＥＥＦ）とから成るパターン形状差異データを作成し前記表示手段に表示することによりフォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】光学条件（照明の形状、投影光学系の開口数（ＮＡ）など）を固定したままでマスクを製造するための設計ルールを最適化する方法を提供する。
【解決手段】マスクパターンの回折次数関数にＴＣＣマトリクスの単一値分解（ＳＶＤ）から得た固有関数を乗算することで相互相関関数が作成される。元の設計ルールの組について、変動がない条件を用いて回折次数関数が計算される。相互相関の結果とフーリエ変換の並進特性を用いてクリティカル多角形の計算された画像の縁部でＩＬＳが計算される。マスクと光学システムとの計算された相互相関とフーリエ変換の並進特性とを用いて設計を変化させることで、設計ルールの必要な変化を決定するのに必要な演算時間が低減される。計算された最適な離間距離は設計ルール内に取り込まれ、マスクレイアウトは最適化され、マスクのクリティカル及び非クリティカル部分を含むマスク全体にわたってＩＬＳが改善される。 （もっと読む）

【課題】並列に並ぶゲートパターンを有する半導体装置において、ゲートパターンのレイアウトを工夫することによって、光近接効果を補正しつつ、集積度を向上させる。
【解決手段】並列に並ぶゲートパターン２１，２２の端部と、並列に並ぶゲートパターン２３，２４の対向端部とにおいて、ゲートパターン２１の端部はゲートパターン２２の端部よりもゲートパターン２３，２４の方に突き出ており、ゲートパターン２４の対向端部はゲートパターン２３の対向端部よりも、ゲートパターン２１，２２の方に突き出ている。引っ込んでいる方の、ゲートパターン２２の端部およびゲートパターン２３の対向端部について、仕上がり形状において後退が生じない程度に、補正量を大きく設定することができる。 （もっと読む）

【課題】周期端パターンに対してデフォーカスによる光学像のばらつきを抑制するフォトマスクを提供すること。
【解決手段】遮光部１３Ａを一定のピッチで透明基板上に繰り返し配置したことによって形成されたパターンであり且つ斜入射照明による露光によってウエハ上にパターン転写される周期パターン２１Ａと、遮光部１３０Ｂを遮光部１３Ａのピッチと同じピッチで周期パターン２１Ａの周辺に繰り返し配置したことによって形成されたパターンであり且つ斜入射照明による露光によってウエハ上にパターン転写されることのないＳＲＡＦ部２１０Ｃと、を有し、ＳＲＡＦ部２１０Ｃを介してウエハ上に照射される０次回折光の回折光強度と１次回折光の回折光強度とが等しくなるよう、ＳＲＡＦ部２１０Ｃのうち露光光を透過させる透過部１２０Ｃの透過率と、透過部１２０Ｃの位相と、透過部１２０Ｃのパターン幅と、の組合せが調整されている。 （もっと読む）

【課題】マスク開口率の差異に起因するパターンの寸法バラツキを低減させる。
【解決手段】フォトレジスト膜に転写される転写パターン１２と、転写パターン１２の周囲に配置され、転写パターンの解像度を向上させる第一のアシストパターン１３と、
前記フォトレジスト膜に転写されないように構成され、前記転写用パターンの解像度には影響しない第二のアシストパターン１４とをフォトマスク１１に設ける。 （もっと読む）

【課題】 露光装置に起因する像の横ずれがあっても、実際に露光を行った場合に所望の像が得られる露光条件またはマスクパターンを決定する。
【解決手段】 露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、露光装置は光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える。該方法は、露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて投影光学系の物体面にあるパターンの像を計算し、該計算結果に基づいて、露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する。 （もっと読む）

【課題】コヒーレンスマップ法を使用して補助パターンを作成する場合に、その配置精度を向上させることが可能なマスクレイアウト作成方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィ工程で危険点となる可能性の高い設計レイアウトを設定し、設定した設計レイアウトに対して、マスクレイアウトを生成するコヒーレンスマップカーネルを設定し、設定されたコヒーレンスマップカーネルと設計レイアウトとに基づいて、コヒーレンスマップを作成し、コヒーレンスマップから補助パターンを抽出・整形してマスクレイアウトを生成し、マスクレイアウトの最適度を評価するコスト関数ＣＯＳＴを定義し、当該コスト関数を使用して、生成したマスクレイアウトを評価し、コスト関数で評価されるマスクレイアウトが最適となるまで、コヒーレンスマップカーネルのパラメータおよびコヒーレンスマップから補助パターンを抽出・整形する際のパラメータの少なくとも一方を変更する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム露光が必要な部分にのみ電子ビーム露光を適用し、残りの部分に対してはレチクル露光を適用する露光方法を提供する。
【解決手段】露光方法は、レチクル露光パターンに基づいてリソグラフィーシミュレーションを実行することにより、レチクル露光により形成されるレジストのパターンを模擬計算により求めたシミュレーションパターンを生成し、目標パターンとシミュレーションパターンとの差分データを生成し、差分データに基づいて第１の電子ビーム露光パターンを生成し、レチクル露光パターンに基づいてレチクルを生成し、レチクルを用いて光による露光処理を行ない、第１の電子ビーム露光パターンに基づいて電子ビームによる露光処理を行なう各段階を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置の製造において、パターン間隔を縮小し、レジスト膜厚、エッチング量等のバラツキに対応する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に被加工膜を形成する工程（ａ）、被加工膜上にレジスト膜を形成する工程（ｂ）、フォトマスクのマスクパターン２００ｂをレジスト膜に転写パターン２００ｃとして転写する工程（ｃ）、転写パターン２００ｃを加工する工程（ｄ）を含む。転写パターン２００ｃは、所定間隔を開けて端部同士が対向して直列に並ぶ第１及び第２の転写ラインパターン２０１ｃ及び２０２ｃと、これらに各々並列する第３及び第４の転写ラインパターン２０３ｃ及び２０４ｃと、第２及び第３の転写ラインパターン２０２ｃ及び２０３ｃの端部同士を接続する接続部２１２とを含む。工程（ｄ）にて、接続部２１２の少なくとも一部を除去し、第２及び第３の転写ラインパターン２０２ｃ及び２０３ｃを分離する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造において、所望するテーパー角度を有する吸収層パターンを比較的容易に高精度で形成することができる反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】吸収層上にハードマスクパターンを形成し、前記ハードマスクパターンをマスクとして前記吸収層をドライエッチングして吸収層パターンを形成する工程を含む反射型マスクの製造方法であって、前記吸収層をドライエッチングする工程において、前記基板にバイアスパワーを印加し、前記バイアスパワーが、前記ハードマスクパターンの端部にダメージが集中して前記ハードマスクパターンの端部が後退する大きさに調整され、前記ハードマスクパターンの端部を後退させながら前記吸収層をエッチングし、所定のテーパー角度を持つ前記吸収層パターンを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光層のサイドエッチングを抑制することでパターニング精度の高いハーフトーンマスクを作成することが可能なマスクブランクス及び当該マスクブランクスから形成されるパターニング精度の高いハーフトーンマスクを提供すること
【解決手段】本発明に係るマスクブランクスは、この順に積層された透明基板と、半透光層と、エッチングストッパ層と、遮光層とを具備する。半透光層は第１の光学濃度を有し、エッチングストッパ層は第２の光学濃度を有する。遮光層は２０ｎｍ以上９５．２ｎｍ以下の厚さを有し、第１の光学濃度及び第２の光学濃度との和が３．０以上である第３の光学濃度を有する。遮光層の厚さを当該範囲内とすることにより、半透光層がエッチングされる際の遮光層のサイドエッチング量を低減し、かつ、製造されたハーフトーンマスクの遮光部において、入射光を十分に遮蔽することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィを用いて形成される半導体装置を高性能化させる。
【解決手段】互いに同じ材質からなる第１導体パターンＰＥ１および第１ダミー導体パターンＤＭ１を含む第１の層Ｌ１と、第２導体パターンＰＥ２を含む第２の層Ｌ２とがシリコン基板ＳＵＢ１上に積層されている。第２導体パターンＰＥ２は、第１導体パターンＰＥ１または第１の層Ｌ１より下層の導電部と、コンタクトプラグＣＰ１によって電気的に接続されている。第１ダミー導体パターンＤＭ１のうち、コンタクトプラグＣＰ１と重なる部分には、それよりも断面積の大きい孔部ＨＬ１が形成されている。そして、コンタクトプラグＣＰ１は孔部ＨＬ１内を通って配置されることで、第１ダミー導体パターンＤＭ１と接触しないようにして形成されている。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形成された配線形成用マ
スク部分が複数平行に形成されているレジスト材料からなる配線パターンを部分的に細く
ならないように同一の高さに形成することができる露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光に用いられ、露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形
成された配線が並列に配置されているレジスト材料からなる配線パターンを形成するため
の露光用マスク１９において、片側にのみ隣接する配線形成用マスク部分が存在する部分
１８ａ２の配線幅を、両側に隣接する配線形成用マスク部分が存在する部分１８ａ１の配
線幅よりも太くする。 （もっと読む）

【課題】複数の薄膜をそれぞれパターニングして成る転写用パターンを備えたフォトマスクにおいて、各薄膜に対してそれぞれ歪み補正を施しつつパターンを形成し、これらのパターンを正確に重ね合わせる。
【解決手段】 透明基板上に形成した第１の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第１パターンを形成する第１パターニング工程と、透明基板上に形成した第２の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第２パターンを形成する第２パターニング工程と、を有し、第１パターニング工程は第１描画工程を、第２パターニング工程は第２描画工程をそれぞれ含み、第１描画工程及び第２描画工程では、同一の歪み補正の施された補正座標系を用いて行う描画を含む。 （もっと読む）