【課題】リソグラフィプロセスのために好ましいレイアウトを得るための方法を提供する。
【解決手段】この方法は、複数のフィーチャを含む初期レイアウトを識別するステップと、終了条件が満足するまでフィーチャを再構成することによって、好ましいレイアウトを得るステップと、を含み、再構成するステップが、複数のリソグラフィプロセス条件に関しフィーチャへの一組の変化がリソグラフィメトリックにどのように影響したかを測定する費用関数を評価するステップと、少なくとも幾つかがフィーチャの特性の関数である一連の項に費用関数を展開するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】精度良くウエハにパタンを転写することができる反射型露光用マスクを提供する。
【解決手段】反射型露光用マスクは、基板２３と、基板上に形成され、露光光を反射する光反射層２４と、光反射層上に形成され、露光光を吸収する光吸収層２５と、を備える。また、マスクは光吸収層が部分的に除去されて光反射層が露出された部分、及び光吸収層が除去されないで残った部分により形成されるパタン形成領域２１と、パタン形成領域を囲む遮光領域である第１の部分２２ａと、第１の部分を構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である第２の部分２２ｂとを備える。また、所定の方向は、反射型露光用マスクを保持する装置と、露光光との相対的な移動方向に平行な方向であり、第２の部分は、測定点が設定される部分であり、第１の部分、及び第２の部分は、第１の光吸収層及び光反射層が除去され、基板が露出された領域である。 （もっと読む）

【課題】位相変調マスクからの距離に依らず、被露光物を所望のパターンで精度良く露光することができる位相変調マスクを提供する。
【解決手段】照明光学系１１からの光は、位相変調マスク２０によって、所定の周期的な変調パターンで位相変調される。被露光物１４は、位相変調された光の回折光相互の干渉を利用して所定の露光パターンで露光される。ここで位相変調マスク２０は、位相変調された光の回折光のうち１次の回折光のみによって被露光物１４が露光されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】 微細なパターンを精度よく形成する原版のデータを生成する生成方法を提供する。
【解決手段】 光源からの光を用いて原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられる原版のデータをコンピュータによって生成する生成方法であって、近似空中像に基づいて主パターンを決定し、補助パターンを挿入することで原版のデータを生成する生成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】少ないデータ量で製造できる、マスクに干渉縞（モアレ）を生じない濃度分布マスクを得る。
【解決手段】複数の微小網点図形と前記微小網点図形の間隙である網点間隙領域とから構成される遮光膜パターンを被露光基板に投影する投影レンズの該被露光基板側の開口数をＮＡとし、前記遮光膜パターンの拡大率をｎ倍とし、露光する光の波長をλとすると、Ｐ≦ｎλ／ＮＡのピッチＰで前記微小網点図形が縦横に繰り返して配置され、前記遮光膜パターンの所定領域に存在する前記網点間隙領域の面積の、前記所定領域の面積に対する比で定義される開口率Ｗが前記所定領域の光透過率の平方根に設定され、前記微小網点図形の位置を露光光の波長λの４分の１以下の変位量の範囲でランダムに変位させる。 （もっと読む）

【課題】シミュレーションモデルの精度を向上させることができるシミュレーションモデル作成方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のシミュレーションモデル作成方法では、マスクのパターンを露光量及びフォーカス値を変化させて第１の基板上に転写することでレジストパターンを形成し、前記レジストパターンの線幅を計測する。そして、計測値内から前記露光量及びフォーカス値のばらつきに起因して第１の許容変動範囲外となる計測値を削除する。さらに、計測値内からパターン特徴量に起因して第２の許容変動範囲外となる計測値をパターン特徴量毎に判定して削除する。また、計測値内からマスクのパターン線幅のばらつきに起因して第３の許容変動範囲外となる計測値を削除する。そして、削除されなかった計測値を用いてシミュレーションモデルを作成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造期間を短縮できると共に、効率的に開発を行なって製造歩留を向上させることが可能なマスクデータ検証装置を提供すること。
【解決手段】マスクデータ検証装置は、設計レイアウト２１と既存種ライブラリ２２に格納される設計レイアウトパターンとを比較して、同一でなく類似でもない設計レイアウトパターンを新種の設計レイアウトパターンとして抽出する（Ｓ６２）。そして、新種ライブラリ２３に格納された新種の設計レイアウトパターンに対してＯＰＣ／ＲＥＴを用いてマスクデータを作成し（Ｓ６３）、後検証を行なう（Ｓ６４）。したがって、予め新種の設計レイアウトパターンの検証が行なえ、半導体装置の製造期間を短縮できると共に、効率的に開発を行なって製造歩留を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】一枚の露光用マスクを、複数の異なるパターンのフォトリソグラフィー法による製品を作製する露光工程に使用可能とし、露光工程での露光用マスクパターンの切り換えを容易に行える露光用マスクを提供すること。
【解決手段】周囲が遮光部１に囲まれた固定開口部２を有する複数の開口板３を積層して、各開口板を独立に固定開口部平面内に可動制御して開口板相互の位置関係を可変とすることにより、固定開口部平面に垂直な方向の積層体開口部２１の形状を多様に限定できるシャッター素子５を構成して、シャッター素子により露光工程における光透過領域を選択する機能を付与した。 （もっと読む）

【課題】歩留りに基づく修正メリット関数を使用した光近接補正法を提供する。
【解決手段】レイアウト・ジオメトリに関係した既知の故障メカニズムを使用して、エッジ・フィーチャなどのレイアウト・フィーチャ間の距離値に基づく歩留り関数を導き出す。予測レイアウト・パターン上のエッジ点と設計レイアウト・パターン上の対応点との比較では、最初に歩留りテストを実施し、その後に予測レイアウト・パターン上の点を歩留りがより改善する位置へ移動させる。歩留りが許容しうる場合、それ以上の移動は実施しない。点を段々と移動させた結果、許容しうる歩留りに到達する前に許容される近接範囲内に入った場合には、他の考慮事項のためにその点にフラグを立てる。 （もっと読む）

【課題】マスク描画時間を短縮して、微細パターンを有する高品質のマスクを作製することができるマスクデータ生成方法及びこのマスクデータ生成方法によるマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】設計データに光近接効果補正処理を行って、フラクチャ数の多い描画データを作成する工程と、前記フラクチャ数の多い描画データの面積を保存しつつグリッドサイズを拡大し、前記フラクチャの頂点数を削減する処理を行ってマスク描画データを作成する工程と、前記グリッドサイズが拡大された前記マスク描画データによるマスク転写特性をシミュレーションにより評価する工程と、前記シミュレーションによる評価において、前記マスク転写特性が良好と判断された場合の前記グリッドサイズのマスク描画デ−タをマスク描画に適用する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超微細な補助パターンを備えたＥＵＶマスクとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上に高透過率・低反射層と低透過率・高反射層とを交互に積層して、ＥＵＶ光を反射する反射層１０２を形成する。次に、反射層１０２の上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１０５を形成する。次いで、吸収層１０５を、転写対象面に転写される主パターン１０７の形状に加工した後、主パターン１０７の近傍に、転写対象面に転写されない補助パターン１０８を形成する。補助パターン１０８を形成する工程では、反射層１０２に電子ビーム２０４を照射して、高透過率・低反射層と低透過率・高反射層の固溶体を形成する。 （もっと読む）

【課題】露光特性を向上させ、半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】試験露光および現像処理により得られた複数のフォトレジストパターンのレジスト線幅（転写パターン寸法）とラインばらつき（ＬＷＲ）との相関から、ラインばらつきのより小さいレジスト線幅である補正用レジスト線幅を選出し、ターゲット寸法と補正用レジスト線幅との差に基づいて基準マスク線幅を補正したマスクパターンを形成する。このマスクパターンを用いて露光および現像することにより半導体装置を製造する。これにより、ラインばらつき（ＬＷＲ）を低減することができ、半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ（限界寸法）誤差を低減し、シュリンク処理の形状依存を補正できるパターン化フォトレジスト層を実現するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えた装置を提供する。
【解決手段】媒体６１４は形状レイアウトを受信するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、形状レイアウトに対してシュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードとを備える。シュリンク補正を適用するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、パターン化層に形状を形成するための角切り欠き部を提供して、線の幅および長さ、形の修正などを調整する。 （もっと読む）

【課題】パターン剥がれを防止したフォトマスクを提供する。
【解決手段】第１パターンと等間隔で配置された複数の第２パターンとを有し、第１パターンに最も近い第２パターンと第１パターンとのスペースの距離が、第２パターンの幅とその間隔の２倍との和よりも大きい場合、第２パターンと同等な形状および間隔で複数のダミーパターンが第１スペースに配置され、上記スペースの距離が、第２パターンの幅とその間隔の２倍との和以下、かつ、第２パターンの幅とその間隔との和より大きい場合、第２パターンと同等な形状のダミーパターンが第１パターンに最も近い第２パターンから上記間隔を空けて配置され、第１方向に延在して第１パターンに接触しており、上記スペースの距離が、第２パターンの幅とその間隔との和以下の場合、第２パターンと同等な形状のダミーパターンが第１パターンに最も近い第２パターンから上記間隔を空けて配置され、第１パターンと接続されている。 （もっと読む）

【課題】各コラムセルの露光マスクの開口パターンの線幅が異なっている場合であっても、コラムセル間のパターンの仕上がり寸法のばらつきを抑制できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び露光マスクを提供することを目的とする。
【解決手段】試料の上方に配置され、電子ビームを照射して並列して前記試料の露光を行う複数のコラムセルを備えた電子ビーム露光装置において、各コラムセルに対応する部分に相似形状で線幅が異なる複数のパターン１６３が大きさ順に並べて配置された露光マスク１１０を用い、パターンの線幅の設計値と予め測定して求めたパターンの仕上がり寸法とのずれ量に相当する線幅Δｗだけ露光データで指定されたパターンと異なる線幅のパターン１６３を前記露光マスク１１０から選択するようにした。 （もっと読む）

【課題】所定のパターンの解像性、特にコーナー部の解像性を向上させ、電子ビームの描画ショット数を削減して描画効率を向上させたマスクパターン描画方法を提供する。
【解決手段】複数個の描画ショットで電子ビーム露光して所定のパターンを描画するマスクパターン描画方法であって、所定のパターンを、Ｘ方向に横長の矩形パターンとして描画する工程と、Ｙ方向に縦長の矩形パターンとして描画する工程とを有し、横長の矩形パターン描画と縦長の矩形パターン描画とが交差する描画交差部を重ね描画とし、前記描画交差部のＸ方向およびＹ方向に所定のパターンから突き出した矩形の描画領域を設けて描画し、突き出した矩形の描画領域を含む横長の矩形パターン描画の露光量と縦長の矩形パターン描画の露光量の和が、レジストを解像させる露光量であり、描画交差部で所定のパターンを解像させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクを準備する準備工程と、上記吸収層のパターンが形成された回路パターン領域の外周に、水素またはヘリウムのイオンビームを照射し、上記多層膜の周期構造の規則性を乱して低反射部を形成し、上記基板上に上記低反射部および上記吸収層が積層された遮光領域を形成する遮光領域形成工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行う。
【解決手段】被加工体をエッチングする際のエッチング条件に基づくサイドエッチング幅αを設定し、膜パターンのライン幅Ｗ_Ｌ、スペース幅Ｗ_Ｓのそれぞれと、サイドエッチング幅αとに基づき、レジストパターンのライン幅Ｒ_Ｌとスペース幅Ｒ_Ｓとを設定し、決定したライン幅Ｒ_Ｌとスペース幅Ｒ_Ｓをもつレジストパターンに基づき、露光の際の露光条件、及び転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌとスペース幅Ｍ_Ｓを決定し、かつ、転写用パターンのライン幅Ｍ_Ｌは決定したライン幅Ｒ_Ｌと異なり、転写用パターンのスペース幅Ｍ_Ｓは決定したスペース幅Ｒ_Ｓと異なる。 （もっと読む）

【課題】パターン端部を有する場合でも均一な寸法のパターンを作製することができるフォトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様であるフォトマスク１００は、基板及び遮光膜を有する。基板に入射する露光光線は被転写体へ向けて透過する。遮光膜は、基板上に形成され、露光光線を遮光する。遮光膜の通常パターン領域１５とパターンが形成されない空白領域１６との間のパターン端部領域１４には、第１の開口部１１が形成される。遮光膜の通常パターン領域１５には、第１の開口部１１とは面積が異なる第２の開口部１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】所望の微細パターンを基板上に形成することができるマスクパターン作成方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスクパターン作成方法では、反射型光学系を備えた露光装置に用いられるパターン転写用の反射型マスクに、前記反射型マスクへ入射する入射光の斜入射効果の測定に用いられる斜入射効果測定用パターンを形成する。そして、前記反射型マスクを用いて、前記斜入射効果測定用パターンに対応する基板上パターンを基板上に形成する。さらに、前記基板上パターンの寸法に基づいて、前記斜入射効果を測定する。その後、前記斜入射効果に基づいて、予め作成しておいたマスクパターンを補正する。前記斜入射効果測定用パターンは、回転対称なパターンとしておく。 （もっと読む）