【課題】 解像性能とマスク製造コストの抑制を両立できるマスクデータ作成プログラムや方法を提供する。
【解決手段】 マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系を用いて基板を露光する露光装置に用いられる前記マスクのデータをコンピュータに作成させるプログラムであって、マスクは前記基板に形成すべき目標パターンを解像するためのメインパターンと、解像しない補助パターンとを含み、メインパターン及び補助パターンのパラメータの値を設定し、メインパターン及び補助パターンのパラメータの各値で定められるメインパターン及び補助パターンを投影光学系を用いて投影した場合の像を計算する。メインパターン及び補助パターンのパラメータの値を変更して該計算を行った結果に基づいて、メインパターン及び補助パターンのパラメータの値を決定して、該決定されたメインパターン及び補助パターンを含むマスクのデータを作成する。 （もっと読む）

【課題】複数の位相差及び複数の透過率を有するフォトマスクを用いる場合であっても、照明形状及びフォトマスク形状をそれぞれ最適化できるようにする。
【解決手段】フォトマスク２００は、露光光を透過させる透光部２０４と、透光部２０４よりも露光光の透過率が低い半遮光部２０２と、露光光を透光部２０４と異なる位相で透過させる位相シフト部２０３とを少なくとも有する。投影光学系の瞳面を分割してなる複数の分割点のそれぞれにおいて、フォトマスク２００を透過した露光光の光強度分布を求め、当該光強度分布に基づいて、フォトマスク２００を用いた露光における露光光の照明形状を設定する。 （もっと読む）

【課題】無集光領域の縮小さらには解消を図る。
【解決手段】半導体基板上にマイクロレンズとするための樹脂層を形成し、樹脂層の上にフォトレジスト層を形成した後、同フォトレジスト層をフォトリソグラフィーによってパターンニングして、マトリクス状に相互に近接配置された平面視矩形の多数のフォトレジストパターンを形成する。ここで、フォトリソグラフィーに用いるマスクとしては、各フォトレジストパターンにそれぞれ対応する各マスクパターン１６が、各角部１８に、対角線方向で外側に延出するサブアイランドパターン２０を備えたマスク１４を用いる。その後、フォトレジストパターンを熱溶融させて凸面状の転写用マイクロレンズパターンとし、全面ドライエッチングを行って、転写用マイクロレンズパターンを転写してマイクロレンズを形成する。 （もっと読む）

【課題】単純な形状のパターンをマスクに形成するだけで、反射型露光マスクを用いる露光においてシャドウイング効果によって生じる寸法ばらつきを低減する。
【解決手段】反射型露光マスク１は、円形もしくは八角形以上の多角形のホール形成用パターン２を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な結像性能を与える露光条件及びマスクパターンを決定することができるプログラム及び方法を提供する。
【解決手段】露光条件及びマスクパターンを設定する第１ステップと、前記露光条件を用いて、投影光学系により基板上に形成されるマスクパターンの像の良否についての指標を示す第１評価関数を用いて前記マスクパターンを仮決定する第２ステップと、仮決定された前記マスクパターンと前記露光条件とを用いて、前記投影光学系により基板上に形成されるマスクパターンの像の良否についての指標を示す第２評価関数の値を算出する第３ステップと、前記第２評価関数の値に基づいて前記露光条件及び前記マスクパターンを変更する第４ステップと、前記露光条件及び前記マスクパターンを初期値として前記第２ステップ及び前記第３ステップを繰り返す処理を実行するか否かを判定する処理を含む第５ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】レイアウト設計に対して、光学補正およびプロセス補正（ＯＰＣ）または他の解像度向上技術を行うために、プロセス条件を計算する方法を提供すること。
【解決手段】プロセス条件が、実質的に均一なグリッドによって、レイアウトデータベース上において推定される。等高Ｓ曲線が、推定されたプロセス条件から作成される。次に、等高曲線は、レイアウト内の形態と比較されて、エッジ配置誤差を決定する。エッジ配置誤差から、形態に対するＯＰＣまたは他の補正が行われ得る。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの算出精度を向上させる、コンピュータを用いてレジストパターンを算出する方法を提供する。
【解決手段】レチクルのパターンおよび露光条件に基づいて、レジストに形成される光学像の光強度分布を算出する第１工程と、前記第１工程で算出された光強度分布を第１の拡散長で畳み込み積分する第２工程と、前記第１工程で算出された光強度分布又は前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布から前記レジストの面内における各点について該点を含む所定の大きさの領域における光強度を代表する代表光強度を算出する第３工程と、補正関数を前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布に加算することによって、前記第２工程で畳み込み積分された光強度分布を補正する第４工程と、前記第４工程で補正された光強度分布と予め設定されたスライスレベルとに基づいて前記レジストパターンを算出する第５工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】濃度分布マスクのパターンの解像度を高くし、かつ、低露光の露光量を精密に制御する。
【解決手段】濃度分布マスクの微小網点図形に光透過率Ｔを持たせ、前記微小網点図形の厚さを、透過光の位相を、１８０度を中心として１７０度以上１９０度以下位相シフトする厚さにし、微小網点図形の間の網点間隙領域の開口率Ｗの値を、Ｗ＝（√Ｔ）／（１＋（√Ｔ））に設定することで、前記微小網点図形を透過する光と前記網点間隙領域を通過する光とを相殺させた遮光領域を有する濃度分布マスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】ショット形状毎にドーズ量を対応付けたショット形状配列描画データを利用してマスクパターン等を製造する場合に、実際に電子線描画することなく、パターンの形状を確認できるパターン形状予測プログラム、パターン形状予測システムを提供する。
【解決手段】パターン形状予測装置５０は、段付データ２を記憶する段付データ記憶部５５ｅと、ドーズ量と補正量とを対応付けて記憶する辺補正テーブル５５ａ−１と、段付データ２の矩形３を、辺補正テーブル５５ａ−１の矩形３のドーズ量及び辺補正テーブル５５ａ−１の補正量に基づいて補正した形状を作成するショット形状補正部５６ａと、ショット形状補正部５６ａが形状に基づいて、パターン予測形状１４を作成する外形作成部５６ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】歩留まり低下要因を回避するようにレイアウトパターンを分配する、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、ダブルパターニングを用いた半導体装置の製造方法であって、ダブルパターニングで用いる複数枚のマスクを準備する工程を備える。また、上記複数枚のマスクを用いてダブルパターニングを行なう工程を備える。複数枚のマスクを準備する工程は、複数枚のマスクのそれぞれを用いる露光工程の特性に応じて、レイアウトパターンＬＰ１〜ＬＰ４のサイズを考慮して、レイアウトパターン群ＬＰＧ１を複数枚のマスクに分配する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のみをエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】カソード２２上に載置された被エッチング材料１０に対して、被エッチング材料１０に対向するアノード２３からプラズマを発生させてエッチングするドライエッチング装置において、被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、プラズマを通過させる開口の大きさを変更可能なシャッター３０を設け、シャッター３０は、被エッチング材料に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート３０ａと、各プレート３０ａを移動可能支持する支持体２９と、プレート３０を移動させる第１移動手段３０１を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク及びそれを用いたパターン形成方法において、サイドローブの発生を避けつつ微細な密集パターン及び孤立スペースパターンの両方のＤＯＦを向上する。
【解決手段】フォトマスク４０は、透明基板１１と、透明基板１１上に、スペース（１６、１７）を挟んで対向する部分を有する第１マスクパターン１４ｂ及び第２マスクパターン（１４ａ、１５）を備える。第１マスクパターン１４ｂは、光を部分的に透過させる半遮光部１３ｂと、遮光部１２ｂとを含む。第１マスクパターン１４ｂにおいて、半遮光部１３ｂは、遮光部１２ｂを挟んでスペース（１６、１７）と対向する部分を有する配置である。第１マスクパターン１４ｂの寸法は（０．７×λ／ＮＡ）×Ｍよりも大きく、スペース（１６、１７）の寸法は（０．５×λ／ＮＡ）×Ｍ以下である（λは露光光の波長、ＮＡは露光機の縮小投影光学系の開口数、Ｍは前記縮小投影光学系の倍率）。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上に寄与することのできるリソグラフィ原版の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態のリソグラフィ原版の製造方法は、回路パターン３に表れる周期的パターン４を連続させた連続パターンを基板の略全面にわたって形成し、連続パターンの欠陥を検出する欠陥検査を行う。検出された欠陥を避けるように回路パターンの形成領域の配置を決定し、回路パターンの形成領域外に形成された連続パターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】効率良く正確にパターン間のパターン形状が同一であるか否かを判定すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、パターン形状判定方法において、パターン形状の判定基準となる第１のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第１の基準位置を設定する。また、前記第１のパターンとパターン形状が同一であるか否かが判定される判定対象としての第２のパターンにパターン形状の判定基準位置となる第２の基準位置を設定する。パターン形状が同一であるか否かを判定する際に用いるパターン寸法差の判定基準を、前記第１の基準位置からの距離毎に当該距離に応じた値に設定する。前記第１のパターンと前記第２のパターンとの間の寸法差が、前記パターン寸法差の判定基準内であるか否かに基づいて、前記第２のパターンが前記第１のパターンと同一のパターン形状であるか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ裕度が大きくなるような補助パターンの位置を効率的に決定することができる方法、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】補助パターンの位置決定方法は、露光光学系の３以上の結像位置についての相互透過係数からそれぞれ線形に扱える部分を抽出することにより、前記３以上の結像位置についてそれぞれ第１集合を生成する工程Ｓ１と、前記第１集合をそれぞれ逆フーリエ変換することにより、前記３以上の結像位置についてそれぞれ第２集合を生成する工程Ｓ２と、前記第２集合に属する光の振幅を表す指標の前記結像位置についての２回微分値を算出する工程Ｓ３と、前記露光光学系の結像面において前記２回微分値が極値をとる位置を抽出する工程Ｓ４と、を備える。前記結像面における前記極値をとる位置に対応する前記フォトマスクにおける位置の少なくとも一部を補助パターンの形成位置とする。 （もっと読む）

【課題】最終的に半導体基板上に形成されるパターンの寸法精度と位置精度を悪化させることのないパターン形成方法及び該方法により形成されるフォトマスクを提供する。
【解決手段】半導体基板に１回目の露光でパターンを形成し、１回目の露光でパターンが形成されていない抜き部分に２回目の露光でパターンを形成するパターン形成方法であって、１回目のパターンを形成するための１回目の露光用パターン１２と２回目のパターンを形成するための２回目の露光用パターン１３とを単一の透明基板１１に形成してなるフォトマスク１７を設け、このフォトマスク１７を用いて半導体基板に１回目と２回目のパターンを形成する際に１回目の露光の条件と２回目の露光の条件と異ならせる。これにより、片方のパターンを優先的に露光する上での手法を有利にした。 （もっと読む）

【課題】近接露光装置による露光転写によって、高解像度なパターンを得る事ができる近接露光用マスク及び近接露光装置ならびに近接露光方法を提供する。
【解決手段】マスクパターンＰは、主開口を有する主パターン部８１と、該主パターン部８１の側方に形成され、現像処理後に解像されない透過性の補助パターン部８３とを備え、主パターン部８１と補助パターン部８３は、位相シフト膜８４によって仕切られる。 （もっと読む）

【課題】４つのメインパターンが環状にランダムに配置されている場合でも大きな焦点深度を得ることが可能なフォトマスクを提供する。
【解決手段】このフォトマスクは、ウェハＳＢ上に形成すべき回路パターンの設計情報に基づいて、４つのメインパターンＭＰ１〜ＭＰ４を環状に配置し、４つのメインパターンＭＰ１〜ＭＰ４の内側の４つの頂点によって形成される四角形Ｑの２本の対角線Ｌ１，Ｌ２の交点Ｏに、露光パターンの焦点深度を増大させるためのサブパターンＳＰを配置する。したがって、メインパターンＭＰが一定周期で配置されていない場合でも、焦点深度を増大できる。 （もっと読む）

【課題】マスク検出の精確度を高め得る検出方法、システム及び装置を提供する
【解決手段】設計データベース１８を受信し、バイアス因子（Ｂｉａｓ Ｆａｃｔｏｒ）２０によってこの設計データベース１８のパターンを調整して、バイアスされたデータベース（Ｂｉａｓｅｄ Ｄａｔａｂａｓｅ）２２を発生する。このバイアスされたデータベース２２に対して画像レンダリング（Ｉｍａｇｅ Ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ）１４を行って、バイアスされた画像２４を発生する。また、この設計データベース１８を用いて、イメージングされてマスク画像を発生するマスク２６も発生する。バイアスされた画像２４とマスク画像３４とを比較し１６、この比較に基づいてこのバイアス因子の新数値３６を決定する （もっと読む）