【課題】密着露光装置に使用してもグレイスケールの発現するバイナリータイプのフォトマスクを提供することである。
【解決手段】基板４上のレジスト３に密着させてパターン露光に用いるバイナリーグレイトーンフォトマスク１であって、フォトマスクの遮光層２は、波長がλである露光光の解像限界以下の複数の開口部７を内部に含む全体としては解像限界以上の開口部領域と解像限界以上の単純な開口部８とを有しており、且つ前記開口部領域を囲む遮光層２上と単純な開口部８を囲む遮光層２上にスペーサが形成されていることを特徴とするバイナリーグレイトーンフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】補助パターンを有するＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、補助パターンの欠けや基板表面からの剥離、あるいは補助パターンの倒れを防止し、マスク製作が比較的容易で高精度のパターン転写が可能となる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され前記反射層へのエッチング損傷を防止するバッファ層と、前記バッファ層上に形成され前記ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用反射型マスクであって、前記ＥＵＶ露光用反射型マスクのマスクパターンが、ウェハ上に転写される主パターンと、前記主パターンの近傍に設けられ投影光学系の解像限界以下の大きさの補助パターンとからなり、前記補助パターンがバッファ層で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成するパターンの寸法を所望値に近づけること。
【解決手段】設計パターンに対し、第１ＯＰＣを行なうことにより、マスク描画に使用する第１グリッドに配置された第１パターンを生成する工程（Ｓ１２）と、前記第１パターンの幅を構成する両辺のうち片辺のみを前記第１パターンの幅方向に前記第１グリッド１個移動させることにより中間パターンを生成する工程（Ｓ１４）と、前記中間パターンを用い作製されたマスクを用い、半導体基板上に実体パターンを形成する工程（Ｓ１８）と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい電圧の変化を減らすことにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる半導体装置のレイアウト方法及びその半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板内に形成された少なくとも１つの第１電極と第２電極を有する複数個のトランジスタのアクチブ領域を配置する段階と、前記複数個のトランジスタのアクチブ領域のそれぞれの少なくとも１つの第１電極と第２電極との間に位置し、前記半導体基板上に所定の幅と長さを有する１つ以上の実質的に同一間隔に分離された前記複数個のトランジスタのゲートを配置する段階と、前記複数個のトランジスタの間に、所定の幅と長さを有し、前記半導体基板上に前記複数個のトランジスタの分離されたゲートの間隔と実質的に同一間隔に配置された複数個のダミーゲートを配置する段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上に微細パターン、特にハーフピッチ４５ｎｍ以下の細密パターンを形成するための半導体素子のフォトリソグラフィ工程において、露光裕度を向上させることができるバイナリ型のフォトマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、定数ｋ₁が０．５４５以下であり、瞳フィルタを用いた変形照明により液浸露光するフォトリソグラフィ技術に用いられるフォトマスクにおいて、該フォトマスクが透明基板上に露光光を遮光する遮光膜でマスクパターンを形成したバイナリ型のフォトマスクであって、前記マスクパターンのエッジの形状がテーパー状に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】設計期間の短縮を図ること。
【解決手段】設計装置は、補正パターンにより生じるエラーのうち、コーナー部の丸まりの影響を受ける箇所のエラーについては、コーナー部のエラー抽出処理（ステップ３５）と検証処理（ステップ３６）において、その妥当性を検証する。そして、設計装置は、補正パターンによるエラーのうち、コーナー部の丸まりによりマスク上又は基板上において問題とならない（線幅が規定以上となる）箇所のエラーは、疑似エラーと判定する。一方、設計装置は、コーナー部において、マスク上又は基板上において問題となる（線幅が規定未満となる）箇所のエラーは、真性エラーと判定する。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を抑え、基板上にパターンの像を良好に形成することができるマスクを提供する．
【解決手段】マスクは、投影光学系を介して基板上にパターンの像を形成するための円筒状のマスクである。マスクは、パターンが形成され、所定軸周りに配置されたパターン形成面を有し、基板の少なくとも所定の一次元方向への移動と同期して、所定軸を回転軸として回転可能であり、パターン形成面におけるマスクの直径をＤ、一次元方向における基板の最大の長さをＬ、投影光学系の投影倍率をβ、円周率をπとしたとき、Ｄ ≧ （β×Ｌ）／πの条件を満足する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法において、設計パターンに基づいて電子線によりレジストパターンを形成するに際し、電子線描画による電荷およびエネルギーがレジストに蓄積するのを抑制し、各種パターン精度を向上させた反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクブランク表面に設計パターンに基づいて電子線によりレジストパターンを形成し、吸収体層をドライエッチングして吸収体層パターンを形成する反射型マスクの製造方法であって、前記吸収体層の上にハードマスク層を設け、設計パターンをパターン精度が必要とされる主要部と主要部以外の非主要部との２つに分け、前記レジストパターンを形成する工程を、前記主要部のレジストパターン形成工程と前記非主要部のレジストパターン形成工程との２回に分けて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フレアによる影響を低減する。
【解決手段】本実施形態の露光用マスクは、露光装置により、感光性樹脂膜がパターン化されることのない第１の領域と所望の形状のパターン群が形成される第２の領域とを有する感光性樹脂膜パターンを転写形成する際に使用するものである。前記露光用マスクは、透明基板と、この透明基板上に設けられ光を遮断する機能または光を一部透過させる機能を有する遮光膜とから構成される。前記露光用マスクにおける前記第１の領域に対応する領域に亘って、前記露光装置の露光条件に対して非解像のピッチの前記遮光膜による繰り返しパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ハーフトーンマスクのパターンのデータの生成に有利な技術を提供する。
【解決手段】目標パターンを投影光学系の物体面に配置したときに前記投影光学系の像面に形成される第１の近似空中像分布及び像面からデフォーカスした面に形成される第２の近似空中像分布を算出するステップと、前記第２の近似空中像分布から前記第１の近似空中像分布を差し引いた第３の近似空中像分布を算出するステップと、前記第３の近似空中像分布の実部及び虚部における絶対値の最大値を比較して、最大値が大きい方を主要部と決定するステップと、前記主要部の物体面における位置に主パターンを配置し、前記第１または前記第２の近似空中像分布における前記目標パターンの位置での近似空中像の値の符号と同じ符号となる前記主要部の物体面における位置に前記主パターンと同じ透過率及び位相を有する仮補助パターンを配置したパターンを決定するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明はウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を提供する。
【解決手段】 露光装備でウェーハを露光させるために使うマスクに対する情報を露光装備から算出して、該当のマスクを利用して各ウェーハを露光させるうちに適用された光エネルギー値を算出して、算出された光エネルギー値をデータサーバーに貯藏して、半導体パッケージ内の多数の露光装備から進行されるすべてのウェーハの露光工程に対して同じデータを取合して多数の露光装備によって使われる多数のマスクそれぞれに対して露光エネルギーに対する露出情報を蓄積管理するので、結晶成長、混濁のようなマスク汚染の直接的な原因である露光エネルギーに対するマスクの露出程度を直接的に算出してマスク欠陷を予測して、それによる対策を立てることで半導体収率下落を防止して半導体生産の収率を進めることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理により基板上に設計データ通りの配線パターンを形成できるようにする、レジストパターンのデータを生成するデータ生成方法を実現する。
【解決手段】レジストパターンのデータ生成方法は、基板面に相当する仮想平面上において、設計データに規定された配線の外郭上の或るポイントを基準点として所定形状を有し、当該ポイント上に位置するエッチング液によって銅箔がエッチングされ得るエッチング影響エリアを含む第１の基準エリアを設定する設定ステップS101と、レジストパターンの外郭の位置を、第１の基準エリアに占めるエッチング影響エリアの面積を表わすエリア面積パラメータに応じて決定する決定ステップS102と、設計データに規定された配線の外郭上の任意の位置に順次設定されるポイントに対して設定ステップS101および決定ステップS102を繰り返し実行することで、レジストパターンの外郭を画定する画定ステップS103と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも内側で輪郭Ｘに沿った第１のラインＬ１より内側の第１領域に形成され、ボンディングパッド１２の表面が露出した第１の開口部２１Ａと、第１の開口部２１Ａ上に第１の開口部２１Ａよりも大きい開口面積で形成され、ボンディングパッド１２の輪郭Ｘよりも外側で輪郭Ｘに沿った第２のラインＬ２より内側の第２領域に形成された第２の開口部２１Ｂとからなる開口部２１を有する保護膜２１を備えた半導体装置を製造効率良く低コストに製造する。
【解決手段】露光工程において、フォトマスクとして、第１のラインＬ１より内側の領域と、第１のラインＬ１から第２のラインＬ２までの領域と、第２のラインＬ２より外側の領域の光透過量がそれぞれ異なるレチクル５１を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＦ配置が困難なレイアウトパターンを含んで構成されるメインパターンに対してもＳＲＡＦを短時間で配置すること。
【解決手段】実施の形態の補助パターン配置方法では、基板上に形成するメインパターンの解像度を向上させる補助パターンの配置方法の種類として、ルールに従ったルールベースと、モデルを用いたモデルベースと、の何れを、前記メインパターンに対応するパターンデータ上の何れのパターン領域に設定するかを選択する配置方法選択ステップと、前記ルールベースに設定されたパターン領域であるルールベース領域に、前記ルールベースによる補助パターンをルールベース補助パターンとして配置するとともに、前記モデルベースに設定されたパターン領域であるモデルベース領域に、前記モデルベースによる補助パターンをモデルベース補助パターンとして配置する補助パターン配置ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程において、レジストで形成されるマスクの角部において丸みを低減することが可能なフォトマスクを提供する。または、ばらつきの少ない半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】遮光部の角部に補助パターンを有し、当該補助パターンは、（ｋ＋１）本の辺（ｋは３以上の自然数）でｋ個の鈍角を構成するフォトマスクである。または、遮光部の角部に補助パターンを有し、当該補助パターンはジグザグ状の曲線で構成されるフォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】プロセスモデル内に潜むマスクの製造誤差の影響を低減させ、転写時に高い数法制御精度を得る。
【解決手段】設計したテストパターンをテストマスクに形成し、テストパターンの設計データとテストマスクの実測データを合わせ込むことでマスク製造プロセスをモデル化したマスクモデルを作成し、これを用いてマスク製造プロセスのばらつきを排除したプロセスモデルを作成し、これらを用いてフォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のレイアウト全体に対する高精度のＯＰＣ処理時間を短縮する。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも１つの実パターンを含む回路部８と、互いに第１の距離７を空けて配置された複数のダミーパターン１をそれぞれ含む複数のダミーパターン群２とを備える。ダミーパターン群２同士、及び、回路部８とダミーパターン群２とは、いずれも、第１の距離よりも大きい第２の距離３を空けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】低露光量を得る領域において、その露光量を与えるパターンを、高い解像度で形成できる濃度分布マスクを得る。
【解決手段】透明基板１の上に半透光膜のパターン６を有し、前記半透光膜のパターン６の上に、遮光膜のパターンの微小網点図形４を有し、前記微小網点図形４間の間隙の開口率Ｗが光透過率Ｔの平方根に設定された濃度分布マスク１０を製造する。また、前記半透光膜のパターン６を酸化モリブデンシリサイド又は酸化窒化モリブデンシリサイド又は窒化モリブデンシリサイドで形成する。 （もっと読む）

【課題】補正対象パターンに一致する雛形パターンが準備されていない場合には、補正対象パターンに、従来のルールベースＯＰＣ手法を適用しなければならない。
【解決手段】雛形記憶領域１５に、雛形パターン及びその補正パターンが記憶さる。ルールベースＯＰＣテーブル１６に、ルールベースＯＰＣ手法のルールが記憶される。補正対象パターン記憶領域１７に、補正対象パターンが記憶される。処理装置１０が、雛形パターンと補正対象パターンとを比較して、一致部分と不一致部分とを抽出する。補正対象パターンのうち、不一致部分に起因して、ルールベースＯＰＣ手法を適用した際の補正量が影響を受ける部分を、要修正部分として抽出する。一致部分のうち、要修正部分以外の部分に対して、雛形記憶領域に記憶されている補正パターンに基づいて第１の補正を行う。要修正部分及び不一致部分に対して、ルールベースＯＰＣテーブルに基づいて第２の補正を行う。 （もっと読む）

【課題】段差パターンに起因するパターン形成不良領域を、正確かつ短時間に算出するパターンレイアウト評価方法を得ること。
【解決手段】実施形態のパターンレイアウト評価方法では、段差部を覆う形成膜にリソグラフィプロセスを通して形成される形成パターンから前記段差部までの距離と前記形成パターンの形状がパターン形成不良領域となる可能性との対応関係と、前記段差部のレイアウトと、を用いて算出された前記パターン形成不良領域と、前記形成パターンのレイアウトと、を比較することによって前記パターン形成不良領域を抽出する。前記対応関係は、前記対応関係を示す関数であり前記段差部を形成する際の露光条件またはプロセス条件に基づいて作成される。前記パターン形成不良領域は、前記段差部の形成に用いたレイアウトに対して前記対応関係の畳み込み演算を行うことによって算出される。 （もっと読む）