【課題】所望の微細パターンを基板上に形成することができるマスクパターン作成方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスクパターン作成方法では、反射型光学系を備えた露光装置に用いられるパターン転写用の反射型マスクに、前記反射型マスクへ入射する入射光の斜入射効果の測定に用いられる斜入射効果測定用パターンを形成する。そして、前記反射型マスクを用いて、前記斜入射効果測定用パターンに対応する基板上パターンを基板上に形成する。さらに、前記基板上パターンの寸法に基づいて、前記斜入射効果を測定する。その後、前記斜入射効果に基づいて、予め作成しておいたマスクパターンを補正する。前記斜入射効果測定用パターンは、回転対称なパターンとしておく。 （もっと読む）

【課題】フレアを考慮したマスクパターン補正を高速かつ高精度に行うことができるマスクパターン補正方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスクパターン補正方法では、レイアウト中のパターンの種類毎に、基準フレア値におけるマスクパターン補正量を基準マスク補正量として算出するとともに、フレア値の変化量に対するマスクパターン補正量の変化量を変化量情報として算出する。そして、前記パターンと、前記基準マスク補正量と、前記変化量情報と、を対応付けした対応付け情報から、前記パターンに対応する基準マスク補正量および変化量情報を抽出する。さらに、前記パターンが配置される配置位置でのフレア値と前記基準フレア値との差分であるフレア差分と、抽出した基準マスク補正量および変化量情報とに基づいて、前記パターンのフレア値に応じたマスクパターンを作成する。 （もっと読む）

【課題】設計データ時点でのパターンチェックにより、その後のＯＰＣ処理、マスク作成およびフォトリソ工程での問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図る。
【解決手段】設計配線データの入力後、パターン認識手段１１が、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定パターンを抽出しかつ、サイズ判定手段１２が、抽出した所定配線パターンの特定部分のサイズ（寸法）が基準値（閾値；規定値Ａ）よりも小さい場合にこれを検出して、所定パターンの特定部分のサイズ（寸法）が基準値（閾値；規定値Ａ）になるように修正している。 （もっと読む）

【課題】パターンの形状ごとに異なっていた露光量に対する寸法変化量のパターン間差を小さくし、露光量を変動させても、パターン形状に依存した寸法変化が抑制され、転写精度を向上させるマスクパターンの補正方法およびフォトマスクを提供する。
【解決手段】設計パターンから複数のパターン幅を選定する工程と、予め露光量変動条件を設定する工程と、露光量変動条件に基づいた複数の露光量条件で、シミュレーションにより複数のパターン幅に対応した複数の転写光学形状を算出する工程と、複数の転写光学形状のパターンエッジの設計パターンに対する各々の寸法変化量を測定する工程と、寸法変化量の誤差分をみて、複数のパターン幅の各々の寸法変化量がほぼ同じになるようにする変化量評価工程と、変化量評価に基づいてマスクパターンのエッジを移動させ、設計パターンを変形する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光マスクを用いる際にマスクパターンにおける静電破壊を防止し得る配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の配線基板１０の製造方法では、所定の導体層４４の下層に感光性樹脂層を形成し、導電性遮光膜が形成されたマスクパターンを有する露光マスクを感光性樹脂層の表面に配置した状態で露光・現像を行ってめっきレジストを形成し、めっきレジストの開口部に導体パターンとなる金属めっき層を形成した後、エッチングにより金属めっき層の表面を除去する。マスクパターンは、製品形成領域に対応する第１導電性パターンと、枠部に対応する第２導電性パターンと、第１及び第２導電性パターンを電気的に接続する第３導電性パターンを含む。第３導電性パターンはエッチングで除去可能な細い線幅を有し、導体パターンが形成されない領域に配置できるため、マスクパターンの帯電時に図形パターン間の放電による静電破壊を防止可能となる。 （もっと読む）

【課題】光透過率の連続性を保った上で、高い光透過率を再現することができるグレースケールマスクを提供する。
【解決手段】隣接配置された複数のピクセル１で構成されたグレースケールマスクにおいて、１ピクセルには少なくとも１の単位領域１０を有しており、単位領域はそれぞれ、光を通す第１領域ａと光を通さない第２領域ｂとで構成され、第１領域と第２領域の面積比に応じて光透過率が決定されるようになっており、１ピクセルの光透過率が５０％からの差の絶対値が同じで、５０％よりも大きい光透過率を有したときと小さい光透過率を有したときを比較すると、第１領域と第２領域の面積比が１：１となる単位領域における第１領域と第２領域の境界線Ｌを中心線として線対称で、かつ、第１領域と第２領域が入れ替わった形状となる。 （もっと読む）

【課題】電気的に重要な箇所の寸法精度を向上し、性能・歩留まり向上、チップコスト低減の効果を得る。
【解決手段】半導体装置の製造プロセス最適化手法は、回路設計データから作成されたフォトマスクを用いて露光プロセスにより回路設計データに基づいたパターンを基板上に形成する。この最適化手法は、フォトマスクを用いて第１露光条件で第１露光装置にて基板上に形成されるパターンと、フォトマスクを用いて第２露光条件で第２露光装置にて基板上に形成されるパターンとの、予め定めた複数の箇所における差分の分布に基づく統計量を算出する際に、回路設計データより抽出した電気的特性情報に基づいて差分に重み付けをした上で統計量を算出する工程と、第２露光条件を変化させて算出する工程を繰り返し、変化させた第２露光条件の中で合計が最小或いは所定の基準値以下となる露光条件を第２露光装置の最適露光条件２１として選定する工程(Ｓ２７)とを含む。 （もっと読む）

【課題】露光マスクの良否判定或いは半導体製造プロセス条件の最適化を高精度に行うことが可能な露光マスクのパタン配置方法を提供する。
【解決手段】素子のパタンが配置された製品領域における空き領域を抽出し、空き領域において、所定の条件でマーク領域を抽出し、抽出されたマーク領域より、製品領域を複数に分割した領域毎に、所定の条件でモニタパタン形成領域を選択し、選択されたモニタパタン形成領域中にモニタパタンを配置する。 （もっと読む）

【課題】個々のエラーが総合された影響を考慮して精度の高いリソグラフィ検証を実行するリソグラフィ検証装置を提供する。
【解決手段】各種情報（シミュレーション結果、エラー規格等）を入力する（ステップＳ２０）。ばらつき分布値Ｄを計算する（ステップＳ２２）。ばらつき分布値Ｄとばらつき分布エラー規格δとを比較して、ばらつき分布値Ｄがエラー規格δよりも小さいか否かを判断する（ステップＳ２４）。ばらつき分布エラー規格δは、寸法ずれの標準偏差等に関わる値等の規格である。ステップＳ２４において、ばらつき分布値Ｄがエラー規格δよりも小さいと判断した場合には、エラーなしと判断して処理を終了する（エンド）。ばらつき分布値Ｄがエラー規格δよりも小さくないと判断した場合には、エラーありと判断して、エラーリストと、ばらつき分布値Ｄを出力する（ステップＳ２６）。 （もっと読む）

【課題】正確なフレア値を短時間で算出する。
【解決手段】実施の形態によれば、フレア値算出方法が提供される。前記フレア値算出方法、では、複数種類の寸法で作成されたマスクパターンが配置されたマスクパターン群を用いて基板への露光処理を行った場合の平均光強度を前記マスクパターン毎に算出する。そして、前記マスクパターンの寸法に関する情報および前記平均光強度に応じた前記マスクパターンへのパターン補正量を、前記マスクパターン毎に算出する。そして、前記マスクパターン毎のパターン補正量を用いた前記マスクパターンへのパターン補正を前記マスクパターン毎に行うことにより補正後マスクパターンを作成する。そして、露光装置が備える投影光学系のフレア値を、前記補正後マスクパターンのパターン平均密度を用いて算出する。 （もっと読む）

【課題】回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置、回路設計装置及びマスクパターンを補正するプログラムマスクパターンを提供する。
【解決手段】本明細書に開示する回路マスクパターンの補正方法は、回路マスクパターン２０における対向するパターンの端縁間に、光強度を求めるための評価点Ｂを配置し、評価点Ｂの光強度を求め、求められた評価点Ｂの光強度に基づいて、対向するパターンの端縁ぞれぞれの光近接効果に対する補正量を決定し、補正量に基づいて、対向するパターンの端縁それぞれの位置を補正することをコンピュータ１０が実行する。 （もっと読む）

【課題】２個のビアを用いた配線接続構造を、ホットスポットが生じにくい構造によって実現する。
【解決手段】第１配線層において第１方向に延びる第１配線１１と、第１配線層の上層または下層の配線層に形成された接続対象配線３０とを電気的に接続するために、第１および第２のビア２１，２２が設けられている。そして、第１配線１１の第２端部１１ｂから、第１方向と直交する第２方向に第３配線１３が延びており、さらに第３配線１３から、第１方向において第１配線１１と反対の向きに第４配線１４が延びている。すなわち、第１、第３、第４配線１１，１３，１４によってクランク状の配線が形成されている。そして、第３配線１３の配線幅Ｗ３は、第１配線１１における端部１１ａ，１１ｂ間の部分の配線幅Ｗ１以上である。 （もっと読む）

【課題】露光装置のレジストパターン形成時におけるデフォーカス量を高精度且つ安定的に求めることが可能なフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板の面上に、少なくともフォーカス測定用のテストパターン５Ａが形成されたテストパターン領域を有し、テストパターン領域には、一定の幅ＷＡを有するライン状の第１パターン６Ａと、第１パターン６Ａとは異なる幅ＷＢを有するライン状の第２パターン６Ｂとが設けられ、このうち、第１パターン６Ａと、第２パターン６Ｂと、第１パターン６Ａとを、基準線ＸＣを挟んで軸対称となる位置に、この順で幅方向に一対並べて配置すると共に、幅方向において隣接するパターン間６Ａ，６Ｂ（６Ａ）の中心線ＸＡ，ＸＢ（ＸＡ）の間隔ＸＰを互いに等しくすることによって、テストパターン５Ａが構成されている。 （もっと読む）

【目的】オーバーレイエラーを低減させる描画方法および描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画方法は、隣り合うマスク基板１０，２０の対応する各位置が同一のストライプ３０内に入るように、マスク基板１０，２０の領域を含む領域を短冊状の複数のストライプ３０に仮想分割する工程と、ストライプ３０毎に、マスク基板１０に対し第１のパターンを、マスク基板２０に対し第１のパターンを相補する第２のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、オーバーレイエラーを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】露光光線の波長以下の大きさの露光パターンを、低コストかつ高スループットに得ることができるフォトマスク及び露光方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様であるフォトマスク１００は、基板及び遮光膜を有するものである。基板は、入射する露光光線を、被転写体へ向けて透過させるものである。遮光膜は、基板上に形成され、露光光線を遮光するものである。遮光膜には、格子状に配置される、正方形の複数の開口部１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】所望の基板上パターンを形成することができるマスクパターンを容易に作成すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、マスクパターン作成方法が提供される。マスクパターン作成方法では、補助パターンが配置されたマスクパターンを用いて基板上に基板上パターンを形成した場合に前記補助パターンに起因して前記基板上に転写される非所望のパターンを非所望転写パターンとして抽出する。そして、前記補助パターンのサイズを前記非所望転写パターンのサイズおよび位置に応じて変更することにより、前記マスクパターンを補正する。 （もっと読む）

【課題】露光光線の波長以下の大きさの露光パターンを、低コストかつ高スループットに得ることができるフォトマスク及び露光方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様であるフォトマスク１００は、基板及び遮光膜を有するものである。基板は、入射する露光光線が被転写体へ向けて透過させる。遮光膜は、基板上に形成され、露光光線を遮光する。遮光膜に設けられた開口部１１の内側には、開口部１１と同心かつ相似形の遮光板１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ｐ偏光及びＳ偏光の直線偏光の露光光による露光を同時に行うことができる露光装置、露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光装置１には、光源１１、コンデンサレンズ１４、及びマスク１２が設けられており、露光光源１１から出射した露光光をコンデンサレンズ１４及びマスク１２に透過させる。そして、露光装置１には、必要に応じて、フライアイレンズ１３が設けられている。マスク１２は、その光透過領域に、Ｐ偏光の直線偏光のみを透過させる複数個の第１の偏光変換素子１２２ａと、Ｓ偏光の直線偏光のみを透過させる複数個の第２の偏光変換素子１２２ｂとが設けられており、第１の偏光変換素子１２２ａ及び第２の偏光変換素子１２２ｂは、光透過領域に交互に配置されている。第１及び第２の偏光変換素子１２２ａ，１２２ｂは、例えば長尺の部材であり、１方向に延びる幅方向に交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、生産性を向上させることができる反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板の主面に反射層を形成する工程と、前記反射層の上に吸収層を形成する工程と、前記吸収層にパターン領域を形成する工程と、前記吸収層と前記反射層とに前記パターン領域を囲む遮光領域を形成する工程と、を備え、前記遮光領域を形成する工程において、前記反射層を塩素と酸素とを含むガスを用いてエッチング処理する反射型マスクの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】検査対象であるフォトマスクに所定波長の光束を照射し、フォトマスクを経た光束を撮像手段によって撮像して光強度データを求めるフォトマスクの検査方法において、実際の露光を行う露光装置との条件整合を良好に行う。
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対してフォトマスクを用いてｇ線、ｈ線及びi線の波長成分を含む露光光の露光を行い、レジスト膜をエッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすためのフォトマスクの検査に用いるテストマスクであり、露光光を透過させる透過部、遮光する遮光部、及び、一部を低減させて透過させるグレートーン部とを有するテストパターンを形成したテストマスクにおいて、テストパターンが一定の規則に基づいてパターン形状が逐次変化された複数の単位パターンが配列された部分を含み、パターン形状の逐次変化により、各単位パターンにおけるグレートーン部の幅をそれぞれ異ならせる。 （もっと読む）