【課題】ダークフィールド二重双極子リソグラフィを実行する方法を提供する。
【解決手段】水平および垂直フィーチャを含む複数のフィーチャを有するターゲットパターンを識別するステップと、前記ターゲットパターンに基づいて水平マスクを作成するステップを含み、水平マスクは低コントラスト垂直フィーチャを含む。水平マスク作成は、水平マスクに含まれる低コントラスト垂直フィーチャのバイアスを最適化するステップ９１と、散乱バーを水平マスクに適用するステップ９３とを含む。この方法は、ターゲットパターンに基づいて垂直マスクを作成するステップをさらに含み、垂直マスクは低コントラスト水平フィーチャを含む。垂直マスク作成は、垂直マスクに含まれる低コントラスト水平フィーチャのバイアスを最適化するステップ９２と、散乱バーを垂直マスクに適用するステップ９４とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示素子用カラーフィルタのパターン形成のためのフォトマスクに関し、具体的には微細パターン形成のために主パターンの内部に補助パターンを含むことを特徴とするフォトマスクに関するものである。
【解決手段】本発明は、フォトマスクウィンドウの内部に追加的なパターンを形成することによって、光の補強／相殺干渉を用いて、より小さなパターン製作が可能であるようにすることで、大きいフォトマスクを利用しながらも微細パターン製作が容易であるという長所を有する。 （もっと読む）

【課題】グレースケールマスクを製作する際に、マスク描画装置の分解能を超えてグレースケールマスクの透過率の精度を向上させる。
【解決手段】所定の透過率に応じて設計形状エリアＡ１を画定する。マスク描画装置の分解能に応じて設計形状エリアＡ１を当該設計形状エリアＡ１との相似関係を維持しつつ丸めた第１開口エリアＡ２を画定する。第１開口エリアＡ２の面積を設計形状エリアＡ１の面積から減じた差分を算出する。この差分に相当する面積調整エリアＡ４をその幅Ｗ１がマスク描画装置の最小描画単位の整数倍となるように第１開口エリアＡ２に隣接させて設けることにより、これら第１開口エリアＡ２および面積調整エリアＡ４からなる第２開口エリアＡ５を画定する。この第２開口エリアＡ５に沿ってマスク描画装置で遮光膜に開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＯＰＣ処理の処理時間を短縮することができるマスク設計方法を提供する。
【解決手段】マスク設計方法は、レイアウトを示すレイアウトデータを取得する工程と、基本レイアウトを示す基本レイアウトデータと基本レイアウトデータに対する第１のＯＰＣ処理後の第１のＯＰＣ処理後データとを互いに対応付けたテーブルから、レイアウトデータに対応する前記第１のＯＰＣ処理後データを読み出す工程と、レイアウトデータに対して読み出した第１のＯＰＣ処理後データを付加して、レイアウトデータの第１の初期補正後データを生成する工程と、レイアウトデータが所望の形状となるように、第１の初期補正後データに対して第２のＯＰＣ処理を少なくとも１回行い、第２のＯＰＣ処理後データを生成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】容易に反射型露光用マスクに堆積されたコンタミを判定することが可能な反射型露光用マスク等を提供する。
【解決手段】支持基板１００上に形成され、露光光を吸収する低反射加工パターンと露光光を反射する反射多層膜１０１とを有する第１の層と、反射多層膜１０１上に形成され、露光光を吸収する吸収体層１２０を有する第２の層とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィにおいて、１レチクルを用いた複数パターンの形成方法及びパターン形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明によると、ウェハ上のレジストに複数の異なるパターンを有するチップパターンを形成する方法において、複数の領域に前記複数の異なるパターンを形成したレチクルを用い、前記複数の領域から第１の領域を選択し、前記第１の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第１の領域の一部に光を照射して、前記レジストに第１のパターンを形成し、前記複数の領域から前記第１の領域と異なる第２の領域を選択し、前記第２の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第２の領域の一部に光を照射して、前記レジストにパターンを形成することを特徴とする第２のパターン形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】マスクの有効露光領域内のチップ数を削減し、空き領域が形成される場合のマスクの製造方法において、マスクの電子線描画負荷を著しく上げずにマスク価格の低減を図り、フルチップの時と同一の製造条件で、デバイスパターンの寸法均一性が保証されたマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】マスクの有効露光領域内の空き領域にダミーパターンを形成し、デバイスパターン形成領域とダミーパターン形成領域との間に遮光帯を設け、ダミーパターンが複数の矩形パターンからなり、ダミーパターンの被覆率が、デバイスパターンの被覆率と略同じであり、矩形パターンの最小パターン寸法が、デバイスパターンの最小パターン寸法よりも大きく、矩形パターンの最大パターン寸法が、パターンの描画に用いる電子線描画装置の最大ショットサイズ以下の大きさとなるように形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを形成できるレベンソン型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】レベンソン型マスクの製造方法は、第１パターンの両側に、同位相開口部および反転位相開口部を定める開口部設定工程を含む。この開口部設定工程は、対同士の距離が近い順または、所定の値以下のものに、対同士が対向する開口部の少なくとも一方に、同位相開口部を設定する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ用フォトマスクの描画データ作成方法において、周期的配列パターンによるムラの発生を防止することができ、かつ描画量や描画時間を大幅に増やさず、パターン寸法シフトや座標シフトを最小化でき、高精度な描画が可能な手段を提供すること。
【解決手段】描画パターンを構成する各設計データの座標ごとに、ランダムに発生させたＸ方向および／またはＹ方向の座標シフト成分を印加する工程を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各トランジスタの特性を均一化することができるフォトマスクを提供する。
【解決手段】フォトマスク１００には、複数のチャネルパターン１０１と、配線パターン１０２と、補助パターン１０３とが形成されている。複数のチャネルパターン１０１は、半導体基板上に形成された拡散層２１１の２つの縁部に跨って延ばされ、互いに並列に配された複数のチャネル部を形成するために、並列に配されている。配線パターン１０２は、チャネル部から延びたゲート配線部を形成するために、チャネルパターン１０１から延びている。補助パターン１０３は、各々のチャネル部の、拡散層の縁部２１２から一定の距離だけ離れた部分を、該チャネル部が延びている方向と直交する方向Ｔ２に広げるように、各々のチャネルパターン１０１に対して設けられている。各々のチャネルパターンに対して設けられた補助パターン１０３は、互いに同一形状になっている。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置およびプロセスで使用するために照明源およびマスクを最適化するためのツールを提供する。
【解決手段】いくつかの態様によれば、本発明は、フルチップパターンのカバーを可能にし、一方、光源およびマスク最適化で使用しようとするクリップの完全な集合３０２から重要な設計パターンの小さな集合３０６をインテリジェントに選択することによって、計算コストを低減する。最適化は、最適化された光源を得るために、これらの選択されたパターンに対してのみ実施される。次いで、最適化された光源を使用し、（たとえばＯＰＣおよび製造可能性検証３２０を使用して）フルチップに合わせてマスクを最適化し、プロセスウィンドウ性能結果が比較される（３２２）。結果が従来のフルチップＳＭＯに匹敵する場合、プロセスが終了し、そうでない場合には、繰り返して好結果に収束するように、様々な方法が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】
半導体デバイス（４００）を製造する方法は、半導体材質（４０２）の層及び半導体材質（４０２）の層の上の絶縁材質（４０４）の層を備える基板上に、ハードマスク材質（４０８）の層が絶縁材質（４０４）の層の上になるように、ハードマスク材質（４０８）の層を形成することによって開始する。多重露光フォトリソグラフィ手順が実行されて、ハードマスク材質（４０８）の層の上にフォトレジスト特徴部の結合されたパターンが作製され、またフォトレジスト特徴部の結合されたパターンを用いてハードマスク材質内に凹部線パターンが作製される。方法は、凹部線パターン（４２２）の指定された区画をフォトレジスト特徴部の遮断パターン（４４２）で覆い、そして溝（４５２）のパターンを絶縁材質（４０４）内に形成することによって継続し、ここで溝（４５２）のパターンは、フォトレジスト特徴部の遮断パターン（４４２）及びハードマスク材質（４０８）によって規定される。その後、電気伝導材質（４７２）が溝（４５２）内に堆積させられて、半導体デバイスのための導電線がもたらされる。 （もっと読む）

【課題】ハーフトーン型位相シフトフォトマスクブランクとハーフトーン型位相シフトフォトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ハーフトーン型位相シフトフォトマスクは、露光光に対して透過性を有する透明基板、透明基板上に形成され、中央のパターン領域Ｐと周辺のブラインド領域Ｂとに区分され、ブラインド領域Ｂの厚さがパターン領域Ｐの厚さよりもさらに厚く、パターン領域Ｐを介して露光光を位相シフトさせるシフトパターン及びブラインド領域Ｂのシフトパターン上に形成され、露光光に対して遮光性を有する遮光パターンを含む。 （もっと読む）

【課題】光近接効果補正フィーチャをリソグラフィにもたらす改善された方法を提供する。
【解決手段】グレースケール光近接効果補正デバイスフィーチャは、デバイスフィーチャと２次元補正カーネル又は２つの１次元補正カーネルとの畳み込みを行いグレースケールのＯＰＣフィーチャを生成するS11ことによりマスク・パターンに追加される。その結果得られるパターンは、３つ以上の強度レベルを生成するように適合されたプログラム可能なパターン形成手段を備える投影リソグラフィ装置内で使用することができる。パターンにより出力されるであろう空間像をシミュレートS12し、シミュレーションを所望のパターンと比較しS14、ＯＰＣフィーチャを調整する反復処理工程S15を使用して、投影に最適なパターンを生成することができる。 （もっと読む）

【課題】光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置に用いられるマスクのパターンとマスクを照明する際の有効光源分布とを決定する決定方法をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】Ｓ１０２で、目標パターンに対応する仮パターンの形状を規定するためのパターンパラメータを設定する。Ｓ１０４で、転写パターンを評価するための評価位置、及び、かかる評価位置での評価項目を設定する。Ｓ１０６で、仮照明形状を規定するための照明形状パラメータを設定する。Ｓ１０８乃至Ｓ１１６では、Ｓ１０２で設定したパターンパラメータとＳ１０６で設定した照明形状パラメータとからなるパラメータ空間を構成し、かかるパラメータ空間においてパターンパラメータ及び照明形状パラメータを最適化する。 （もっと読む）

本発明は、設計からパターンの部分集合を選択する方法と、光源及びマスクの最適化を実行する方法と、設計からパターンの部分集合を選択する方法を実行するコンピュータプログラムプロダクトと、に関する。ある特定の態様によれば、本発明は、設計又は設計の修正がリソグラフィプロセスによって基板上に結像されるパターンの部分集合を、その設計からインテリジェントに選択することで、計算コストを低減しながらフル設計をカバーできる。設計からパターンの部分集合を選択する方法は、設計の事前定義された表現に関連するパターンの集合を設計から識別することを含む。この方法に従ってパターンの部分集合を選択することで、選択されたパターンの部分集合はパターンの集合と同様の設計の事前定義された表現を構成する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの製造で、基板のそり事前に測定し、そり量に応じたパターンを作成し、高精度なパターン作成を実現する。
【解決手段】上記目的のため、本発明のフォトマスクの製造方法は、ガラスを基板の主材料としたフォトマスクの製造方法において、前記基板のそり量を測定した後に、前記そり量に応じたフォトマスクのパターンを選択して形成することを特徴とする。ここで、基板のそり量が基準値に対して１００μｍ以上変化する毎に、パターンの幅を１μｍ〜５μｍ細く変更することが望ましい。また、本発明のＰＤＰの製造方法はこれらのフォトマスクを用いた製造法である。 （もっと読む）

【課題】シミュレーション精度が悪い部分についての検証精度の低下を抑制する。
【解決手段】検証装置は、シミュレーションにより第１及び第２のパターンを算出して、第１及び第２のパターンのシミュレーションデータを作成する手段と、製造プロセスにより製造された半導体装置が有する第１のパターンの寸法と、シミュレーションデータにおける第１のパターンの寸法との差分値を記憶する記憶手段と、差分値からシミュレーションデータにおける第２のパターンの移動量を算出する手段と、シミュレーションデータにおける第２のパターンの位置を、所定方向に移動量の値に応じて移動させて、第１のパターンと第２のパターンとの重なり面積が所定基準を満たすか否かを判定する手段と、所定基準を満たしていないと判定された場合、エラー情報を出力する手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レイアウトの他のエッジセグメントの移動を考慮に入れて各エッジセグメントの補正量を決定する技術を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、どのようにしてマスクレイアウトにおける複数のエッジセグメントの集合的な移動が該レイアウトの複数の制御点でのレジスト像の値を変更するのかを追跡するとともに、該レイアウトにおける各エッジセグメントに対する補正量を決定する。マスクレイアウトの各エッジセグメントの移動の集合的な影響を示すマルチソルバー行列が使用され、マスクレイアウトの各エッジセグメントの補正量が同時に決定される。 （もっと読む）

【課題】２つのパラメータで角度、幅を配慮して、斜め線を含む矩形を斜め線を含まない矩形に変更することで総描画図形数を減らし、精度を保持したままスループットを向上させる露光パターン生成方法を提供する。
【解決手段】平行な向かい合うエッジを繋ぐ斜めエッジを構成する端部のＸＹ頂点を（Ｘ１、Ｙ１）、（Ｘ２、Ｙ２）と規定し、（Ｘ２−Ｘ１）を予め指定された幅Ａで割り、分割数Ｎを算出し、（Ｙ２−Ｙ１）を分割数Ｎで、割り幅Ｙを算出し、Ｘ方向の幅を平行四辺形のＸ方向の幅として、Ｙ方向の幅を算出する幅Ｙとして構成される矩形の中心をｎ＝１〜Ｎとして、Ｘ座標（Ｘ２−Ｘ１）／Ｎ×ｎ＋平行四辺形のＸ方向の幅／２＋Ｘ１、Ｙ座標（Ｙ２−Ｙ１）／Ｎ×ｎ−（（Ｙ２−Ｙ１）／Ｎ／２）＋Ｙ１の式で求められる座標にＮ個短冊状に配置して短冊状矩形ショット群を決定することを特徴とする露光パターン生成方法。 （もっと読む）