【課題】フレア補正を短時間で正確に行うフレア補正方法を提供すること。
【解決手段】パターンデータに対応するフレア値のパターンデータ上での分布をフレアマップとして算出するフレアマップ算出ステップと、フレアマップを用いて、所定のフレア値を有したパターンのパターンデータ上での占有率をフレア値占有率としてフレア値毎に算出する占有率算出ステップと、フレア値占有率の分布に基づいて、フレア値の基準とする基準フレア値を決定する基準決定ステップと、基準フレア値でのパターン補正量を基準としてフレア値に応じたパターン補正を行うパターン補正ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】感光性材料層に波長λ（μｍ）の光で濃度分布マスクのパターンを露光・現像して、単位レンズをＸＹ方向に（λ／０．３６５）μｍ以上（２λ／０．３６５）μｍ以下のピッチｄ（μｍ）で格子状に配列したマイクロレンズアレイを形成する際の光の干渉効果による結像パターンの歪みを補正する。
【解決手段】単位レンズの中心を原点とするＸＹ座標であらわした濃度分布マスクの等濃度線の形が、パラメータｋと半径ｒによるスーパー楕円式Ｘ^ｋ ＋Ｙ^ｋ ＝ｒ^ｋであらわされ、前記パラメータｋが２．０５以上で２．４５以下であり、かつ、前記パラメータｋが1.16＋2.93(0.365ｄ/λ)−2.14(0.365ｄ/λ)^２＋0.448(0.365ｄ/λ)^３±0.5の範囲内にある濃度分布マスクを用いる。 （もっと読む）

【課題】寸法精度が高い露光用マスク及びこの露光用マスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】露光によりウェーハ上にパターンを転写する露光用マスク１において、基板１１上に、ウェーハ上で解像限界以上となるサイズのパターン１６が形成されたパターン形成領域１５と、ウェーハ上で解像限界未満となるサイズのサブパターン１９が形成されたサブパターン形成領域１８とを設ける。サブパターン形成領域１８はパターン形成領域１５を囲むように枠状に設け、サブパターン１９がパターン１６に光近接効果を及ぼさない距離だけパターン形成領域１５から離隔させる。 （もっと読む）

【課題】ポジ型フォトレジストを用い近接露光を行っても、３〜５μｍの微細な幅の十字形状の配向制御用開口部を形成できるフォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタを提供する。
【解決手段】フォトマスク上のパターンは、市松模様開口部Ｋ１４と４個の平行線開口部Ｋ１５とで構成され、他の部分は遮光部Ｓであり、市松模様開口部の中心は、直交する第１軸と第２軸の交点Ｏに位置し、その長手方向ｄは、第３軸又は第４軸と平行に設けられ、４個の平行線開口部は、第１軸のプラス方向とマイナス方向、及び第２軸のプラス方向とマイナス方向の、市松模様開口部に隣接した各位置に、長手方向ｆを当該軸と平行に設けられている。上記フォトマスクを用い透明導電膜４３に十字形状の配向制御用開口部４５Ｄを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多重半透過部を形成する半透過物質の数及び工程数を減らすことによって時間及びコストを低減できるハーフトーンマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフトーンマスクは、基板と、該基板上に形成され、照射される所定波長帯の光を透過させる透過領域と、前記基板上に少なくとも２つの半透過物質が交互に積層された多数層で形成され、前記半透過物質の積層された数によって互いに異なる透過率を有する多重半透過部を有する半透過領域と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】密集パターンを精度よく基板上に形成することが可能となるパターン分割方法を提供することを課題とする。
【解決手段】マスクパターンＵを取得する工程と、所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を第一グループと第二グループに分類する分割パターンＲを準備する工程と、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０を各パターン１０の略中心に向かって縮小し、縮小マスクパターンＵ´を生成する工程と、分割パターンＲと縮小マスクパターンＵ´とを重ね合わせ、分割パターンＲの前記第一グループに分類された領域と重なる縮小パターン１１を抽出した第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を生成する工程と、第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´にレイアウトされた縮小パターン１１を、前記縮小マスクパターンを生成する工程を実行する前の元サイズに戻す工程と、を有するパターン分割方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高さが低い第二フォトスペーサーの密着性が乏しくなることなく、第二フォトスペーサーを適正な高さに設ける光路差調整層を形成するためのカラーフィルタ用フォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタを提供する。
【解決手段】カラーフィルタを構成する光路差調整層５７上面のホールＨｅの形成に対応したマスクパターン領域に微細パターン５３が設けられている。微細パターンが遮光部を有し、その中心に透光パターンを有する。微細パターンが透光部を有し、その中心に遮光パターンを有するフォトマスク。光路差調整層を形成する際に、上記フォトマスクＰＭ６を用い第二フォトスペーサーＰＳ−１２の形成に対応した光路差調整層上面の位置にホールを形成し、該ホール上に第二フォトスペーサーを形成すること。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの注入角度差に起因するウエハ面内のイオン注入領域の位置ずれを小さくする。
【解決手段】本発明に係るマスクパターンの補正方法は、マスクパターンの形成位置とウエハ面におけるイオンビームの入射角度のばらつきとから、入射角度のばらつきに対するイオン注入領域の位置ずれ補正量を演算し、演算して得た位置ずれ補正量を補正パラメータ(i) に変換する位置ずれ補正パラメータ生成工程Ｓ１０と、補正パラメータ(i) を描画補正データにフィードバックし、イオン注入領域の位置ずれを加味した描画補正演算データ(iii) を生成する描画補正データ生成工程Ｓ１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】高い分解能を実現することができるフォトマスク、投影装置、位置計測システムおよびフォトマスク製造方法を提供すること。
【解決手段】フォトマスク１０には、照射光源２１からの光が照射される。フォトマスク１０は、照射光源２１から照射された光を透過させる透過部１２ｂおよび当該光を遮蔽する遮蔽部１２ａを有するバイナリ部１２と、遮蔽部１２ａより小さな面積の複数の小面積図形からなり、照射光源２１から照射される光を遮蔽する微小遮蔽部１５ａを有する階調部１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】上層パターンよりも微細な種々のパターンを容易に形成できるパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】基板上へのパターン形成方法において、基板上で、所望パターンの形成に用いるパターン形成層４Ｘの上層側にレジスト層３Ｘを積層するレジスト層積層ステップと、所定のピッチｐで開口した開口部を有するとともに露光光を回折させる回折パターン１Ａを、レジスト層３Ｘよりも上層側に形成する回折パターン形成ステップと、波長λの露光光を回折パターン１Ａ上から照射して回折パターン１Ａで回折された回折光で、露光光に対する屈折率がｎとなるレジスト層３Ｘへの全面露光を行う全面露光ステップと、を含み、回折パターン１Ａの所定ピッチｐ、露光光の波長λ及び屈折率ｎが、ｐ＞λ／ｎを満たす。 （もっと読む）

【課題】２種類の半透光膜と遮光膜の任意の組み合わせが可能な多階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクブランクの遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去後、基板全面に第１半透光膜を形成し第２のレジストパターンを形成する工程と、少なくとも第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去後、基板全面に第２半透光膜を形成し第３レジストパターンを形成する工程と、少なくとも第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有する、多階調フォトマスクの製造方法で、第１レジストパターン形成は遮光部にレジストパターンを残存させ、遮光部のレジストパターンの寸法を、遮光部と隣接する透光部及び第１半透光部との境界において所定のマージン領域分広く形成する。 （もっと読む）

【課題】各層の回路パターンの間に関係がある複数の層に対して回路パターンの形状を検証すること。
【解決手段】抽出部２は、第１の回路パターンから、第１の基準枠に含まれる第１の図形、および第２の基準枠に含まれる第２の図形を抽出し、第１の回路パターンと異なる層の第２の回路パターンから、第１の基準枠に含まれる第３の図形、および第２の基準枠に含まれる第４の図形を抽出する。比較部３は、第１の図形を座標変換して第２の図形と比較し、第３の図形を同様に座標変換して第４の図形と比較する。第１の図形が第２の図形と一致し、かつ第３の図形が第４の図形と一致する場合、グルーピング部４は、第１の図形と第２の図形において第１の図形を第１の代表図形としてグループ化する。検証部５は、第１の代表図形に基づいて第１の回路パターンの形状を検証する。 （もっと読む）

【課題】エッチング近接効果に対するマスクパターンの補正を非常に高精度で行うことができるエッチング近接効果補正モデルを作成する。
【解決手段】基板の配線形成面に形成されたレジストパターンに対しリソグラフィー近接効果補正モデルを用いてシミュレーションを行うことにより算出した、該レジストパターンの線幅のシミュレーション値と、上記レジストパターンをマスクとして上記基板の配線形成面をエッチングすることにより形成した配線パターンの線幅の実測値とから、エッチングによるパターンのシフト量を算出するステップＳ３６と、そのシフト量に対し、パターンサイズおよびパターン間スペースサイズをパラメータとする補正モデルを用いて、最小二乗法によるフィッティングを行うことにより、エッチング近接効果補正モデルを作成するステップＳ３７〜Ｓ３８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】滑らかな曲面を効率よく形成可能な露光用マスクを提供する。
【解決手段】本発明の露光用マスクは、レジストに三次元形状のパターニングを行うための露光用マスクであって、露光装置の解像限界より小さい第１サイズの複数の開口パターン１ａが配置された第１領域と、第１サイズより小さい第２サイズの複数の開口パターン１ｂが配置された第２領域と、第１領域と第２領域との間に第１サイズの複数の開口パターン１ａと第２サイズの複数の開口パターン１ｂとが混在して配置された第３領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】微細なマスクパターンの形成を阻害することなく、露光時の蓄熱に起因したメンブレンの熱たわみ及び位置ずれを解消することを可能とする荷電粒子線露光用マスク及び荷電粒子線露光用マスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の荷電粒子線露光用マスクは、第１のウエハ４と、第１のウエハ４に接合されている第２のウエハ１と、を具備している。第２のウエハ１は、表側に転写用マスクパターン１４が形成されている。第１のウエハ４は、表側にマスクパターン４４が形成され、当該マスクパターン４４の開口部４５が前記転写用マスクパターン１４の開口部１５と対向され、かつ、当該マスクパターン４４の開口部４５の寸法が前記転写用マスクパターン１４の開口部１５の寸法より大きい。 （もっと読む）

【課題】危険点の発生を抑えたマスクパターンを形成するパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】１つプロセス条件に所定の誤差を含めた複数のプロセスパラメータを設定してＯＰＣ処理後の設計レイアウトデータにパターン形成シミュレーションを行ない、シミュレーション結果である加工後パターンから抽出された危険点に基づいて、パターン形成を行う場合にワーストな条件となるプロセス条件をワースト条件として算出し、ワースト条件でパターン形成した場合であっても危険点が発生しなくなるよう、設計レイアウトデータまたはＯＰＣ処理を変更してパターン形成を行う。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を追加せずに、パターン間（例えば、ゲート電極間）の間隔を可及的に小さくすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン膜からなる被加工膜Ｐ上にレジスト層Ｒを形成する。フォトリソグラフィの限界値よりも狭く、かつスリットの一部が接続されている転写パターンを有する露光マスクを用ることにより、第１および第２のパターンと、第１および第２のパターンを接続し、かつ第１および第２のパターンより膜厚が薄い第３のパターンとをレジスト層に形成する。第１および第２のパターンをエッチングマスクとして被加工膜をエッチングするとともに、第３のパターンを除去し、第３のパターンの除去により露出した被加工膜をエッチングし、間隔の小さいゲート電極パターン７ａ、７ｄ。 （もっと読む）

【課題】基板上に、互いに高さが異なる２種以上の層状パターンが組み合わされてなる凹凸パターン層を高い生産性かつ低コストで、高い精度で製造する。
【解決手段】（ａ）最表面にネガ型のフォトレジストが塗布された基板を準備し、（ｂ）該フォトレジストが塗布された表面に、所定の切り欠きパターンからなる複数の開口部を有するフォトマスクを介して、一定の露光量で露光し、（ｃ）フォトマスクを、（ｂ）工程で露光した領域と、露光されるべき次の開口部とが部分的に重なるように、所定のスライド方向に平行移動し、（ｄ）前記（ｂ）および（ｃ）工程をこの順序でさらに複数回繰り返し、（ｅ）前記露光済の基板表面を現像液で現像処理して、露光回数に応じた膜厚を生じさせて、凹凸パターン層を得る。 （もっと読む）

【課題】配線パターン全体において所望の数値のフォーカスマージンを得ることにより、断線またはパターン倒れという不具合を防ぐ。
【解決手段】透過領域Ｆと遮光領域Ｅとを備え、半導体製造に用いられるパターンレイアウトであって、フォーカスマージンが所望の数値よりも小さくなる透過領域に、半導体製造のフォトリソグラフィ工程でレジストが解像不可能なサイズのダミーパターンＧが配置され、上記所望の数値は、この数値よりも上記フォーカスマージンが小さくなると、断線またはパターン倒れの欠陥を生じてしまうような数値である。 （もっと読む）

【課題】階層化されたデータＤ１を高速にレイアウト表示する。
【解決手段】荷電粒子ビーム10a1bによってパターンを描画するための階層化されたデータD1をレイアウト表示するモニタ10d5を具備する荷電粒子ビーム描画装置10において、概略格子状に配列された複数の区画SC00,・・,SC45にフラグを有するマップMPCL1を作成し、第2階層FGの第２要素FG2を読み込み、第2階層FGの第2要素FG2の位置に対応する区画SC22のフラグが「第２階層FGの要素のレイアウト表示不可」の状態（「1」）になっているか否かを判定し、第2階層FGの第２要素FG2の位置に対応する区画SC22のフラグが「第2階層FGの要素のレイアウト表示不可」の状態（「1」）になっている場合には、第2階層FGの第2要素FG2をモニタ10d5上にレイアウト表示する処理を行わない。 （もっと読む）