【目的】高精度なフォトマスクを実現するフォトマスクの製造方法を提供する。
【構成】荷電粒子ビーム描画装置に、化学増幅型レジストが塗布されたフォトマスクブランクスを搬入し、化学増幅型レジストに荷電粒子ビームを照射してフォトマスクブランクス上の複数の領域にパターンを順次描画し、フォトマスクブランクスを荷電粒子ビーム描画装置から搬出し、複数の領域毎に、描画開始からポストエクスポージャーベークの開始までの経過時間を算出し、複数の領域毎に算出される経過時間に基づき、複数の領域毎のポストエクスポージャーベークのプロセス条件を決定し、プロセス条件を複数の区画毎に変更可能なポストエクスポージャーベーク装置を用い、複数の領域毎に決定されたプロセス条件でポストエクスポージャーベークを行い、化学増幅型レジストを現像することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板とレジスト膜との密着性を向上させることで、形成された微細なレジストパターンの倒れやスライドを防止することのできるレジストパターン形成方法、並びにそれを用いたナノインプリント用モールド、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン形成方法は、基板上のエネルギー線反応性基を有するシラン化合物を含むシランカップリング層上にネガ型レジスト膜を形成し、レジスト膜にエネルギー線を照射して所定パターン形状の潜像を形成し、エネルギー線が照射されたレジスト膜を現像してレジストパターンを形成するものであり、レジスト膜は、エネルギー線照射でエネルギー線反応性基と結合可能、かつ現像工程後に基板上に残存し得る程度に硬化可能な樹脂成分を含有するものであり、エネルギー線照射でエネルギー線反応性基と樹脂成分とを結合させ、シランカップリング層とレジスト膜とを密着させる。 （もっと読む）

【課題】チャージアップ現象を回避し、電子線描画後の感度変化を抑え、設計通りの寸法のパターン形成が可能であり、且つ、アルカリ現像性を有しながら、高感度、高解像力で、低ラインエッジラフネスの微細なレリーフパターンを得るレジスト帯電防止膜積層体の提供。
【解決手段】支持体上に、（Ｉ）フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有し、フェノール性水酸基のオルト位にヒドロキシメチル基、及びアルコキシメチル基よりなる群から選択される１種以上の置換基を有する分子量４００〜２５００のフェノール性化合物（Ａ）と、電子線を照射することによりフッ素原子が結合していないスルホン酸を発生する酸発生剤（Ｂ）、とを含有するネガ型レジスト組成物の全固形分中における前記フェノール性化合物（Ａ）の含有量が７０重量％以上であるネガ型レジスト組成物からなるレジスト膜と、（ＩＩ）帯電防止膜とを少なくとも備える、レジスト帯電防止膜積層体。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電子線レジスト組成物の高精度な感度管理をするための感度検査方法を用いた、高精度に管理されたレジスト組成物の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 レジスト組成物用材料と溶剤からなるレジスト組成物原体を調製し、該レジスト組成物原体を一部採取し、該採取したレジスト組成物原体を用いて試験用基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜にパターン照射を含むパターン形成処理を行ってレジストパターンを形成し、形成された該レジストパターンのサイズと前記パターン照射時の照射エネルギー量に基づいて前記レジスト組成物原体の感度を検定した後、該感度検定結果を基に前記レジスト組成物原体に加える追加材料の量を調整して前記レジスト組成物原体の感度調整を行う化学増幅型レジスト組成物の製造方法において、前記パターン照射を電子線ビーム照射により行うことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、マスクブランクス、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含んだ樹脂（Ｐ）を含有している。
【化１】
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【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（描画方法やレジスト塗布方法）や異なる条件（レジストの種類やレジスト膜厚）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜を少なくとも有し、前記遮光性膜上にレーザ描画用のレジスト膜をスリットコータ装置で形成するためのＦＰＤデバイス製造用マスクブランクであって、前記遮光性膜は、前記レーザ描画波長を含む３５０ｎｍ〜４５０ｎｍに渡る波長帯域において、膜面反射率の変動幅が２％未満の範囲となるように制御された膜であり、前記スリットコータ装置は、一方向に延びるレジスト液供給口を有するノズルからレジスト液を吐出させつつ、前記遮光性膜表面に対して前記一方向に交差する方向へノズルを相対移動させてレジスト膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法において、設計パターンに基づいて電子線によりレジストパターンを形成するに際し、電子線描画による電荷およびエネルギーがレジストに蓄積するのを抑制し、各種パターン精度を向上させた反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクブランク表面に設計パターンに基づいて電子線によりレジストパターンを形成し、吸収体層をドライエッチングして吸収体層パターンを形成する反射型マスクの製造方法であって、前記吸収体層の上にハードマスク層を設け、設計パターンをパターン精度が必要とされる主要部と主要部以外の非主要部との２つに分け、前記レジストパターンを形成する工程を、前記主要部のレジストパターン形成工程と前記非主要部のレジストパターン形成工程との２回に分けて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射型マスクを作製する際に、一般的に使用される高コントラストのレジストを用いると、後方散乱によって蓄積エネルギーが低下し、ＣＤリニアリティが低下する課題を解決する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクであって、
前記吸収体膜上に電子線描画用レジスト膜が設けられ、
前記電子線描画用レジスト膜のコントラスト値γが３０以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。 （もっと読む）

【課題】精度良くレジストに所望のパターンを形成することが可能な荷電ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電ビーム描画装置１０は、基板１１ｂ上に塗布したレジスト１１ａにビームを照射する照射部１２と、照射部を制御する制御部１４とを具備し、制御部は、ビームの照射量とビームの照射により引き起こされるパターンの位置偏移量との関係を取得し、レジストにパターンを形成するために必要なビームの基準照射量Ｄ１を取得し、パターンに対して許容される許容位置偏移量ｄＰを取得し、関係に基づいて許容位置偏移量に対応するビームの限界照射量Ｄｌｉｍｉｔを取得し、関係に基づいて基準照射量に対応する基準位置偏移量Ｐ１から許容位置偏移量を減じた飽和位置偏移量Ｐｓａｔに対応する飽和照射量Ｄｓａｔを取得し、照射部に対して１回の照射量が限界照射量を越えないように、飽和照射量に到達するまでビームをレジストに照射させる。 （もっと読む）

【課題】毛管状隙間を有するノズルによりレジスト塗布面を迅速に均一に乾燥させることが可能なレジスト塗布方法および塗布装置、並びに該レジスト塗布方法を用いたフォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】被塗布面１０ａを下方に向けた基板１０にレジスト液を塗布する方法であって、液槽に溜められたレジスト液を、ノズル２４の毛細管現象によって被塗布面１０ａに導いて接液させ、ノズル２４と基板１０とを水平方向に相対移動させることにより、被塗布面１０ａにレジスト液１１０を塗布し、被塗布面１０ａに対し、一定方向にほぼ一定の相対流速で被塗布面１０ａと平行な気流を供給し、気流を被塗布面１０ａに接触させることにより、レジスト液１１０の乾燥を行うレジスト塗布方法および塗布装置、並びに該レジスト塗布方法を用いたフォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ブランクスにおけるレジスト膜のアミン性化合物の吸着によるパターン寸法精度の低下を抑えることが可能なフォトマスクの製造方法および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】基板上に化学増幅型レジスト膜を形成し、第１のプリベーク処理を行った後、大気露出させることなく、或いは化学増幅型レジスト膜に吸着されたアミン系化合物を実質的に全て脱着した状態で、荷電粒子ビームにより描画を行う。 （もっと読む）

【課題】パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】遮光部１と、透光部２と、グレートーン部３とを有するグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成され、レジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、現像処理を行い、遮光部とグレートーン部とで残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、レジストが除去された領域に露出する遮光膜をエッチングする工程と、透光部を形成すべき部分上の半透光膜と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を同時に除去する工程と、レジスト膜を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程において、レジストパターンの形状制御を正確に行い、再現性や安定性を向上させることができる多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】透光部、遮光部及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定の転写パターンを有し、エッチング加工がなされる被転写体上に形成されたレジスト膜に対して所定のパターンを転写させ、レジスト膜をエッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなす多階調フォトマスクの製造方法において、レジスト膜に使用するレジストの露光光に対するレジスト特性を把握する工程と、レジスト特性に基づいて半透光部の露光光に対する実効透過率を決定する工程と、実効透過率に基づいて少なくとも透明基板上に形成された遮光膜をパターニングすることにより半透光部を形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面内膜厚均一性の保証エリア（実パターン形成領域）が拡大されても、所定の保証エリアで所望のレジスト膜の面内膜厚均一性（１００Å以下）を得るマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】四角形状の基板２上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液１３を滴下し、前記基板２を回転させ、滴下されたレジスト液１３を前記基板２上に広げるとともに、前記基板２上のレジスト液１３を乾燥させて、前記基板２上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法である。ここで、前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板２が回転している間、前記基板２の上面に沿って基板２の中央側から外周方向に気流１９を発生させるように排気手段１８による排気を行い、基板２の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液１３の液溜まりが、基板中央方向へ移動するのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 低温成膜が可能で簡便なフィルムの転写により遮光性を容易に安価に得ることのできる遮光性転写フィルムを用いた遮光性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 （１）被転写基板に接着層を形成する工程、（２）仮支持体上に、感光性樹脂層、及び可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜が順次積層してなる遮光性転写フィルムの、可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜面と前記（１）で形成された接着層面を貼り合わせ、遮光性転写フィルム積層基板を形成する工程、並びに（３）前記遮光性転写フィルム積層基板の感光性樹脂層の所定部を露光する工程と、を含む遮光性膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 低温成膜が可能で簡便なフィルムの転写により遮光性を容易に安価に得ることのできる遮光性転写フィルム及びその製造方法、それを用いた遮光性パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 仮支持体上に、可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜と、ネガ型感光性樹脂層または熱硬化性樹脂層を順次積層してなる遮光性転写フィルム。仮支持体上に、ポジ型感光性樹脂層と、可視光線透過率が１％未満の遮光性薄膜層と、ネガ型感光性樹脂層または熱硬化性樹脂層を順次積層してなる遮光性転写フィルム。 （もっと読む）

【課題】良好な接液によって均一なレジスト膜を形成することができるフォトマスクブランク、フォトマスク及びそれらの製造方法並びに塗布装置を提供すること。
【解決手段】レジスト液２１を塗布装置に備えられたノズル２２の毛細管現象により上昇させ、上昇させたレジスト液２１を下方に向けられた基板１０の被塗布面１０ａに接液させ、ノズル２２と基板１０とを相対的に移動させて被塗布面１０ａにレジスト膜を形成することを含むフォトマスクブランクの製造方法であって、接液の際には、ノズルの一端が、他端より被塗布面に接近することにより、前記ノズル内の前記塗布液が、前記ノズルの一端において、被塗布面に最初に接液し、前記最初に接液した点を接液起点として、前記一定長さのノズルの全長にわたる、接液がなされるようにした。 （もっと読む）

【課題】微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、優れた解像性とエッチング耐性を有するネガ型レジスト組成物。
【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性であり、酸の作用によりアルカリ不溶性となるベースポリマー、及び／又は、アルカリ可溶性であり、酸の作用により架橋剤と反応してアルカリ不溶性になるベースポリマーと架橋剤の組み合わせ、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有するレジスト組成物であって、上記ベースポリマーとして用いるポリマーは、アセナフチレン系共重合体、あるいは該ポリマーの有する官能基を更に化学変換して得たポリマーであり、前記得られたポリマーを構成する全繰り返し単位に対して、アセナフチレンモノマー由来の繰り返し単位の合計が５０モル％以上であることを特徴とするネガ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】表面が清浄な状態となされたマスクブランクス、または、転写マスクを製造することができるマスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法を提供し、また、ＡｒＦエキシマレーザ光以上の量子エネルギを有する露光光を用いる場合において好適なマスクブランクス、または、転写マスクを製造することができるマスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法を提供する。さらに、化学増幅型レジスト膜が成膜されたマスクブランクスの好適な製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の薄膜２，３をスパッタリング法により成膜した後、この薄膜２，３の表面に電磁波を照射することによりこの薄膜２，３の表面に付着した有機物質を分解し、薄膜２，３の表面に純水を供給して湿式洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等のデバイスにレジストパターンを形成する際、レジスト層の厚さを均一化して露光を行なうことで、良好なレジストパターンを得る。
【解決手段】基板９１に感光性のレジストを塗布してレジスト層９３を形成する（レジスト塗布工程）。次に、アッシング用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間１３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマアッシング工程）。次に、レジスト層９３に部分的に光を照射する（露光工程）。次に、レジスト層９３に現像液５を接触させる（現像工程）。 （もっと読む）