【解決手段】透明基板と、遷移金属、ケイ素、窒素及び酸素を含有する材料からなるハーフトーン位相シフト膜パターンとを有し、ハーフトーン位相シフト膜パターンの組成が、遷移金属とケイ素との原子比（Ｍｅｔ／Ｓｉ）が０．１８以上０．２５以下、窒素含有率が２５原子％以上５０原子％以下、かつ酸素含有率が５原子％以上２０原子％以下であり、累積１０ｋＪ／ｃｍ²以上のＡｒＦエキシマレーザー光が照射されたハーフトーン位相シフトマスクを用い、ＡｒＦエキシマレーザー光を光源として、光パターンを照射する。
【効果】従来と比べて、光パターンの大幅なパターン寸法変動劣化なしに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を長時間実施することができる。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板と、透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのエッチングマスク膜の性能を、フォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件でのエッチングクリアタイム（Ｃ１）と、エッチングマスクパターンを形成する際にエッチングマスク膜に適用するエッチング条件でのエッチングクリアタイム（Ｃ２）とを測定し、両者のクリアタイム比（Ｃ１／Ｃ２）により評価する。
【効果】良好なエッチング性能を与えるエッチングマスク膜を選定することができ、このようなエッチングマスク膜を用いたフォトマスクブランクから、フォトマスクを作製すれば、パターン形成膜へのフォトマスクパターンの転写性が良好であり、パターン欠陥の少ないフォトマスクを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチングマスク膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の耐エッチング性と、パターン形成膜についてのパターン形成膜をエッチングする際の被エッチング性との双方を評価して、良好なエッチング条件を見出すことができるパターン形成膜のエッチング条件の評価方法を提供する。
【解決手段】透明基板と、透明基板上に、フォトマスクパターンを形成するためのパターン形成膜と、パターン形成膜の上に、パターン形成膜のエッチングマスクとして用いるエッチングマスク膜とを備えるフォトマスクブランクのパターン形成膜のエッチング条件を、フォトマスクパターンを形成する際にパターン形成膜に適用するエッチング条件で、エッチングマスク膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム（Ｃ１）と、パターン形成膜をエッチングしたときのエッチングクリアタイム（Ｃ２）とを測定し、両者のクリアタイム比（Ｃ１／Ｃ２）により評価する。 （もっと読む）

【課題】マスク製造段階での基板ダメージの発生が少なく、透光部の露光光透過率が高く、かつ露光光透過率分布の面内均一性の高い転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、金属およびケイ素を含有する材料、またはタンタルを含有する材料からなる薄膜を備えるマスクブランクを用意する工程と、前記薄膜上に転写パターンを有するレジスト膜を形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターン形成工程後のマスクブランクをチャンバー内に設置し、塩素、臭素、ヨウ素、およびキセノンから選ばれる元素のフッ化物を含む非励起状態の気体でチャンバー内を置換し、薄膜の表面温度が５０℃よりも高く２００℃未満であり、かつチャンバー内の圧力が１００Ｐａよりも高い状態で、前記転写パターンを有するレジスト膜をマスクとして前記薄膜をエッチングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】タンタル系材料の吸収体膜と、クロム系材料のエッチングマスク膜とが積層した反射型マスクブランクを用いて、高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な吸収体膜を有する反射型マスクを作製することを可能とする反射型マスクブランクを提供する。
【解決手段】反射型マスクを作製するために用いられる反射型マスクブランク１００であり、基板１上に多層反射膜５と吸収体膜２とエッチングマスク膜３が順に積層した構造を有する反射型マスクブランクであって、エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、吸収体膜は、タンタルを含有する材料からなり、吸収体膜の基板側とは反対側の表層に高酸化層２２が形成されており、高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とする反射型マスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】高精度の転写パターンを有し、光学特性が良好な遮光膜を有する転写用マスクを作製することを可能とする、マスクブランクを提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用いられるマスクブランクであり、透光性基板上に遮光膜とエッチングマスク膜とが順に積層した構造を有するマスクブランクであって、前記エッチングマスク膜は、クロムを含有する材料からなり、前記遮光膜は、タンタルを含有する材料からなり、前記遮光膜の透光性基板側とは反対側の表層に高酸化層が形成されており、前記高酸化層は、Ｘ線電子分光分析を行ったときのＴａ４ｆのナロースペクトルが２３ｅＶよりも大きい束縛エネルギーで最大ピークを有することを特徴とするマスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】黒欠陥の発生を抑制できる転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜上にレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する準備工程と、前記レジスト膜に転写パターンを露光処理する露光工程と、前記露光処理されたレジスト膜に対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂよりも高く、ｐＨが８以上である現像液を用いて現像処理を行う現像工程と、前記現像処理されたマスクブランクに対し、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが８以上である第１のリンス液を用いて処理を行う第１リンス工程と、前記第１リンス工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが６より大きく８未満である第２のリンス液を用いて処理を行う第２リンス工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】露光対象となっている回路パターン領域以外から光が反射することなく、精度よく露光転写ができる反射型マスクブランクス、反射型露光用マスクもしくはレチクルを提供する。
【解決手段】基板上側の一部に犠牲膜と、基板上に多層反射膜、保護膜、吸収膜、裏面導電膜が形成された反射型マスクブランクスを準備する。次に、回路パターンとその領域外の吸収膜を選択的に除去して回路パターンと遮光枠領域を形成する。次に、前記遮光枠領域において保護膜と多層反射膜と犠牲膜をドライエッチング及びウェットエッチングの２段階により除去する。 （もっと読む）

【課題】支持基板を任意の深さまで掘り込んだシフターを有するフォトマスクの作製において、透過部の透過性を損なわずに、より安定したシフターの加工を実現できるフォトマスクブランクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】石英からなる支持基板１１と第１の遮光膜１２とを有するフォトマスクブランクにおいて、支持基板１１の一方の面に、支持基板１１のドライエッチング処理時に実質的にエッチングされないエッチングストップ膜１３を形成する。エッチングストップ膜１３の支持基板１１と反対の面に支持基板１１と同じ材質からなる透過層１４を形成する。第１の遮光膜１２を透過層１４のエッチングストップ膜１３と反対の面に形成する。 （もっと読む）

【課題】急峻なプロファイルを持つレジストパターンを得ることができる多階調フォトマスク及びパターン転写方法を提供すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板１１上に設けられた、露光光を一部透過させる半透光膜を各々パターン加工することにより、透光部及び半透光部を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透光部は、前記透明基板に対して相対的に低い位相シフト量を持つ第１半透光膜１２と、前記第１半透光膜１２に対して相対的に高い位相シフト量を持つ第２半透光膜１３と、から構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転写用マスクの黒欠陥の発生を抑制することのできるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜の表面に、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂよりも高く、ｐＨが８以上である第１の処理液を用いて表面処理を行う第１処理工程と、前記第１処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが８以上である第２の処理液を用いて表面処理を行う第２処理工程と、前記第２処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが６より大きく８未満である第３の処理液を用いて表面処理を行う第３処理工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＦバイアスが低減された遮光膜であり、転写マスク作製に係る様々な負荷が
大きく軽減される。さらに、重ね露光による漏れ光によって、ウェハ上のレジスト膜が露
光することを抑制できるだけの光学濃度を遮光膜に確保するという条件も同時に満たすこ
とができる転写用マスクを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
ＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光光が用いられる露光装置にバイナリ型の転写用マスクをセットし、半導体ウェハ上のレジスト膜に対して転写パターンの露光転写を行う工程を有する半導体デバイスの製造方法であって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを備えた遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が２．８以上であり、
前記遮光膜は、前記露光光に対する表面反射率が５０％未満であり、
前記遮光膜を透過した前記露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した前記露光光との間での位相差が３０度以下である
ことを特徴する半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 従来における有機系レジストとクロムの遮蔽膜を用いるフォトマスクは、製造工程が煩雑で、かつ、クロム金属のエッチング後の廃液処理が必要なため、環境負荷が大きく、かつ、コストが高くなるといった問題があり、また、有機系レジストに姻族が添加されている遮蔽膜を用いるフォトマスクにあっては、耐久性や遮蔽性が劣るといった問題があった。
【解決手段】 レーザー光のエネルギーによって表面電位差が生じる表面電位が変位し易い金属原子Ｘと、酸化されても変化し難い金属原子Ｙとの組み合わせによる金属レジスト２の遮蔽膜で構成したフォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示装置の製造工程の簡略化を図るとともに、パターンの形成に有利な階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、遮光膜と、透過率調整機能を有する半透明膜とが順不同に積層され、上記透明基板上に前記遮光膜が設けられた遮光領域と、上記透明基板上に前記半透明膜のみが設けられた半透明領域と、上記透明基板上に前記遮光膜および前記半透明膜のいずれも設けられていない透過領域とを有し、表示装置の製造に用いられる表示装置製造用階調マスクであって、上記半透明膜が金属膜であり、上記表示装置製造用階調マスクは、エッチングストッパー膜を有するものではないことを特徴とする表示装置製造用階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板と、透明基板上に設けられ、遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜と、光学膜を精密加工するためのハードマスク膜とを有するフォトマスクブランクであって、ハードマスク膜がクロム系材料からなる多層膜であり、多層膜が、光学膜と接して設けられ、酸素を２０〜６０原子％含有するクロム系材料からなり、厚さ０．５ｎｍ以上５．０ｎｍ未満である第１層と、第１層に接して設けられ、クロムを５０原子％以上含有し、第１層よりも酸素含有率が低いクロム系材料からなる第２層を有し、ハードマスク膜の全体の厚さが２．０ｎｍ以上１０ｎｍ未満であるフォトマスクブランク。
【効果】ハードマスク膜のフッ素系ドライエッチングに対するエッチング耐性を向上させることができ、より薄いハードマスク膜を用いた場合にも、ハードマスクパターンにより加工される遷移金属ケイ素化合物材料からなる光学膜の高精度な加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、真空紫外光を用いて高精細なパターニングが可能なパターン形成体の効率的な製造方法およびそれに用いられるレジストマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、真空紫外光を透過する透過部と、上記透過部上に形成され、上記透過部よりも真空紫外光の透過率が低いレジストパターンとを有し、上記透過部は、上記透過部の大きさが上記レジストパターンの大きさ以上となるように形成されていることを特徴とするレジストマスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクブランクに形成される光学膜の面内での特性の均一性を高める技術を提供すること。
【解決手段】透明基板１０の主面上に光学膜２０が形成されたフォトマスクブランクは、サセプタ３０上に載置されている。この基板１０の主面に形成された光学膜２０の周縁部は、遮光部６０によって、閃光ランプ４０からの閃光照射から遮蔽されている。遮光部６０は、基板１０の面取り部１１から入射した閃光が基板１０の裏面で反射して、この反射光が光学膜２０に過剰な光エネルギを与えてしまうという不都合を回避する。 （もっと読む）

【課題】平坦度が悪化することを抑制したマスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】主表面に対して鏡面研磨を行ったガラス基板を準備する工程と、準備された前記ガラス基板に対し、加熱処理を行う工程と、加熱処理後のガラス基板の主表面上にタンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなる薄膜を形成する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となるマスクブランクの欠陥検査では検出されない潜在化したマスクブランクにおける欠陥の発生を抑制するマスクブランクの表面処理方法等を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクの表面に処理液を用いて表面処理を行うマスクブランクの表面処理方法であって、前記薄膜は、イオン主体のドライエッチングが可能な材料からなり、前記処理液に含まれるエッチング阻害物質の濃度が、０．３ｐｐｂ以下である。 （もっと読む）