【課題】多色波露光に適したＦＰＤ用大型マスク及びマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、透過量を調整する機能を有するグレートーンマスク用半透
光性膜を少なくとも有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
前記グレートーンマスク用半透光性膜は、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線
からｇ線に渡る波長帯域において、半透光性膜の透過率（即ち半透過率）の変動幅が５％
未満の範囲内となるように制御された膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光装置の光学系の状態を測定可能な露光装置検査用マスク、及び製造プロセスを効率化させた露光装置検査用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】検査用マスク２０は、回折効率が異なるプラス一次回折光とマイナス一次回折光を生じさせる第１〜第４非対称回折格子パターン２００Ａ〜２００Ｄを設ける。非対称回折格子領域２００Ａは、透過基板２１と、透過基板２１上に選択的かつ所定ピッチで周期的に配置された半透過性の複数のハーフトーン膜２２と、ハーフトーン膜２２のそれぞれに形成された複数の遮光膜２３とを備える。ハーフトーン膜２２は、透過基板２１のみを通過する第１の光の位相と、ハーフトーン膜２２及び透過基板２１を通過する第２の光の位相との間の位相差が、１８０×ｎ（ｎは０以上の整数）以外の値となるような厚さを有するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 露光波長の短波長化に適した低反射フォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】 透光性基板２上に、金属を主成分とする一層又は多層の遮光膜３を有するフォトマスクブランクであって、前記フォトマスクブランクは、２００ｎｍ以下の露光波長に供されるフォトマスクを製造するために用いられ、前記遮光膜３上に、シリコンと、酸素及び／又は窒素とを少なくとも含む反射防止膜６を有し、前記遮光膜３は、前記反射防止膜６に対してエッチング耐性を有する材料からなることを特徴とするフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクの線幅のばらつきを精度良く補正し、露光装置の変動に対しても線幅を調整できるフォトマスク、フォトマスクの線幅補正方法、線幅補正装置及びそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の主面上に設けられ、第１のマスク線幅を有する第１の領域では第１の透過率を有し、前記第１のマスク線幅とは異なる第２のマスク線幅を有する第２の領域では前記第１の透過率とは異なる第２の透過率を有する遮光膜と、を備えたことを特徴とするフォトマスクを提供する。 （もっと読む）

【課題】露光機の露光波長特性によらず、フォトマスクを最適な状態で使用することが容易になり、安定して、正確に被加工層上にパターン形成すること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板上に設けられた、露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光を一部透過させる半透過膜とにより、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、前記半透過膜は、前記露光光の波長域において波長依存性を持つ透過率を有しており、かつ、前記半透光領域は、前記転写パターンの転写の際に用いる露光機の露光光学条件下において前記波長依存性が実質的に生じない透過率を示す寸法を持つ領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制でき、万一静電破壊が起きてもデバイス形成に使用されるマスクパターンには影響が及ばないグレートーンマスクなどのフォトマスクを提供する。
【解決手段】被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板２４上に有するフォトマスク（例えばグレートーンマスク）であって、電気的に孤立する複数のマスクパターン１０ａ，１０ｂ，１０ｃからそれぞれ引き出された導電性パターン１１ａと１１ｂ，１１ｃと１１ｄ，１２ａと１２ｂ，１２ｃと１２ｄを有する。かかる導電性パターンは、互いに接触せず、かつ上記各マスクパターン間よりも互いに近接する部分を有し、例えば半透光膜または透光膜により形成される。 （もっと読む）

【解決手段】露光光に対して透明かつ表面の反りが０．５μｍ以下の基板上に下地層及び表面層からなり、金属シリサイド酸化物、金属シリサイド窒化物又は金属シリサイド酸化窒化物からなる位相シフト膜を、金属シリサイドターゲットを用いたスパッタリングにより、表面層形成時のスパッタリング圧力を０．１〜０．５Ｐａ、下地層形成時のスパッタリング圧力を０．５Ｐａ以上、かつ表面層形成時のスパッタリング圧力の１．２倍以上として成膜することにより、位相シフト膜を成膜した後の反りが１．０μｍ以下である位相シフトマスクブランクを製造する。
【効果】本発明によれば、成膜前後での反りの変化が小さく、かつ表面の反りの小さい位相シフトマスクブランクが得られ、この位相シフトマスクブランクにパターンを形成することにより反りの変化によるパターン寸法の変動を少なく抑えることができ、高精度な位相シフトマスクを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 透明基板の一面に、転写時の露光光に対して遮光性を有する遮光性膜からなる、複数の図形パターンにより絵柄部を形成しているフォトマスクで、隣接する２つの図形パターンが近接している箇所において、放電破壊（静電破壊とも言う）が発生しないフォトマスクを、提供する。
【解決手段】 隣接する２つの図形パターンが近接している箇所に、該近接している箇所における放電による両図形パターンの放電破壊を防止するために、転写時の露光光に対して半透過性の第１のハーフトーン膜からなり、且つ、転写の際に実質的に解像されない線幅の、前記両図形パターンを電気的に接続する接続線部を配している。 （もっと読む）

【課題】高さの異なる複数種の凸状パターンを同一の材料を使用して同時に形成し、その形成工程を短縮する。
【解決手段】基板上に塗布された感光性樹脂を露光して高さの異なる複数種の凸状パターンを形成するためのフォトマスク１であって、透明なガラス基板２の一面を覆って形成された不透明膜３に多数形成され、複数種の凸状パターンに対応した開口を有して紫外光を透過させる第１及び第２のマスクパターン４，５と、上記複数種の凸状パターンの高さの最も高い凸状パターンを形成するための第１のマスクパターン４に対応してガラス基板２に形成された集光レンズ４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】階調付きレジスト膜を高精度に形成する。
【解決手段】露光用マスクは、透明基板（１００）と、この透明基板上に所定の繰り返しパターンである第１パターンで形成された第１パターン部分（１１０ｂ）を有する遮光膜（１１０）と、透明基板上における第１パターン部分が形成された第１パターン領域（Ｒ２）を含む領域に形成され、露光光を透過する透過率が遮光膜より高い半透明膜（１２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】階調マスクにおける、ライン状のハーフトーン膜パターン内の欠陥部を修正する方法を提供する。
【解決手段】ライン状のハーフトーン膜パターン内の第１の欠陥部を整形して、該第１の欠陥部を含みかつ該ライン状のハーフトーン膜パターンのラインの幅で該ラインに沿う矩形状の白欠陥部である第２の欠陥部を新たに形成し、更に第２の欠陥部に対して、露光光を遮光する遮光膜からなりかつ転写しない線幅のラインパターンを複数、前記ライン状のハーフトーン膜パターンのライン幅内においてそのライン方向に沿うように隙間を開けて並列にして、前記ライン状のハーフトーン膜パターンの外側が透明領域である場合には、最も外側のラインパターンが透明領域と接するようにして配して、複数のラインパターンからなるスリット状パターンを配設する配設処理ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】加工性の向上と低コストを可能にしたグレートーンマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上にＣｒ膜を形成したＣｒ膜ブランクス１０にＣｒエッチング液を用いるエッチングを施すことにより基板Ｓ上に第一開口１１ａを形成する工程する。次いで、第一開口１１ａに、Ｎｉ−Ａｌ、Ｎｉ−Ｃｒ、及びこれらの酸化物、酸窒化物、窒化物からなる群から選択される少なくともいずれか一種からなる半透光膜１４を成膜することにより第一開口１１ａに半透光部１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】グレートーンマスク作製時にＣＤ（線幅）変動を低減できるグレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、半透光膜と遮光膜とをこの順に有するグレートーンマスクブランクを用意し、該マスクブランクに第１のパターニングを施し、パターニングされた遮光膜及び露出した半透光膜を含む基板全面にレジスト膜を形成した後に第２のパターニングを施すことによって、該半透光膜と該遮光膜にそれぞれ所定のパターニングを施してグレートーンマスクとする。ここで、前記第1のパターニングの際の描画光に対する前記遮光膜の表面反射率と、前記第２のパターニングの際の描画光に対する前記半透光膜の表面反射率との差が、35％以下に調整されている。 （もっと読む）

【課題】ヘイズを低減し得る転写用マスク、特にガラス部（透過部）周辺のヘイズを十分に低減し得る転写用マスク及びその素材としてのマスクブランクを提供する。
【解決手段】２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用される転写用マスクであって、
基板上に転写パターンを有する転写用マスクにおいて、基板１と転写パターン３ａとの間に、２００ｎｍ以下の露光光波長に対して６．４ｅＶ以下のバンドギャップを有する材料からなる層（ヘイズ低減層）２を有することを特徴とする転写用マスク。 （もっと読む）

【課題】所望の透過率を有するとともにゼロ付近の位相シフト量を有し、比較的薄い膜厚の光半透過膜、この光半透過膜を利用した新規な位相シフトマスク及びその位相シフトマスクを製造できるフォトマスクブランク、並びに上記光半透過膜の設計方法を提供する。
【解決手段】透光性基材上に形成された、所望の波長λの光の一部を透過する光半透過膜であって、以下の機能を有する位相差低減層を少なくとも一層有する。すなわち、前記位相差低減層は、０＜ｄ≦λ／（２（ｎ−１））を満たす屈折率ｎ及び膜厚ｄを有し、層を通過した光の位相（以下、層透過光と呼ぶ）から層がない場合の光（以下、層参照光と呼ぶ）の位相を減じた値Δθ（以下、位相差Δθ（単位：度）と呼ぶ）が、層透過光と層参照光の光学的距離の差から算出される値Δθ_０＝（３６０／λ）×（ｎ−１）×ｄ（以下、位相差Δθ_０（単位：度）と呼ぶ）よりも小さくなる層である。 （もっと読む）

【課題】グレートーンマスク作製時にＣＤ（線幅）変動を低減できるグレートーンマスクブランク及びグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上のフォトレジストに、残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するグレートーンマスクの製造に用いるためのグレートーンマスクブランクであって、透明基板上に半透光膜と遮光膜とをこの順に有し、該半透光膜と遮光膜にそれぞれ所定のパターニングを施して、遮光部、透光部、半透光部を形成し、グレートーンマスクとする。遮光膜は、膜厚方向に組成が変化しており、パターニングの際に用いる描画光に対する表面反射率が低減されており、半透光膜は、パターニングの際に用いる描画光に対する表面反射率が、面内において45％を越えないように調整されている。 （もっと読む）

【課題】微細な孤立ラインパターン及び密集ラインパターンの同時形成が可能なエンハンサマスクを用いて微細ラインパターンと大きいラインパターンとを同時に形成できるようにする。
【解決手段】透明基板１上に、第１の寸法Ｓ１を有する第１の遮光パターン６と、第１の寸法Ｓ１よりも大きい第２の寸法Ｓ２を有する第２の遮光パターン７とが形成されている。第１の遮光パターン６は、第１の半遮光部２Ａと、第１の半遮光部２Ａ内に配置され且つ露光光を反対位相で透過させる補助パターン３とを有する。第２の遮光パターン７は、第２の半遮光部２Ｂと遮光部５とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面に突起状の異物が存在しても、露光の際に遮光膜パターンを被処理基板の表面に形成されたフォトレジスト膜に密着、或いは密着に近い状態で接近させることが可能なアライナ用露光マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有する基板２１と、この基板の一面に設けられて所定のパターン形状を有する遮光膜１６ａと、基板の一面に、遮光膜が設けられている領域を残して設けられた凹部２４と、を有するアライナ用露光マスク２０である。凹部は、このアライナ用露光マスクを用いて被露光物を露光する際に、被露光物の表面に付着した異物を収容する収容部となる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク等の遮光材料の製造に好適であり、表面の平滑性が高い金属パターン材料が得られる製造方法、及び、該製造方法により得られた金属パターン材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）ガラス基板上に、金属粒子との相互作用を形成しうる官能基、或いは、金属イオン又は金属塩との相互作用を形成しうる官能基を有し、且つ、少なくとも該ガラス基板に片末端で直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（Ｂ）前記ポリマー層上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンの形成領域及び非形成領域のいずれか一方の領域におけるポリマー層に、金属粒子を含有する領域をパターン状に形成する工程と、を有することを特徴とする金属パターン材料の製造方法、及び該製造方法により得られた金属パターン材料。 （もっと読む）

【課題】樹脂製マスクケースやクリーンルーム環境中に存在するアウトガス成分に対して清浄で露光装置内部を汚染することのなく、微細なパターン形成ができる、反射型フォトマスク用ブランク及びその製造方法並びに反射型フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】露光波長に対する反射率の異なる複数の膜から構成された構造体と、構造体の周囲全面にアウトガス成分が付着しないように被覆された保護膜と、構造体は、基板と、多層反射膜と、キャッピング膜と、下層吸収膜と、上層吸収膜と、を有し構成されたことを特徴とする反射型フォトマスク用ブランク。 （もっと読む）