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Fターム[2H095BC24]の内容

写真製版における原稿準備・マスク (14,219) | 構成要素 (3,401) | その他特殊効果膜 (400)

Fターム[2H095BC24]に分類される特許

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【課題】ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクの粗パターンと密パターン間の大きさの差が発生するローディング効果の減少のために、透明基板上に少なくとも湿式エッチングが可能なエッチング阻止膜と遮光膜または遮光膜と反射防止膜を積層した後、少なくともエッチング阻止膜または遮光膜と同じエッチング特性のハードマスク膜を積層し、フォトレジスト厚さを薄くコーティングしたのち露光、現像及びハードマスク膜のエッチング後に、フォトレジストパターン及びまたはハードマスク膜をマスクとして少なくとも遮光膜パターンの形成時にエッチングマスクとしたハードマスク膜を除去することを特徴とするブランクマスクと、フォトマスク及びその製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】ハーフトーン型フォトマスクを用いプロキシミティー露光方式によりフォトスペーサと配向制御用突起とを一括形成すると、配向制御用突起の線幅に依存して中央部分が1箇所もしくは2箇所で凹んだ断面形状を呈する場合がある。
【解決手段】ハーフトーンフォトマスクのフォトスペーサに対応する部位が光透過性について遮光、配向制御用突起に対応する部位が光透過性について半遮光性で位相差が45度以下であることを特徴とするハーフトーンフォトマスク及び該ハーフトーンフォトマスクを用い、フォトリソグラフィ法により一括形成にて形成したフォトスペーサ及び配向制御用突起を具備したことを特徴とするカラーフィルター基板である。 (もっと読む)


【解決手段】基板上に、珪素と窒素と酸素とを含む光機能性膜を備えるフォトマスクブランクを製造する方法であって、露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、該酸素の含有量が7at%以上である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、該光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理するフォトマスクブランクの製造方法。
【効果】本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクを用いることで、ステッパーやスキャナーで長期間使用していても、フォトマスクを構成する窒素を含有する膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質(例えば、硫酸アンモニウム等)に由来する欠陥の発生を少なくすることができ、フォトリソグラフィー法を用いた半導体回路製造時の歩留低下を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ハーフトーン型位相シフトマスクの洗浄時の劣化を少なくすることができる表面保護膜作成方法及び表面保護膜作成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、密閉したチャンバー内に超クリーンな空気又は窒素と酸素を含む混合気体を導入しながら、石英基板上にMoSiO又はMoSiONのモリブデンシリサイド膜とクロム系の遮光膜を塗布したハーフトーン型位相シフトマスクに対し、126nm紫外線から172nm紫外線エキシマ光を照射し、前記モリブデンシリサイド膜の表面に酸化保護膜を形成することで、マスクの洗浄1回あたりの位相差の変動を0.2°以下にすることを特徴とする表面保護膜作成方法の構成とした。 (もっと読む)


【課題】FPD用大型マスクにおけるプロセス(レジスト塗布方法やエッチング方法、洗
浄方法等)に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜
、のうちのを少なくとも一方を有するFPDデバイスを製造するためのマスクブランクで
あって、
前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さRqが2.0nm
以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】近接露光において、露光パターンの解像度を向上して微細なパターンの露光を可能にする。
【解決手段】透明基板9の一面に設けた遮光膜10に所定形状の複数の開口11を形成したフォトマスク4を被露光体6に近接対向して配設し、該フォトマスク4に対して光源光L1を照射して前記被露光体6上に前記開口11に対応したパターンを露光する露光装置であって、前記フォトマスク4の各開口11に夫々対応して前記被露光体6側に、前記各開口11の像を前記被露光体6上に結像させる複数のマイクロレンズ12を配設したものである。 (もっと読む)


【課題】3階調を超えるフォトマスクとして用いることが可能な多階調フォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、遮光部、透光部、及び露光光透過率を所定量低減させる半透光部からなるマスクパターンを有し、上記遮光部は、少なくとも透明基板上に形成された遮光膜により形成され、上記透光部は、露出した透明基板により形成され、上記半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜によりなる第1半透光部と、透明基板上に半透光膜の微細パターンと遮光膜の微細パターンと微細隙間とからなる露光条件下における解像限界以下の線幅をもつ微細パターンが形成されてなる第2半透光部、又は半透光膜の微細パターンと遮光膜の微細パターンとからなる露光条件下における解像限界以下の線幅をもつ微細パターンが形成されてなる第3半透光部とを有している多階調フォトマスクである。 (もっと読む)


【課題】狭い幅のパターンを有する場合においても、常に安定して所望の残膜値のレジストパターンを得ることができる多階調フォトマスク及びこれを用いたパターン転写方法を提供する。
【解決手段】透明基板21上に設けられた、露光光を遮光する遮光膜23と、前記露光光を一部透過させる半透過膜22とにより、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を持つ転写パターンを備え、前記多階調フォトマスクを通過した、g線、h線、i線のそれぞれの強度が1:1:1である露光光を、開口数が0.08であり、コヒレンシーが0.8である光学系で受光して前記半透光領域における実効透過率を求めたとき、前記半透光領域の実効透過率のマスク面内分布レンジが2.0%以下である。 (もっと読む)


【課題】狭い幅のパターンを有する場合においても、常に安定して所望の残膜値のレジストパターンを得ることができる多階調フォトマスク及びこれを用いたパターン転写方法を提供する。
【解決手段】多階調フォトマスクは、透明基板21上に設けられた、露光光を遮光する遮光膜23と、前記露光光を一部透過させる半透光膜22とにより、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を持つ転写パターンを備え、前記半透光領域における前記露光光に対する実効透過率のレンジが2.0%以下である。 (もっと読む)


【課題】品質を損なわずに、補助パターン型位相シフトマスクを製造することを可能とする。
【解決手段】透明基板1上に、遮光性膜2、エッチングマスク層3aを形成するための薄膜が順次形成されたフォトマスクブランクであって、前記フォトマスクブランクは、位相シフトマスクの製造に用いられるフォトマスクブランクであり、前記遮光性膜2は、露光光を実質的に透過しない機能を有する膜であり、かつ窒素を含む高融点金属のシリサイドからなり、前記エッチングマスク層3aを形成するための薄膜は、前記遮光性膜2のエッチングに対して耐性を有する材料で、かつ窒素を含む金属化合物からなるフォトマスクブランク。 (もっと読む)


【課題】位相シフト層からなる領域と位相シフト層の上に遮光層からなる領域とを有するハーフトーン型位相シフトマスクであって、マスク識別マークのように大面積で高い精度が不要なパターンを、他の高精度パターンの精度に影響を与えることなく、短時間で形成することができるハーフトーン型位相シフトマスクの構造及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】位相シフト層上の遮光層の有無による反射率の差に起因して認識されるパターンを当該マスクの識別マークとする構造のハーフトーン型位相シフトマスクであって、識別マークを遮光層のパターンと同時に形成する製造方法により作製する。 (もっと読む)


【課題】覗き見困難で、表示性能が良いマイクロカプセル型電気泳動式表示パネルが求められていた。
【解決手段】支持層と補強層とメンブレン層からなるステンシルマスクにおける前記支持基板層が除かれている前記開口部の前記補強層と前記メンブレン層からなる多層メンブレン層における前記補強層の一部が除去された前記メンブレン層からなるメンブレン層開口部が、前記メンブレン層がパターン状に除去されているステンシルパターン領域より大きい面積を有しており、パターン領域内にはステンシルパターン領域を形成しているステンシルマスクにおいて、補強層とメンブレン層がシリコンが共にシリコンからなることを特徴とするステンシルマスクおよびその製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】基材との密着性に優れた金属粒子含有膜を備え、種々の波長に対する遮光性に優れる遮光部材の作製方法を提供すること。
【解決手段】(a)露光によりラジカルを発生しうる基材上に、ラジカル重合可能な不飽和部位と金属イオン又は金属塩を吸着する部位とを有する化合物を接触させた後、露光を行うことにより、前記基材上に直接結合したポリマーを生成させてポリマー層を形成する工程と、(b)該ポリマー層に金属イオン又は金属塩を付与する工程と、(c)該金属イオン又は金属塩中の金属イオンを還元して、体積平均粒径が5nm以上500nm以下の金属粒子を析出させる工程と、を有することを特徴とする遮光部材の作製方法。 (もっと読む)


【課題】白縁の発生を抑えるようにしたグレートーンマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に第一の膜を形成し、その上に第一レジストパターンを形成し、該第一レジストパターンをマスクとして第一の膜をエッチングし、第一の膜パターンを形成する第一パターニング工程と、第一の膜パターンを含む面上に第二の膜を形成する工程と、第二の膜上に第二レジストパターンを形成し、該第二レジストパターンをマスクとして少なくとも第二の膜をエッチングし、第二の膜パターンを形成する第二パターニング工程とを有し、第一の膜は遮光膜及び反射防止機能膜の積層膜、第二の膜は半透光膜であり、エッチング工程に用いるエッチャントに対するエッチング速度が、半透光膜は反射防止機能膜とほぼ同一もしくはこれよりも速くなるように第一の膜及び第二の膜の材質を選択する。 (もっと読む)


【課題】2種類以上の半透光部の透過率差が小さい場合においても、所望のレジスト段差をもつレジストパターンを得ること。
【解決手段】本発明の多階調フォトマスクは、透明基板11上に遮光領域A、第1半透光領域B(暗い半透光領域)、第2半透光領域C(明るい半透光領域)及び透光領域Dを設ける。第1半透光領域B部及び第2半透光領域Cは、膜厚の異なる実質的に同一組成の膜で構成されており、互いに膜厚及び露光光に対する透過率が異なっており、露光光の透過率がいずれも10%〜70%であり、かつ、両者は10%以下の透過率差を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】遮光膜の材料の選択に制約が少ない多階調フォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板1上に遮光膜2と半透光膜4とを有する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜4の形状をリフトオフで形成することとして半透光膜4のエッチング工程を無くしたので、遮光膜2は半透光膜4のエッチングガスやエッチング液への耐性が必要なく、遮光膜2の材料の選択に制約が少ない多階調フォトマスクの製造方法を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクに固有の客観的な露光光透過率を把握することができ、フォトマスクの良否を的確に評価することができるフォトマスクの検査方法を提供し、また、このようなフォトマスクの検査方法により検査され得るフォトマスクを提供する。
【解決手段】遮光部、透光部及び半透光部からなるパターン1を有し、このパターン1を転写することによって被転写体上にレジストパターンを形成するフォトマスクを検査する方法において、所定面積の光透過率参照用半透光部4を主パターンエリア3内又は外に設けておき、該面積は、光透過率を測定する透過率測定装置により更に大きな面積の半透光部の光透過率を測定したときと実質的に同じ透過率となる面積であり、透過率参照用半透光部4の光透過率を透過率測定装置によって測定する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】シャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光が可能で、十分な遮光枠性能を持つ反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に形成された多層反射膜と、前記多層反射膜の上に形成され、照射される露光光の一部を第1の反射光として放射し、前記第1の反射光と前記多層反射膜に照射される露光光が反射した第2の反射光との位相を異ならせる位相シフト機能を有する光吸収体層と、前記光吸収体層に形成された回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外部に設けられた、前記回路パターン領域に位置する光吸収体層よりも照射される露光光の反射率が低い遮光領域と、を備える。 (もっと読む)


【課題】少ない半透光膜の膜数と少ない描画回数で製造できる5階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に、エッチング選択性のある第1半透光膜と遮光膜とをこの順に有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第1レジストパターンを形成する工程と、第1レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第1のパターニングを行う工程と、第1レジストパターンを除去し、第2レジストパターンを形成する工程と、第2レジストパターンをマスクとして第1半透光膜をエッチングして第2のパターニングを行う工程と、第2レジストパターンを除去し、基板全面に、第1半透光膜とエッチング選択性のある第2半透光膜を形成する工程と、第2半透光膜上に第3レジストパターンを形成する工程と、第3レジストパターンをマスクとして第2半透光膜をエッチングして第3のパターニングを行う工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】露光時のフレアの影響を低減しつつ、マスクパターン検査の際に欠陥検出感度の低下を防止できる反射型マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクは、露光光を反射する反射パターン11、露光光を吸収する吸収パターン10、および露光光を減衰する減光パターン12が基板表面に配置されており、減光パターン12の最小線幅をD、吸収パターン10の最小線幅をLとして、D≧Lの関係を満たしている。 (もっと読む)


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