【課題】アルカリ金属のガラス基板の表面への拡散を確実に防止することができるマスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供すること。
【解決手段】マスクブランクス１０は、アルカリ金属を含有するガラス基板１、このガラス基板の表面上に形成された拡散防止層２、拡散防止層２上に形成された遮光層３、遮光層３上に形成された反射防止層４を備える。ガラス基板の表面が研磨され、その表面粗さＲａが２ｎｍ以下とされた。表面粗さＲａが２ｎｍ以下であっても、拡散防止層２が設けられることにより、ガラス基板１からアルカリ金属が他の層へ拡散することを抑制し、マウスニップ欠陥の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】遮光膜の深さ方向でのドライエッチング速度を最適化させ良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜を有し、該遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、上記遮光膜の透光性基板側におけるドライエッチング速度を、遮光膜の表面側におけるドライエッチング速度よりも遅くさせるようにした。 （もっと読む）

【課題】急峻な立ち上がりの形状を持つレジストパターンを被転写体上に形成する。
【解決手段】遮光部と透光部との境界、または遮光部と半透光部の境界には、半透光膜上の位相シフト調整膜が部分的に露出してなる位相シフタ部が形成され、遮光部と透光部の境界に位相シフタ部が形成されるとき、ｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長を有する露光光が、位相シフタ部を透過する時の位相シフト量と、露光光が、透光部を透過するときの位相シフト量と、の差が９０度以上２７０度以内となり、遮光部と半透光部の境界に位相シフタ部が形成されるとき、ｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長を有する露光光が、位相シフタ部を透過する時の位相シフト量と、露光光が、半透光部を透過するときの位相シフト量と、の差が９０度以上２７０度以内となる。 （もっと読む）

【課題】露光時の電子線照射によって、反り調整層に電荷が蓄積され、電子線が偏向し転写精度が低下することのないステンシルマスクを製造するステンシルマスクブランクを提供する。ステンシルマスク、その製造方法、ステンシルマスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 （もっと読む）

【課題】エッチング回数を３回として５階調を得ることができる５階調フォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上にエッチング選択性のある第１半透光膜と遮光膜とをこの順に有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う工程と、第１レジストパターンを除去し、第２レジストパターンを形成する工程と、第２レジストパターンをマスクとして第１半透光膜をエッチングして第２のパターニングを行う工程と、第２レジストパターンを除去し、基板全面に第１半透光膜とエッチング選択性のある第２半透光膜を形成する工程と、第２半透光膜上に第３レジストパターンを形成する工程と、第３レジストパターンをマスクとして第２半透光膜をエッチングして第３のパターニングを行う工程とを有することにより、エッチング回数を３回として５階調を得る。 （もっと読む）

【課題】遷移金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させた転写用マスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に設けられたパターン形成用薄膜に転写パターンが形成されてなる転写用マスクにおいて、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、クロムを除く遷移金属およびケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜と、クロムを含有する材料からなるクロム系薄膜が順に積層したマスクブランクを用いて作製され、
前記パターン形成用薄膜は、膜中のクロム含有量が、１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜中の１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥が検出されない多層反射膜付基板および反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することにより、多層反射膜付基板を製造する。また、多層反射膜２上に保護膜３及び吸収体膜４を形成することにより、反射型マスクブランク１０を製造する。ここで、基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いで多層反射膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】周期端パターンに対してデフォーカスによる光学像のばらつきを抑制するフォトマスクを提供すること。
【解決手段】遮光部１３Ａを一定のピッチで透明基板上に繰り返し配置したことによって形成されたパターンであり且つ斜入射照明による露光によってウエハ上にパターン転写される周期パターン２１Ａと、遮光部１３０Ｂを遮光部１３Ａのピッチと同じピッチで周期パターン２１Ａの周辺に繰り返し配置したことによって形成されたパターンであり且つ斜入射照明による露光によってウエハ上にパターン転写されることのないＳＲＡＦ部２１０Ｃと、を有し、ＳＲＡＦ部２１０Ｃを介してウエハ上に照射される０次回折光の回折光強度と１次回折光の回折光強度とが等しくなるよう、ＳＲＡＦ部２１０Ｃのうち露光光を透過させる透過部１２０Ｃの透過率と、透過部１２０Ｃの位相と、透過部１２０Ｃのパターン幅と、の組合せが調整されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、吸収体層のエッチング後の工程検査で、ハードマスク層を除去することなく欠陥検査することを可能にし、さらに、この工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく、容易に欠陥修正が可能なＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス、反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 吸収体層エッチング後のハードマスク層表面とバッファ層表面との段差を、欠陥検査に使用する検査光の１／４波長の奇数倍の大きさに調整し、検査光を垂直に照射した際の、ハードマスク層表面からの反射光と、バッファ層表面からの反射光の位相差によるエッジ遮光効果を利用して欠陥検査を行うことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ハーフトーン型位相反転ブランクマスク、ハーフトーン型位相反転フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、位相反転膜、金属膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるハーフトーン型位相反転ブランクマスク。ここで、位相反転膜は、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、位相反転膜に厚さ方向に相異なる組成比を持たせることによって、位相反転膜の接着力、パーチクル、ピンホール、耐化学性、耐露光性、残留応力、面抵抗特性の優秀なハーフトーン型位相反転ブランクマスクの製造ができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の薄膜化を十分に達成でき、製造安定性の高いマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板１上に、塩素系ガスでドライエッチング可能な金属を主成分とする材料で形成される遮光膜２を備え、該遮光膜２に転写パターンを形成する際にレジスト膜を用いるマスクブランクである。遮光膜２の上面には、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素及び酸素のうち少なくとも一方の元素を含む材料で形成されるエッチングマスク膜３が設けられ、該エッチングマスク膜３中の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が９％未満である。 （もっと読む）

【課題】遮光層のサイドエッチングを抑制することでパターニング精度の高いハーフトーンマスクを作成することが可能なマスクブランクス及び当該マスクブランクスから形成されるパターニング精度の高いハーフトーンマスクを提供すること
【解決手段】本発明に係るマスクブランクスは、この順に積層された透明基板と、半透光層と、エッチングストッパ層と、遮光層とを具備する。半透光層は第１の光学濃度を有し、エッチングストッパ層は第２の光学濃度を有する。遮光層は２０ｎｍ以上９５．２ｎｍ以下の厚さを有し、第１の光学濃度及び第２の光学濃度との和が３．０以上である第３の光学濃度を有する。遮光層の厚さを当該範囲内とすることにより、半透光層がエッチングされる際の遮光層のサイドエッチング量を低減し、かつ、製造されたハーフトーンマスクの遮光部において、入射光を十分に遮蔽することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数の薄膜をそれぞれパターニングして成る転写用パターンを備えたフォトマスクにおいて、各薄膜に対してそれぞれ歪み補正を施しつつパターンを形成し、これらのパターンを正確に重ね合わせる。
【解決手段】 透明基板上に形成した第１の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第１パターンを形成する第１パターニング工程と、透明基板上に形成した第２の薄膜にフォトリソグラフィ工程を施して第２パターンを形成する第２パターニング工程と、を有し、第１パターニング工程は第１描画工程を、第２パターニング工程は第２描画工程をそれぞれ含み、第１描画工程及び第２描画工程では、同一の歪み補正の施された補正座標系を用いて行う描画を含む。 （もっと読む）

【課題】導電膜を設けた基板の静電チャック時の導電膜の膜剥れや異常放電によるパーティクルの発生を抑制した多層反射膜付き基板、パーティクルによる表面欠陥の少ない高品質の露光用反射型マスクブランクス、及びパーティクルによるパターン欠陥のない高品質の露光用反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１上に、露光光を反射する多層反射膜３を有し、基板１を挟んで多層反射膜３と反対側に、基板１の少なくとも周縁部を除く領域に導電膜２が形成されている多層反射膜付き基板１０である。導電膜２は例えばクロム（Ｃｒ）を含む材料からなり、導電膜２のうち基板１側には窒素（Ｎ）を含み、表面側には酸素（Ｏ）及び炭素（Ｃ）の少なくとも何れか一方を含む。この多層反射膜付き基板１０の多層反射膜３上に、露光光を吸収する吸収体膜を形成することにより露光用反射型マスクブランクスが得られる。また、この露光用反射型マスクブランクスの吸収体膜にパターンを形成することにより露光用反射型マスクが得られる。 （もっと読む）

特にＥＵＶリソグラフィ装置用の応力低減型反射光学素子を構成する軟Ｘ線及び極端紫外線波長域内の作業波長用の反射光学素子であり、前記反射光学素子は、基板（２）上に前記作業波長で屈折率の異なる実数部を有する少なくとも２つの交互材料（４１，４２）からなる第１の多層膜系（４）を備え、該多層膜系が前記基板（２）に層応力を及ぼし、前記基板（２）上に周期的に交互の少なくとも２つの材料（６１，６２）からなる第２の多層膜系（６）を備え、該多層膜系が前記第１の多層膜系（４）と前記基板（２）との間に配置され、前記基板（２）に反対方向の層応力を及ぼし、前記第２の多層膜系（６）の前記少なくとも２つの材料の第１の材料（６１）が、前記第２の多層膜系（６）の少なくとも１つの他の材料（６２）の１ｎｍまでの厚さの層によって、前記第１の材料（６１）がアモルファス状態で存在するような間隔で遮断されている。第２の実施例では、前記第２の多層膜系（６）の一つの材料はニッケル又はニッケル合金である。
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【課題】Ｆ₂エキシマレーザの波長１５７ｎｍを含む１４０〜２００ｎｍの波長範囲において、従前の２層又は多層膜からなるハーフトーン型位相シフトマスクを使用する上で生じていた、高透過率層に付随して発現してしまう透過率抑制効果が問題とならないような、多層型ハーフトーン型位相シフトマスク及びそのマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】 位相シフター膜が、透過率調整を主たる機能とする低透過率層と、位相シフト量の調整を主たる機能とする高透過率層の２層からなり、前記低透過率層の消衰係数をＫ₁、前記高透過率層の消衰係数をＫ₂としたとき、波長１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲から選ばれる露光波長λにおいて、Ｋ₂＜Ｋ₁≦３．０の範囲であって、前記低透過率層の膜厚をｄ₁としたときに、前記露光波長λにおいて、０．００１≦Ｋ₁ｄ₁／λ≦０．５００であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多階調フォトマスクの半透光膜が減膜して透過率が変化する際における局所的な減膜量の変化を抑制し、光透過率の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 導電性を有する導電性膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されたフォトマスクブランクを用意する工程と、フォトマスクブランク上に形成した第１レジストパターンをマスクとして、少なくとも遮光膜をエッチングする第１エッチング工程と、第１レジストパターンを除去したのち、第１エッチング工程の行われたフォトマスクブランク上に第２レジストパターンを形成し、第２レジストパターン及び遮光膜をマスクとして半透光膜をエッチングする第２エッチング工程と、第２レジストパターンを除去したのち、露出した半透光膜を所定量減膜する減膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ハーフトーン型位相シフトフォトマスクブランクとハーフトーン型位相シフトフォトマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ハーフトーン型位相シフトフォトマスクは、露光光に対して透過性を有する透明基板、透明基板上に形成され、中央のパターン領域Ｐと周辺のブラインド領域Ｂとに区分され、ブラインド領域Ｂの厚さがパターン領域Ｐの厚さよりもさらに厚く、パターン領域Ｐを介して露光光を位相シフトさせるシフトパターン及びブラインド領域Ｂのシフトパターン上に形成され、露光光に対して遮光性を有する遮光パターンを含む。 （もっと読む）

【課題】 短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及び該マスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】 ２層からなる減衰型位相シフト膜において、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくして、露光波長における透過率を高くし、また、３層からなる減衰型位相シフト膜において、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率よりも小さくして、欠陥検査波長における透過率を低くし、さらにまた、３層以上からなる減衰型位相シフト膜において、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直下層の膜の屈折率よりも小さくして、露光波長における透過率を高くする。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦ露光光で露光を行う際における薄膜の温度上昇による熱膨張を大幅に抑制して、薄膜の温度上昇で生じる熱膨張による転写パターンの位置ずれを大幅に小さく抑えることを可能にする。
【解決手段】ＡｒＦ露光光に適用される転写用マスクの製造に用いられるマスクブランク、このマスクブランクを用いて製造された転写用マスク、及びこの転写用マスクをセットとしたダブルパターニング／ダブル露光技術による転写露光で用いられる転写用マスクセットであって、前記薄膜を、ＡｒＦ露光光の照射を受けるとＡｒＦ露光光よりも長い波長の蛍光を発する蛍光物質を含有する材料で構成したことを特徴とする。 （もっと読む）