位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法
【課題】 短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及び該マスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】 ２層からなる減衰型位相シフト膜において、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくして、露光波長における透過率を高くし、また、３層からなる減衰型位相シフト膜において、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率よりも小さくして、欠陥検査波長における透過率を低くし、さらにまた、３層以上からなる減衰型位相シフト膜において、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直下層の膜の屈折率よりも小さくして、露光波長における透過率を高くする。
【解決手段】 ２層からなる減衰型位相シフト膜において、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくして、露光波長における透過率を高くし、また、３層からなる減衰型位相シフト膜において、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率よりも小さくして、欠陥検査波長における透過率を低くし、さらにまた、３層以上からなる減衰型位相シフト膜において、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直下層の膜の屈折率よりも小さくして、露光波長における透過率を高くする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層膜の位相シフト膜からなる位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法に関し、特に減衰型（ハーフトーン）位相シフトフォトマスク及びこのマスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、減衰型の位相シフトフォトマスクとして、単層膜からなるもの（特許文献１）及び２層膜からなるもの（特許文献２）が提案されている。単層膜からなるものについてはその膜構成を図１に、２層膜からなるものについてはその膜構成を図２に示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１４０６３５号公報
【特許文献２】特開平８−７４０３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の半導体集積回路技術の発展に伴ってパターンの微細化が進むにつれ、露光波長が短波長化し、露光波長の光を減衰させる減衰型の位相シフトフォトマスクに対しては、次のような性能が要求されている。
（１）位相差（ＰＳ）は、ＰＳ＝１７５〜１８０°であること。
（２）露光波長（λｅｘｐ）における透過率（Ｔｅｘｐ）は、Ｔｅｘｐ＝２〜３０％であること。
（３）検査波長（λｉｎｓｐ）における透過率（Ｔｉｎｓｐ）は、Ｔｉｎｓｐ＜約４０〜５０％（例えば、λｅｘｐ＝１９３ｎｍのとき、λｉｎｓｐ＝３６５ｎｍ）であること。
（４）露光波長における反射率（Ｒｅｘｐ）は、好ましくは、Ｒｅｘｐ＜約２０％であること。
（５）膜厚ｄは薄い方が好ましいこと。
【０００５】
上記従来技術の位相シフト膜の場合、露光波長（λｅｘｐ）を短波長化（例えば、ＡｒＦエキシマレーザー露光の場合、λｅｘｐ＝１９３ｎｍ）すると、露光波長における透過率（Ｔｅｘｐ）が上記要求透過率よりも低くなってしまう。そのため、露光波長における要求透過率を確保しようとして、この透過率（Ｔｅｘｐ）を高くすると、欠陥検査波長における透過率も高くなり過ぎるという問題が生じる。例えば、図２に示す２層膜においては、上記従来技術の場合、空気（屈折率：ｎ０）その他の気体のような周囲環境に接する上層の膜の屈折率（ｎ１−ｉｋ１）が下層の膜の屈折率（ｎ２−ｉｋ２）よりも大きいため、露光波長における透過率が小さくなり、例えばＡｒＦエキシマレーザーの波長に対して満足すべき透過率が得られないという問題がある。これに対して、露光波長における透過率を上げると、通常用いられる位相シフトフォトマスクの欠陥検査波長（例えば、λｉｎｓｐ＝３６５ｎｍ）における透過率が大きくなり過ぎるため、欠陥検査が不可能となる。このように、上記従来技術では、近年の半導体集積回路技術の発展に対応しきれなくなっている。
【０００６】
なお、欠陥検査装置メーカーの努力により、検査波長が短波長化する傾向にある。従って、検査波長（３６５ｎｍ）における透過率の多少の増大は問題とならなくなる可能性があるが、大幅な透過率増大は大分先にならないと解決されないと思われる。
本発明は、上記従来技術のもつ問題点を解決するものであり、短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及びこのマスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記従来技術の問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、膜の屈折率に着目し、多層膜からなる位相シフト膜の構成を最適化することによって、これらの問題の解決を図り、本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ハーフトーン位相シフト膜が２層からなり、上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
【０００９】
また、本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ハーフトーン位相シフト膜が３層からなり、中間層の膜の屈折率及び消衰係数が上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、欠陥検査波長における透過率が低くなり、検査が可能となる。３層膜からなる位相シフト膜の場合、基準となる膜構成として、例えば、空気その他の気体／ｎ１、ｋ１、ｄ１／ｎ２、ｋ２、ｄ２／ｎ３、ｋ３、ｄ３／透明基板（ただし、ｎ１、ｎ２、ｎ３はそれぞれ上層、中間層、下層の膜の屈折率であり、ｋ１、ｋ２、ｋ３はそれぞれ、上層、中間層、下層の膜の消衰係数であり、ｄ１、ｄ２、ｄ３はそれぞれ上層、中間層、下層の膜厚である。）のような構成を考えることができる。
【００１０】
さらに、本発明のハーフトーン位相シフト膜が３層からなる場合、上層の膜の屈折率及び消衰係数を中間層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいものとしてもよく、これにより、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
【００１１】
さらにまた、本発明のハーフトーン位相シフト膜が４層以上からなり、最上層の膜の屈折率及び消衰係数がその直下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、露光波長における透過率が高いものが得られる。
【００１２】
前記ハーフトーン位相シフト膜はＭｏＳｉＯＮ系の膜である。その他にＭｏＳｉＮ系の膜、ＭｏＳｉＯ系の膜等であってもよい。
【００１３】
本発明の位相シフトフォトマスクは、上記位相シフトフォトマスクブランクスにウエハー基板に転写すべきパターンが形成されたものであり、この位相シフトフォトマスクを用いて露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することができる。
【００１４】
なお、露光波長として、上記したＡｒＦエキシマレーザー露光の場合（λｅｘｐ＝１９３ｎｍ）の他に、Ｆ２レーザー露光の場合、λｅｘｐ＝１５７ｎｍ、ＫｒＦエキシマレーザー露光の場合、λｅｘｐ＝２４８ｎｍ等が用いられ得る。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、減衰型（ハーフトーン）の位相シフト膜を２層構成とし、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
また、本発明によれば、減衰型の位相シフト膜を３層構成とし、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、欠陥検査波長における透過率が低くなり、欠陥検査が可能になる。
さらに、本発明によれば、減衰型の位相シフト膜を３層以上の構成とし、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直ぐ下の層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
さらにまた、本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ＡｒＦエキシマレーザー露光用位相シフトフォトマスクを得るのに大変有効であり、このフォトマスクを用いて微細なパターンを有する半導体装置の製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】単層からなる位相シフト膜を有する従来の減衰型の位相シフトフォトマスクの断面図。
【図２】２層からなる位相シフト膜を有する減衰型の位相シフトフォトマスクの断面図。
【図３】３層からなる位相シフト膜有する減衰型の位相シフトフォトマスクの断面図。
【図４】２層からなる位相シフト膜の各層の膜厚（ｄ１、ｄ２）の間の関係を示すグラフ。
【図５】３層からなる位相シフト膜の各層の膜厚（ｄ１、ｄ２、ｄ３）の間の関係を示すグラフ。
【図６】反応性スパッタリング工程で用いる反応ガス流量比（Ｎ２Ｏ／Ａｒ＋Ｎ２Ｏ、ｖｏｌ％）と光学定数（屈折率ｎ及び消衰係数ｋ）との関係を示すグラフ。
【実施例】
【００１７】
以下、本発明の実施例及び比較例を図面を参照して説明する。雰囲気ガスは空気とした（ｎ０＝１）。
（実施例１）
本実施例では、図１〜５に基づき、本発明の２層膜及び３層膜の膜構成の最適化について従来技術と比較して説明する。
図１に示すような単層膜の場合、位相シフト膜ｆを透過する光Ｆと位相シフト膜の開口部ｑを透過する光Ｑとの位相差（ＰＳ）は次式で与えられる。
ＰＳ ＝ ２π(ｎ１−ｎ０)ｄ１ ／λ （１）
ＰＳ＝１８０°（π）になる膜厚ｄ１０は次式で与えられる。
ｄ１０ ＝ λｅｘｐ／２(ｎ１−ｎ０) （２）
上式中、ｎ１は位相シフト膜の屈折率であり、ｎ０は空気の屈折率（ｎ０＝１）であり、ｄ１は位相シフト膜の膜厚であり、λｅｘｐは露光波長である。
図２に示すような２層膜の場合、位相シフト膜を透過する光Ｆと位相シフト膜の開口部を透過する光Ｑとの位相差（ＰＳ）は次式で与えられる。
ＰＳ ＝ ＰＳ１＋ＰＳ２ （３）
ここに、ＰＳ１及びＰＳ２は次式で与えられる。
ＰＳ１ ＝ ２π(ｎ１−ｎ０)ｄ１ ／λｅｘｐ （４）
ＰＳ２ ＝ ２π(ｎ２−ｎ０)ｄ２ ／λｅｘｐ （５）
上式（３）、（４）、（５）からＰＳ＝πとなる条件は、次式である。
ｄ１／ｄ１０＋ｄ２／ｄ２０ ＝ １ （６）
ここに、ｄ１０ 及びｄ２０ は次式で与えられる。
ｄ１０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ１−ｎ０) （７）
ｄ２０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ２−ｎ０) （８）
上式中、ＰＳ１及びＰＳ２はそれぞれ上層及び下層の膜の位相差であり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ上層及び下層の膜の屈折率であり、ｄ１及びｄ２はそれぞれ上層及び下層の膜の膜厚であり、ｄ１０ 及びｄ２０ はそれぞれ上層及び下層の膜の位相差が１８０°になる膜厚であり、λｅｘｐは露光波長である。
図３に示すような３層膜の場合、位相シフト膜を透過する光Ｆと位相シフト膜の開口部を透過する光Ｑとの位相差（ＰＳ）は次式で与えられる。
ＰＳ ＝ ＰＳ１＋ＰＳ２＋ＰＳ３ （９）
ここに、ＰＳ１、ＰＳ２及びＰＳ３は次式で与えられる。
ＰＳ１ ＝ ２π(ｎ１−ｎ０)ｄ１ ／λｅｘｐ （１０）
ＰＳ２ ＝ ２π(ｎ２−ｎ０)ｄ２ ／λｅｘｐ （１１）
ＰＳ３ ＝ ２π(ｎ３−ｎ０)ｄ３ ／λｅｘｐ （１２）
上式（９）〜（１２）からＰＳ＝πとなる条件は、次式である。
ｄ１／ｄ１０＋ｄ２／ｄ２０＋ｄ３／ｄ３０ ＝ １ （１３）
ここに、ｄ１０ 、ｄ２０ 及びｄ３０ は次式で与えられる。
ｄ１０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ１−ｎ０) （１４）
ｄ２０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ２−ｎ０) （１５）
ｄ３０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ３−ｎ０) （１６）
上式中、ＰＳ１、ＰＳ２及びＰＳ３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の位相差であり、ｎ１、ｎ２及びｎ３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の屈折率であり、ｎ０は空気の屈折率（ｎ０＝１）であり、ｄ１、ｄ２及びｄ３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の膜厚であり、ｄ１０、ｄ２０及びｄ３０はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の位相差が１８０°になる膜厚であり、λｅｘｐは露光波長である。
【００１８】
図１、２及び３中のｎｓは基板の屈折率であり、図１中のｋ１は位相シフト膜の上層の膜の消衰係数であり、図２中のｋ１及びｋ２はそれぞれ上層及び下層の膜の消衰係数であり、また、図３中のｋ１、ｋ２及びｋ３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の消衰係数である。
【００１９】
以下に示す表１、表２において、ＲＲはアルミニウム真空蒸着膜に対する反射率（相対反射率）、ＰＳ０は膜の吸収を無視したときの位相差、ＰＳは膜の吸収を考慮したときの位相差を表す。
上記したように、単層膜、２層膜、３層膜の場合について、位相差πを与える条件について説明したが、以下、２層膜及び３層膜の最適化について説明する。
【００２０】
先ず、２層膜の最適化について説明する。上式（６）から、位相差πを与える位相シフト膜の各層の膜厚（オングストローム）ｄ１とｄ２との間には、図４に示すような直線関係がある。この直線に沿った各点Ｆ１１、Ｆ１２、Ｆ２１〜Ｆ２７について、光学特性を計算した結果を表１に示した。その際、位相シフト膜の光学定数は、表４に示すＭｏＳｉＯＮスパッター膜（３５０℃、３時間焼鈍品）のＱ：１１、Ｑ：１３についての値を用いた。表１において、ｆ１は上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率より高い構成のもの（従来膜）、ｆ２はその逆の構成のもの（本発明膜）を表す。表１より、露光波長１９３ｎｍにおける透過率Ｔ１９３については、ｆ２の方がｆ１よりも高くなることがわかる。また、露光波長１９３ｎｍにおける反射率ＲＲ１９３については、ｆ２の方がｆ１よりも低くなって、好ましい方向へ行くことがわかる。
【００２１】
従って、ｆ１（従来膜）のように、上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率よりも高い位相シフト膜よりも、上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率よりも低い位相シフト膜の方が好ましい。
【００２２】
次に、３層膜の最適化について説明する。上式（１３）から、位相差πを与える位相シフト膜の各層の膜厚（オングストローム）ｄ１、ｄ２及びｄ３は、図５に示すように、平面Ｆ１１−Ｆ１２−Ｆ１３を３辺とする平面上の点で与えられる。この平面上の点Ｆ３１、Ｆ３２、Ｆ３３、Ｆ３４についての光学特性の計算結果を表２に示した。表２には、単層膜Ｆ１１、Ｆ１２、Ｆ１３、及び２層膜Ｆ２１、Ｆ２２、Ｆ２３についての計算結果を比較のために示した。表２における膜の基本構成Ｆ３ｊ（ｊ＝１〜４）及び膜ｆ１〜ｆ６の詳細は表３に示す通りである。また、位相シフト膜の光学定数は、表４に示すＭｏＳｉＯＮスパッター膜のＱ：１１、Ｑ：２５、Ｑ：１３についての値を用いた。
【００２３】
表２から、次のことがわかる。膜ｆ１〜ｆ６のうち、露光波長１９３ｎｍにおける透過率Ｔ１９３はｆ２、ｆ４、ｆ６の膜が高く、欠陥検査波長３６５ｎｍにおける透過率Ｔ３６５はｆ３、ｆ５の膜が低い。また、露光波長１９３ｎｍにおける反射率ＲＲ１９３はｆ１、ｆ３膜よりもｆ２、ｆ４、ｆ５、ｆ６膜の方が低い。
【００２４】
従って、１９３ｎｍ露光用位相シフト膜としては、露光波長における透過率を高くするには、ｆ２、ｆ４、ｆ６の膜、すなわち上層の膜が中間層の膜よりも低い屈折率をもつことが好ましく、また、欠陥検査波長における透過率を低くするには、ｆ３、ｆ５の膜、すなわち中間層の膜の屈折率が上層及び下層の膜の両方よりも低いことが好ましい。
【００２５】
以上の実施例においては、２層膜及び３層膜の最適化について説明したが、４層以上のハーフトーン位相シフト膜の場合についても、最上層の膜の屈折率がその直下層の膜の屈折率よりも小さいものからなる位相シフト膜であれば、最適化され、上記で説明したのと同じように露光波長における透過率が高いものが得られる。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】
実施例２（位相シフトフォトマスクブランクスの製作）
平板型直流マグネトロン装置を用いて、特開平６−２２０６２７号公報、特開平８−１２７８７０号公報、及びN.Motegi, Y.Kashimoto, K.Nagatani et al., J. Vacuum Sci. Technol., Vol. B13(4),1995,pp.1906-1909 等に記載され、示されたいわゆるＬＴＳ（ロングスロースパッタリング）法に従って透明基板上にモリブデンシリサイド酸化窒化膜を形成した。すなわち、この装置内にＭｏＳｉ２ターゲットを設置し、圧力０．０５３３〜０．１０７Ｐａ（４〜８×１０−４Ｔｏｒｒ）の下、ＡｒガスとＮ２Ｏガスとを表４に示す流量及び流量比で用いる反応性スパッタリングによって、６インチ（１５２．４ｍｍ）角の厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）の６０２５石英基板の上にＭｏＳｉＯＮ膜を形成した。成膜後、３５０℃で３時間の熱処理を施して２層膜及び３層膜のＭｏＳｉＯＮ膜を位相シフト膜とする位相シフトフォトマスクブランクスを製作した。この膜構成は表１及び表２に記載された本発明の膜構成とした。製作されたＭｏＳｉＯＮ系スパッター膜に関し、反応ガス流量比（Ｎ２Ｏ／Ａｒ＋Ｎ２Ｏ、ｖｏｌ％）と光学定数との間の関係は図６及び表４に示す通りであった。図６及び表４から明らかなように、反応ガス流量比が大きい程、屈折率ｎと消衰係数ｋは小さくなることがわかる。すなわち、ＭｏＳｉＯＮ膜の酸窒化度が高い程、屈折率ｎ及び消衰係数ｋは小さくなる。
【００３１】
また、位相シフト膜としてＭｏＳｉＯＮ系スパッター膜の代わりに、ＭｏＳｉＮ系スパッター膜、ＭｏＳｉＯ系スパッター膜を用いた場合も同じような傾向が見られる。
【００３２】
実施例３（位相シフトフォトマスクの製作）
実施例２で得た位相シフトフォトマスクブランクス上に電子ビーム用レジスト（例えば、日本ゼオン株式会社製のＺＥＰ−８１０Ｓ等）を塗布し、約５０００オングストローム厚さのレジスト膜を形成した。次いで、パターン露光、現像、ドライエッチング、洗浄等の一連の周知のパターン形成処理を施して、位相シフト膜の一部をエッチング除去し、開口部と位相シフト膜とで、ホール或いはドット等のパターンの形成された位相シフトフォトマスクを製作した。この際のドライエッチングは、平行平板型のＲＦイオンエッチング装置を用い、電極間距離６０ｍｍ、作動圧力４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）で、ＣＦ４＋Ｏ２混合ガスを用いて、それぞれの流量比を約９５容量％及び５容量％で実施した。このようにして微細なパターンを有するフォトマスクの製作が可能であった。
【００３３】
実施例４（半導体装置の製造）
実施例３で得られた位相シフトフォトマスクを用いて、露光光としてＡｒＦエキシマレーザー光を使用した露光を行い、感光材の塗布されたウェハー基板上にフォトマスクの所定のパターンを転写し、次いで現像してこの所定のパターンをウェハー上に形成した。以下、公知の製造工程に従って半導体装置を製造した。かくして得られた半導体装置は微細なパターンを有していた。
【符号の説明】
【００３４】
ｆ 位相シフト膜
Ｆ 位相シフト膜を通過する光
ｑ 位相シフト膜の開口部
Ｑ 位相シフト膜の開口部を透過する光
ｎ０ 空気の屈折率
ｄ１、ｄ２、ｄ３ 位相シフト膜の各層の膜厚
ｎ１−ｉｋ１、ｎ２−ｉｋ２、ｎ３−ｉｋ３ 位相シフト膜の各層の膜の複素屈折率
ｎｓ 基板の屈折率
ｋ１、ｋ２、ｋ３ 位相シフト膜の各層の膜の消衰係数
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層膜の位相シフト膜からなる位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法に関し、特に減衰型（ハーフトーン）位相シフトフォトマスク及びこのマスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、減衰型の位相シフトフォトマスクとして、単層膜からなるもの（特許文献１）及び２層膜からなるもの（特許文献２）が提案されている。単層膜からなるものについてはその膜構成を図１に、２層膜からなるものについてはその膜構成を図２に示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１４０６３５号公報
【特許文献２】特開平８−７４０３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の半導体集積回路技術の発展に伴ってパターンの微細化が進むにつれ、露光波長が短波長化し、露光波長の光を減衰させる減衰型の位相シフトフォトマスクに対しては、次のような性能が要求されている。
（１）位相差（ＰＳ）は、ＰＳ＝１７５〜１８０°であること。
（２）露光波長（λｅｘｐ）における透過率（Ｔｅｘｐ）は、Ｔｅｘｐ＝２〜３０％であること。
（３）検査波長（λｉｎｓｐ）における透過率（Ｔｉｎｓｐ）は、Ｔｉｎｓｐ＜約４０〜５０％（例えば、λｅｘｐ＝１９３ｎｍのとき、λｉｎｓｐ＝３６５ｎｍ）であること。
（４）露光波長における反射率（Ｒｅｘｐ）は、好ましくは、Ｒｅｘｐ＜約２０％であること。
（５）膜厚ｄは薄い方が好ましいこと。
【０００５】
上記従来技術の位相シフト膜の場合、露光波長（λｅｘｐ）を短波長化（例えば、ＡｒＦエキシマレーザー露光の場合、λｅｘｐ＝１９３ｎｍ）すると、露光波長における透過率（Ｔｅｘｐ）が上記要求透過率よりも低くなってしまう。そのため、露光波長における要求透過率を確保しようとして、この透過率（Ｔｅｘｐ）を高くすると、欠陥検査波長における透過率も高くなり過ぎるという問題が生じる。例えば、図２に示す２層膜においては、上記従来技術の場合、空気（屈折率：ｎ０）その他の気体のような周囲環境に接する上層の膜の屈折率（ｎ１−ｉｋ１）が下層の膜の屈折率（ｎ２−ｉｋ２）よりも大きいため、露光波長における透過率が小さくなり、例えばＡｒＦエキシマレーザーの波長に対して満足すべき透過率が得られないという問題がある。これに対して、露光波長における透過率を上げると、通常用いられる位相シフトフォトマスクの欠陥検査波長（例えば、λｉｎｓｐ＝３６５ｎｍ）における透過率が大きくなり過ぎるため、欠陥検査が不可能となる。このように、上記従来技術では、近年の半導体集積回路技術の発展に対応しきれなくなっている。
【０００６】
なお、欠陥検査装置メーカーの努力により、検査波長が短波長化する傾向にある。従って、検査波長（３６５ｎｍ）における透過率の多少の増大は問題とならなくなる可能性があるが、大幅な透過率増大は大分先にならないと解決されないと思われる。
本発明は、上記従来技術のもつ問題点を解決するものであり、短波長の露光波長に対しても十分な透過率が得られ、使用可能であると共に、欠陥検査波長に対しても適切な透過率を有し、満足すべき検査が可能となる位相シフトフォトマスク及びこのマスクを製作するための位相シフトフォトマスクブランクス、並びにこのマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記従来技術の問題点を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、膜の屈折率に着目し、多層膜からなる位相シフト膜の構成を最適化することによって、これらの問題の解決を図り、本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ハーフトーン位相シフト膜が２層からなり、上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
【０００９】
また、本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ハーフトーン位相シフト膜が３層からなり、中間層の膜の屈折率及び消衰係数が上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、欠陥検査波長における透過率が低くなり、検査が可能となる。３層膜からなる位相シフト膜の場合、基準となる膜構成として、例えば、空気その他の気体／ｎ１、ｋ１、ｄ１／ｎ２、ｋ２、ｄ２／ｎ３、ｋ３、ｄ３／透明基板（ただし、ｎ１、ｎ２、ｎ３はそれぞれ上層、中間層、下層の膜の屈折率であり、ｋ１、ｋ２、ｋ３はそれぞれ、上層、中間層、下層の膜の消衰係数であり、ｄ１、ｄ２、ｄ３はそれぞれ上層、中間層、下層の膜厚である。）のような構成を考えることができる。
【００１０】
さらに、本発明のハーフトーン位相シフト膜が３層からなる場合、上層の膜の屈折率及び消衰係数を中間層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいものとしてもよく、これにより、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
【００１１】
さらにまた、本発明のハーフトーン位相シフト膜が４層以上からなり、最上層の膜の屈折率及び消衰係数がその直下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とし、これにより、露光波長における透過率が高いものが得られる。
【００１２】
前記ハーフトーン位相シフト膜はＭｏＳｉＯＮ系の膜である。その他にＭｏＳｉＮ系の膜、ＭｏＳｉＯ系の膜等であってもよい。
【００１３】
本発明の位相シフトフォトマスクは、上記位相シフトフォトマスクブランクスにウエハー基板に転写すべきパターンが形成されたものであり、この位相シフトフォトマスクを用いて露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することができる。
【００１４】
なお、露光波長として、上記したＡｒＦエキシマレーザー露光の場合（λｅｘｐ＝１９３ｎｍ）の他に、Ｆ２レーザー露光の場合、λｅｘｐ＝１５７ｎｍ、ＫｒＦエキシマレーザー露光の場合、λｅｘｐ＝２４８ｎｍ等が用いられ得る。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、減衰型（ハーフトーン）の位相シフト膜を２層構成とし、上層の膜の屈折率及び消衰係数を下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
また、本発明によれば、減衰型の位相シフト膜を３層構成とし、中間層の膜の屈折率及び消衰係数を上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、欠陥検査波長における透過率が低くなり、欠陥検査が可能になる。
さらに、本発明によれば、減衰型の位相シフト膜を３層以上の構成とし、最上層の膜の屈折率及び消衰係数をその直ぐ下の層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さくしたので、露光波長における透過率が高くかつ反射率が低いものが得られる。
さらにまた、本発明の位相シフトフォトマスクブランクスは、ＡｒＦエキシマレーザー露光用位相シフトフォトマスクを得るのに大変有効であり、このフォトマスクを用いて微細なパターンを有する半導体装置の製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】単層からなる位相シフト膜を有する従来の減衰型の位相シフトフォトマスクの断面図。
【図２】２層からなる位相シフト膜を有する減衰型の位相シフトフォトマスクの断面図。
【図３】３層からなる位相シフト膜有する減衰型の位相シフトフォトマスクの断面図。
【図４】２層からなる位相シフト膜の各層の膜厚（ｄ１、ｄ２）の間の関係を示すグラフ。
【図５】３層からなる位相シフト膜の各層の膜厚（ｄ１、ｄ２、ｄ３）の間の関係を示すグラフ。
【図６】反応性スパッタリング工程で用いる反応ガス流量比（Ｎ２Ｏ／Ａｒ＋Ｎ２Ｏ、ｖｏｌ％）と光学定数（屈折率ｎ及び消衰係数ｋ）との関係を示すグラフ。
【実施例】
【００１７】
以下、本発明の実施例及び比較例を図面を参照して説明する。雰囲気ガスは空気とした（ｎ０＝１）。
（実施例１）
本実施例では、図１〜５に基づき、本発明の２層膜及び３層膜の膜構成の最適化について従来技術と比較して説明する。
図１に示すような単層膜の場合、位相シフト膜ｆを透過する光Ｆと位相シフト膜の開口部ｑを透過する光Ｑとの位相差（ＰＳ）は次式で与えられる。
ＰＳ ＝ ２π(ｎ１−ｎ０)ｄ１ ／λ （１）
ＰＳ＝１８０°（π）になる膜厚ｄ１０は次式で与えられる。
ｄ１０ ＝ λｅｘｐ／２(ｎ１−ｎ０) （２）
上式中、ｎ１は位相シフト膜の屈折率であり、ｎ０は空気の屈折率（ｎ０＝１）であり、ｄ１は位相シフト膜の膜厚であり、λｅｘｐは露光波長である。
図２に示すような２層膜の場合、位相シフト膜を透過する光Ｆと位相シフト膜の開口部を透過する光Ｑとの位相差（ＰＳ）は次式で与えられる。
ＰＳ ＝ ＰＳ１＋ＰＳ２ （３）
ここに、ＰＳ１及びＰＳ２は次式で与えられる。
ＰＳ１ ＝ ２π(ｎ１−ｎ０)ｄ１ ／λｅｘｐ （４）
ＰＳ２ ＝ ２π(ｎ２−ｎ０)ｄ２ ／λｅｘｐ （５）
上式（３）、（４）、（５）からＰＳ＝πとなる条件は、次式である。
ｄ１／ｄ１０＋ｄ２／ｄ２０ ＝ １ （６）
ここに、ｄ１０ 及びｄ２０ は次式で与えられる。
ｄ１０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ１−ｎ０) （７）
ｄ２０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ２−ｎ０) （８）
上式中、ＰＳ１及びＰＳ２はそれぞれ上層及び下層の膜の位相差であり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ上層及び下層の膜の屈折率であり、ｄ１及びｄ２はそれぞれ上層及び下層の膜の膜厚であり、ｄ１０ 及びｄ２０ はそれぞれ上層及び下層の膜の位相差が１８０°になる膜厚であり、λｅｘｐは露光波長である。
図３に示すような３層膜の場合、位相シフト膜を透過する光Ｆと位相シフト膜の開口部を透過する光Ｑとの位相差（ＰＳ）は次式で与えられる。
ＰＳ ＝ ＰＳ１＋ＰＳ２＋ＰＳ３ （９）
ここに、ＰＳ１、ＰＳ２及びＰＳ３は次式で与えられる。
ＰＳ１ ＝ ２π(ｎ１−ｎ０)ｄ１ ／λｅｘｐ （１０）
ＰＳ２ ＝ ２π(ｎ２−ｎ０)ｄ２ ／λｅｘｐ （１１）
ＰＳ３ ＝ ２π(ｎ３−ｎ０)ｄ３ ／λｅｘｐ （１２）
上式（９）〜（１２）からＰＳ＝πとなる条件は、次式である。
ｄ１／ｄ１０＋ｄ２／ｄ２０＋ｄ３／ｄ３０ ＝ １ （１３）
ここに、ｄ１０ 、ｄ２０ 及びｄ３０ は次式で与えられる。
ｄ１０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ１−ｎ０) （１４）
ｄ２０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ２−ｎ０) （１５）
ｄ３０ ＝ λｅｘｐ ／２(ｎ３−ｎ０) （１６）
上式中、ＰＳ１、ＰＳ２及びＰＳ３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の位相差であり、ｎ１、ｎ２及びｎ３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の屈折率であり、ｎ０は空気の屈折率（ｎ０＝１）であり、ｄ１、ｄ２及びｄ３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の膜厚であり、ｄ１０、ｄ２０及びｄ３０はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の位相差が１８０°になる膜厚であり、λｅｘｐは露光波長である。
【００１８】
図１、２及び３中のｎｓは基板の屈折率であり、図１中のｋ１は位相シフト膜の上層の膜の消衰係数であり、図２中のｋ１及びｋ２はそれぞれ上層及び下層の膜の消衰係数であり、また、図３中のｋ１、ｋ２及びｋ３はそれぞれ上層、中間層及び下層の膜の消衰係数である。
【００１９】
以下に示す表１、表２において、ＲＲはアルミニウム真空蒸着膜に対する反射率（相対反射率）、ＰＳ０は膜の吸収を無視したときの位相差、ＰＳは膜の吸収を考慮したときの位相差を表す。
上記したように、単層膜、２層膜、３層膜の場合について、位相差πを与える条件について説明したが、以下、２層膜及び３層膜の最適化について説明する。
【００２０】
先ず、２層膜の最適化について説明する。上式（６）から、位相差πを与える位相シフト膜の各層の膜厚（オングストローム）ｄ１とｄ２との間には、図４に示すような直線関係がある。この直線に沿った各点Ｆ１１、Ｆ１２、Ｆ２１〜Ｆ２７について、光学特性を計算した結果を表１に示した。その際、位相シフト膜の光学定数は、表４に示すＭｏＳｉＯＮスパッター膜（３５０℃、３時間焼鈍品）のＱ：１１、Ｑ：１３についての値を用いた。表１において、ｆ１は上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率より高い構成のもの（従来膜）、ｆ２はその逆の構成のもの（本発明膜）を表す。表１より、露光波長１９３ｎｍにおける透過率Ｔ１９３については、ｆ２の方がｆ１よりも高くなることがわかる。また、露光波長１９３ｎｍにおける反射率ＲＲ１９３については、ｆ２の方がｆ１よりも低くなって、好ましい方向へ行くことがわかる。
【００２１】
従って、ｆ１（従来膜）のように、上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率よりも高い位相シフト膜よりも、上層の膜の屈折率が下層の膜の屈折率よりも低い位相シフト膜の方が好ましい。
【００２２】
次に、３層膜の最適化について説明する。上式（１３）から、位相差πを与える位相シフト膜の各層の膜厚（オングストローム）ｄ１、ｄ２及びｄ３は、図５に示すように、平面Ｆ１１−Ｆ１２−Ｆ１３を３辺とする平面上の点で与えられる。この平面上の点Ｆ３１、Ｆ３２、Ｆ３３、Ｆ３４についての光学特性の計算結果を表２に示した。表２には、単層膜Ｆ１１、Ｆ１２、Ｆ１３、及び２層膜Ｆ２１、Ｆ２２、Ｆ２３についての計算結果を比較のために示した。表２における膜の基本構成Ｆ３ｊ（ｊ＝１〜４）及び膜ｆ１〜ｆ６の詳細は表３に示す通りである。また、位相シフト膜の光学定数は、表４に示すＭｏＳｉＯＮスパッター膜のＱ：１１、Ｑ：２５、Ｑ：１３についての値を用いた。
【００２３】
表２から、次のことがわかる。膜ｆ１〜ｆ６のうち、露光波長１９３ｎｍにおける透過率Ｔ１９３はｆ２、ｆ４、ｆ６の膜が高く、欠陥検査波長３６５ｎｍにおける透過率Ｔ３６５はｆ３、ｆ５の膜が低い。また、露光波長１９３ｎｍにおける反射率ＲＲ１９３はｆ１、ｆ３膜よりもｆ２、ｆ４、ｆ５、ｆ６膜の方が低い。
【００２４】
従って、１９３ｎｍ露光用位相シフト膜としては、露光波長における透過率を高くするには、ｆ２、ｆ４、ｆ６の膜、すなわち上層の膜が中間層の膜よりも低い屈折率をもつことが好ましく、また、欠陥検査波長における透過率を低くするには、ｆ３、ｆ５の膜、すなわち中間層の膜の屈折率が上層及び下層の膜の両方よりも低いことが好ましい。
【００２５】
以上の実施例においては、２層膜及び３層膜の最適化について説明したが、４層以上のハーフトーン位相シフト膜の場合についても、最上層の膜の屈折率がその直下層の膜の屈折率よりも小さいものからなる位相シフト膜であれば、最適化され、上記で説明したのと同じように露光波長における透過率が高いものが得られる。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】
実施例２（位相シフトフォトマスクブランクスの製作）
平板型直流マグネトロン装置を用いて、特開平６−２２０６２７号公報、特開平８−１２７８７０号公報、及びN.Motegi, Y.Kashimoto, K.Nagatani et al., J. Vacuum Sci. Technol., Vol. B13(4),1995,pp.1906-1909 等に記載され、示されたいわゆるＬＴＳ（ロングスロースパッタリング）法に従って透明基板上にモリブデンシリサイド酸化窒化膜を形成した。すなわち、この装置内にＭｏＳｉ２ターゲットを設置し、圧力０．０５３３〜０．１０７Ｐａ（４〜８×１０−４Ｔｏｒｒ）の下、ＡｒガスとＮ２Ｏガスとを表４に示す流量及び流量比で用いる反応性スパッタリングによって、６インチ（１５２．４ｍｍ）角の厚さ０．２５インチ（６．３５ｍｍ）の６０２５石英基板の上にＭｏＳｉＯＮ膜を形成した。成膜後、３５０℃で３時間の熱処理を施して２層膜及び３層膜のＭｏＳｉＯＮ膜を位相シフト膜とする位相シフトフォトマスクブランクスを製作した。この膜構成は表１及び表２に記載された本発明の膜構成とした。製作されたＭｏＳｉＯＮ系スパッター膜に関し、反応ガス流量比（Ｎ２Ｏ／Ａｒ＋Ｎ２Ｏ、ｖｏｌ％）と光学定数との間の関係は図６及び表４に示す通りであった。図６及び表４から明らかなように、反応ガス流量比が大きい程、屈折率ｎと消衰係数ｋは小さくなることがわかる。すなわち、ＭｏＳｉＯＮ膜の酸窒化度が高い程、屈折率ｎ及び消衰係数ｋは小さくなる。
【００３１】
また、位相シフト膜としてＭｏＳｉＯＮ系スパッター膜の代わりに、ＭｏＳｉＮ系スパッター膜、ＭｏＳｉＯ系スパッター膜を用いた場合も同じような傾向が見られる。
【００３２】
実施例３（位相シフトフォトマスクの製作）
実施例２で得た位相シフトフォトマスクブランクス上に電子ビーム用レジスト（例えば、日本ゼオン株式会社製のＺＥＰ−８１０Ｓ等）を塗布し、約５０００オングストローム厚さのレジスト膜を形成した。次いで、パターン露光、現像、ドライエッチング、洗浄等の一連の周知のパターン形成処理を施して、位相シフト膜の一部をエッチング除去し、開口部と位相シフト膜とで、ホール或いはドット等のパターンの形成された位相シフトフォトマスクを製作した。この際のドライエッチングは、平行平板型のＲＦイオンエッチング装置を用い、電極間距離６０ｍｍ、作動圧力４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）で、ＣＦ４＋Ｏ２混合ガスを用いて、それぞれの流量比を約９５容量％及び５容量％で実施した。このようにして微細なパターンを有するフォトマスクの製作が可能であった。
【００３３】
実施例４（半導体装置の製造）
実施例３で得られた位相シフトフォトマスクを用いて、露光光としてＡｒＦエキシマレーザー光を使用した露光を行い、感光材の塗布されたウェハー基板上にフォトマスクの所定のパターンを転写し、次いで現像してこの所定のパターンをウェハー上に形成した。以下、公知の製造工程に従って半導体装置を製造した。かくして得られた半導体装置は微細なパターンを有していた。
【符号の説明】
【００３４】
ｆ 位相シフト膜
Ｆ 位相シフト膜を通過する光
ｑ 位相シフト膜の開口部
Ｑ 位相シフト膜の開口部を透過する光
ｎ０ 空気の屈折率
ｄ１、ｄ２、ｄ３ 位相シフト膜の各層の膜厚
ｎ１−ｉｋ１、ｎ２−ｉｋ２、ｎ３−ｉｋ３ 位相シフト膜の各層の膜の複素屈折率
ｎｓ 基板の屈折率
ｋ１、ｋ２、ｋ３ 位相シフト膜の各層の膜の消衰係数
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハーフトーン位相シフト膜が２層からなり、波長１９３ｎｍに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さく、波長３６５ｎｍに対する透過率を３４．３６％〜７２．１２％とし、波長１９３ｎｍに対する透過率を３．９１〜８．６６％とし、波長１９３ｎｍに対する位相差１７５．０〜１７８．５°とすることを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項２】
上層及び下層の合計膜厚を８３４〜１３２１Åとすることを特徴とする請求項１に記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項３】
ハーフトーン位相シフト膜が３層からなり、波長１９３ｎｍに対する中間層の膜の屈折率及び消衰係数が上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項４】
ハーフトーン位相シフト膜が３層からなり、波長１９３ｎｍに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が中間層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項５】
各層の合計膜厚を１０９５〜１２５８Åとすることを特徴とする請求項３又は４に記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項６】
ハーフトーン位相シフト膜が４層以上からなり、波長１９３ｎｍに対する最上層の膜の屈折率及び消衰係数がその直下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項７】
前記ハーフトーン位相シフト膜がＭｏＳｉＯＮ系の膜であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の位相シフトフォトマスクブランクスにウエハー基板に転写すべきパターンが形成されてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
【請求項９】
請求項８記載の位相シフトフォトマスクを用いて露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
露光光としてＡｒＦエキシマレーザー光を使用することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
波長１９３ｎｍに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいハーフトーン位相シフト膜であって、ウェハー基板に転写すべきパターンが形成された位相シフトフォトマスクに、ＡｒＦエキシマレーザーによる露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
ハーフトーン位相シフト膜が２層からなり、波長１９３ｎｍに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さく、波長３６５ｎｍに対する透過率を３４．３６％〜７２．１２％とし、波長１９３ｎｍに対する透過率を３．９１〜８．６６％とし、波長１９３ｎｍに対する位相差１７５．０〜１７８．５°とすることを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項２】
上層及び下層の合計膜厚を８３４〜１３２１Åとすることを特徴とする請求項１に記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項３】
ハーフトーン位相シフト膜が３層からなり、波長１９３ｎｍに対する中間層の膜の屈折率及び消衰係数が上層及び下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項４】
ハーフトーン位相シフト膜が３層からなり、波長１９３ｎｍに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が中間層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項５】
各層の合計膜厚を１０９５〜１２５８Åとすることを特徴とする請求項３又は４に記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項６】
ハーフトーン位相シフト膜が４層以上からなり、波長１９３ｎｍに対する最上層の膜の屈折率及び消衰係数がその直下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいことを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項７】
前記ハーフトーン位相シフト膜がＭｏＳｉＯＮ系の膜であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の位相シフトフォトマスクブランクス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の位相シフトフォトマスクブランクスにウエハー基板に転写すべきパターンが形成されてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
【請求項９】
請求項８記載の位相シフトフォトマスクを用いて露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
露光光としてＡｒＦエキシマレーザー光を使用することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
波長１９３ｎｍに対する上層の膜の屈折率及び消衰係数が下層の膜の屈折率及び消衰係数よりも小さいハーフトーン位相シフト膜であって、ウェハー基板に転写すべきパターンが形成された位相シフトフォトマスクに、ＡｒＦエキシマレーザーによる露光を行い、微細なパターンを有する半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−９５７８７（Ｐ２０１１−９５７８７Ａ）
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３３６８４（Ｐ２０１１−３３６８４）
【出願日】平成２３年２月１８日（２０１１．２．１８）
【分割の表示】特願２０００−２４３１０３（Ｐ２０００−２４３１０３）の分割
【原出願日】平成１２年８月１０日（２０００．８．１０）
【出願人】（０００１０１７１０）アルバック成膜株式会社 (39)
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１８日（２０１１．２．１８）
【分割の表示】特願２０００−２４３１０３（Ｐ２０００−２４３１０３）の分割
【原出願日】平成１２年８月１０日（２０００．８．１０）
【出願人】（０００１０１７１０）アルバック成膜株式会社 (39)
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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