【課題】ＥＭＦバイアスが低減された遮光膜であり、転写マスク作製に係る様々な負荷が
大きく軽減される。さらに、重ね露光による漏れ光によって、ウェハ上のレジスト膜が露
光することを抑制できるだけの光学濃度を遮光膜に確保するという条件も同時に満たすこ
とができる転写用マスクを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
ＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光光が用いられる露光装置にバイナリ型の転写用マスクをセットし、半導体ウェハ上のレジスト膜に対して転写パターンの露光転写を行う工程を有する半導体デバイスの製造方法であって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを備えた遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が２．８以上であり、
前記遮光膜は、前記露光光に対する表面反射率が５０％未満であり、
前記遮光膜を透過した前記露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した前記露光光との間での位相差が３０度以下である
ことを特徴する半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された多層膜と、上記多層膜上にパターン状に形成された吸収層とを有する反射型マスクを準備する準備工程と、上記吸収層のパターンが形成された回路パターン領域の外周に、水素またはヘリウムのイオンビームを照射し、上記多層膜の周期構造の規則性を乱して低反射部を形成し、上記基板上に上記低反射部および上記吸収層が積層された遮光領域を形成する遮光領域形成工程とを有することを特徴とする反射型マスクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板１１の表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよび反射型マスクの製造工程において、遮光枠となる領域に電子線を照射して多層反射層２１にミキシング層を発生させる。これによって、反射型マスクとして使用する際に、位相効果によって多層反射層２１から発生する反射強度が下がり、遮光性の高い遮光枠を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】従来のマルチ波長の露光光源を使用した場合でも、転写パターンの解像度を向上させることが可能なフォトマスクを提供する。
【解決手段】ピーク波長の異なる例えばｉ線、ｈ線、ｇ線を含む露光光を用いる露光装置に使用されるフォトマスクである。このフォトマスクは、透明基板１と、透明基板１上に形成された転写パターン２と、波長選択手段３とを有する。波長選択手段３は、フォトマスクに照射する露光光に含まれる所定波長を反射することにより、前記所定波長の光透過量を低減するものであり、例えば、透明基板上に、それぞれ異なる屈折率を有する複数の誘電体層を交互に積層してなる誘電体多層膜で構成される。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよびマスクの製造工程において、前記多層反射層形成時に選択的に成膜しない、もしくは成膜後物理的または化学的または熱処理により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠２５を作製する。 （もっと読む）

【課題】裸眼立体視を行う３次元表示装置におけるクロストークを解決するために、画像光の方向を限定する視差クロストークフィルタとその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板１１上の開口部１３を囲む遮光膜パターン１２と、開口部を通して照射される光３を斜め方向に屈折させる光路傾斜機構部１４と、露光対象基板との間隔を保持するスペーサ１５と、からなるフォトマスク１を用いて、基板２１上の感光性材料２２に選択的に露光することにより、感光性材料面に対して傾斜した加工部２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】露光光線の波長以下の大きさの露光パターンを、低コストかつ高スループットに得ることができるフォトマスク及び露光方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様であるフォトマスク１００は、基板及び遮光膜を有するものである。基板は、入射する露光光線が被転写体へ向けて透過させる。遮光膜は、基板上に形成され、露光光線を遮光する。遮光膜に設けられた開口部１１の内側には、開口部１１と同心かつ相似形の遮光板１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】露光光線の波長以下の大きさの露光パターンを、低コストかつ高スループットに得ることができるフォトマスク及び露光方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様であるフォトマスク１００は、基板及び遮光膜を有するものである。基板は、入射する露光光線を、被転写体へ向けて透過させるものである。遮光膜は、基板上に形成され、露光光線を遮光するものである。遮光膜には、格子状に配置される、正方形の複数の開口部１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】マスクの良品率を向上させることによってマスクの製造コストを下げることができるマスク判定方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のマスク判定方法では、マスク上に形成されたマスクパターンの寸法および光学特性の少なくとも一方に対し、マスク面内における面内誤差平均値およびマスク面内における面内ばらつき分布の少なくとも一方を測定する。そして、照明光源から発した露光光を前記マスクに照射して基板上に基板上パターンを形成した場合に前記基板上に形成される像性能を表すコスト関数が所望値に近づく照明条件を、前記面内誤差平均値および前記面内ばらつき分布の少なくとも一方に基づいて算出する。さらに、前記照明条件で前記マスクに露光光を照射して前記基板上に基板上パターンを形成した場合の像性能が所定の許容範囲内であるか否かに基づいて、前記マスクの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のみをエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】カソード２２上に載置された被エッチング材料１０に対して、被エッチング材料１０に対向するアノード２３からプラズマを発生させてエッチングするドライエッチング装置において、被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、プラズマを通過させる開口の大きさを変更可能なシャッター３０を設け、シャッター３０は、被エッチング材料に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート３０ａと、各プレート３０ａを移動可能支持する支持体２９と、プレート３０を移動させる第１移動手段３０１を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】露光を行なうことによりフォトマスクに生じる、フォトマスクのパターン寸法の変動による影響を低減する。
【解決手段】フォトマスクに照射される露光量に応じて定期的にフォトマスクのクリーニング処理を行なう。具体的には真空チャンバ１内のステージ３上に試料２としてのフォトマスク基板を載置し、作業用ガスとして還元性ガスを真空チャンバ１内に導入する。プラズマ生成用のＲＦ電源７及びプラズマイオンの入射エネルギ調整用のＲＦ電源２４に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、還元性ガスをラジカル化し、露光によりフォトマスクの遮光層に取り込まれた酸素原子を、酸化還元反応によって引き出すことにより、酸化層を除去する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクブランク上に形成された遮光層に対して事後的に導電性を付与することで、パターン位置精度の向上が可能な遮光層を備えるフォトマスクブランクの提供を目的とする。
【解決手段】フォトマスクブランクの遮光膜中にイオン注入または熱拡散にて添加物をドープし、遮光膜に導電性を付与したことを特徴とするフォトマスクブランクであって、イオン注入によりドープされる添加物が、リン、ボロン、砒素、ゲルマニウムの中から選択されたいずれかで、熱拡散によりドープされる添加物が、リンまたはボロンの中から選択されたいずれかで、遮光膜が、酸化クロム、モリブデン、シリコン、モリブデンシリコン、ジルコニウム、タンタルの中から選択された少なくとも１種により組成されていることを特徴とするフォトマスクブランクである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、転写パターンに損傷を及ぼす危険性を解消しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 遮光領域における反射層に段差を形成し、段差上面からの反射光と、段差底面からの反射光との間に位相差を生じさて、遮光領域から放射される反射光全体の強度を低減することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基を有する繰り返し単位を含み、アルカリ現像液に難溶の高分子化合物と、光酸発生剤と、アミノ基を発生する光塩基発生剤と、アミノ基を有し、光酸発生剤より発生する酸を中和することによって不活性化させるクエンチャーと、有機溶媒とを含むレジスト材料を基板上に塗布、ベークし、透過率が１０〜４０％の範囲のハーフトーン位相シフトマスクを用いて露光、ベーク、現像の工程を経て、露光量の少ない未露光部分と露光量の多い過露光部分の膜を現像液に溶解させず、露光量が中間の露光領域を現像液に溶解させたパターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、クエンチャーと光塩基発生剤基からのアミノ基の総量が光酸発生剤からの酸の量よりも多い組成のレジスト材料を用いると、未露光部と過露光部がアルカリ現像液に不溶で、中間の露光量部分だけ現像液に溶解するデュアルトーンの特性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置のマスクステージにチャックした後の平坦度が良好なマスクブランク用基板。
【解決手段】マスクステージにチャックされる側の主表面における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の領域１６０の平坦度が０．６μｍ以下であり、前記領域１６０は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリア１４０を含み、前記領域１６０のコーナー部における形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域１７０のコーナー１８０における高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域（この場合、パターンエリア１４０と同じ）のコーナー１９０における高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下であることを特徴とするマスクブランク用基板。 （もっと読む）

【課題】遮光パターンを形成する際に、透明基板上にレジスト膜の残滓などの塵埃が付着した場合であっても、遮光膜としての機能を十全に発揮させる。
【解決手段】透明基板１の表面にレジスト膜２を形成し（ｂ）、レジスト膜２をパターニングする（ｃ）。透明基板１上に残っているレジスト膜２をマスクとして透明基板１をエッチングすることにより、透明基板１に凸部１ａを形成する（ｄ）。凸部１ａ上に残っているレジスト膜２を除去し、透明基板１の表面を洗浄する（ｅ）。透明基板１の表面に遮光膜４を形成する（ｇ）。少なくとも遮光膜４を研磨することにより、凸部１ａが露出した状態で遮光膜４および凸部１ａを平坦にする（ｉ）。これにより、透明基板１上のレジスト膜２が完全に除去された状態で透明基板１の表面が洗浄された後、この透明基板１上に遮光膜４が形成される。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層を積層する基板上に凸部をより一様に配置しうるステッパー用レチクル、そのレチクルを用いた、パターン加工基板の製造方法、半導体積層基板の製造方法および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】レチクル４００は、露光光を遮光する周辺遮光領域４１０と周辺遮光領域４１０の中央部に設けられた矩形のパターン形成領域４２０とを有している。ステップ・アンド・リピート方向であるＸ方向において、レチクル４００のパターン形成領域４２０の図中左端部に形成された遮光パターン＃１１、＃３１、…と、図中右端部に形成された矩形の遮光パターン＃１Ｂ、＃３Ｂ、…とをペアとし、パターン形成領域４２０の図中右端部に形成された遮光パターン＃２Ｎ、＃４Ｎ、…と、図中左端部に形成された矩形の遮光パターン＃２Ｂ、＃４Ｂ、…とをペアとして構成されている。 （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ以下の露光光に対する遷移金属及びケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜（光半透過膜、遮光膜）の耐光性を向上させ、転写パターンの線幅の変化（線幅の太り）を防止し、転写用マスク寿命を改善でき、かつパターン形成用薄膜の面内均一性に優れるマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供することである。
【解決手段】透光性基板上にパターン形成用薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板上に、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる前記パターン形成用薄膜を成膜する工程と、前記パターン形成用薄膜を火炎処理する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜中の１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥が検出されない多層反射膜付基板および反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することにより、多層反射膜付基板を製造する。また、多層反射膜２上に保護膜３及び吸収体膜４を形成することにより、反射型マスクブランク１０を製造する。ここで、基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いで多層反射膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）