【課題】現状のクロムレス位相シフトマスクでは、所望の位相差を得るための透明基板の掘り込み量が大きく、寸法の細いパターンはアスペクト比（高さ／寸法）が大きくなり、マスク洗浄の際にパターンが倒れることが問題であった。
【解決手段】本発明に係る位相シフトマスクブランク１１では、透明基板１２よりも屈折率の大きな位相シフト膜１３により所望の位相差を得るための膜厚を透明基板１２の掘り込み量よりも小さくし、パターン倒れを抑制することが可能となる。また、本発明の位相シフト膜１３は、露光波長での消衰係数ｋを０．１以下にすることで、露光波長での透過率を７０％以上に調整可能である。したがって、従来のクロムレス位相シフトマスクの特徴である強い位相シフト効果を維持しつつ、パターン倒れを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】黒色のソルダレジストや膜厚が厚いソルダレジストの仕様に対しても、アンダーカットが生じることのないソルダレジストを形成し、高い解像性を有するプリント配線板を提供する。
【解決手段】マスクパターンが描画されたマスクフィルムと、その下方に選択的に積層接着された光拡散フィルムとからなる露光用マスクフィルムを用いてプリント配線板を製造し、露光用マスクフィルムを介しソルダレジストを紫外線で露光する工程において、紫外光を選択的に拡散させてソルダレジストを形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた耐薬品性およびＡｒＦ照射耐性を有するマスクブランク、転写マスク等を提供する。
【解決手段】転写用マスクを作製するために用いられるものであり、透光性基板上１に遮光膜３０を備えるマスクブランクであって、
前記遮光膜３０は、タンタルを主な金属成分として含有する材料からなり、
前記遮光膜３０の透光性基板側とは反対側の表層に層中の酸素含有量が６０ａｔ％以上である高酸化層４が形成されていることを特徴としたマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよびマスクの製造工程において、前記多層反射層形成時に選択的に成膜しない、もしくは成膜後物理的または化学的または熱処理により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠２５を作製する。 （もっと読む）

【課題】表面に反射率調整膜を有する転写パターン用の薄膜を低欠陥で形成でき、パターン転写時の露光光源、あるいはマスクのパターン検査に用いられる１９０〜３００ｎｍ程度の短波長域における薄膜の表面反射率を低減させるとともに、欠陥が低減されるマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを照射して酸化物膜を形成する。上記薄膜はタンタル含む材料からなると共に、該薄膜の膜構造がアモルファスである。オゾンガスの濃度は８０体積％以上である。オゾンガスを照射するときの雰囲気温度は室温〜３００℃である。 （もっと読む）

【課題】裸眼立体視を行う３次元表示装置におけるクロストークを解決するために、画像光の方向を限定する視差クロストークフィルタとその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板１１上の開口部１３を囲む遮光膜パターン１２と、開口部を通して照射される光３を斜め方向に屈折させる光路傾斜機構部１４と、露光対象基板との間隔を保持するスペーサ１５と、からなるフォトマスク１を用いて、基板２１上の感光性材料２２に選択的に露光することにより、感光性材料面に対して傾斜した加工部２３を設ける。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子照射による欠陥修正技術を好適に適用できるとともに、電磁界（EMF: ElectroMagnetics Field）効果に起因するバイアスを小さくすることのできるマスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランク１０であって、遮光膜２は、透光性基板側から下層と上層の少なくとも二層構造からなり、前記下層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、かつ窒素含有量が２１原子％以上であり、かつ屈折率ｎが１．９以下である材料からなり、前記上層は、遷移金属、ケイ素および窒素を主成分とし、屈折率ｎが２．１以下である材料からなり、前記上層の表層は、酸素を含有しており、窒素含有量が１４原子％以上であることを特徴とするマスクブランク１０。 （もっと読む）

【課題】濃硫酸を用いた洗浄処理においてエッチングストッパ層のサイドエッチングを抑制することができるハーフトーンマスクを提供する。
【解決手段】上記ハーフトーンマスクは、透過部ＴＡと、半透過部ＨＡと、遮光部ＰＡとを具備する。遮光部ＰＡは、基材Ｓと、半透過層１１と、半透過層の上に設けられＣｒ又はＣｒ化合物で形成された遮光層１３と、半透過層１１と遮光層１３との間に設けられたエッチングストッパ層１２とを含む。エッチングストッパ層１２は、第１の元素と、第２の元素とを含有する。上記第１の元素は、Ｍｏ及びＷからなる群から選択された少なくとも一種の元素からなり、６．４mol％以上３８．２mol％以下の組成比を有する。上記第２の元素は、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ及びＴａからなる群から選択された少なくとも一種の元素からなる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ偏光及びＳ偏光の直線偏光の露光光による露光を同時に行うことができる露光装置、露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光装置１には、光源１１、コンデンサレンズ１４、及びマスク１２が設けられており、露光光源１１から出射した露光光をコンデンサレンズ１４及びマスク１２に透過させる。そして、露光装置１には、必要に応じて、フライアイレンズ１３が設けられている。マスク１２は、その光透過領域に、Ｐ偏光の直線偏光のみを透過させる複数個の第１の偏光変換素子１２２ａと、Ｓ偏光の直線偏光のみを透過させる複数個の第２の偏光変換素子１２２ｂとが設けられており、第１の偏光変換素子１２２ａ及び第２の偏光変換素子１２２ｂは、光透過領域に交互に配置されている。第１及び第２の偏光変換素子１２２ａ，１２２ｂは、例えば長尺の部材であり、１方向に延びる幅方向に交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】表面に段差のある基板でも、段差による焦点の位置ずれを抑制することのできるフォトマスクを提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスクは、１対の主面を有する透明基板１と、透明基板の主面の一方に配置され、第１開口部７１および第２開口部７２を有する遮光膜７と、透明基板１の主面の一方であって第１開口部７１に配置され、透明基板１と反対側に凸のレンズ面を有する集光構造Ｌ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクに溝部を形成することにより、露光装置内のフォトマスクと被転写体との圧着過程で発生した気泡が前記溝部に吸収され、真空吸着不良を改善する露光装置を提供する。
【解決手段】透明基板１１１と、透明基板１１１に形成され、吸光パターンが形成された遮光膜１１２と、遮光膜１１２に形成され、被転写体１３０の一面と接触するシリコン層１１４と、シリコン層１１４から遮光膜１１２の内部に至るまで彫込み形成された溝部１５０と、で構成されるフォトマスク１００と、被転写体１３０の他面を支持する支持体１２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング工程中にパーティクルが発生し難い珪素ターゲット材を提供し、成膜される珪素含有膜の低欠陥化（高品質化）を図ること。
【解決手段】珪素含有膜の成膜に、室温での比抵抗が２０Ω・ｃｍ以上の珪素ターゲット材を用いる。珪素ターゲット材は、多結晶や非晶質のものでもよいが、単結晶のものとすればより安定した放電状態を実現できるという利点がある。また、ＦＺ法により結晶育成された単結晶シリコンは、酸素含有量が低いため、高純度珪素ターゲット材として好ましい材料である。また、安定した放電特性を得る観点からはドナー不純物を含むｎ型のもののほうが好ましい。珪素含有膜のスパッタリング成膜は、本発明の珪素ターゲット材のみを単独または複数用いて行うことのほか、珪素ターゲット材と遷移金属と珪素を含有するターゲット材を同時に用いたり、珪素ターゲット材と遷移金属ターゲット材を同時に用いることとして行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】濃度分布マスクのパターンの解像度を高くし、かつ、低露光の露光量を精密に制御する。
【解決手段】濃度分布マスクの微小網点図形に光透過率Ｔを持たせ、前記微小網点図形の厚さを、透過光の位相を、１８０度を中心として１７０度以上１９０度以下位相シフトする厚さにし、微小網点図形の間の網点間隙領域の開口率Ｗの値を、Ｗ＝（√Ｔ）／（１＋（√Ｔ））に設定することで、前記微小網点図形を透過する光と前記網点間隙領域を通過する光とを相殺させた遮光領域を有する濃度分布マスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】本願発明は多層型のハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法において、高精度なエッチング加工を可能にすることを目的とする。
【解決手段】
ハーフトーン位相シフト層をプラズマエッチングする工程は、少なくとも第一のエッチング条件と第二のエッチング条件の異なる２つの条件でエッチングするものであり、第一のエッチング条件は、第一の層をエッチングし、かつ、第一の層のエンドポイントを検出する工程と、検出したエンドポイントから、第一の層の、第一のエッチング条件によるエッチングレートを算出し、該算出結果を用い、第一のエッチング条件による第二の層のエッチング時間を決定する工程と、決定された時間だけ、第二の層を途中までエッチングする工程からなり、前記第二のエッチング条件は、第一のエッチング条件にて途中までエッチングされた残りの第二の層をエッチングする工程からなる。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に形成された１又は２以上の層で構成された膜であり、該膜の最表層がクロム系材料からなる膜を塩素系ドライエッチングによってエッチングする方法であって、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物、架橋促進剤化合物及び有機溶剤を含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した膜厚１〜１０ｎｍの酸化ケイ素系材料膜をエッチングマスクとして上記最表層を塩素系ドライエッチングする方法。
【効果】本発明のエッチングマスク膜は、塩素系ドライエッチングに対して高いエッチング耐性をもち、このエッチングマスク膜を用いてフォトマスクブランクを加工することにより、塩素系ドライエッチングであっても、薄いエッチングマスク膜で高精度の加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを擁するフォトマスクにおいて、レジスト膜および遮光膜の薄膜化が可能であり、パターン形成プロセスにおいて生じるマイクロローディング現象や微細パターンの倒壊を回避して、微細かつ高精度なパターンが得られるフォトマスク、フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板上の一方の面にパターニングされた単層または複数の層からなる第一の膜を備え、かつ前記透明基板の反対面にパターニングされた単層または複数の層からなる第二の膜を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】任意の領域のみをエッチング処理ができるドライエッチング装置、ドライエッチング方法およびフォトマスク製造方法を提供する。
【解決手段】カソード２２上に載置された被エッチング材料１０に対して、被エッチング材料１０に対向するアノード２３からプラズマを発生させてエッチングするドライエッチング装置において、被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、プラズマを通過させる開口の大きさを変更可能なシャッター３０を設け、シャッター３０は、被エッチング材料に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート３０ａと、各プレート３０ａを移動可能支持する支持体２９と、プレート３０を移動させる第１移動手段３０１を備える構成にした。 （もっと読む）

【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスク、及び反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクの製造工程において、基板裏面よりレーザ照射を行う工程を設けることで、多層反射層２１の界面を消失させ、多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、且つ吸収層５１の光学的性質が維持された遮光性の高い遮光枠を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ又はＥＵＶリソグラフィ用の光学素子における変形を低減するための光学素子を提供する。
【解決手段】基板４１の第１の表面４２上に機能性コーティング４６を備える光学素子であって、基板４１は、第１の表面４２と共通の縁部４５を有する第２の表面４３を備え、第２の表面４３は、コーティング４７も有し、第２の表面４３上のコーティング４７の厚さｔ_２及び応力σ_２を、第１の表面４２上の機能性コーティング４６の厚さｔ_１及び応力σ_１と組み合わせて条件ｔ_１・σ_１／ｔ_２・σ_２＝Ｘを満足し、式中、Ｘが０．８〜５．０の値を有するよう選択する。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に、他の膜を介し又は介さずに、遷移金属とケイ素を含有する材料からなる膜が形成され、該膜上にドライエッチング用のハードマスク膜が設けられ、該ハードマスク膜が、加水分解性シラン化合物の加水分解・縮合物と、有機溶剤とを含む酸化ケイ素系材料膜形成用組成物を用いて成膜した酸化ケイ素系材料膜であるフォトマスクブランク。
【効果】常用のレジスト膜を用いたパターニングにおいて、クロム系材料膜より有利なエッチング選択比で加工することができる。また、この酸化ケイ素系材料によるハードマスク膜パターンを透明基板上のモリブデン等の遷移金属とケイ素とを含有する膜に転写する際、酸素含有比を制御した塩素ガスを用いてドライエッチングすることにより、有効な選択比が得られ、透明基板上に成膜した遮光膜等の光学膜に対するレジストパターンの高精度な転写が可能となる。 （もっと読む）