【解決手段】遷移金属と、ケイ素と、酸素及び窒素とを含有し、４×Ｃ_Si／１００−６×Ｃ_M／１００＞１（式中、Ｃ_Siはケイ素の含有率（原子％）、Ｃ_Mは遷移金属の含有率（原子％）を示す）を満たす遷移金属ケイ素系材料で構成され、酸素を３原子％以上含有する遷移金属ケイ素系材料膜を有するフォトマスクブランク。
【効果】遷移金属ケイ素系材料で形成されたハーフトーン位相シフト膜や遮光膜などにおいて、ＡｒＦエキシマレーザー光等の高エネルギー光の累積照射によるＭｏＳｉ系材料膜等の遷移金属ケイ素系材料膜の変質を伴うパターン寸法変動劣化が大きく抑制され、従来と比べて高エネルギー光の照射が累積した場合であっても、露光装置のパターン露光条件を変更せずに、光リソグラフィーにおける光パターン照射を実施することができる。 （もっと読む）

【解決手段】透明基板上に、基板側組成傾斜層及び表面側組成傾斜層を有し、膜厚が３５〜６０ｎｍであり、遷移金属と窒素及び／又は酸素とを含むケイ素材料で構成された遮光膜を有し、基板側組成傾斜層が、層厚が１０〜５８．５ｎｍ、遷移金属：ケイ素が１：２〜１：９（原子比）、透明基板側の窒素と酸素の合計が２５〜４０原子％、透明基板から離間する側の窒素と酸素の合計が１０〜２３原子％であり、表面側組成傾斜層が、層厚が１．５〜８ｎｍ、遷移金属：ケイ素が１：２〜１：９、透明基板側の窒素と酸素の合計が１０〜４５原子％、透明基板から離間する側の窒素と酸素の合計が４５〜５５原子％であるバイナリーフォトマスクブランク。
【効果】本発明のバイナリーフォトマスクブランクは、露光光を十分に遮光できる、より薄膜の遮光膜を備え、基板の両面の反射率を実用上問題にならない程度に十分に低減することにより、ゴーストパターンが抑制される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、転写パターンに損傷を及ぼす危険性を解消しつつ、反射型マスク上の遮光領域の遮光性を高めてウェハ上の露光フィールド境界部のオーバー露光を抑制できる遮光領域を有する反射型マスク、反射型マスクブランクス、および反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 遮光領域における反射層に段差を形成し、段差上面からの反射光と、段差底面からの反射光との間に位相差を生じさて、遮光領域から放射される反射光全体の強度を低減することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】密着露光装置に使用してもグレイスケールの発現するバイナリータイプのフォトマスクを提供することである。
【解決手段】基板４上のレジスト３に密着させてパターン露光に用いるバイナリーグレイトーンフォトマスク１であって、フォトマスクの遮光層２は、波長がλである露光光の解像限界以下の複数の開口部７を内部に含む全体としては解像限界以上の開口部領域と解像限界以上の単純な開口部８とを有しており、且つ前記開口部領域を囲む遮光層２上と単純な開口部８を囲む遮光層２上にスペーサが形成されていることを特徴とするバイナリーグレイトーンフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】精度や品質を犠牲にすることなく、コストの低減が図れるマスクブランクおよび多階調マスク並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、透光部、第１半透光部、第２半透光部および遮光部からなる転写パターンを備える多階調マスクの作製に用いられるマスクブランクであって、
透光性基板上に、タンタル、ハフニウム、およびジルコニウムから選ばれる１以上の元素を含有し、ケイ素の含有量が３０原子％以下である材料からなる金属系半透光膜と、金属およびケイ素を含有する材料からなるシリサイド系半透光膜と、クロムを含有する材料からなる遮光膜とを順に積層した構造からなることを特徴とするマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法において、設計パターンに基づいて電子線によりレジストパターンを形成するに際し、電子線描画による電荷およびエネルギーがレジストに蓄積するのを抑制し、各種パターン精度を向上させた反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】反射型マスクブランク表面に設計パターンに基づいて電子線によりレジストパターンを形成し、吸収体層をドライエッチングして吸収体層パターンを形成する反射型マスクの製造方法であって、前記吸収体層の上にハードマスク層を設け、設計パターンをパターン精度が必要とされる主要部と主要部以外の非主要部との２つに分け、前記レジストパターンを形成する工程を、前記主要部のレジストパターン形成工程と前記非主要部のレジストパターン形成工程との２回に分けて行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より低い透過率のフォトマスクのハーフトーンパターンの修正を可能にする。
【解決手段】Ｑスイッチ周波数が１Ｈｚから１ｋＨｚの範囲内に設定されたＣＶＤ加工用レーザ発振器１１から出射される、１パルス当りの照射エネルギ密度が４０ｍＪ／ｃｍ^２以上、もしくは、照射パワー密度が１ＭＷ／ｃｍ^２以上の紫外レーザ光、および、クロムカルボニルガスからなる原料ガスを用いてフォトマスク２のハーフトーンパターンの修正部分にＣＶＤ膜を成膜する。本発明は、例えば、フォトマスクの修正を行うレーザ加工装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】ハーフトーンマスクのパターンのデータの生成に有利な技術を提供する。
【解決手段】目標パターンを投影光学系の物体面に配置したときに前記投影光学系の像面に形成される第１の近似空中像分布及び像面からデフォーカスした面に形成される第２の近似空中像分布を算出するステップと、前記第２の近似空中像分布から前記第１の近似空中像分布を差し引いた第３の近似空中像分布を算出するステップと、前記第３の近似空中像分布の実部及び虚部における絶対値の最大値を比較して、最大値が大きい方を主要部と決定するステップと、前記主要部の物体面における位置に主パターンを配置し、前記第１または前記第２の近似空中像分布における前記目標パターンの位置での近似空中像の値の符号と同じ符号となる前記主要部の物体面における位置に前記主パターンと同じ透過率及び位相を有する仮補助パターンを配置したパターンを決定するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】半透光膜がエッチングされてしまうことをより確実に防ぐ。
【解決手段】遮光部は、半透光膜、エッチングストッパ膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、半透光膜が透明基板上に形成されてなり、透光部は、透明基板が露出してなり、エッチングストッパ膜は、半透光膜の表面粗さの１．５倍以上の膜厚を有している。 （もっと読む）

【目的】反射像による欠陥検査において異物やパターン変形などの欠陥を高精度に検出可能とするフォトマスクを提供する。
【構成】パターン領域内にパターンが形成されるフォトマスクであって、ガラス基板と、ガラス基板上のパターン領域全面に設けられ、ガラス基板より光に対する反射率の高い反射膜と、反射膜上に、パターンを形成し、反射膜よりも光に対する反射率が高い遮光膜と、を有することを特徴とするフォトマスク。 （もっと読む）

【課題】金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光
に対する耐光性を向上させ、フォトマスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製
造方法を提供する。
【解決手段】波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用
いられるフォトマスクブランクであって、
透光性基板１上に薄膜２を備え、
前記薄膜２は、遷移金属、ケイ素及び炭素を含み、ケイ素炭化物及び／又は遷移金属炭
化物を有する材料からなることを特徴とするフォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】同種の基板の基板搬送方向と交差方向にオフセットした位置に光を照射する場合にも、移動中の基板に対する追従性を良好にする。
【解決手段】基板の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成され、光を通過させる複数のマスクパターン２と、基板上に設けられた複数のパターンの基板搬送方向と交差方向の配列ピッチの整数倍に等しい間隔を有して基板搬送方向に平行に形成された一対の細線４ａ，４ｂを備えた構造をなし、複数のマスクパターン２に対して基板搬送方向と反対側の位置に基板搬送方向に相互に一定距離はなれて配置されると共に、一対の細線４ａ，４ｂ間に予め設定された基準位置が基板搬送方向と交差する方向に予め定められた距離だけ相互にずれた状態に形成された複数のアライメントマーク４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】反射防止層の一部が欠損した場合であってもレジスト残膜厚の低下を抑制する。
【解決手段】 遮光部は、半透光膜、反射防止層を上層部に有する遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、反射防止層の一部が欠損したときであっても、遮光部の光学濃度がｉ線〜ｇ線の範囲内の代表波長の光に対して３．０以上となる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分などに起因して生じるパターン解像度の低下を抑制すること。
【解決手段】透明基板１１の主面の、遮光性膜１２の非形成領域（透光部）を充填するように、屈折率が１よりも大きな高屈折率媒質１３が設けられている。ここで、高屈折率媒質１３は、ＳＯＧ、酸化ケイ素、窒化珪素、酸窒化珪素などである。このような高屈折率媒質１３を設けると、透明基板１１と高屈折率媒質１３との界面での屈折角が従来に比較して小さくなり、遮光性膜１２によって遮られる露光光量を低減させることができる。この効果は、露光光の透明基板１１への入射角（θ）が大きいほど顕著となる。その結果、フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分などに起因して生じるパターン解像度の低下を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクにおいて、中間膜の薬液耐性を向上させる。
【解決手段】遮光部１１０は、半透光膜１０１、中間膜１０２、及び遮光膜１０３が透明基板１００上にこの順に積層されてなり、半透光部１１５は、半透光膜１０１が透明基板１００上に形成されてなり、透光部１２０は、透明基板１００が露出してなり、遮光部１１０を構成する中間膜１０２の側部には、中間膜１０２が酸化されてなる変質部１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ハーフトーンマスクにおいて製造工程の負荷を減らしてコストダウンが図れ、かつパターンにダメージがない高品質なハーフトーンマスクおよびその製造方法、さらにこれに用いるハーフトーンマスクブランクスを提供すること。
【解決手段】透明基板上に、半透過膜、バリア膜、および一層または二層以上からなる遮光膜をこの順に積層して形成されたハーフトーンマスクブランクスであって、
前記バリア膜がＩＴＯ（酸化インジウムすず）を含む材料を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成されている膜と、裏面に形成されている膜との導通を消失させることにより、反射層や吸収層を作成する際における層表面や層中へのパーティクルの付着を防止でき、結果的に欠点を減少させることが可能な反射層付き基板およびＥＵＶマスクブランクの提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される反射層付き基板であって、前記反射層が形成されている面とは反対の面に、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層を有し、かつ前記反射層と前記チャック層とは導通がないことを特徴とする反射層付き基板。 （もっと読む）

【課題】マスク製造段階での基板ダメージの発生が少なく、透光部の露光光透過率が高く、かつ露光光透過率分布の面内均一性の高い多階調マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透光性基板上に、遮光部、透光部及び露光光の一部を透過する半透光部からなる転写パターンを有する多階調マスクの製造方法であって、透光性基板上に金属およびケイ素を含有する材料、またはタンタル等から選ばれる１以上の金属を含有する材料からなる半透光膜と、クロムを含有する材料からなる遮光膜とをこの順に積層したマスクブランクを用意する工程と、遮光膜に透光部のパターンを形成する工程と、遮光膜に形成された透光部のパターンをマスクとして半透光膜を、塩素、臭素、ヨウ素、及びキセノンのうちのいずれかの元素とフッ素との化合物を含む非励起状態の物質によってエッチングする工程と、遮光膜に遮光部のパターンを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属のガラス基板の表面への拡散を確実に防止することができるマスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供すること。
【解決手段】マスクブランクス１０は、アルカリ金属を含有するガラス基板１、このガラス基板の表面上に形成された拡散防止層２、拡散防止層２上に形成された遮光層３、遮光層３上に形成された反射防止層４を備える。ガラス基板の表面が研磨され、その表面粗さＲａが２ｎｍ以下とされた。表面粗さＲａが２ｎｍ以下であっても、拡散防止層２が設けられることにより、ガラス基板１からアルカリ金属が他の層へ拡散することを抑制し、マウスニップ欠陥の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】低露光量を得る領域において、その露光量を与えるパターンを、高い解像度で形成できる濃度分布マスクを得る。
【解決手段】透明基板１の上に半透光膜のパターン６を有し、前記半透光膜のパターン６の上に、遮光膜のパターンの微小網点図形４を有し、前記微小網点図形４間の間隙の開口率Ｗが光透過率Ｔの平方根に設定された濃度分布マスク１０を製造する。また、前記半透光膜のパターン６を酸化モリブデンシリサイド又は酸化窒化モリブデンシリサイド又は窒化モリブデンシリサイドで形成する。 （もっと読む）