【課題】本発明は、高さおよび形状の異なる部材を高い自由度で精度良く効率的に形成することができるマルチスペクトルマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された異なる分光スペクトルを有する２種類以上の半透明膜とを具備し、複数の分光スペクトルを有するマルチスペクトルマスクであって、上記マルチスペクトルマスクは、上記透明基板からなる透過領域、および上記透明基板上に上記半透明膜が積層されてなる半透明領域を備え、上記半透明領域は、上記異なる分光スペクトルを有する異なる半透明膜が透明基板上にそれぞれ積層されてなることにより、異なる分光スペクトルを有する２種類以上の半透明領域からなることを特徴とするマルチスペクトルマスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】エッチングによる加工形状の制御性を向上したハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス、ハーフトーンマスクの製造方法、及びハーフトーンマスクブランクスの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板Ｓに形成された半透過層１１を有する半透過部ＨＡと、半透過層１１とイオン化傾向が異なる遮光層１４が半透過層１１に積層されてなる遮光部ＰＡとを備えたハーフトーンマスク１０であって、半透過層１１と遮光層１４との間に挟まれて半透過層１１と遮光層１４との間を電気的に絶縁する酸化物層１３を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透明基板上に半透明膜、エッチングストッパー膜および遮光膜が順に積層された階調マスクにおいて、高精度に重ね合わせズレを測定することが可能な重ね合わせ精度測定マークを有する階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板上に半透明膜とエッチングストッパー膜と遮光膜とが順に積層されており、上記半透明膜が露出している外郭パターンと、上記外郭パターン内に形成され、上記透明基板が露出している内郭パターンと、上記内郭パターン内に形成され、上記エッチングストッパー膜が露出している中央パターンとを有する重ね合わせ精度測定マークを備え、上記内郭パターンは、外側に互いに平行な一対の外側エッジを２組有し、内側に互いに平行な一対の内側エッジを２組有し、２組の外側エッジは互いに垂直であり、２組の内側エッジは互いに垂直である階調マスクを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半透過膜の反射率特性によらず、描画機による位置合わせの際に、アライメントマークの検出を精度高く行うことができるフォトマスクブランクス、フォトマスクブランクスの製造方法、および上記フォトマスクブランクスを用いたフォトマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に形成された半透過膜と、上記半透過膜上に形成された遮光膜とを有するフォトマスクブランクスであって、上記半透過膜が、少なくとも当該フォトマスクブランクスを用いて形成されるフォトマスクにて、露光に用いられる有効露光領域には形成され、かつ、上記有効露光領域の外周に位置し、露光に用いられない領域である非有効露光領域内で、アライメントマークが形成されるアライメントマーク形成部を含むアライメント領域には形成されていないことを特徴とするフォトマスクブランクスを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高いパターン転写精度を実現することが可能な反射型マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板の一方の面に形成された多層膜と、上記多層膜上に形成された中間層と、上記中間層上に形成された吸収層とを有する反射型マスクであって、上記吸収層は、上記吸収層が部分的に除去された吸収体転写パターンが形成された吸収体転写パターン領域を有し、上記吸収体転写パターン領域の外周の少なくとも一部には、上記多層膜、中間層および吸収層が除去されて上記基板が露出している遮光枠部が形成されており、上記遮光枠部内の上記多層膜が露出した側面のみに、洗浄薬液による洗浄に対して耐性を有する保護用酸化皮膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】第１面本パターンと第２面本パターンとの位置ずれを簡便に小さくすることが可能となるフォトマスク基板の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板の第１面と第２面の両方に遮光パターンが形成されるフォトマスク基板を作製する方法であって、第１面に第１面本パターンと共に第１面アライメント専用マークを露光する工程と、第２面に第２面アライメント専用マークを露光する工程と、前記第１面アライメント専用マークと前記第２面アライメント専用マークと基づいてずれ量を計算する工程と、ずれ量分を補正して基板を位置決めする工程と、第２面に第２面本パターンを露光する工程と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板等の製造に用いられる多階調フォトマスクにおいて、半透光部を介して露光されたレジストの残膜厚のバラつきを光照射量で調整しても、他の部分のパターンに影響の少ないものを提供することを課題とする。
【解決手段】多階調フォトマスク１０が、ガラス基板１１上と、ガラス基板１１上に遮光膜が形成されている遮光部１２と、半透光膜が形成されている半透光部１３と、遮光膜及び半透光膜が形成されていない透光部１４と、遮光部１２の周縁部であって、透光部１４との境界となる部分に所定の幅の半透光膜が形成されている遮光部周縁部１５とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反射型フォトマスクのパターン検査の精度が向上するとともに、検査に要する時間を短縮することのできる反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク、その検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された第一の反射膜と、第一の反射膜上に形成された電圧を印加することにより発光する発光層と、発光層上に形成された吸収体と、吸収体上に形成された遮光膜と、遮光膜上に形成された第二の反射膜と、を備えることを特徴とする反射型フォトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】露光不良を抑制できるマスク及び露光方法並びにデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】マスク本体１００の温度分布で生じる非線形変形を、線形変形に補正するペリクルフレーム１２０が設けられているマスクＭを用いる。 （もっと読む）

【課題】反射率の選択性の広さ（自由度）と洗浄液耐性の高さを持つと同時に、エッチングの加工精度が高くなるハーフトーン膜の材料を選定したハーフトーン型ＥＵＶマスク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクブランク、ハーフトーン型ＥＵＶマスクの製造方法及びパターン転写方法を提供すること。
【解決手段】基板と、基板上に形成された高反射部と、高反射部上に形成されたパターニングされた低反射部と、を備え、低反射部は、Ｔａ（タンタル）及びＮｂ（ニオブ）を有することを特徴とするハーフトーン型ＥＵＶマスク。 （もっと読む）

【課題】半透光部における半透光膜の膜厚を一定にすると共に半透光膜と遮光膜との境界部における階調の変化を急峻にする。
【課題を解決するための手段】
透明基板上に露光光を遮断する遮光部と露光光を透過する透光部と露光光の一部を透過する半透光部とを含む多階調フォトマスクを準備する。次に、遮光部と半透光部との境界に露光装置の解像度限界以下の幅を持つ透過帯を形成する。この透過帯を形成する工程は、遮光部、透光部及び半透光部形成後に、ザッピングによって遮光膜と半透光膜の境界部に露光装置の解像限界以下の幅を持つ透過帯を形成する。 （もっと読む）

【課題】ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法に関し、ハードマスクと遮光帯遮光膜を兼用する場合に、パターニング精度と遮光性を両立する。
【解決手段】透明基板１上にハーフトーン膜２及びハードマスク兼遮光膜３を順次成膜する工程と、前記ハードマスク兼遮光膜３上に膜減補償用遮光膜４を成膜する工程、主回路領域６上の前記膜減補償用遮光膜４を選択的に除去する工程と、前記主回路領域６に露出する前記ハードマスク兼遮光膜３にパターンを形成してハードマスク７とする工程と、前記ハードマスク７をマスクとして前記ハーフトーン膜２をエッチングしてハーフトーン膜パターン８を形成する工程と、前記ハードマスク７を除去する際に前記主回路領域６の周囲の遮光帯領域に前記膜減補償用遮光膜９を残存させる工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクの半透光部を介して露光・現像されたレジスト膜厚の、パターン寸法に起因するバラつきを少なくことを課題とする。
【解決手段】半透光部のパターン幅と実効透過率との関係の波長依存性と、半透光膜本来の透過率（十分に広い領域を有する半透光膜の透過率）の波長依存性を考慮して、パターン幅の広い第１半透光部１３ａとパターン幅の狭い第２半透光膜１３ｂとで、波長依存性の異なる半透光膜を用いることとしたので、それぞれ半透光部を介して露光・現像されたレジスト膜厚の、パターン寸法に起因するバラつきを少なくすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光膜及び半透光膜が互いに接してエッチング液に晒された場合に生じることのある弊害を回避し得るマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、露光光の一部を透過する半透光膜と露光光を遮光する遮光膜を順不同で有し、前記半透光膜と前記遮光膜にそれぞれパターニングが施されることにより、露光光を透過する透光部、露光光を一部透過する半透光部、露光光を遮光する遮光部が形成された多階調フォトマスクにおいて、
前記半透光膜と前記遮光膜はそれぞれ導電性材料からなり、かつ、前記半透光膜と前記遮光膜の間に、非導電性材料からなる絶縁膜を有することを特徴とする多階調フォトマスク。 （もっと読む）

【課題】遮光膜及び半透光膜が互いに接してエッチング液に晒された場合に生じることのある弊害を回避し得るマスクブランク及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板上に、露光光の一部を透過する半透光膜と露光光を遮光する遮光膜を順不同で有し、前記半透光膜と前記遮光膜にそれぞれウエットエッチングによるパターニングが施されることにより、露光光を透過する透光部、露光光を一部透過する半透光部、露光光を遮光する遮光部が形成された多階調フォトマスクにおいて、
前記遮光膜及び前記半透光膜のうちの少なくとも一方の膜は非導電性材料からなる、又は、前記遮光膜及び前記半透光膜のうちの少なくとも一方の膜において少なくともこれらの膜が互いに接触する面を含む一定厚さの層は非導電性材料からなる、ことを特徴とする多階調フォトマスク。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上に形成するパターンの寸法を精度良く制御できる反射型マスクおよび半導体デバイスの製造方法を得ること。
【解決手段】照射されるＥＵＶ光をマスクパターンの形状に応じた位置で反射することによってマスクパターンの形状をウェーハ上に縮小転写するマスクにおいて、ＥＵＶ光が照射される側の面である上面側に配置されてＥＵＶ光を反射する反射膜５と、反射膜５の上面側に配置されるとともに反射膜５の全面を被覆するバッファ層３と、バッファ層３の上面側に配置されるとともに、照射されるＥＵＶ光を吸収する吸収体２によってマスクパターンが形成された非反射層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】シリコンを含有するスパッタリングターゲット１４であって、ターゲットの硬度が、ビッカース硬さで９００ＨＶ以上であるスパッタリングターゲットを用いて、基板１上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング法で形成し、欠陥発生を抑えた高品位のマスクブランクを製造し、さらに、薄膜をパターニングすることで転写マスクを製造した。 （もっと読む）

【課題】多階調フォトマスクの修正工程において、修正半透光膜の形成時に生じる膜厚の異常、従って透過率の異常の発生を必要な範囲で防止し正常な転写が可能な多階調フォトマスクを作製する。
【解決手段】多階調フォトマスクは、透明基板上に透光部と、遮光部と半透光部とが設けられているものであり、このうち、パターンは遮光部においては遮光膜のパターン２ａにより形成され、半透光部においては半透光膜のパターン４ａにより形成されるものである。半透光膜のパターン４ａは、透光部との境界領域の少なくとも一部において、透光部との境界に近くなるほど透過率が高くなるように構成されたグラデーション部Ｇを有するもので修正工程において異常を生じさせない。 （もっと読む）

【課題】位相シフト膜の膜厚を薄膜化させ、ＯＰＣパターンが倒壊することなく、パターン精度の要求を満足でき、光学特性の制御性、パターン欠陥検査が可能な位相シフトマスク、およびその原版である位相シフトマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に、ＡｒＦエキシマレーザー光の波長に対する透過率が９％以上３０％以下で、位相差が１５０°以上１８０°未満の光学特性を有する金属、ＳｉおよびＮを主な構成要素とする位相シフト膜と、位相シフト膜上に形成された遮光膜とを有し；前記位相シフト膜の膜厚が８０ｎｍ以下であり；ＡｒＦエキシマレーザー光の波長に対する屈折率（ｎ）が２．３以上であり、消衰係数（ｋ）が０．２８以上である、ことを特徴とする位相シフトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】遮蔽効果（シャドーイング）と位相ズレの問題を低減でき、高解像度が可能な転写用マスク及びその素材としてのマスクブランクを提供する。
【解決手段】開口数がＮＡ＞１の露光方法及び２００ｎｍ以下の露光光波長を利用して半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の微細パターンを形成する際に使用されるマスクの素材となるマスクブランクであり、透明基板の上にマスクパターン３ａを形成するための薄膜３を備えるマスクブランクであって、
前記透明基板１と前記薄膜３との間に、前記透明基板１の裏面側から斜めに入射しマスクパターン３ａの側壁と側壁との間を通過する露光光の方向を制御する機能を有する光路補正層を備えることを特徴とする （もっと読む）