【課題】効果的に汚染物質の発生を抑制できる反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板４０上に形成され、入射した入射光を第１方向に反射する第１反射部４１と、第１反射部４１上に形成され、かつ所定のパターンの形状を有し、入射した入射光を第１方向とは異なる第２方向に反射する第２反射部４３とを有する。 （もっと読む）

【課題】露光不良の発生を抑制できる透過型マスクを提供する。
【解決手段】リソグラフィー用の透過型マスクは、第１面、及び第２面を有し、露光光が透過可能なマスク基板と、第１面に設けられ、第２面側から入射して、マスク基板を透過した露光光の一部を反射して、第１位相状態の第１露光光を生成する第１部分、及び第１位相状態と異なる第２位相状態の第２露光光を生成する第２部分を有するパターン部とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パターン形状やパターン精度を高めることができるグレートーンマスクを提供する。
【解決手段】遮光部１と、透光部２と、グレートーン部３とを有するグレートーンマスクの製造方法であって、透明基板上に、少なくとも半透光膜、エッチングストッパー膜、遮光膜が順次形成され、レジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、透光部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量で、またグレートーン部を形成する部分に対してレジストが完全に感光される露光量より少ない露光量でレジスト膜を露光する工程と、現像処理を行い、遮光部とグレートーン部とで残膜値が異なるようなレジストパターンを形成する工程と、レジストが除去された領域に露出する遮光膜をエッチングする工程と、透光部を形成すべき部分上の半透光膜と、半透光部を形成すべき部分上の遮光膜を同時に除去する工程と、レジスト膜を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられる補助パターンを有するフォトマスクにおいて、補助パターンが転写対象面に解像されてしまう場合のフォトマスクを、確実で比較的容易な方法により補助パターンを修正するフォトマスクの修正方法および修正されたフォトマスクを提供する。
【解決手段】透明基板１１の一主面上に、投影露光により転写対象面に転写される主パターン１２と、主パターン１２の近傍に形成された補助パターン１３とを有するフォトマスク１０において、前記投影露光により補助パターン１３が転写対象面に解像されてしまう場合のフォトマスクの修正方法であって、解像されてしまう補助パターン１３の表面をエッチングもしくは研削し、補助パターン１３が転写対象面に解像されなくなるまで、解像されてしまう補助パターン１３の膜厚を薄くすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 転写パターンの形状によらず遮光膜の面内におけるエッチングレートを均一化させ、多階調フォトマスクの品質を向上させ、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】 遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、導電性を有するエッチングバランサ膜、半透光膜、及び遮光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、半透光部は、エッチングバランサ膜及び半透光膜が透明基板上にこの順に積層されてなり、透光部は、透明基板が露出してなる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光およびマスクパターンの検査光の波長域に対する反射率が低く、特に、マスクパターンの検査光の全波長域（１９０〜２６０ｎｍ）に対して低反射特性を示し、かつレジストとの密着性が良好な低反射層を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、マスクパターンの検査光（波長１９０ｎｍ〜２６０ｎｍ）に対する低反射層と、が、この順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記低反射層が、アルミニウム（Ａｌ）およびジルコニウム（Ｚｒ）のうち少なくとも一つと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも一つと、を含有することを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過光量分布をより細かく制御できるフォトマスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成され、露光波長では解像しない微細なドットパターンを有するマスクパターン層とを有し、上記ドットパターンの分布状態により、露光する際の透過光量分布を制御するフォトマスクであって、上記ドットパターンが、順位相透過、遮光および逆位相透過を用いて構成されたものであることを特徴とするフォトマスクを提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半透光部の透過率を微調整でき、露光光に対する半透光部の透過率の波長依存性を選択できる。
【解決手段】遮光部、透光部、及び半透光部を含む所定の転写パターンが透明基板上に形成された多階調フォトマスクであって、遮光部は、透明基板上に半透光膜及び遮光膜が積層されてなり、透光部は透明基板が露出してなり、半透光部は、透明基板上に形成された半透光膜が露出してなり、半透光膜は、第１半透光層と第１半透光層上に積層された第２半透光層を備え、半透光部を構成する第２半透光層の膜厚が、遮光部を構成する第２半透光層の膜厚より小さくなるように減膜されている。 （もっと読む）

【課題】ターゲット寸法がより微細な寸法領域に突入しても、転写パターンの像コントラストの低下を抑制できる反射型露光用マスクを提供する。
【解決手段】露光光に対して高反射領域となる多層反射膜２と、前記露光光を吸収するとともに、低反射領域となる吸収体パターン４Ｐとを具備し、前記多層反射膜２からの前記露光光の反射光と、前記吸収体パターン４Ｐからの前記露光光の反射光との位相差が１８０度±１０度以内となる反射型露光用マスクであって、前記吸収体パターン４Ｐは、長手方向が互いに９０度異なる第１および第２のライン状パターンを含み、かつ、前記第１および第２のライン状パターンの長手方向の一方と、前記主面の上から見た場合の前記主面に対する前記露光光の入射方向とが一致する時に、前記ウェハ上に形成される前記第１および第２のライン状パターンの光学像のコントラスト値がともに０．６以上となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高さおよび形状の異なる部材を自由度高く効率的に形成することができる階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に直接形成され、遮光膜形成材料からなる遮光膜と、上記透明基板上に形成され、第１半透明膜形成材料からなる第１半透明膜と、上記透明基板上に形成され、第２半透明膜形成材料からなる第２半透明膜と、を有し、上記透明基板からなる透過領域と、上記透明基板および上記遮光膜を少なくとも含む遮光領域と、上記透明基板および上記第１半透明膜からなる第１半透明領域と、上記透明基板および上記第２半透明膜からなる第２半透明領域と、を備える階調マスクであって、上記第２半透明膜形成材料が、上記第１半透明膜形成材料とはエッチング液に対する耐性が異なるものであることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ基板を連続して製造するとき、現像ムラ、照度の不均一で同一箇所に発生するパターン太りと、成り行きでどこに発生するのかわからない基板周辺部のパターン太りを同時に低減し所定の太さのパターンを形成するフォトマスクの提供を目的とした。
【解決手段】表面に感光性レジスト膜を塗布した基板にパターン露光を行うフォトマスクにおいて、前記感光性レジストの塗布膜厚に対応して、あるいは前記感光性レジストの現像ムラに対応して、前記現像ムラを生じた部位の光透過量を低減したことを特徴とするフォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること
【解決手段】透光層２、半透光層３及び遮光層４がこの順で積層されたマスクブランクス１’上にフォトレジストＲを塗布し、露光することで第１のレジスト領域Ｒ１と、第２のレジスト領域Ｒ２と、第３のレジスト領域Ｒ３を形成し、第１のレジスト領域Ｒ１を現像液で除去することで、第１の遮光層領域４ａをエッチングするためのマスクを形成し、第１の遮光層領域４ａをエッチングし、半透光層領域３ａをエッチングし、第２のレジスト領域Ｒ２を現像液で除去することで、第２の遮光層領域４ｂをエッチングするためのマスクを第３のレジスト領域Ｒ３によって形成し、第２の遮光層領域４ｂをエッチングする。 （もっと読む）

【課題】微細かつ高精度な露光パターンを形成することが可能な位相シフトマスクの製造方法、フラットパネルディスプレイの製造方法及び位相シフトマスクを提供する
【解決手段】本発明の一形態に係る位相シフトマスク１は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域のいずれかの光に対して１８０°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層１３Ｐ１を有する。これにより、上記波長領域の光を露光光として用いることで、位相の反転作用により光強度が最小となる領域を形成して、露光パターンをより鮮明にすることができる。位相シフト層１３Ｐは、４０％以上９０％以下の窒化性ガス及び１０％以上３５％以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで形成される。 （もっと読む）

本発明は、基板（Ｓ）及び層構成体を備え、層構成体がそれぞれ個別層の少なくとも２つの周期（Ｐ_２、Ｐ_３）の周期的配列からなる複数の層サブシステム（Ｐ’’、Ｐ’’’）を備え、周期（Ｐ_２、Ｐ_３）が高屈折率層（Ｈ’’、Ｈ’’’）及び低屈折率層（Ｌ’’、Ｌ’’’）に関して異なる材料から構成される２つの個別層を含み、各サブシステム（Ｐ’’、Ｐ’’’）内で、隣接する層サブシステムの周期の厚さから逸脱した一定の厚さ（ｄ_２、ｄ_３）を有する、ＥＵＶ波長域用のミラー（１ａ；１ｂ；１ｃ）に関する。ミラーは、基板（Ｓ）から２番目に遠い層サブシステム（Ｐ’’）が有する周期（Ｐ_２）の配列が、基板（Ｓ）から最も遠い層サブシステム（Ｐ’’’）の第１高屈折率層（Ｈ’’’）が基板から２番目に遠い層サブシステム（Ｐ’’）の最終高屈折率層（Ｈ’’）の直後に続くように、且つ／又は基板（Ｓ）から最も遠い層サブシステム（Ｐ’’’）が基板（Ｓ）から２番目に遠い層サブシステム（Ｐ’’）の周期（Ｐ_２）の数（Ｎ_２）よりも多い周期（Ｐ_３）の数（Ｎ_３）を有するようになっていることを特徴とする。本発明はさらに、上記ミラー（１ａ；１ｂ；１ｃ）を備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備える投影露光装置に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一つの半透過物質を用いて多重半透過部を形成できるハーフトーンマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るハーフトーンマスクの製造方法は、基板（１０２）上に半透過物質（１１０）を形成する段階と、前記半透過物質をプラズマ表面処理して前記半透過物質の透過率を調節することによって、前記半透過物質と異なる透過率を有する半透過物質が少なくとも１つ形成された半透過領域（S3,S4,S5）を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レチクルを効率的かつ容易な手段によって冷却し、レチクルの温度上昇を抑制し、レチクル熱膨張変形による像性能低化を防止する。
【解決手段】レチクルの周辺部に複数の凹部または凸部で構成されていることを特徴とする放熱スリット部を構成する。転写パターンから遮光膜面積を求めるの計測工程と、この計測工程の結果から前記露光マスクが所定の露光光を受けたときの前記露光マスクの温度上昇と温度上昇による熱膨張変形を予測する第１の予測工程と、この第１の予測工程の結果から、前記露光マスクに所定の放熱スリット部を形成したときの温度上昇と前記温度上昇による熱膨張変形を予測する第２の予測工程と前記第１の予測工程と第２予測工程を比較し、前記放熱スリット部を形成された前記露光マスクが所望の熱膨張変形になっているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多重半透過部を形成する半透過物質の数及び工程数を減らすことによって時間及びコストを低減できるハーフトーンマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフトーンマスクは、基板と、該基板上に形成され、照射される所定波長帯の光を透過させる透過領域と、前記基板上に少なくとも２つの半透過物質が交互に積層された多数層で形成され、前記半透過物質の積層された数によって互いに異なる透過率を有する多重半透過部を有する半透過領域と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングが適用される液晶表示装置製造用のグレートーンマスクブランクを提供する。
【解決手段】ウェットエッチングが適用される液晶表示装置製造用のグレートーンマスクブランクであって、合成石英ガラスからなる透光性基板と、該透光性基板の表面に形成された半透光膜と、該半透光膜の上に形成された遮光膜とからなる。前記半透光膜は、モリブデンとシリコンとを含有する材料とし、前記半透光膜に含まれる前記モリブデンと前記シリコンの比率（モリブデン：シリコン）は、１：２〜１：１９である。また、前記遮光膜は、クロムと窒素を含む材料としている。 （もっと読む）

【課題】効率的に膜応力の低減が可能であるフォトマスクブランクの製造方法
等を提供する。
【解決手段】透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有
するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成する
ための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてス
パッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱す
る工程をと有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マスク使用時のＥＵＶ露光光に対するコントラストを向上させ、またパターンエッジ部分でのパターン解像性を向上させて高解像度のパターン転写を行うことができる反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１と、該基板上に順次形成された、ＥＵＶ露光光を反射する多層反射膜２と、バッファ膜３と、ＥＵＶ露光光を吸収する吸収体膜４とを有する反射型マスクブランク１０であって、吸収体膜４は、最上層４ｂと下層４ａからなる積層構造となっており、最上層はＴａの酸化物、窒化物、酸窒化物又は炭化物のいずれかを含む材料で形成され、膜密度が６．０〜１１．０ｇ／ｃｍ^３であり、下層はＴａを含む材料で形成され、膜密度が１１．０〜１６．０ｇ／ｃｍ^３である。反射型マスク２０は、この反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成して得られる。 （もっと読む）