【課題】様々な傾斜角度および形状を有する３次元非対称構造のポリマーまたはレジストパターン、それを利用した金型、金属薄膜のパターン、金属パターンの簡単な形成方法。
【解決手段】（ａ）基板４００上に感光性物質を塗布して感光性物質の膜４１０を形成するステップ、（ｂ）前記感光性物質の膜における露光すべき部分を決めるステップ、（ｃ）前記感光性物質の膜に照射される光の経路上に屈折膜４４０および拡散膜４３０を配置するステップ、および、（ｄ）前記屈折膜および前記拡散膜を透過する光を前記感光性物質膜の前記露光すべき部分に照射してパターンを形成するステップで、様々な傾斜角度および形状を有する３次元非対称構造のポリマーまたはレジストパターン、それを利用した金型、金属薄膜のパターン、金属パターンを簡単にする。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークを確実に認識でき、かつ製造工程を簡素化できる新規な多階調フォトマスクを提供する。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多階調フォトマスクは、アライメントマーク形成領域となるアライメントマーク部（Ｉ）とデバイス形成領域となるデバイスパターン部（ＩＩ）とで構成された多階調フォトマスク（２０）であって、前記アライメントマーク部（Ｉ）は、透明基板上（１）に半透過膜（２）とエッチングストッパー膜（３）と遮光膜（４）とがこの順序に積層されて最上層に前記遮光膜（４）が露出した相対的に反射率の高い部分と、前記透明基板上に前記半透過膜が積層されて最上層に前記半透過膜（２）が露出した相対的に反射率の低い部分とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブランクス間及びブランクス面内における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。
【解決手段】透明基板６上に、少なくともパターンを形成するための薄膜を有する、フォトマスクブランクのＤＣマグネトロンスパッタリング法による製造方法において、基板６の平面からなる被成膜面を上方に向けて水平面上で回転させ、被成膜面に対して傾斜して対向した単一のターゲット５をスパッタリングすることによって薄膜を成膜し、かつ、成膜の開始から成膜の終了までの間で前記透明基板を整数回回転させて成膜を行うフォトマスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半透光部に発生した欠陥を好適に修正できるグレートーンマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】遮光部２１と、透光部２２と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部２３とを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのグレートーンマスク２０の欠陥修正方法であって、半透光部２３が半透光膜２６により形成され、半透光部２３において欠陥領域を特定する工程と、欠陥領域を含む領域に修正膜２７を形成する工程とを有する。この修正膜２７は、その中心部より周縁側の部分に、中心部よりも露光光の透過量が大きい領域を有する。 （もっと読む）

【課題】プロキシミティ露光により、細かいパターンを形成することが可能なプロキシミティ露光用フォトマスク、およびそのプロキシミティ露光用フォトマスクの製造方法の提供が望まれている。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された遮光部と、上記遮光部により区画された開口部および上記開口部を構成する上記遮光部の端部領域を被覆するように形成された透過光調整部とを有するプロキシミティ露光用フォトマスクであって、上記透過光調整部は、断面の表面形状が、上記開口部の中央部では上記透明基板と平行な直線状とされており、少なくとも上記遮光部の端部領域上では透過光を上記開口部の中央部側に屈折させる形状とされていることを特徴とするプロキシミティ露光用フォトマスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、効率よくウェットエッチング法により製造され、遮光膜の端部の形状に荒れのない階調マスクを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上にパターン状に形成された遮光膜と、上記遮光膜上および上記透明基板上にパターン状に形成された半透明膜とを有し、上記透明基板が露出した透過領域、上記透明基板上に上記遮光膜が設けられた遮光領域、および上記透明基板上に上記半透明膜のみが設けられた半透明領域を有する階調マスクであって、上記遮光膜および上記半透明膜の結晶構造が、いずれも柱状である、またはいずれも粒状であることを特徴とする階調マスクを提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に、少なくとも位相シフト膜とメタル含有膜を有する位相シフトマスクブランクであって、該位相シフト膜と該メタル含有膜の密着性を向上した位相シフトマスクブランクを提供する。
【解決手段】位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜とメタル含有膜との界面にＳｉＯ_ｘ層を具備し、前記位相シフト膜と前記ＳｉＯ_ｘ層の界面に、膜の組成が連続的に変化した層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板内部に存在する欠陥を比較的簡単な作業で修正することができる欠陥修正方法及び装置を実現する。
【解決手段】本発明では、フォトマスクを構成するガラス基板（１）に向けて照明光を投射し、ガラス基板から出射した散乱光を検出することにより内部欠陥を検出する。ガラス基板表面の、内部欠陥（３０）の近傍に光学的に透明な液状の光硬化性樹脂（３１）を滴下する。ガラス基板表面に形成された液滴（３１）を硬化させると、表面張力の作用によりガラス基板上に集束性レンズ素子が形成される。ガラス基板内の気泡に向けて入射した露光光は、レンズ素子により屈折し、気泡を迂回する光路を経て出射し、ガラス基板は、気泡による悪影響を受けないフォトマスクに修正される。 （もっと読む）

【課題】半透光部に発生した欠陥を好適に修正できるグレートーンマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】半透光部は半透光膜２６により形成され、半透光部において欠陥５０、５１が生じたときに該欠陥部分を特定し、特定した欠陥部分に修正膜２７ａ、２７ｂを形成するための成膜手段と成膜素材を決定し、決定した成膜手段と成膜素材を適用したときに、露光光の透過量が所定範囲となるような成膜面積を決定し、決定した成膜面積の修正膜２７ａ、２７ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上転写像のコントラストの低下を抑えて、ウエハ上転写像コントラストと反射率コントラストを両立させた反射マスクを用いることで、半導体装置の性能を向上させることを可能とする。
【解決手段】極短紫外光を用いて露光する半導体装置の製造に用いられる露光用マスク１であって、極短紫外光を吸収する吸収膜１３および極短紫外光を反射する作用を有するマスクブランクス１２を具備し、前記吸収膜１３の膜厚が、当該露光用マスク１を用いてウエハ上に転写される光学像コントラストが極大となるように決定されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 波長に対して依存性の無いハーフトーン特性を有するハーフトーンマスクを容易に製造することが可能なハーフトーンブランクスを提供する。
【解決手段】 透明基板１上に、半透過膜２、エッチングストッパー膜３、遮光膜４が順次形成されている。エッチングストッパー膜３は、遮光膜４をエッチングする際にエッチングが半透過膜２まで進行しないようにする。遮光膜４及び半透過膜２はクロムより成る膜である。半透過膜２は、ハーフトーン露光を行うための所定の半透過特性が得られるよう遮光膜４より薄い厚さで形成されている。半透過膜２は、アルゴン５０％、炭酸ガス５０％の混合ガス雰囲気中でクロム製のターゲットをスパッタすることにより作成されている。 （もっと読む）

【課題】感光性材料に形成されるパターンの寸法がローカルフレアの影響によって変動することを抑えることが可能なフォトマスクおよび該フォトマスクを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトマスクには、感光性材料に転写する主パターン遮光部１が形成されている。フォトマスクの少なくとも主パターン遮光部１が形成された部分を除いた領域が、半透明部３で構成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥検出感度の低下が生じにくいハーフトーンマスクを提供することを目的とする。さらに、欠陥の発生を抑制することができるパターニング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるハーフトーンマスクは、レジスト１６にパターンを転写するハーフトーンマスク５であって、一方の面にパターン形成面を有する透明基板１１と、パターン形成面にパターン形成され、当該パターンがレジスト１６に転写される遮光膜１２と、透明基板１１のパターン形成面と反対面に形成された第１の半透明膜１３とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリを有する半導体装置の信頼性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面上に第１導体膜、第１絶縁膜、第２導体膜およびネガ型のフォトレジスト膜を堆積し、フォトマスク９を用いてネガ型のフォトレジスト膜を露光し、現像する工程を含み、フォトマスク９は、半導体基板の主面上の第１領域に対応する第１部分９ａと、半導体基板の主面上の第２領域に対応する第２部分９ｂとを有し、第１部分９ａは、第１領域におけるネガ型のフォトレジスト膜上に所望のパターンを結像するための第１のマスクパターン１０ａを備え、第２部分９ｂは、第２領域におけるネガ型のフォトレジスト膜上に特定のパターンを結像しないように、露光光の解像限界以下の寸法および間隔で配列した、複数の遮光パターンを有する第２のマスクパターン１０ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】露光装置を改造することなく特定の波長をカットしたパターン露光を行うことで微細なパターン形成が可能な露光マスクを提供する。
【解決手段】開口パターン５ａが形成された遮光層５を有する露光マスク１において、遮光層５に形成された開口パターン５ａを塞ぐ状態で特定波長の光のみを透過するフィルタ層９を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安いコストで１００％近いフィルファクターを達成するマイクロレンズを作製するためのグレイスケールレチクルの製造方法を提供する。
【解決手段】クオーツウエハ基板を準備するステップと、クオーツ基板の表面にＳＲＯ層を堆積するステップと、多段式のリソグラフィを用いて、ＳＲＯ層をパターニングしてエッチングすることにより、最初のマイクロレンズを形成するステップと、ＳＲＯ層をパターニングしてエッチングすることにより、ＳＲＯ層に凹部パターンを形成するステップと、ＳＲＯ層上に不透明薄膜を堆積するステップと、不透明薄膜をパターニングし、エッチングするステップと、平坦化層を堆積し、平坦化するステップと、クオーツウエハを選択したレチクルブランクよりも小さい大きさの長方形片に切断するステップと、を含む。撮像機器のマイクロレンズアレイは、以上のように製造したグレイスケールレチクルを用いて作製する。 （もっと読む）

【課題】１回の不純物導入工程により、低濃度不純物領域および高濃度不純物領域を形成することのできる半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、およびこれらの製造方法に使用されるハーフトーンマスクを提供すること。
【解決手段】ＴＦＴを製造する際、ハーフトーンマスク３０およびポジ型のレジスト材料２００を用いてレジストマスク２０を形成した後、半導体膜１ａに対して高濃度不純物を導入し、ソース側高濃度不純物領域１ｃおよびドレイン側高濃度不純物領域１ｆを形成する。ハーフトーンマスク３０では、半透光膜３２が遮光膜３１の両側端部を覆うように形成されているため、レジストマスク２０には、厚い部分２０ｂと薄い部分２０ｃとの間に中間厚の部分２０ｄが形成され、中間厚の部分２０ｄと重なる領域にはソース側低濃度不純物領域１ｅおよびドレイン側低濃度不純物領域１ｆが形成される。 （もっと読む）

【課題】３次元形状を露光するための露光用マスクにおいて、グレーティングパターンの微細化を伴うことなく、透過率制御範囲を拡大する。
【解決手段】３次元形状を形成するための露光用マスクであって、露光光を透過させる透明基板１０と、基板１０上に露光光を遮断する遮光パターン１１を一定ピッチで配置してなり、且つ遮光パターン１１の大きさを徐々に変えた第１のグレーティング部１００と、基板１０上に露光光を一部透過させるハーフトーンパターン１２を一定ピッチで配置してなり、且つハーフトーンパターン１２の大きさを徐々に変えた第２のグレーティング部２００とを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する欠点を正確に検出できるＥＵＶマスクブランク用の検査膜付基板、ならびに該検査付基板を用いた反射膜付基板およびＥＵＶマスクブランクの提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される検査膜付基板であって、前記検査膜の材料は、ＳｉおよびＣｒからなる群から選択される少なくとも１つよりなり、前記検査膜の膜厚は２〜５０ｎｍであることを特徴とする検査膜付基板。前記検査膜の反射率は、検査波長（４８８ｎｍ）において、入射角度が０（ゼロ）〜１０度のすべての範囲で４０％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光学系ないし光学装置の焦点制御を一層正確に行うことができるフォーカス制御方法を提供する。
【解決手段】本発明では、焦点制御用の基準パターン（５）を用いて、システム全体の基準系を設定する。試料を検査し又は試料の物理量を測定する光学装置の焦点及びオートフォーカス機構の焦点を基準系に整合させる。そして、オートフォーカス機構の変位対象物を試料表面（４）に設定し、試料表面の基準点からの変位量を測定し、変位した点をオートフォーカス機構の制御の動作点として光学装置の対物レンズ（６）の焦点を制御する。基準系を設定する際、基準パターンについてベッケ効果を利用して合焦判定を行う。 （もっと読む）