【課題】円筒状または円柱状のマスクの位置情報を正確に取得でき、基板上にパターン像を良好に形成することができるマスクを提供する。
【解決手段】マスクＭは、パターンＭＰが形成され所定軸Ｊの周りに配置されたパターン形成面ＭＦと、パターン形成面に形成されたパターンからなり、パターンは外周面の周方向に複数形成され、パターン形成面の所定領域にパターンに対して所定位置関係で形成された位置情報を取得するためのマークとを備えている。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス用基板に関する評価項目を１回の測定で検査でき、基板とは非接触で、高い測定精度が得られる電子デバイス用基板形状検査装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板の形状を光学的に検出する形状検出手段１と、検出した形状情報に必要に応じた画像処理を施す形状情報処理手段５と、前記検出した形状情報又はこれに前記画像処理を施した形状情報に基づいて前記基板の形状を測定する形状測定手段６とを備え、前記形状検出手段１は受光部を備え、前記基板の少なくとも測定部位を通過した光を反射させて再び前記受光部に戻すように光路中に光学部材を介在させた。 （もっと読む）

【課題】露光精度の向上を図ることができるＥＵＶ露光用ステンシルマスクを提供する。
【解決手段】ＥＵＶ露光用ステンシルマスク１９の少なくともＥＵＶ光が照射される側にＥＵＶ光を反射する多層膜反射層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】平面度の高いＥＵＶＬ用マスクの基板を提供する。
【解決手段】平面度の高いＥＵＶＬマスク用の基板１２１の製造方法であって、基板１２１の凸部３１が位置する部分の裏面の近傍にレーザ光を集光し、裏面の近傍にボイド３４を作成するステップと、基板１２１の凹部３２が位置する表面の近傍にレーザ光を集光し、表面の近傍にボイド３６を作成するステップと、基板１２１の裏面に導電膜１２１ｂを、裏面の凹部に対して凸部よりも厚く形成するステップとを有するＥＵＶＬマスク用基板の製造方法。 （もっと読む）

光透過性のアパーチャのランダムなパターンを有する小型のマスク（セル・マスクとも呼ばれる）を形成し、次いでこのマスクを反復的に複製して大型のマスクを作製することによって、ランダムなアパーチャを有する大型のマスクを形成することができる。ランダムなパターンは、アパーチャの位置を少量だけ摂動させることによって作製されてもよく、または特定の基準を満たしていれば、アパーチャをセル・マスク内にランダムに配置してもよい。あるいは、セル・マスクを使用せずに光透過性のアパーチャのランダムなパターンを有する大型のマスクを形成してもよい。このような大型のマスクは、非ランダムにパターン形成された構造を有するデバイスに生じる干渉、回折、またはその他の光学作用を受けない拡散板またはその他のデバイスを製造するために使用することができる。
（もっと読む）

【課題】円筒状の継ぎ目のないマスクにおいて、網点やベタ図柄など大小画像が混在した連続図柄のデザインが可能であると共に、高耐久性を可能とするシームレスマスク構成体の提供。
【解決手段】円筒状基材とマスク材とからなる円筒状マスク構成体であって、該基材が活性光線に実質的に透明であること、かつ該マスク材が該基材上に継ぎ目なく配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのたわみによるパターニングの精度悪化を抑制する。
【解決手段】重ね合わせた複数枚のガラス板と、少なくとも一枚のガラス板によって保持されるパターン形成層とを備えるパターニング用ガラスマスク。 （もっと読む）

【課題】レジスト塗布工程において発生するフリンジ部の幅と高さをより小さくすることが可能なフォトマスクブランクスを提供する。
【解決手段】透光性基板１の主表面２と面取り部４との間に、面取り部４の俯角Ｘに対して小さく、俯角Ｙが１０°以上２０°以下になるような傾斜部１１を形成することにより透光性基板１の周縁部３におけるレジスト１３のフリンジ部９の幅Ｗと高さＨを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】滞留電子の十分な低減を図ることができる電子ビーム投影露光用ステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】電子ビーム投影露光に用いられるステンシルマスク（１０）は、シリコン基板（１２）と、シリコン基板に形成された絶縁膜（１４）と、絶縁膜に形成されたシリコン膜（１６）とを備え、シリコン基板及び絶縁膜にはこれらを貫通する開口（１８）が設けられ、シリコン膜にはこれを貫通しかつ開口に連なる複数の孔（２０）が設けられている。シリコン基板と絶縁膜とにはこれらを貫通する少なくとも１つの穴（２２）が設けられ、この穴にはシリコン基板とシリコン膜とに接する導電性物質（２４）が配置されている。 （もっと読む）

【課題】パターンの形状又は密集度合いに依存することなく、同一の露光条件で微細パターンを形成する。
【解決手段】輪郭強調マスク１ａは、露光光に対して透過性を有する透過性基板２ａと、透過性基板２ａ上に形成された半遮光部３ａと、半遮光部３ａを開口して設けられ且つ孤立コンタクトパターンと対応する開口部４ａと、半遮光部３ａと開口部４ａとの間に開口部４ａを取り囲むように形成されたリング状の位相シフター５ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】高平坦かつ高平滑なガラス基板を生産性良く製造する加工方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板に対して、加工前のガラス基板面の表面形状を測定する工程と、場所ごとに加工条件を変えて基板面内を加工する工程（第１の加工工程）と、第１の加工工程が施されたガラス基板表面を仕上げ研磨する工程（第２の加工工程）と、を備える加工をおこなって、高平坦かつ高平滑なガラス基板を生産性良く得る。このとき、第１の加工工程における基板面内のそれぞれの場所の加工条件は、加工前のガラス基板面の凹凸形状と、同様の基板を用いて別途測定された第２の加工工程による加工量の面内分布と、から決められた加工量から決められる。 （もっと読む）

【課題】 多様な照射領域を形成可能な貫通孔を有するとともに、貫通孔を通過したイオン化原子が、半導体基板の表面の所望の領域によく一致して照射されるステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】 ステンシルマスク１０は、半導体基板が配置される側の裏面層５０と、イオン化原子が入射する側の表面層２０と、裏面層５０と表面層２０の間に設けられている中間層３０を備えている。裏面層５０には、所定領域に対応する形状の第３貫通孔５２、５６が形成されている。中間層３０には、第３貫通孔５２、５６に連通する第２貫通孔３２、３６が形成されている。表面層２０の少なくとも一つの一巡第２貫通孔３２に対応する範囲に、その一巡第２貫通孔３２に連通する複数の分散第１貫通孔２２が分散して形成されている。 （もっと読む）

【課題】転写マスクで発生するＢＯＸ層の圧縮応力及び致命的欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスク及び転写マスクブランク並びに転写マスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供することを目的とする。
【解決手段】転写マスクブランク１０は、開口部１２が形成された単結晶シリコンからなる支持基板１１の開口部１２上にメンブレン形成領域６１とメンブレン支持領域６２とからなるメンブレン３１ａが設けられており、メンブレン３１ａのメンブレン支持領域６２はＢＯＸ層２１ａを介して支持基板１１に接合されている。なお、支持基板１１には表裏重ね合わせ用マーク５１ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】厳密な位相の制御を必要とすることなく、フォトマスク作製が容易で、かつ露光工程のフォーカス状態からのずれ量およびずれ方向を高精度かつ簡便に検出することができ、露光精度の向上等に寄与し得るフォーカスモニター用マスク及びフォーカスモニター方法を提供すること。
【解決手段】本発明のフォトマスクは、マスク基板と、前記マスク基板上に配置された最適フォーカス位置にオフセットを載せるための段差と、前記段差領域に露光光のフォーカス変動により寸法を変化させる性質を持つモニターパターンを有するものである。この構成により、マスク製造を容易にすることができる。 （もっと読む）

【課題】コストの大幅な上昇を招かずにステージの加減速の回数を低減させることができ、その結果として露光精度を向上させることができる露光装置等を提供する。
【解決手段】露光装置ＥＸは、被露光体としてのウェハＷに転写すべきパターンを有する回転可能なレチクルＲと、ウェハＷを保持してＸＹ面内で移動可能なウェハステージＷＳＴとを備えている。レチクルＲは、例えば円筒形状又は円柱形状であり、その周上にウェハＷに転写すべきパターンが形成されている。主制御系ＭＣは、レチクルＲの回転とウェハステージＷＳＴの移動との同期をとりながら、レチクルＲに形成されたパターンをウェハＷ上に転写する制御を行う。 （もっと読む）

【課題】安価且つ容易に作製可能なＸ線リソグラフィー用マスクを提供する。
【解決手段】Ｘ線リソグラフィー用マスク１は、光反射防止凹凸構造２３を有する光反射防止構造体２２をＸ線リソグラフィーにより製造するためのものである。Ｘ線リソグラフィー用マスク１は、Ｘ線を透過させる第１の基板１０と、第１の基板１０上に形成されたＸ線遮蔽膜１１とを備えている。Ｘ線遮蔽膜１１はＸ線遮蔽材料を含む。Ｘ線遮蔽膜１１は複数のＸ線透過部１１ａを包含する。複数のＸ線透過部１１ａは、光反射防止凹凸構造２３により反射が抑制される光の波長以下のピッチで膜面方向に沿って配置されている。 （もっと読む）

【課題】 荷電ビーム成形のための開口パターンが、微細かつ寸法と位置の精度が良く、加えてパターン頂点に全く丸みの無い荷電ビーム成形マスクを提供する。
【解決手段】 多層構造の薄膜に多角形開口を有する荷電ビーム成形マスクであって、各薄膜層に形成された異なる貫通口の重なり部分で前記多角形開口を形成し、各薄膜層に形成された開口の辺と辺が重なり合う位置で前記多角形開口の頂点を形成するために、ビーム成形パターンの頂点に丸みが無く、かつ、位置合わせリソグラフィとドライエッチングによって開口を形成するため、位置精度と寸法精度に優れたビーム成形パターンを有する荷電ビーム成形透過マスクを提供する。 （もっと読む）

【課題】 第１には、プロキシミティ露光方式の露光装置にて、マスクホルダー（マスクステージとも言う）自体を傾ける等のマスク基板の撓み調整手段を用いなくとも、マスクの自重による撓みの影響を少なくすることができる露光方式を提供する。
【解決手段】 マスクホルダーに保持されたマスク基板の自重に起因する撓みに対応して、マスク基板、ワーク間のギャップのバラツキを少なくするように、マスク基板の基材に表面加工を施して、マスク基板の基材の厚み方向の形状を制御している。 （もっと読む）

【課題】この発明の目的は、フォトマスク自体の平坦度を向上させることのできるフォトマスク基板を提供することにある。
【解決手段】フォトマスクを作製するためのフォトマスク基板において、フォトマスク基板を、前記フォトマスクの大きさに対応した径を有する円形に形成することにある。さらに、前記フォトマスク基板は、それ自体が研磨手段の間で自転及び公転する研磨装置において研磨されるものである。また、前記フォトマスクは、少なくとも５インチの径を有する。 （もっと読む）

所定のパターンが形成される面を有する基板を与えること；該基板に加わる外力による該面の変形量を得るために、該基板を露光装置内に配置すること；該変形量および該基板のターゲットとなる平坦度に基づいて、該面のターゲットとなる面プロファイルを計算すること；および該基板を該露光装置内に配置した際に、該面を実質的に平坦にするために該面を加工することを含む方法によりフォトマスクが製造される。
（もっと読む）