【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、この基板表面に形成された多層反射層２１と、この多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造構成において、マスクブランク製造前の基板１１に微細な凹凸パターンを設けることで、反射型マスクとして使用する際に、位相効果により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠を作製する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の内部欠陥による蛍光部画像がモヤ状画像でもそのエッジを検出して内部欠陥の検出精度を高める。
【解決手段】マスクブランク用ガラス基板の製造時に、２つの主表面と４つの端面を有するガラス基板を準備する基板準備工程と、いずれかの面から波長２００ｎｍ以下の検査光をガラス基板内に導入して内部欠陥を検出する欠陥検査工程とを有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、欠陥検査工程は、いずれかの面から前記ガラス基板を撮影し、当該撮影画像に対して遠隔差分により光量差を求める処理を含む画像処理を行うことで、検査光によって、ガラス基板の内部欠陥から発生する蛍光の有無を判定し、蛍光が無いと判定されたガラス基板を選定する。 （もっと読む）

【課題】矩形状の基板の両主表面を研削する場合に、研削後の基板の主表面形状を良好にし、かつ、当該研削を行う定盤の平坦度低下を抑制できるようにする。
【解決手段】両面研削装置の回転する上下両定盤３，４の研削面間にキャリアで保持された矩形状の基板２０を挟持して前記基板２０の両主表面を研削する研削工程において、前記キャリアは、１枚の基板２０を保持する基板保持部１７を備える内側キャリア１６と、前記内側キャリア１６を回動自在に保持するキャリア保持部１５を複数有する外側キャリア１３とからなり、前記研削工程は、前記外側キャリア１３を前記定盤３，４の回転軸を中心に公転かつ自転させ、前記基板２０の両主表面の一部領域が前記定盤３，４の外周端部よりも外周側を通過させて前記基板２０の両主表面を研削する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。
【解決手段】被加工物表面の加工前のプロファイルを測定し、気体又は液体から成るエッチング剤を前記表面に向けて所定の流量で供給する供給手段を、該表面上の各点において前記目的プロファイルと前記加工前プロファイルの差から求めた加工深さにより定まる速度で、該表面に沿って移動させることにより、該表面をエッチングし、前記流量のエッチング剤を除去可能な量以上の吸引量で、前記表面付近の液体又は気体を吸引除去する。ここでエッチング剤が液体の場合には、液体と共に、該液体が気化した気体も吸引除去する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の製造に重要な光リソグラフィ法において使用されるフォトマスク基板用合成石英ガラス基板やナノインプリント用モールド基板等の非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造において、比較的簡便な方法で、形状精度が高く、全面が鏡面化された基板を得る。
【解決手段】半導体用合成石英ガラス基板１の少なくとも一方の面に非貫通の穴２、溝又は段差を形成する研削工程と、形成された非貫通の穴２、溝又は段差の底面及び側面に回転研磨ツールの研磨加工部をそれぞれ独立した一定圧力で接触させて底面及び側面の研削面を鏡面加工する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な方法でサイズ、底面の残し厚さ、平行度等、形状を高精度に安定的に制御され、加工を施す前後の基板全体の形状変化を抑えた、非貫通の穴、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板全体の複屈折量の最大値が３ｎｍ／ｃｍ以下の半導体用合成石英ガラス基板の少なくとも一方の面に非貫通の穴２、溝又は段差を形成する研削工程と、研削による残留応力を除去する工程とを含む、非貫通の穴２、溝又は段差を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造方法。フォトマスク基板用合成石英ガラス基板やナノインプリント用モールド基板等の非貫通の穴２、溝３又は段差４を有する半導体用合成石英ガラス基板の製造において、比較的簡便な方法で、形状精度が高い基板を得ることができ、非貫通の穴２、溝又は段差の加工を施す前後の基板全体の形状変化を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】光リソグラフィー法等で使われるフォトマスク用合成石英ガラス基板として、平坦度が良く微細な描画を行うことができ、かつ基板表面が低欠陥で面粗さの小さい合成石英ガラス基板を提供する。
【解決手段】表面中央１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角の外周から表面外周縁へ向かって傾斜している６インチ角の合成ガラス基板であって、表面中央１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角の平坦度が５０ｎｍ以下、表面中央１４８ｍｍ×１４８ｍｍ角内であって表面中央１３２ｍｍ×１３２ｍｍ角部分を除いた額縁部分の平坦度が１５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】加工ヘッドを対向するガラス基板に対して走査しながらエッチャントをガラス基板との隙間に供給しこれを吸引排出することでガラス基板の表面を加工する際、走査速度を速めても、平坦化のために算出した目的の除去量（計算値）と実際の加工における除去量にずれを生じさせることなくガラス基板の表面を加工する。
【解決手段】加工ヘッド２によりエッチャントをガラス基板３の表面に供給し吸引することにより、加工ヘッド２とガラス基板３との隙間に一定面積のエッチャント流路を形成し、加工ヘッド２とガラス基板３とを相対的に走査してガラス基板３の表面を加工する際、前記エッチャント流路を流れるエッチャントを該エッチャント流路の外側から前記エッチャント流路の外周を取り囲むようにして、全周方向からエッチャント流路の中心に向かって流れる乾燥ガスの加圧ガス流で加圧し、前記エッチャント流路内にエッチャントを封じ込める。 （もっと読む）

【課題】露光装置のマスクステージにチャックした後の平坦度が良好なマスクブランク用基板。
【解決手段】マスクステージにチャックされる側の主表面における外周端面から内側２ｍｍの領域を除いた方形の領域１６０の平坦度が０．６μｍ以下であり、前記領域１６０は、マスクパターンを形成するための方形領域であるパターンエリア１４０を含み、前記領域１６０のコーナー部における形状は、基板主表面の中心を通り基板の四隅の頂点を結ぶ対角方向における基板主表面の形状を測定したときに、前記基板主表面における外周端面から内側１５ｍｍの領域を除いた内側方形領域１７０のコーナー１８０における高さを基準としたときの外周端面から内側１０ｍｍの領域を除いた外側方形領域（この場合、パターンエリア１４０と同じ）のコーナー１９０における高さが、−０．０２μｍ以上０．０５μｍ以下であることを特徴とするマスクブランク用基板。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属のガラス基板の表面への拡散を確実に防止することができるマスクブランクス、フォトマスクの製造方法及びフォトマスクを提供すること。
【解決手段】マスクブランクス１０は、アルカリ金属を含有するガラス基板１、このガラス基板の表面上に形成された拡散防止層２、拡散防止層２上に形成された遮光層３、遮光層３上に形成された反射防止層４を備える。ガラス基板の表面が研磨され、その表面粗さＲａが２ｎｍ以下とされた。表面粗さＲａが２ｎｍ以下であっても、拡散防止層２が設けられることにより、ガラス基板１からアルカリ金属が他の層へ拡散することを抑制し、マウスニップ欠陥の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板の主表面上に薄膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法であって、
前記薄膜を形成する側の主表面の表面形状が凸形状である基板に対し、クロムを主成分とする材料からなり、引張応力を有する前記薄膜をスパッタリング法で形成することにより、前記薄膜の成膜前よりも主表面の平坦度が高いマスクブランクを得ることを特徴とするマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク形状の補正機能を備えた露光装置に対応した平坦度を持つマスクブランク用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明においては、基板の主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定し、基板のチャック前主表面形状とマスクステージの形状に基づいて、基板から作製されたフォトマスクを露光装置にセットしたときにおける基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得て、基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第１の方向に沿う断面形状に近似する第１近似曲線を算出し、第１近似曲線から近似曲面を算出してチャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出し、補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、所定閾値以下であるものを選定する。 （もっと読む）

【課題】露光装置にセットしたときの透光性基板の平坦度をシミュレーションにより高精度に算出してマスクブランク用基板を製造する。
【解決手段】シミュレーション工程Ｓ３において、主表面形状の情報とマスクステージの形状情報とに基づき、捩じれ変形を考慮した撓み微分方程式を用いて、透光性基板を露光装置にセットしたときの複数の測定点の高さ情報をシミュレーションして得て、このシミュレーションして得た高さ情報に基づき、平坦度算出工程Ｓ４にいて透光性基板を露光装置にセットしたときの当該透光性基板の平坦度を算出する。この平坦度が仕様に適合するか否かを選定工程Ｓ４で判定して、平坦度が仕様に適合する透光性基板をマスクブランク用基板として用いる。 （もっと読む）

【解決手段】フォトマスクの保持部が位置する正方形形状の基板の表面の周縁をなす辺のうち対向する２辺の各々の辺から内側２ｍｍと１０ｍｍの間で、かつ各々の辺の長さ方向両端から２ｍｍの部分を除いた範囲に位置する二つの帯状領域において、任意の共通基準平面から各帯状領域内の各座標への距離に基づき算出される二つの最小自乗平面の法線同士がなす角度が１０秒以下であり、二つの帯状領域の高さが０．５μｍ以下であることを特徴とするフォトマスク用ガラス基板。
【効果】ＩＣ等の製造の際に重要な光リソグラフィ法で使用されるシリカガラス系等のフォトマスク用ガラス基板において、フォトマスク露光時のマスクステージにフォトマスクを真空チャック等により固定したときのフォトマスクの全体の表面形状変化が抑制されたガラス基板を、従来の検査工程と同様の工程で生産性よく提供することができる。 （もっと読む）

【課題】遮光部、透光部、および位相シフタ部を正確に画定する。
【解決手段】基板上に形成された遮光膜がパターニングされてなる遮光部と、基板の一部表面が露出してなる透光部と、基板の一部表面がエッチングされてなる位相シフタ部と、を有する光学素子の製造方法であって、基板上に遮光膜と第１のレジスト膜とがこの順に積層された光学素子ブランクを用意する工程と、第１のレジスト膜を描画して現像することにより、遮光部の形成予定領域を覆うと共に、位相シフタ部の形成予定領域を画定する第１のレジストパターンを形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの微小なホールの領域が梁によって阻害されない、また露光時の蓄熱に起因したメンブレンの熱たわみや位置ずれ等の発生を抑止あるいは解消することのできる荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パターニングされたメンブレン領域を有する上側ウエハと、パターニングされたメンブレン領域を有する下側ウエハと、上側ウエハと下側ウエハとが接合された２層構造であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。 （もっと読む）

【課題】金属異物を除去することによりガラス基板の傷の発生を低減できるガラス基板の加工装置、ガラス基板の製造方法、その方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板またはフォトマスク用ガラス基板、及び繰り返しガラス基板を加工する方法を提供する。
【解決手段】上定盤と下定盤との間に保持したガラス基板をスラリーまたはクーラントを供給しながら加工するガラス基板の加工装置であって、スラリーまたはクーラントが循環する循環経路中に剥離可能な被覆材で被覆された磁石を備える。 （もっと読む）

【課題】 エッチング率が異なる多数の反射膜を効果的にパターニングして精度を向上させることができるレーザ反射型マスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 レーザビームの反射領域に所定の深さの反射膜埋め込み溝が形成されているベース基板の上部に、反射率差を有する反射膜を順次繰返して積層し、化学機械研磨工程や、レーザビームの照射またはエッチング液によるリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた部分を除いた残りの領域に積層された反射膜を除去し、溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成することにより、マスクの製造工程を容易にすると共に、正確なパターンを形成することができるレーザ反射型マスク及びその製造方法に関する。また、ベース基板の上部に犠牲膜を形成するステップと、ベース基板におけるレーザビームの反射領域と予定された領域に対するエッチング工程を通じて、犠牲膜及びベース基板をリセスして犠牲膜パターン及び所定の深さの反射膜埋め込み溝を形成するステップと、犠牲膜パターン及び反射膜埋め込み溝が形成されたベース基板の上部に、反射率の異なる第１の反射膜と第２の反射膜を、反射膜埋め込み溝が完全に埋め込まれるまで交互に繰返して積層するステップと、ベース基板の底面方向からベース基板にレーザビームを照射し、犠牲膜パターンと犠牲膜パターンの上部に積層された第１及び第２の反射膜を除去するレーザリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成するステップと、ベース基板の上部に残留する犠牲膜パターンを除去するステップと、を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】合成石英ガラスブロックを複数個積み重ねて、これらを雰囲気炉内で熱処理する合成石英ガラスの熱処理方法であって、上記合成石英ガラスブロックが多角柱又は円柱であって、その高さがこの多角柱の底面の対角線よりも短い又は円柱の底面の外径よりも短いものであり、これらブロック間に空隙を設けてブロック同士を接触させずに積み重ね、熱処理する合成石英ガラスの熱処理方法。
【効果】本発明によれば、例えば、エキシマレーザ、特にはＡｒＦエキシマレーザ用、更にはＡｒＦ液浸技術等に使用されるフォトマスク用合成石英マスク基板材用途、所謂レチクル材用に使用され、良好な透過率及び均一な透過率分布を有し、しかも劣化の少ない上、更には複屈折率の低いエキシマレーザ用合成石英ガラス基板、また高精細ディスプレイ用の光部品用基板等の素材となる合成石英ガラスを提供できる。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板内部の表面近傍を含む全ての領域の内部欠陥を確実に検出して欠陥のない製品を製造可能にする。
【解決手段】 板状ガラスをマスクブランク用ガラス基板の形状に加工する１次形状加工工程と、前記ガラス基板の一端面を鏡面研磨し、波長２００ｎｍ以下の検査光を導入して内部欠陥から発生する蛍光の有無を検査し、蛍光が検出されないガラス基板を選定する欠陥検査工程と、前記選定されたガラス基板を研削および研磨を行う２次形状加工工程とを有し、前記欠陥検査工程における前記ガラス基板内の内部欠陥から蛍光が発生するのに必要な強度の検査光が届く領域の両主表面間方向の幅は、２次形状加工工程後のガラス基板の両主表面間の厚さよりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）