【課題】 プラズマディスプレイのような大型基板についてパターニングするに際し、必要とされる高品質な大型フォトマスクを、歩留を大きく向上させ、且つ、製造コストを低減させることが可能なフォトマスク、フォトマスク用のマスクブランク及びこれらを使用した転写方法を提供する。
【解決手段】 ガソーダ石灰ガラスにより構成されたガラス基板上にＣｒ系化合物により遮光部が形成されたフォトマスク又はマスクブランクスであって、ソーダ石灰ガラス中に酸化鉄を含有し、ガラス組成を重量％で表示した場合におけるＦｅ濃度がＦｅ_２Ｏ_３濃度換算にて０．１％を超えて、０．７％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク製造における欠陥の低減、及びスループットの向上を実現できるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に、互いに素材の異なる光半透過膜及び遮光膜を順次成膜したフォトマスクブランクを準備する工程と、該フォトマスクブランク上に所望のレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとして、前記遮光膜及び前記光半透過膜を、主成分とするエッチングガス種を変更しないで用いる条件にて連続的にエッチングして、前記遮光膜と前記光半透過膜のパターンを形成する工程と、を有するフォトマスクの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】露光不良を抑制できるマスク、ステージ装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】マスクステージ１のマスク保持部３は、第１保持部材８と、第２保持部材９とを備える。第１保持部材８の熱膨張率と第２保持部材９の熱膨張率とは、異なる。第１保持部材８の熱膨張率と第２保持部材９の熱膨張率の差により、マスクＭを変形させる。 （もっと読む）

【課題】新規な構造を有する位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】照射光に対して透明な基板上に、ラインパターンが形成された遮蔽領域と、前記遮蔽領域の両側にそれぞれ配置された第一の透明領域および第二の透明領域とを有し、前記第一の透明領域の下方には位相シフタが形成されており、前記位相シフタの側壁が、外側に凸の湾曲部を有している位相シフトマスクを提供する。この位相シフタは、例えば、前記基板上からフェムト秒パルスレーザーを照射しつつ走査することで、形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクまたはＥＵＶマスクブランクスに好適な平坦性に優れた基板の提供。
【解決手段】ＥＵＶマスク用の基板１１であって、前記基板の材質はＴｉＯ₂を１〜１２質量％含有するシリカガラスであり、前記基板の表面粗さ（ｒｍｓ）は表面品質領域において２ｎｍ以下であり、前記基板の応力の最大ばらつき（ＰＶ）は、表面品質領域において０．２ＭＰａ以下であり、熱膨張係数が、０〜１００℃の温度域において２００ｐｐｂ／℃であるＥＵＶマスク用の基板。 （もっと読む）

【課題】 マスクブランクの光学特性に係る仕様の逸脱や、被転写体のパターン欠陥を防止する。
【解決手段】 マスクブランク製造部門が、マスクブランク用透明基板上にマスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造し、これをマスク製造部門に提供する際、マスクブランク用透明基板の光学特性情報（透過率ばらつき）と、マスクブランクの光学特性情報（透過率ばらつき及び／又は位相差ばらつき）をマスク製造部門に提供する。また、マスクブランク用透明基板の光学特性情報は、マスクブランク用透明基板を製造する素材・加工部門からブランク製造部門に提供される。 （もっと読む）

【課題】大型化したフォトマスク用基板において、基板の外側端面を鏡面化処理してパーティクルの発生を防止しているため、ハンドリング時に手から重い基板が滑り、しっかりと保持できない場合がある。
【解決手段】波型部６の外形形状に合致する外形を備えた回転する研削工具１０を用いて、矩形に形成した合成石英ガラス製のガラス基板１の４辺に対し厚さ方向に沿って複数の凹凸部４，５が連なる波型部６を辺の全長にわたって形成し、波型部６にハンドリング時の手のひら、指の腹等が引っ掛かるようにした。 （もっと読む）

【課題】薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板の主表面上に露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜を形成したマスクブランクの製造方法であって、予め既知の平坦度および表面形状を有する電子デバイス用基板の主表面上に、マスクブランクを製造するのと同じ成膜条件にて前記薄膜を成膜し、該薄膜の膜応力に起因した基板の平坦度変化量を求め、マスクブランクが所望の平坦度となるように、前記基板の平坦度および表面形状を決定して、前記基板の主表面が決定した平坦度および表面形状を有する基板を準備する工程と、前記基板の主表面上に露光光に対して光学的変化をもたらす薄膜を形成する工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高いフォトマスクの重ね合わせ精度を要求されるフォトマスクに好適な基板セットを提供すること。
【解決手段】本発明の基板セットは、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクで使用される基板を複数枚セットとしたマスクブランク用基板セットであって、複数枚セットで用いられる基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、基準基板の基準主表面に対してフィティングを行ったときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ペリクルを貼り付ける前後で平坦度及び形状の変化が小さいフォトマスクを製造することができるフォトマスクブランクスを選択する方法及び製造する方法を提供する。
【解決手段】 ペリクルを貼り付ける領域内において、フォトマスクブランクスの中心を対称点として点対称の関係にある二点の高低差が０．１５μｍ以下であるか、フォトマスクブランクスの中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが０．２０μｍ以下であるものを選択するフォトマスクブランクスの選択方法、及び、ペリクルを貼り付ける領域内におけるフォトマスク用基板の中心を対称点として点対称の関係にある任意の二点の高低差又はフォトマスク用基板の中心を中心とした同心円上の点における高さのバラツキが所定の値であるフォトマスク用基板を準備してフォトマスクブランクスを製造する方法、並びにこれらにより選択又は製造されたものを用いるフォトマスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い平坦性を有するマスクブランク用基板を効率的に製造する方法及びパターン転写精度に優れたマスクブランク用基板を提供する。
【解決手段】基板４の両主表面を研磨する研磨工程を経てマスクブランク用基板を製造するマスクブランク用基板の製造方法であって、研磨工程は、基板４をキャリア１で保持し、基板を上下に対向して設けられた研磨面を有する上定盤２と研磨面を有する下定盤３の両研磨面５、６の間に挟持した後、上下定盤２、３を、上下定盤の研磨面５、６に対して垂直な上下定盤の垂直軸を回転軸Ｏ１、Ｏ２としてそれぞれ回転させるとともに、基板４を、下定盤の回転軸Ｏ２に対して平行に偏心し且つ基板４の一部が下定盤の回転軸Ｏ２上又はその近傍に位置するように基板の自転軸Ｏ３を定めて、キャリア１を回転させることで自転させるものにおいて、少なくとも上定盤の研磨面５が所定の曲率半径を有する球面の一部からなり、上定盤の回転軸Ｏ１が下定盤の回転軸Ｏ２に対して所定の角度θ１で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】微細な位相シフト部を高いＣＤ精度で基板上あるいは位相シフト膜上に形成できるフォトマスクブランクを提供する。
【解決手段】透光性基板１に透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト部を設けた位相シフトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、前記位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の透光性基板を透過する露光光に対し所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から前記基板を掘り込んだ掘込部であり、前記透光性基板表面の転写パターン領域の外周領域に形成され露光光を遮光する遮光部１３と前記透光性基板表面の転写パターン領域に前記掘込部を形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜２０ａとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

反射レチクルは、ＥＵＶ放射の吸収から生じるパターン歪みを実質的に減少または除去する一方、業界基準と一致するレチクルの厚さを維持する。反射レチクルは、超低膨張（ＵＬＥ）ガラス層およびＵＬＥガラスの熱伝導率より実質的に大きい熱伝導率を有するコーディエライトの基板を含む。アルミニウム層はＵＬＥガラスの第１表面上に配置され、かつＵＬＥガラスの第２表面は実質的に平坦および欠陥を有さないように研磨される。コーディエライト基板は、陽極結合を用いてアルミニウム層に直接結合されて反射レチクルを形成することができる。あるいは、中間ゼロデュア層の第１表面をアルミニウム層に結合し、第２アルミニウム層を用いてコーディエライト基板をゼロデュア層の第２表面に陽極結合し、それによって反射レチクルを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置のマスクステージにチャックした後のマスク基板の平坦度をシミュレーションする必要がなく、しかも露光装置のチャック構造によらず、チャック後の所望の平坦度を実現すること。
【解決手段】本発明のマスクブランク用基板は、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクのマスクブランク用基板であって、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面が、中央部を含む１４２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下、かつ、中央部で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなる凸形状であり、仮想基準基板の１３２ｍｍ角内の領域で球面形状である仮想基準主表面を、前記主表面に対してフィッティングを行ったときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は大型の露光用フォトマスクを用いてプロキシミティ露光を行う際に、露光マスクと被露光基板との設定ギャップに到達するまでの時間を短縮することができる露光用フォトマスクを提供する。
【解決手段】本発明のフォトマスクは透明板状体の片面にマスクパターンが形成されたフォトマスクであって、マスクパターンの遮光部に該当する任意の位置に透明板状体を貫通する通気孔が単数または複数個形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ手法を用いたウエハ上へのレジストパターン形成で、レジスト膜減りを無くす。
【解決手段】フォトマスク１０は、パターン転写の為のフォトマスクにおいて、透過領域３と、孤立ライン部１と、孤立ライン部１上に形成された遮光領域２を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＤＥ／ＤＰ用マスク描画処理において要求される高い位置精度に対応可能な電子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 描画モードとして、前記重ね合わせ露光用マスク描画モードを選択するモード選択手段と、この重ね合わせ露光モードが選択されると、描画パターンの登録時に、この重ね合わせ露光用マスク描画で使用される複数の基板のうち、同種の形状を有するものを選定する形状選定手段とを備えた電子ビーム描画装置を提供する。
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【課題】 EUVマスクの裏面形状とピンチャックの表面形状の解像度の違いを考慮して、位置ずれ量に対する高精度な補正量を算出することが可能な電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 パターンの位置ずれ補正するために必要なＥＵＶマスクの裏面形状分布データのうち、前記ピンチャックのピンに接触する箇所の裏面形状分布データを抽出し、この抽出された裏面形状分布データのみから、前記位置ずれ量を算出する電子ビーム描画装置及び位置ずれ量補正方法を提供する。
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【課題】簡易な手段によりネガレジストを用いて、斜面を有する高低差の大きな三次元微細形状を得ることのできるレジスト露光方法を提供することにある。
【解決手段】第１回目の露光工程においては、フォトマスク３８を透過した光を露光用マスク２９に垂直に照射して通常の露光を行う。第２回目の露光工程においては、回折格子３５を備えた露光用マスク２９を用い、回折格子３５の１次回折光で斜め方向からネガレジスト３２に露光し、現像することによって斜面を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かぶり効果によるＣＤ変動を補正するための照射量のより精密な調整が可能な電子ビーム描画装置の調整方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子ビーム描画装置の調整方法は、電子ビームを測定用マスクの所定位置に照射し、電子ビームの照射された照射位置の周辺に所定間隔で設けられた複数の測定位置において、かぶり量を測定し、複数の測定位置においてそれぞれ測定されたかぶり量より、かぶり効果補正パラメータを求め、かぶり効果補正パラメータにより、電子ビームの照射量を調整する。 （もっと読む）