【課題】 微細なパターンを、より安定に形成することを可能にできるフォトマスクとレジストパターンの形成方法及びマスター情報担体の製造方法を提供する。
【解決手段】 レジスト２と接触させた状態で露光を行うためのフォトマスク３であって、レジスト２と接触する側の面に粗面領域３５を備えている。このことにより、粗面領域３５の実効的なレジストとの接触面積はごく僅かとなり、レジスト剥離を防止でき良好な離間性が実現でき、パターン欠陥を防ぎパターン精度の悪化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】平坦度が０．２５μｍ以内の高平坦度を有するマスクブランク用基板、マスクブランクおよびこの基板を用いたときのパターン位置精度や、転写精度が良好な転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアの保持孔に保持されたマスクブランク用基板を、該基板の上下両面に研磨パッドを貼った上下定盤に挟持させ、前記上下定盤を基板の被加工面と垂直な軸にそれぞれ回転させ、キャリアに保持された基板が、研磨パッド間で自転しながら公転する摺動運動をすることにより、前記基板を両面研磨して、前記基板主表面の表面粗さＲａが０．２５ｎｍ以下、平坦度が１μｍ以下になるようにした後、前記基板の少なくとも一主表面の平坦度を測定し、測定したデータに基づき基板の平坦度が所望の値となるように、前記一主表面において任意に設定した基準面に対して相対的に凸状になっている領域についてエッチング作用を利用して局所的に形状修正する。 （もっと読む）

【課題】特に厚いペリクル、しかしこれに限定されないペリクルの使用による画像形成に対する影響を改善および／または補償すること。
【解決手段】使用中のマスクの形に対するフレームおよびペリクルの機械的影響が、画像形成に対して最適になるように、ペリクル・フレームおよび／またはペリクルの機械的特性が最適化される。特に、ペリクル・フレーム組立体を機械的に中性になるように配置することができる。すなわち、マスクは、ペリクルを含んでいない場合の形と同じ、取り付けられたペリクルを有する同じ形を使用する。 （もっと読む）

計測学ツール較正方法および装置が開示される。前記装置は、その上に形成された少なくとも一つの較正サイトを備える。前記較正サイトは、基板の表面に配置された少なくとも一つのフィーチャーを有するセルのパターンを含む。前記フィーチャーは、ステップ高さ計測学ツールと位相計測学ツールを較正するために、ステップ高さ計測学ツールと位相計測学ツールによる計測に供される。
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【課題】 マスクと半導体基板とを挟ギャップ化し高解像の露光を実現すると共に、万が一マスクと半導体基板とが接触した場合にもマスクの破損を回避できるリソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンドウェハ１３は、透過膜１２の被転写体側の面であって照射光等の吸収体１６を配設する部位にガスクラスターイオンビームの照射によって表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底面１７ｃを有する凹部１７が設けられたことを特徴とする。マスクブランクス１０ａは、ダイヤモンドウェハ１３の凹部１７の底面１７ｃ上に吸収膜１６ａが形成されたことを特徴とする。マスク１０は、吸収膜１６ａを所望の転写パターンに形成してなる吸収体１６の厚さをＴ、凹部１７深さをＨとすると、Ｔ≦Ｈであることを特徴とする。 （もっと読む）