【課題】静電チャックに関して消費電圧の増大を抑制しつつ吸着力の強力化を図ることができるマスクブランクス、マスク、マスク保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】レチクルブランクスＲＢは、第１面４１及び該第１面４１の反対側に位置する第２面４２を有する板状のブランクス本体４０と、該ブランクス本体４０の第１面４１側に形成された導電層４３とを備えている。導電層４３には、多数の突起４６が所定間隔をおいて規則的に形成されている。このようなレチクルブランクスＲＢのブランクス本体４０の第２面４２側に反射層と、該反射層上に吸収層とを形成し、該吸収層に所定のパターンを形成することによりレチクルが完成する。このレチクルは、静電チャックに静電吸着される際、各突起４６の先端面４７が静電チャックの吸着面に密着する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを、パターンが描かれた中央部分とその周囲の力伝達部分とに分けて作成し、その後、接合することにより、材料費の低減および新たな設備投資の回避の可能性をもたらす。
【解決手段】フォトマスク１は、パターン表示領域５を含む中央部分３と、中央部分３の外周縁部を取り囲む力伝達部分４とに分けて作成される。両者は粘着テープ７で互いに接合される。力伝達部分４は、中央部分３を弾性的に変形させるための力付与手段と連結するための連結部（孔）８を有する。 （もっと読む）

【課題】網点状のマスクパターンを使い、光透過率の差で光感光性樹脂の硬化度を変えて樹脂突起間の膜厚差をつける方法においては、液晶の体積収縮に応じるだけの十分な膜厚差が稼げないという問題があった。フォトスペーサの高さが低めに設定された場合に、特に顕著になるこの現象に対し、十分な膜厚差が確保できるフォトスペーサの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】近接露光方式を用いるフォトリソグラフィー法によって基板上に高さの異なるフォトスペーサを製造するためのフォトマスクにおいて、前記フォトマスク面に凹部が形成され、該凹部に低いフォトスペーサに対応したマスクパターンを有することを特徴とするフォトマスクである。 （もっと読む）

【課題】高さの異なる複数種の凸状パターンを同一の材料を使用して同時に形成し、その形成工程を短縮する。
【解決手段】基板上に塗布された感光性樹脂を露光して高さの異なる複数種の凸状パターンを形成するためのフォトマスク１であって、透明なガラス基板２の一面を覆って形成された不透明膜３に多数形成され、複数種の凸状パターンに対応した開口を有して紫外光を透過させる第１及び第２のマスクパターン４，５と、上記複数種の凸状パターンの高さの最も高い凸状パターンを形成するための第１のマスクパターン４に対応してガラス基板２に形成された集光レンズ４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】所定の位相角及び透過率を有し、耐薬品性、耐光性、及び内部応力などの膜特
性に優れた光半透過膜又は光半透過部を有する位相シフトマスクブランクの製造方法等を
提供する。
【解決手段】透明基板上に、光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクの製造方法であって、透明基板上に、７０〜９５ｍｏｌ％のシリコンと、金属とを含
んだターゲットを窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及び
シリコンとを含み、圧縮応力を有する光半透過膜を形成した後、光半透過膜を、該光半透
過膜上に形成されるレジスト膜のベーク温度よりも高い温度で熱処理して、光半透過膜の
内部応力を低減する。 （もっと読む）

【課題】偏光状態の変化に対するＣＤ誤差敏感度が小さい位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】位相シフトマスクは、交互に配置された２種類の透過領域１０１、１０２を含む透過基板ＳＵＢと、透過基板ＳＵＢの表面に２種類の透過領域１０１、１０２によって挟まれるように配置された遮光膜（吸収体）ｍとを備える。２種類の透過領域は、位相シフト用の掘り込み（溝）Ｔを有する第１透過領域１０１と、掘り込みを有しない第２透過領域１０２とを含む。掘り込みの側壁とそれに近接する遮光膜ｍの側壁との間の領域１１０において、透過基板ＳＵＢの表面が露出していて、これにより２段の階段形状が構成されている。 （もっと読む）

【課題】加工ヘッドを対向するガラス基板に対して走査しながらエッチャントをガラス基板との隙間に供給しこれを吸引排出することでガラス基板の表面を加工する際、走査速度を速めても、平坦化のために算出した目的の除去量（計算値）と実際の加工における除去量にずれを生じさせることなくガラス基板等の被加工物の表面を加工する。
【解決手段】加工ヘッド２によりエッチャントをガラス基板３の表面に供給し吸引することにより、加工ヘッド２とガラス基板３との隙間に一定面積のエッチャント流路を形成し、加工ヘッド２とガラス基板３とを相対的に走査してガラス基板３の表面を加工する際、加工ヘッド２の先端部に設けた加圧ガスノズル６１から乾燥窒素ガスからなる加圧ガス流を流出させてエッチャント流路を流れるエッチャントを加圧し、エッチャント流路内にエッチャントを封じ込むようにした。 （もっと読む）

【課題】エッチングストッパ層に起因した反りを低減し、優れた転写精度を有する転写マスクの製造が可能なマスクブランクを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のマスクブランクは、基板上に凹部を設け、該凹部を埋めるようにエッチングストッパ層を設け、該基板および該エッチングストッパ層の上部に平坦な薄膜層を設けたことを特徴とする。本発明の構成によれば、転写マスクの開口部を設ける部位に、凹部を設けることで、該凹部を埋めるエッチングストッパ層は、開口部を形成する位置のみに形成されることになる。このため、基板全面にエッチングストッパ層を形成するよりも、エッチングストッパ層に起因した反りを低減することが出来る。 （もっと読む）

【課題】各研磨工程で使用する研磨装置がどのような研磨傾向を有するかを把握することによって、極めて平坦で平滑な表面性状を有する基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】製品として供する基板の研磨工程とは別に試験用基板を研磨する試験工程を含み、試験工程は、前段と後段とで連続する各研磨工程で使用する研磨機でそれぞれ少なくとも１回試験研磨する工程と、試験研磨する工程後のそれぞれの試験用基板の形状により、研磨機の研磨パッドの採用または不採用および後段の工程での基板のセット方向を選択する工程と、からなり、試験工程において、研磨パッドが不採用の場合、研磨パッドが採用となるまで研磨パッドを修正または交換した後に再度新たな試験用基板を用いて試験工程を繰り返し、基板を研磨する際、試験工程において採用された研磨パッドを用い、および選択された基板のセット方向に従って基板を研磨する工程を有することによって達成される。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い露光動作を実現できるマスク及び露光装置を提供する。
【解決手段】透過部ＭｂはマスクＭを貫通しているので、ワークＷの上面に塗布されたレジストＲから放出された発生物（例えば昇華物）が、貫通した透過部Ｍｂには付着しないので、光透過量を減少させることがなく、マスクＭを定期的に洗浄する必要がなくなって、生産効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】パターン転写時の露光装置に高ＮＡの露光方法を利用した場合の焦点深度による影響に対応でき、ハーフピッチ４５ｎｍ以降の微細パターンを精度良くパターン転写するのに好適な遮光膜を備えたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１上に遮光膜２を有するフォトマスクブランク１０であって、前記遮光膜２は、金属と珪素（Ｓｉ）を含み、該金属の含有量が、金属と珪素（Ｓｉ）との合計に対し２０原子％を超える量である。また、このフォトマスクブランク１０における上記遮光膜２をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】切断、研磨、面取り等の加工を精度良く行うことができるパターン形成体の製造方法。
【解決手段】表面に凹凸パターン部を有する被加工体１を用意し、上記被加工体１の凹凸パターン部が形成された表面に、硬質保護層２を形成する硬質保護層形成工程と、上記硬質保護層２により保護された凹凸パターン部以外の、上記被加工体１の部分を加工する加工工程と、を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の面内膜厚均一性を向上でき、高いマスクパターン精度が得られるフォトマスクブランク用基板及びフォトマスクブランクを提供する。このフォトマスクブランクを用いて高いパターン精度で微細パターンが形成されたフォトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランク用の基板１であって、該基板１は主表面１１ａ，１１ｂと該主表面の周縁に形成された端面１２とを有し、該端面１２は基板の側面１２ｃと、該側面と主表面との間に介在する面取り面１２ａ，１２ｂとを含む。該側面１２ｃの平坦度が５０μｍ以下である。フォトマスクブランクは、この基板１の主表面上に転写パターンを形成するための薄膜が形成されている。フォトマスクは、フォトマスクブランクの薄膜をパターニングした転写パターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ペリクル接着部に対する露光光の影響を抑制できるフォトマスクを提供する。
【解決手段】本発明に係るフォトマスクは、ペリクル４を装着してなるフォトマスクであって、平板状のガラスからなる基材と、前記基材の一面において、製品パターン部１２ａを除いた領域と前記ペリクルの接着部４ａとの間に、遮光膜１３と酸化膜１４が順に積層されてなることを特徴とする。また遮光膜１３が製品パターン部１２ａを除いた領域に対して、ハーフトーン位相シフト層１２を介して、または直接、配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜の成膜により基板に応力が加わっても、基板が変形せず平坦度を良好とできるＥＵＶマスクブランクの多層反射膜の成膜方法の提供、およびバッファ層及び吸収層の成膜により基板に応力が加わっても、基板が変形せず平坦度を良好とできるＥＵＶマスクブランクの製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法を用いて、基板上にＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法であって、多層反射膜の成膜により基板に加わる応力と逆方向の応力を前記基板が有するように、前記基板を変形させた状態で前記多層反射膜の成膜を実施し、前記多層反射膜の成膜後、前記基板を変形前の形状に戻すことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】静電チャックにより反射型マスクを固定する際の吸着不良の問題を解消し、静電チャックによりマスク表面を平坦にして、高精度のパターン転写を実現することができる、多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランクおよび露光用反射型マスクを提供する。
【解決手段】基板１上に、露光光を反射する多層反射膜２と、該多層反射膜２上に形成された露光光を吸収する吸収体層４とを有する露光用反射型マスクブランクであって、前記マスクブランクの転写パターン形成面とは反対側の面の形状が、凸面を有する形状である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ＬＳＩ分野の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度（サブナノメータレベル）石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。
【解決手段】
石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御できるようにした。 （もっと読む）

【課題】露光スループットを向上させることができ、これにより露光設備台数の抑制及び製造コストの低減が可能なレチクルを提供する。
【解決手段】レチクル１４は、基板１１と、基板１１上に設定されたパターン形成領域１２と、パターン形成領域１２の周囲に設けられた余白部分としての周辺部領域（レクト領域）１３と、パターン形成領域１２内に形成された８チップ分のマスクパターン１５（１３ａ乃至１３ｈ）とを備えている。パターン形成領域１２の縦横寸法は異なっており、矢印で示すスキャン方向（Ｙ方向）に長い長方形状を有している。パターン形成領域１２のＸ方向の幅Ｗ_Ｘは、縮小投影光学系のレンズ幅以下に設定されている。これに対し、パターン形成領域１２のＹ方向の幅Ｗ_Ｙには特に制限がなく、本実施形態においては、Ｘ方向の幅Ｗ_Ｘの約２倍に設定されている。 （もっと読む）

【課題】円筒状または円柱状のマスクの位置情報を正確に取得でき、基板上にパターン像を良好に形成することができるマスクを提供する。
【解決手段】マスクＭは、パターンＭＰが形成され所定軸Ｊの周りに配置されたパターン形成面ＭＦと、パターン形成面に形成されたパターンからなり、パターンは外周面の周方向に複数形成され、パターン形成面の所定領域にパターンに対して所定位置関係で形成された位置情報を取得するためのマークとを備えている。 （もっと読む）

【課題】電子デバイス用基板に関する評価項目を１回の測定で検査でき、基板とは非接触で、高い測定精度が得られる電子デバイス用基板形状検査装置を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板の形状を光学的に検出する形状検出手段１と、検出した形状情報に必要に応じた画像処理を施す形状情報処理手段５と、前記検出した形状情報又はこれに前記画像処理を施した形状情報に基づいて前記基板の形状を測定する形状測定手段６とを備え、前記形状検出手段１は受光部を備え、前記基板の少なくとも測定部位を通過した光を反射させて再び前記受光部に戻すように光路中に光学部材を介在させた。 （もっと読む）